JPS61234509A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- JPS61234509A JPS61234509A JP7733885A JP7733885A JPS61234509A JP S61234509 A JPS61234509 A JP S61234509A JP 7733885 A JP7733885 A JP 7733885A JP 7733885 A JP7733885 A JP 7733885A JP S61234509 A JPS61234509 A JP S61234509A
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- Japan
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- thin film
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- soft magnetic
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- sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、良好な軟磁気特性を示し磁気ヘッド材料等に
好適な軟磁性薄膜に関するものである。
好適な軟磁性薄膜に関するものである。
本発明は、F e * G a + S iを主成分
とする新規な組成を有する軟磁性薄膜を提供し、特に飽
和磁束密度Bsが極めて大きな軟磁性薄膜を提供するも
のである。
とする新規な組成を有する軟磁性薄膜を提供し、特に飽
和磁束密度Bsが極めて大きな軟磁性薄膜を提供するも
のである。
例えば°オーディオテープレコーダやVTR(ビデオテ
ープレコーダ)等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化等が進められており、この高
記録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にF
e、Co、Ni等の金属あるいは合金からなる粉末を用
いた、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を真空
薄膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した、
いわゆる蒸着テープ等が開発され、各分野で実用化され
ている。
ープレコーダ)等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化等が進められており、この高
記録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にF
e、Co、Ni等の金属あるいは合金からなる粉末を用
いた、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を真空
薄膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した、
いわゆる蒸着テープ等が開発され、各分野で実用化され
ている。
ところで、このような高保磁力を有する磁気記録媒体の
特性を発揮せしめるためには、磁気ヘッドのコア材料の
特性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同一
の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、
高透磁率を併せて有することが要求される。例えば、従
来磁気ヘッドのコア材料として多用されているフェライ
ト材では飽和磁束密度が低く、また、パーマロイでは耐
摩耗性に問題がある。
特性を発揮せしめるためには、磁気ヘッドのコア材料の
特性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同一
の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、
高透磁率を併せて有することが要求される。例えば、従
来磁気ヘッドのコア材料として多用されているフェライ
ト材では飽和磁束密度が低く、また、パーマロイでは耐
摩耗性に問題がある。
従来、かかる諸要求を満たすコア材料として、Fe−A
1−St系合金からなるセンダスト合金が好適であると
考えられ、すでに実用に供されていることは周知の通り
である。
1−St系合金からなるセンダスト合金が好適であると
考えられ、すでに実用に供されていることは周知の通り
である。
しかしながら、このセンダスト合金のように軟磁気特性
に優れた材料においては、磁歪λSと結晶磁気異方性K
が共に零付近であることが望ましく、磁気ヘッドに使用
可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められる
。したがって、飽和磁束密度もこの組成に対応して一義
的に決まり、センダスト合金の場合、10−11にガウ
スが限界である。
