JPS62104110A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
- Publication number
- JPS62104110A JPS62104110A JP24462585A JP24462585A JPS62104110A JP S62104110 A JPS62104110 A JP S62104110A JP 24462585 A JP24462585 A JP 24462585A JP 24462585 A JP24462585 A JP 24462585A JP S62104110 A JPS62104110 A JP S62104110A
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- Japan
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- thin film
- soft magnetic
- magnetic
- alloy
- magnetic thin
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は軟磁性薄膜に関するものであり、詳細にはFe
−Co−3i系合金薄膜の耐蝕性の改良に関するもので
ある。
−Co−3i系合金薄膜の耐蝕性の改良に関するもので
ある。
本発明は、Fe−Co−3i系合金FjFII2におい
て、Co及びSiの組成範囲をそれぞれ5〜20原子%
、15〜20原子%とし、さらにRuを0゜1〜10原
子%添加して、 軟磁気特性を劣化することなく耐蝕性、耐摩耗性の改善
を図ろうとするものである。
て、Co及びSiの組成範囲をそれぞれ5〜20原子%
、15〜20原子%とし、さらにRuを0゜1〜10原
子%添加して、 軟磁気特性を劣化することなく耐蝕性、耐摩耗性の改善
を図ろうとするものである。
磁気記録における記録の高密度化、高品質化を図る目的
で、高保磁力を有する磁気記録媒体1例えば磁性粉にF
e + Co 、 N i等の金属あるいは合金か
らなる金属磁性粉末を用いた、いわゆる合金塗布型のメ
タルテープ等が開発され、オーディオテープレコーダを
はじめ、いわゆる8ミリVTR(8ミリビデオテープレ
コーダ)等、民生用の磁気記録の分野で実用化が進んで
いる。
で、高保磁力を有する磁気記録媒体1例えば磁性粉にF
e + Co 、 N i等の金属あるいは合金か
らなる金属磁性粉末を用いた、いわゆる合金塗布型のメ
タルテープ等が開発され、オーディオテープレコーダを
はじめ、いわゆる8ミリVTR(8ミリビデオテープレ
コーダ)等、民生用の磁気記録の分野で実用化が進んで
いる。
したがって、このような磁気記録媒体を充分に磁化する
ためには、磁気ヘッドのコア材料に対して、この媒体の
保磁力に見合った充分高い飽和磁束密度を有することが
要求される。また、特に記録・再生を同一の磁気ヘッド
で行う場合においては、上述の飽和磁束密度のみならず
、適用する周波数帯域で充分に高い透磁率を有する材料
であることが必要である。
ためには、磁気ヘッドのコア材料に対して、この媒体の
保磁力に見合った充分高い飽和磁束密度を有することが
要求される。また、特に記録・再生を同一の磁気ヘッド
で行う場合においては、上述の飽和磁束密度のみならず
、適用する周波数帯域で充分に高い透磁率を有する材料
であることが必要である。
従来、このような基本的な磁気特性を満たすコア材料と
して、Fe−Al−3i系合金(センダスト合金)が知
られており、実用に供されていることは周知の通りであ
る。
して、Fe−Al−3i系合金(センダスト合金)が知
られており、実用に供されていることは周知の通りであ
る。
しかしながら、このセンダスト合金のように軟磁気特性
に優れた材料においては、磁歪λSと結晶磁気異方性K
が共に零付近であることが望ましく、磁気ヘッドに使用
可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められる
。したがって、飽和磁束密度もこの組成に対応して一義
的に決まり、センダスト合金の場合、10〜llkガウ
スが限界である。
に優れた材料においては、磁歪λSと結晶磁気異方性K
が共に零付近であることが望ましく、磁気ヘッドに使用
可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められる
。したがって、飽和磁束密度もこの組成に対応して一義
的に決まり、センダスト合金の場合、10〜llkガウ
スが限界である。
あるいは、上記センダスト合金にかわり、高周波数領域
での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有する非
晶質磁性合金材料(いわゆるアモルファス磁性合金材料
)も開発されているが、この非晶質磁性合金材料でも飽
和磁束密度は12にガウス程度であり、また、熱的に不
安定で結晶化の可能性が大きいので500°C以上の温
度を長時間加えることはできず、例えばガラス融着のよ
うに各種熱処理が必要な磁気ヘッドに使用するには工程
上制限が生ずる。
での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有する非
晶質磁性合金材料(いわゆるアモルファス磁性合金材料
)も開発されているが、この非晶質磁性合金材料でも飽
和磁束密度は12にガウス程度であり、また、熱的に不
安定で結晶化の可能性が大きいので500°C以上の温
度を長時間加えることはできず、例えばガラス融着のよ
うに各種熱処理が必要な磁気ヘッドに使用するには工程
上制限が生ずる。
このような状況から、さらに良好な軟磁気特性を示す軟
磁性材料の研究が進められ、例えば本願出願人は先に特
願昭60−81944号明細書において、Fe、Co、
3iを主成分とするFe−Co−3i系軟磁性薄膜を提
案した。
磁性材料の研究が進められ、例えば本願出願人は先に特
願昭60−81944号明細書において、Fe、Co、
3iを主成分とするFe−Co−3i系軟磁性薄膜を提
案した。
本発明は、このFe−Co−3i系軟磁性薄膜の耐蝕性
の一層の改善を図るものである。
の一層の改善を図るものである。
すなわち、本発明は、センダスト合金を凌ぐ高い飽和磁
束密度を有するとともに、優れた耐蝕性を有する軟磁性
薄膜を提供することを目的とする。
束密度を有するとともに、優れた耐蝕性を有する軟磁性
薄膜を提供することを目的とする。
本発明者等は、前述の問題点を解消せんものと鋭意研究
の結果、所定量のRuの添加が耐蝕性。
の結果、所定量のRuの添加が耐蝕性。
耐摩耗性の向上に有効で、また軟磁気特性を1員なうこ
ともないとの知見を得るに至った。
ともないとの知見を得るに至った。
本発明の軟磁性″”ill IIは、このような知見に
基づいて完成されたものであって、Fe、Co、Siを
主成分とし、上記Co及びSlの組成範囲がそれぞれ5
〜20原子%Co、15〜20原子%Siであって、さ
らにO,l −10原子%のRuを含存することを特徴
としている。
基づいて完成されたものであって、Fe、Co、Siを
主成分とし、上記Co及びSlの組成範囲がそれぞれ5
〜20原子%Co、15〜20原子%Siであって、さ
らにO,l −10原子%のRuを含存することを特徴
としている。
Ruの添加は、耐蝕性、耐摩耗性の改善に極めて有効で
、例えば、軟磁性薄膜の組成をF e &&−11Ru
g Co+xS i z+(ただし、数値はそれぞれ原
子%を示す、)とし、Ruの添加lxを変えて摩耗量を
調べたところ、第1図に示すように摩耗量低減に顕著な
効果を示した。すなわち、−Inに軟磁性薄膜を磁気ヘ
ッドに加工し磁気テープを走行させると、走行時間の増
加に伴って摩耗量も増加するが、Ruの添加量の増加に
伴い、例えば30時間走行後であっても摩耗量は極めて
少ないものとなり、Ru4原子%の時、センダストより
優れた耐摩耗性を示すことがわかった。
、例えば、軟磁性薄膜の組成をF e &&−11Ru
g Co+xS i z+(ただし、数値はそれぞれ原
子%を示す、)とし、Ruの添加lxを変えて摩耗量を
調べたところ、第1図に示すように摩耗量低減に顕著な
効果を示した。すなわち、−Inに軟磁性薄膜を磁気ヘ
ッドに加工し磁気テープを走行させると、走行時間の増
加に伴って摩耗量も増加するが、Ruの添加量の増加に
伴い、例えば30時間走行後であっても摩耗量は極めて
少ないものとなり、Ru4原子%の時、センダストより
優れた耐摩耗性を示すことがわかった。
また、Feの一部をRuで置換し、飽和磁束密度の変化
を調べたところ、第2図に示すように、Ruの置換量の