に優れた材料においては、磁歪λSと結晶磁気異方性K
が共に零付近であることが望ましく、磁気ヘッドに使用
可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められる
。したがって、飽和磁束密度もこの組成に対応して一義
的に決まり、センダスト合金の場合、10−11にガウ
スが限界である。
あるいは、上記センダスト合金にかわり、高周波数領域
での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有する非
晶質磁性合金材料(いわゆるアモルファス磁性合金材料
)も開発されているが、この非晶質磁性合金材料でも飽
和磁束密度は12にガウス程度であり、また、熱的に不
安定で結晶化の可能性が大きいので500℃以上の温度
を長時間加えることはできず、例えばガラス融着のよう
に各種熱処理が必要な磁気ヘッドに使用するには工程上
制限が生ずる。
での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有する非
晶質磁性合金材料(いわゆるアモルファス磁性合金材料
)も開発されているが、この非晶質磁性合金材料でも飽
和磁束密度は12にガウス程度であり、また、熱的に不
安定で結晶化の可能性が大きいので500℃以上の温度
を長時間加えることはできず、例えばガラス融着のよう
に各種熱処理が必要な磁気ヘッドに使用するには工程上
制限が生ずる。
このような状況から、高品質化、高記録密度化を図るた
めの磁気記録媒体の高保磁力化の試みも、従来のコア材
料を用いる限りにおいて、飽和磁束密度の限界から自ず
と制約を受けているのが現状である。
めの磁気記録媒体の高保磁力化の試みも、従来のコア材
料を用いる限りにおいて、飽和磁束密度の限界から自ず
と制約を受けているのが現状である。
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、センダスト合金と同程度の軟磁気特性(
透磁率や抗磁力等)を有し、飛躍的に高い飽和磁束密度
を有する軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
ものであって、センダスト合金と同程度の軟磁気特性(
透磁率や抗磁力等)を有し、飛躍的に高い飽和磁束密度
を有する軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
C問題点を解決するための手段〕
本発明者等は、かかる目的を達成せんものと長期に亘り
鋭意研究の結果、Fe、Ga、Stを主成分とする新規
組成物がセンダスト合金をはるかに凌ぐ飽和磁束密度を
示すことを見出し本発明を完成するに至ったものであっ
て、Fe@GabSic(ただしa、b、cはそれぞれ
組成比を原子%として表す、)なる組成式で示され、そ
の組成範囲が 68≦a≦84 1≦b≦23 9≦c≦31 a+b+c=100 であることを特徴とするものである。
鋭意研究の結果、Fe、Ga、Stを主成分とする新規
組成物がセンダスト合金をはるかに凌ぐ飽和磁束密度を
示すことを見出し本発明を完成するに至ったものであっ
て、Fe@GabSic(ただしa、b、cはそれぞれ
組成比を原子%として表す、)なる組成式で示され、そ
の組成範囲が 68≦a≦84 1≦b≦23 9≦c≦31 a+b+c=100 であることを特徴とするものである。
さらに、上記組成のうち、Gaの一部をAlで置換して
もよく、あるいはSiの一部をGeで置換してもよい。
もよく、あるいはSiの一部をGeで置換してもよい。
本発明の軟磁性薄膜は、Fe、Ga、Stを主成分とす
るものであって、センダスト合金よりも飽和磁束密度B
sははるかに高く、また、Fe−Si系合金である電f
lI鋼板と同等の飽和磁束密度BSを有し、かつ電磁鋼
板よりも軟磁気特性や耐蝕性に優れるものである。
るものであって、センダスト合金よりも飽和磁束密度B
sははるかに高く、また、Fe−Si系合金である電f
lI鋼板と同等の飽和磁束密度BSを有し、かつ電磁鋼
板よりも軟磁気特性や耐蝕性に優れるものである。
本発明の軟磁性薄膜においては、各成分元素の組成比を
所定の範囲内に設定することが好ましく、この範囲を外
れると磁歪が大きくなり、磁気特性が劣化する。
所定の範囲内に設定することが好ましく、この範囲を外
れると磁歪が大きくなり、磁気特性が劣化する。
上記軟磁性薄膜の製造方法としては種々の方法が考えら
れるが、なかでも真空薄膜形成技術によるのが良い。
れるが、なかでも真空薄膜形成技術によるのが良い。
この真空薄膜形成技術の手法としては、スパッタリング
やイオンブレーティング、真空蒸着法。
やイオンブレーティング、真空蒸着法。
クラスター・イオンビーム法等が挙げられる。
また、上記各成分元素の組成を調節する方法としては、
(1) Fe、Ga、Siを所定の割合となるように
秤量し、これらをあらかじめ例えば高周波溶解炉等で溶
解して合金インゴットを形成しておき、この合金インゴ
ットを蒸発源として使用する方法、 (2)各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源の数で組成を制御する方法、 (3)各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源に加える出力(印加電圧)を制御して蒸発スピードを
コントロールし組成を制御する方法、 (4)合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち
込む方法、 等が挙げられる。
秤量し、これらをあらかじめ例えば高周波溶解炉等で溶
解して合金インゴットを形成しておき、この合金インゴ
ットを蒸発源として使用する方法、 (2)各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源の数で組成を制御する方法、 (3)各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源に加える出力(印加電圧)を制御して蒸発スピードを
コントロールし組成を制御する方法、 (4)合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち
込む方法、 等が挙げられる。
なお、上述の真空薄膜形成技術等により膜付けされた軟
磁性薄膜は、そのままの状態では保磁力は若干高い値を
示し良好な軟磁気特性が得られないので、熱処理を施し
て膜の歪を除去し、軟磁気特性を改善することが好まし
い。
磁性薄膜は、そのままの状態では保磁力は若干高い値を
示し良好な軟磁気特性が得られないので、熱処理を施し
て膜の歪を除去し、軟磁気特性を改善することが好まし
い。
このように、軟磁性薄膜の構成元素としてFe。
Ga、Siを選び、これらの組成比を所定の範囲内に設
定することにより、飽和磁束密度Bsはセンダスト合金
等に比べて大幅に大きなものとなり、抗磁力、透磁率等
の軟磁気特性や耐蝕性も確保される。
定することにより、飽和磁束密度Bsはセンダスト合金
等に比べて大幅に大きなものとなり、抗磁力、透磁率等
の軟磁気特性や耐蝕性も確保される。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこの実施例に限定されるものではない。
発明がこの実施例に限定されるものではない。
先ず、Fe、Ga、Stをそれぞれ所定の組成比となる
ように秤量し、高周波誘導加熱炉を用いて溶解・鋳造後
、さらに機械加工を行って直径4インチ、厚み4mのス
パッタリング用合金ターゲットを得た。
ように秤量し、高周波誘導加熱炉を用いて溶解・鋳造後
、さらに機械加工を行って直径4インチ、厚み4mのス
パッタリング用合金ターゲットを得た。
次に、この合金ターゲットを用いて、高周波マグネトロ
ンスパッタ装置により、アルゴン分圧5X 10−3T
orr、投入電力300Wの条件でスパッタリングを行
い、結晶化ガラス基板(保谷ガラス社製、商品名HOY
A PEG3130C)上に膜厚約1μmの薄膜を得
た。
ンスパッタ装置により、アルゴン分圧5X 10−3T
orr、投入電力300Wの条件でスパッタリングを行
い、結晶化ガラス基板(保谷ガラス社製、商品名HOY
A PEG3130C)上に膜厚約1μmの薄膜を得
た。
さらに、この薄膜を、I X 10−’Torr以下の
真空下で500℃、1時間焼鈍し徐冷して軟磁性薄膜を
得た。
真空下で500℃、1時間焼鈍し徐冷して軟磁性薄膜を
得た。
上述の方法に従い、合金ターゲットの組成比を第1図中
にそれぞれO印で示すような値に設定し、サンプルエな
いしサンプル14を作製した。なお、サンプル作製用合
金ターゲットの組成比と得られる軟磁性薄膜の組成比と
の間には若干のずれがあるが、スパッタリング時の組成
ずれにより、得られる各サンプルの組成比は第1図中斜
線で示す本発明の組成範囲内となる。
にそれぞれO印で示すような値に設定し、サンプルエな
いしサンプル14を作製した。なお、サンプル作製用合
金ターゲットの組成比と得られる軟磁性薄膜の組成比と
の間には若干のずれがあるが、スパッタリング時の組成
ずれにより、得られる各サンプルの組成比は第1図中斜
線で示す本発明の組成範囲内となる。
得られた各サンプルについて、飽和磁束密度BS、飽和
磁化σ9.抗磁力Hc、透磁率μ(IMHzおよび10
0MHzにおける値)、磁歪および耐蝕性について調べ
た。
磁化σ9.抗磁力Hc、透磁率μ(IMHzおよび10
0MHzにおける値)、磁歪および耐蝕性について調べ
た。
ここで、飽和磁束密度Bsは試料振動磁束計(VSM)
、抗磁力HcはB−Hループトレーサ、透磁率μは8の
字コイル型透磁率針で測定した。
、抗磁力HcはB−Hループトレーサ、透磁率μは8の
字コイル型透磁率針で測定した。
また、各サンプルの膜厚は、試料表面にアルミニウムを
薄く蒸着し、多重干渉膜厚計によって膜と基板との段差
を測定することにより求めた。さらに、各サンプルの組
成分析は、E P M A (Electron Pr
obe Micro−Analysis)法によった。
薄く蒸着し、多重干渉膜厚計によって膜と基板との段差
を測定することにより求めた。さらに、各サンプルの組
成分析は、E P M A (Electron Pr
obe Micro−Analysis)法によった。