増加に伴って飽和磁束密度は若干減少するものの、C「
でInした場合に比べると、減少の割合は極めて小さく
、stT:i換した場合に比べても小さいことがわかっ
た。
を調べたところ、第2図に示すように、Ruの置換量の
増加に伴って飽和磁束密度は若干減少するものの、C「
でInした場合に比べると、減少の割合は極めて小さく
、stT:i換した場合に比べても小さいことがわかっ
た。
本発明において、Ruの添加量を0.1〜10原子%と
したのは、添加量が0.1原子%未満では耐摩耗性の改
善に充分な効果が期待できず、一方、添加量が10原子
%を越えると軟磁気特性の劣化や飽和磁束密度の減少を
もたらし、本来の意味を失うからである。
したのは、添加量が0.1原子%未満では耐摩耗性の改
善に充分な効果が期待できず、一方、添加量が10原子
%を越えると軟磁気特性の劣化や飽和磁束密度の減少を
もたらし、本来の意味を失うからである。
一方、本発明の軟磁性薄膜において、所定の磁気特性を
確保するために、基本成分であるFe。
確保するために、基本成分であるFe。
Co、Siについては、Co5〜20原子%、5i15
〜20原子%、残部Feとする。これら基本成分が前記
組成範囲を外れると、飽和磁束密度。
〜20原子%、残部Feとする。これら基本成分が前記
組成範囲を外れると、飽和磁束密度。
透磁率、保磁力等の磁気特性を確保することが難しくな
る。
る。
したがって、本発明の軟磁性薄膜の組成を式F ell
Rub CocS I m (ただし、・式中a、b、c、dはそれぞれ組成を原子
%で表す。) で表せば、その組成範囲は、 0.1≦b≦10 5≦C≦20 15≦d≦20 a+b+c+d=1 o。
Rub CocS I m (ただし、・式中a、b、c、dはそれぞれ組成を原子
%で表す。) で表せば、その組成範囲は、 0.1≦b≦10 5≦C≦20 15≦d≦20 a+b+c+d=1 o。
となる。
上述の軟磁性薄膜の製造方法としては種々の方法が考え
られるが、なかでも真空薄膜形成技術によるのが良い。
られるが、なかでも真空薄膜形成技術によるのが良い。
この真空薄膜形成技術の手法としては、スパッタリング
やイオンブレーティング、真空蒸着法。
やイオンブレーティング、真空蒸着法。
クラスター・イオンビーム法等が挙げられる。
また、上記各成分元素の組成を調節する方法としては、
1)Fa、Ru、Co、Siを所定の割合となるように
秤量し、これらをあらかじめ例えば高周波溶解炉岸で溶
解して合金インゴットを形成しておき、この合金インゴ
ットを蒸発源として使用する方法、 ii)各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源の数で組成を制御する方法、 iii )各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら
蒸発源に加える出力(印加電圧)を制御して蒸発スピー
ドをコントロールし組成を制御する方法、 iv)合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち
込む方法、 等が挙げられる。
秤量し、これらをあらかじめ例えば高周波溶解炉岸で溶
解して合金インゴットを形成しておき、この合金インゴ
ットを蒸発源として使用する方法、 ii)各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源の数で組成を制御する方法、 iii )各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら
蒸発源に加える出力(印加電圧)を制御して蒸発スピー
ドをコントロールし組成を制御する方法、 iv)合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち
込む方法、 等が挙げられる。
なお、上述の真空薄膜形成技術等により膜付けされた軟
磁性薄膜は、そのままの状態では保磁力は若干高い値を
示し良好な軟磁気特性が得られないので、熱処理を施し
て膜の歪を除去し、軟磁気特性を改善することが好まし
い。
磁性薄膜は、そのままの状態では保磁力は若干高い値を
示し良好な軟磁気特性が得られないので、熱処理を施し
て膜の歪を除去し、軟磁気特性を改善することが好まし
い。
このように、Fe、Co、Siを基本成分とするFe−
Co−Si系合金へのRuの添加は、耐摩耗性向上や耐
蝕性の改善の点で顕著に作用する。
Co−Si系合金へのRuの添加は、耐摩耗性向上や耐
蝕性の改善の点で顕著に作用する。
また、Ruの添加による軟磁気特性の劣化はほとんどな
く、飽和磁束密度の減少も著しく少ない。
く、飽和磁束密度の減少も著しく少ない。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこの実施例に限定されるものではない。
発明がこの実施例に限定されるものではない。
先ず、Fe、Ru、Co、Siをそれぞれ所定の組成比
となるように秤量し、アルゴン雲囲気中で高周波誘導加
熱炉を用いて溶解・鋳造後、さらに平面研削盤により機
械加工を行って直径4インチ、厚み4龍のスパッタリン
グ用合金ターゲットを得た。
となるように秤量し、アルゴン雲囲気中で高周波誘導加
熱炉を用いて溶解・鋳造後、さらに平面研削盤により機
械加工を行って直径4インチ、厚み4龍のスパッタリン
グ用合金ターゲットを得た。
次に、この合金ターゲットを用いて、高周波マグネトロ
ンスパッタ装置により、アルゴン分圧5X 10−3T
orr、投込電力300Wの条件でスパッタリングを行
い、水冷した結晶化ガラス基板(保谷ガラス社製、商品
名HOYA PEC3130C)上に膜厚約1μmの
薄膜を得た。
ンスパッタ装置により、アルゴン分圧5X 10−3T
orr、投込電力300Wの条件でスパッタリングを行
い、水冷した結晶化ガラス基板(保谷ガラス社製、商品
名HOYA PEC3130C)上に膜厚約1μmの
薄膜を得た。
さらに、この薄膜を、I X I O−’Torr以下
の真空下でTaなる温度で1時間焼鈍し、徐冷して軟磁
性薄膜を得た。
の真空下でTaなる温度で1時間焼鈍し、徐冷して軟磁
性薄膜を得た。
上述の方法に従い、合金ターゲットの組成比を次表中に
示すような値に設定し、サンプルlないしサンプル4を
作製した。
示すような値に設定し、サンプルlないしサンプル4を
作製した。
得られた各サンプルについて、軟6■性薄膜の膜組成を
分析し、飽和磁束密度Bs、抗磁力Hc。
分析し、飽和磁束密度Bs、抗磁力Hc。
透磁率μ(I M Ilzにおける値)、磁歪、摩耗量
および耐蝕性について調べた。
および耐蝕性について調べた。
ここで、飽和磁束密度Bsは試料振動磁束計(VSM)
、抗磁力Hcは交流1011zのB −Hループトレ
ーサ、透磁率μは8の字コイル型透磁率計で測定した。
、抗磁力Hcは交流1011zのB −Hループトレ
ーサ、透磁率μは8の字コイル型透磁率計で測定した。
また、各サンプルの膜厚は、試料表面にアルミニウムを
薄く藤着し、多重干渉膜厚計によって膜と基板との段差
を測定することにより求めた。さらに、各サンプルのA
fl成分析は、EP MA (Electron Pr
obe Micro−Analysis)法によった。
薄く藤着し、多重干渉膜厚計によって膜と基板との段差
を測定することにより求めた。さらに、各サンプルのA
fl成分析は、EP MA (Electron Pr
obe Micro−Analysis)法によった。
摩耗量は次のようにして求めた。すなわち、先ず基板と
してフェライトよりなる擬似ヘッドを作製し、先に述べ
たスパッタ条件と同一の条件で膜厚18μmの軟磁性薄
膜をヘッドチップの先端に成膜した。この擬似ヘッドを
テープ幅1インチのビデオテープレコーダ(相対速度2
5.6 m / 5ee)にトランク幅0.5mm、突
き出し180μmとなるように取り付け、γ−1? 6
z O3を磁性粉末とする磁気テープを30時時間待
させて膜の減少量を顕微鏡で写真観察して求めた。
してフェライトよりなる擬似ヘッドを作製し、先に述べ
たスパッタ条件と同一の条件で膜厚18μmの軟磁性薄
膜をヘッドチップの先端に成膜した。この擬似ヘッドを
テープ幅1インチのビデオテープレコーダ(相対速度2
5.6 m / 5ee)にトランク幅0.5mm、突
き出し180μmとなるように取り付け、γ−1? 6
z O3を磁性粉末とする磁気テープを30時時間待
させて膜の減少量を顕微鏡で写真観察して求めた。
各サンプルの耐蝕性は、1規定の食塩水に室温で一週間
浸した後の膜面の表面の観察に依った。
浸した後の膜面の表面の観察に依った。
この耐蝕性の評価は、下記のような表面状態から判定し
た。
た。
A:膜面に変化がなく、鏡面を保ったままの状態。
B:tlI!面に薄く錆が発生した状態。
C:膜面に濃く錆が発生した状態。
D=膜自体が消失する程度に錆が発生した状態。
結果を次表に示す。なお、比較のために、上述の方法と
同様に成膜したFe−Co−3i合金(Ruを含まず。
同様に成膜したFe−Co−3i合金(Ruを含まず。
)についても、比較サンプル1〜5として各値を測定し
た。
た。
(以下余白)
この表より、本発明を通用した各サンプルにあっては、
特に耐蝕性や摩耗量において顕著な改善効果が見られ、
また飽和磁束密度9透磁率、保磁力についてもFe−C
o−3i系合金と遜色のないことがわかった。
特に耐蝕性や摩耗量において顕著な改善効果が見られ、
また飽和磁束密度9透磁率、保磁力についてもFe−C
o−3i系合金と遜色のないことがわかった。
上述の説明からも明らかなように、Fe、Co。
Siを基本成分とするFe−Co−3i系合金に、Ru
を添加することにより、耐蝕性や耐摩耗性の大幅な改善
が図られる。また、このRuの添加によって軟磁気特性
の劣化や飽和磁束密度の減少がもたらされることもない
。
を添加することにより、耐蝕性や耐摩耗性の大幅な改善
が図られる。また、このRuの添加によって軟磁気特性
の劣化や飽和磁束密度の減少がもたらされることもない
。
したがって、耐蝕性、耐摩耗性等の実用特性に優れると
ともに磁気特性にも優れた軟磁性薄膜の提供が可能とな
り、磁気ヘッドのコア材等として極めて実用価値が高い
と言える。
ともに磁気特性にも優れた軟磁性薄膜の提供が可能とな
り、磁気ヘッドのコア材等として極めて実用価値が高い
と言える。
第2図はFL3bb−xRux Co+、S rtrと
したときのRu添加■Xと摩耗量の関係を示す特性図で
あり、第2図はRu置換に伴う飽和磁束密度の変化の様
子をCr添加の場合と比較して示す特性図である。
したときのRu添加■Xと摩耗量の関係を示す特性図で
あり、第2図はRu置換に伴う飽和磁束密度の変化の様
子をCr添加の場合と比較して示す特性図である。
Claims (1)
- Fe、Co、Siを主成分とし、上記Co及びSiの
組成範囲がそれぞれ5〜20原子%Co、15〜20原
子%Siであって、さらに0.1〜10原子%のRuを
含有することを特徴とする軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24462585A JPS62104110A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24462585A JPS62104110A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 軟磁性薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62104110A true JPS62104110A (ja) | 1987-05-14 |
Family
ID=17121531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24462585A Pending JPS62104110A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62104110A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59207608A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Hitachi Ltd | 高透磁率磁性薄膜 |
-
1985
- 1985-10-31 JP JP24462585A patent/JPS62104110A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59207608A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Hitachi Ltd | 高透磁率磁性薄膜 |
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