各サンプルの耐蝕性は、室温で水道水に約−週間浸した
後の膜面の表面の観察に依った。この耐蝕性の評価は、
下記のような表面状態から判定した。
後の膜面の表面の観察に依った。この耐蝕性の評価は、
下記のような表面状態から判定した。
A:膜面に変化がなく、鏡面を保ったままの状態。
B:膜面に薄く錆が発生した状態。
C:膜面に濃く錆が発生した状態。
D:膜自体が消失する程度に錆が発生した状態。
結果を次表に示す。なお、比較のために、上述の方法と
同様に成膜したFe−3i合金(電磁鋼板)およびFe
−3i−A1合金(センダスト)についても、それぞれ
比較サンプル1および比較サンプル2として、各値を測
定した。
同様に成膜したFe−3i合金(電磁鋼板)およびFe
−3i−A1合金(センダスト)についても、それぞれ
比較サンプル1および比較サンプル2として、各値を測
定した。
(以下余白)
この表より、本発明に係る各サンプルにあっては、セン
ダスト合金よりも若干軟磁気特性に劣るものの、飽和磁
束密度Bsははるかに高いことがわかる。また、これら
各サンプルの飽和磁束密度Bsは、Fe−3t合金(電
磁鋼板)と同等で、かつ軟磁気特性や耐蝕性はFe−3
i合金よりも優れていることがわかる。
ダスト合金よりも若干軟磁気特性に劣るものの、飽和磁
束密度Bsははるかに高いことがわかる。また、これら
各サンプルの飽和磁束密度Bsは、Fe−3t合金(電
磁鋼板)と同等で、かつ軟磁気特性や耐蝕性はFe−3
i合金よりも優れていることがわかる。
また、上記各サンプルの磁歪について、張力あるいは圧
縮力を加えた時の異方性磁界の値から見積もったところ
、いずれも磁歪はlXl0−6以下の値であった。
縮力を加えた時の異方性磁界の値から見積もったところ
、いずれも磁歪はlXl0−6以下の値であった。
ところで、本実施例においては、軟磁性薄膜をスパッタ
リングにより被着した後、温度500℃の条件で熱処理
を施しているが、これは次のような理由による。
リングにより被着した後、温度500℃の条件で熱処理
を施しているが、これは次のような理由による。
例えば、サンプル1 (F eq*、zGat、ts
i Ia、b)について、スパッタリングにより被着
したままの状態で抗磁力Hcを測定したところ、約IB
エルステッドとかなり高い値を示した。
i Ia、b)について、スパッタリングにより被着
したままの状態で抗磁力Hcを測定したところ、約IB
エルステッドとかなり高い値を示した。
そこで、本発明者等はさらに実験を重ね、このスパッタ
リングにより被着した薄膜に対して熱処理を加え、この
熱処理温度と得られる軟磁性薄膜の抗磁力Hcの関係に
ついて調べた。結果を第2図に示す。
リングにより被着した薄膜に対して熱処理を加え、この
熱処理温度と得られる軟磁性薄膜の抗磁力Hcの関係に
ついて調べた。結果を第2図に示す。
この第2図より、スパッタリングにより被着した薄膜に
対して熱処理を施すことにより得られる軟磁性薄膜の抗
磁力HCが大幅に低減し、特に熱処理温度が450〜5
50℃の時に極小値を示すことがわかった。
対して熱処理を施すことにより得られる軟磁性薄膜の抗
磁力HCが大幅に低減し、特に熱処理温度が450〜5
50℃の時に極小値を示すことがわかった。
このような知見に基づき、サンプル2(Fet?、+G
aq、o S i+3.++)について、熱処理前と温
度500℃、1時間の条件での焼鈍・徐冷後の磁化曲線
を求めた。第3図は熱処理前の磁化曲線であり、第4図
は熱処理後の磁化曲線である。これら第3図および第4
図から、温度500℃での熱処理により、得られる軟磁
性薄膜の磁気特性(特に抗磁力)が著しく改善されたこ
とがわかる。
aq、o S i+3.++)について、熱処理前と温
度500℃、1時間の条件での焼鈍・徐冷後の磁化曲線
を求めた。第3図は熱処理前の磁化曲線であり、第4図
は熱処理後の磁化曲線である。これら第3図および第4
図から、温度500℃での熱処理により、得られる軟磁
性薄膜の磁気特性(特に抗磁力)が著しく改善されたこ
とがわかる。
上述の説明からも明らかなように、軟磁性薄膜の成分元
素としてFe、Ga、Stを選び、これらの組成比を所
定の値に設定することにより、センダスト合金やアモル
ファス磁性合金等をはるかに凌ぐ飽和磁束密度Bsを達
成することができるとともに、軟磁気特性や耐蝕性を確
保することができる。
素としてFe、Ga、Stを選び、これらの組成比を所
定の値に設定することにより、センダスト合金やアモル
ファス磁性合金等をはるかに凌ぐ飽和磁束密度Bsを達
成することができるとともに、軟磁気特性や耐蝕性を確
保することができる。
したがって、この軟磁性薄膜を例えば磁気ヘッドのコア
材料として用いることにより、磁気記録媒体の高保磁力
化に充分対処することができ、高品質化や高記録密度化
を図ることが可能となる。
材料として用いることにより、磁気記録媒体の高保磁力
化に充分対処することができ、高品質化や高記録密度化
を図ることが可能となる。
第1図は本発明の実施例で用いた合金ターゲットの組成
および本発明の軟磁性薄膜の組成範囲を示す3元特性図
である。 第2図はスパッタリングにより被着した軟磁性薄膜の抗
磁力Hcと熱処理温度の関係を示す特性図であり、第3
図はこの軟磁性薄膜の熱処理前の磁化曲線を示す特性図
、第4図は500℃、1時間の熱処理後の磁化曲線を示
す特性図である。 第1図
および本発明の軟磁性薄膜の組成範囲を示す3元特性図
である。 第2図はスパッタリングにより被着した軟磁性薄膜の抗
磁力Hcと熱処理温度の関係を示す特性図であり、第3
図はこの軟磁性薄膜の熱処理前の磁化曲線を示す特性図
、第4図は500℃、1時間の熱処理後の磁化曲線を示
す特性図である。 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Fe_aGa_bSi_c(ただしa、b、cはそれぞ
れ組成比を原子%として表す。)なる組成式で示され、
その組成範囲が 68≦a≦84 1≦b≦23 9≦c≦31 a+b+c=100 であることを特徴とする軟磁性薄膜。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60077338A JPH0789524B2 (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 磁気ヘッド用軟磁性薄膜 |
US06/850,108 US4748000A (en) | 1985-04-11 | 1986-04-10 | Soft magnetic thin film |
DE8686104897T DE3681056D1 (de) | 1985-04-11 | 1986-04-10 | Weichmagnetischer duenner film. |
EP86104897A EP0198422B1 (en) | 1985-04-11 | 1986-04-10 | Soft magnetic thin film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60077338A JPH0789524B2 (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 磁気ヘッド用軟磁性薄膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61234509A true JPS61234509A (ja) | 1986-10-18 |
JPH0789524B2 JPH0789524B2 (ja) | 1995-09-27 |
Family
ID=13631129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60077338A Expired - Lifetime JPH0789524B2 (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 磁気ヘッド用軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0789524B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3803303A1 (de) * | 1987-02-04 | 1988-08-18 | Sony Corp | Magnetkopf |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58153757A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Takeshi Masumoto | ガリウム含有非晶質磁性合金 |
-
1985
- 1985-04-11 JP JP60077338A patent/JPH0789524B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58153757A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Takeshi Masumoto | ガリウム含有非晶質磁性合金 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3803303A1 (de) * | 1987-02-04 | 1988-08-18 | Sony Corp | Magnetkopf |
US4953050A (en) * | 1987-02-04 | 1990-08-28 | Sony Corporation | Magnetic head with Ru containing soft magnetic alloy in gap |
DE3803303C2 (de) * | 1987-02-04 | 2000-08-17 | Sony Corp | Magnetkopf |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0789524B2 (ja) | 1995-09-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |