JPS6311659A - 磁気光学材料 - Google Patents
磁気光学材料Info
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- JPS6311659A JPS6311659A JP61153107A JP15310786A JPS6311659A JP S6311659 A JPS6311659 A JP S6311659A JP 61153107 A JP61153107 A JP 61153107A JP 15310786 A JP15310786 A JP 15310786A JP S6311659 A JPS6311659 A JP S6311659A
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は主として光磁気記碌等に有用な、磁気光学効果
の大きいホイスラー合金薄膜の構成に関するものである
。
の大きいホイスラー合金薄膜の構成に関するものである
。
従来の技術
ホイスラー合金（一般式ム２ＭｎＸ、ただし人：Ｃｕ
、 Ｐｄ 、 Ｎｉ 、 Ｐｔ等ｘａ Ａｌ ＋ Ｓｎ
＋ Ｓ ｂ ＋ Ｇｅ等）は一般に強磁性でない元素
が組み合わされて強磁性を示すものが多く、その磁性に
は興味が持たれている。その中でも特にム原子の半分が
規則的に欠除してｐｔとＭｎとｓｂをほぼ１：１：１で
含むＰｔＭｎＳｂは磁気光学効果が非常に大きい材料と
して注目されている。この材料を薄膜にすれば例えば良
好な光磁気ディスク媒体として、将来的に大キなニーズ
が見込まれるオフィスオートメーンヨン等の多大な情報
の記憶装置への応用が期待される。しかしホイスラー合
金とりわけＰｔＭｎＳｂの薄膜作製の報告はあまり成さ
れていない。近年、ＭｎＳｂ焼結体上にｐｔ片を配置し
た複合ターゲットを用い、スパッタ法を用いて成膜した
後熱処理して、ＰｔＭｎＳｂの多結晶膜を得る方法が報
告された。〔犬山、阿部、松原（日本応用磁気学会誌）
Ｍｏｌ、９ Ｐ、１４５（１９８５））発明が解決し
ようとする問題点 しかし光磁気媒体として磁性膜を使用するには高密度記
録のために磁性膜が垂直磁化膜である必要がある。とこ
ろが従来のＰｔＭｎＳｂ膜は多結晶膜であって磁化方向
はむしろ面内方向であり、このような結晶性の膜では光
磁気媒体への応用は困難だと考えられる。
、 Ｐｄ 、 Ｎｉ 、 Ｐｔ等ｘａ Ａｌ ＋ Ｓｎ
＋ Ｓ ｂ ＋ Ｇｅ等）は一般に強磁性でない元素
が組み合わされて強磁性を示すものが多く、その磁性に
は興味が持たれている。その中でも特にム原子の半分が
規則的に欠除してｐｔとＭｎとｓｂをほぼ１：１：１で
含むＰｔＭｎＳｂは磁気光学効果が非常に大きい材料と
して注目されている。この材料を薄膜にすれば例えば良
好な光磁気ディスク媒体として、将来的に大キなニーズ
が見込まれるオフィスオートメーンヨン等の多大な情報
の記憶装置への応用が期待される。しかしホイスラー合
金とりわけＰｔＭｎＳｂの薄膜作製の報告はあまり成さ
れていない。近年、ＭｎＳｂ焼結体上にｐｔ片を配置し
た複合ターゲットを用い、スパッタ法を用いて成膜した
後熱処理して、ＰｔＭｎＳｂの多結晶膜を得る方法が報
告された。〔犬山、阿部、松原（日本応用磁気学会誌）
Ｍｏｌ、９ Ｐ、１４５（１９８５））発明が解決し
ようとする問題点 しかし光磁気媒体として磁性膜を使用するには高密度記
録のために磁性膜が垂直磁化膜である必要がある。とこ
ろが従来のＰｔＭｎＳｂ膜は多結晶膜であって磁化方向
はむしろ面内方向であり、このような結晶性の膜では光
磁気媒体への応用は困難だと考えられる。
問題点を解決するだめの手段
本発明の磁気光学材料は前記問題を解決するため、Ｎｈ
Ｃ１型およびコランダム型の結晶構造を有する単結晶基
板上にホイスラー合金膜を形成するという構成をとるも
のである。
Ｃ１型およびコランダム型の結晶構造を有する単結晶基
板上にホイスラー合金膜を形成するという構成をとるも
のである。
作用
ホイスラー合金薄膜の基板としてＮａＣｌ型およびコラ
ンダム型の結晶構造の単結晶を用いると、単一方向に配
向した結晶性の薄膜が実現できるという発見に基づき本
発明は成された。これは、前記基板の結晶構造の原子配
置が、ホイスラー合金の結晶構造の配向膜が作製される
のに都合がよいものとなっているからである。特に、少
くともＰｔ 、 Ｍｎ 、 Ｓｂを含むホイスラー合金
で前記構成をとらせれば、磁気光学効果の大きい光磁気
媒体が実現される。
ンダム型の結晶構造の単結晶を用いると、単一方向に配
向した結晶性の薄膜が実現できるという発見に基づき本
発明は成された。これは、前記基板の結晶構造の原子配
置が、ホイスラー合金の結晶構造の配向膜が作製される
のに都合がよいものとなっているからである。特に、少
くともＰｔ 、 Ｍｎ 、 Ｓｂを含むホイスラー合金
で前記構成をとらせれば、磁気光学効果の大きい光磁気
媒体が実現される。
単結晶基板としては、ｕａｃｌ型構造のものはＭｇＯが
、またコランダム構造のものはサファイア（α−Ａ１２
０３）が比較的安定であり手に入り易い。
、またコランダム構造のものはサファイア（α−Ａ１２
０３）が比較的安定であり手に入り易い。
このうち特に、Ｍｇｑの（１００）面基板上にはＰｔ
、 Ｍｎ 、 Ｓｂを含むホイスラー合金の＜１００
＞軸、またサファイア（０００１）面基板上にはく１１
１〉軸の良好な磁気光学配向膜が得られることを本発明
者等は確認した。
、 Ｍｎ 、 Ｓｂを含むホイスラー合金の＜１００
＞軸、またサファイア（０００１）面基板上にはく１１
１〉軸の良好な磁気光学配向膜が得られることを本発明
者等は確認した。
実施例
以下実施例を示す。
（実施例１）
Ｍａｉｌ型結晶構造を有するＭｇＯ単結晶の（１００）
面を切り出し鏡面研摩を行った。これを基板として用い
、ホイスラー合金ＰｔＭｎＳｂの薄膜作製を試みた。第
３図のようにｐｔ３１．Ｍｎ３２，５ｂ３３のスパッタ
リングターゲットを個別に設け、基板３８に焦点を結ぶ
ように３０°傾いて配置する。各ターゲットは個別直流
電源３４．３５．３６で蒸発量を制御される。各ターゲ
ットは非磁性材料なのでターゲット下部の永久磁石によ
り表面に平行磁界３７を生じさせることができる。この
磁界によりマグネトロンスパッタが可能となり、成膜速
度が速くまた低ガス圧のもとての成膜が行える。チャン
バーを５Ｘ１０ Ｐｔの真空に引いた後人ｒガスを導
入して３Ｐａのガス圧に保った。ｐｔメタ−ットに１０
Ｗ、Ｍｎターゲットに６０Ｗ。
面を切り出し鏡面研摩を行った。これを基板として用い
、ホイスラー合金ＰｔＭｎＳｂの薄膜作製を試みた。第
３図のようにｐｔ３１．Ｍｎ３２，５ｂ３３のスパッタ
リングターゲットを個別に設け、基板３８に焦点を結ぶ
ように３０°傾いて配置する。各ターゲットは個別直流
電源３４．３５．３６で蒸発量を制御される。各ターゲ
ットは非磁性材料なのでターゲット下部の永久磁石によ
り表面に平行磁界３７を生じさせることができる。この
磁界によりマグネトロンスパッタが可能となり、成膜速
度が速くまた低ガス圧のもとての成膜が行える。チャン
バーを５Ｘ１０ Ｐｔの真空に引いた後人ｒガスを導
入して３Ｐａのガス圧に保った。ｐｔメタ−ットに１０
Ｗ、Ｍｎターゲットに６０Ｗ。
ｓｂメタ−ットに２０Ｗの直流電力を投入することによ
り、各成分の成膜速度がほぼ等しいマグネトロンスパッ
タを行うことができた。Ｍｇ０（１００）面の基板温度
を６００℃として前記入力、Ｃワーで２０分間成膜した
ところ約３０ｏＯ人の＜１００＞配向ＰｔＭｎＳｂ薄膜
が実現された。第１図は、本実施例により得られた薄膜
のＸ線回折パターンを示す。基板ノＭｇＯ（２００）ピ
ーク１１の他に、ＰｔＭｎＳｂ （４００）のピーク１
２のみが観測され、ＭｇＯ基板上に良好な配向膜が形成
されていることが確認された。
り、各成分の成膜速度がほぼ等しいマグネトロンスパッ
タを行うことができた。Ｍｇ０（１００）面の基板温度
を６００℃として前記入力、Ｃワーで２０分間成膜した
ところ約３０ｏＯ人の＜１００＞配向ＰｔＭｎＳｂ薄膜
が実現された。第１図は、本実施例により得られた薄膜
のＸ線回折パターンを示す。基板ノＭｇＯ（２００）ピ
ーク１１の他に、ＰｔＭｎＳｂ （４００）のピーク１
２のみが観測され、ＭｇＯ基板上に良好な配向膜が形成
されていることが確認された。
（実施例２）
コランダム型結晶構造を有するサファイアの（０００１
）面を基板として用い、実施例１と同様の方法でＰｔＭ
ｎＳｂ薄膜作成を行った。基板温度５００℃で２ｏ分間
の成膜により、約３００ＯＡの＜１１１＞配向ＰｔＭｎ
Ｓｂ薄膜が実現できた。本実施例の薄膜のＸ線回折パタ
ーンは第２図の如く、サファイア（０００６）ピーク２
１の他にＰｔＭｎＳｂの（１１１）ピーク２２のみが観
測され、サファイア基板上に良好な配向膜が形成されて
いることが確認された。
）面を基板として用い、実施例１と同様の方法でＰｔＭ
ｎＳｂ薄膜作成を行った。基板温度５００℃で２ｏ分間
の成膜により、約３００ＯＡの＜１１１＞配向ＰｔＭｎ
Ｓｂ薄膜が実現できた。本実施例の薄膜のＸ線回折パタ
ーンは第２図の如く、サファイア（０００６）ピーク２
１の他にＰｔＭｎＳｂの（１１１）ピーク２２のみが観
測され、サファイア基板上に良好な配向膜が形成されて
いることが確認された。
発明の効果
以上のように本発明は、磁気光学効果に優れたホイスラ
ー合金の配向性薄膜の構成を提供し、光磁気材料として
の応用を可能とするものであり、本発明の工業的価値は
高い。
ー合金の配向性薄膜の構成を提供し、光磁気材料として
の応用を可能とするものであり、本発明の工業的価値は
高い。
第１図は本発明の第１の実施例におけるＰｔＭｎＳｂ薄
膜のＸ線回折パターンを示す図、第２図は本発明の第２
の実施例におけるＰｔＭｎＳｂ薄膜のＸ線回折パターン
を示す図、第３図は薄膜作製の概観図である。 １１・・・・・・ＭｇＯの（２００）回折ピーク、１２
・・・・・・ＰｔＭｎＳｂの（４ｏｏ ）回折ピーク、
２１・・・・・・サファイアの（ｏｏｏｅ ）回折ピー
ク、２２・・・・・・ＰｔＭｎ５ｂ（７）（１１１）回
折ピーク、３１ 、、、 、、、 ｐｔメタ−ット、３
２・・・・・・Ｍｎターゲット、３３・・・・・・ｓｂ
メタ−ット、３４．３５．３６・・・・・・個別直流電
源、３γ・・・・・・平行磁界、３８・・・・・・基板
。 第１図 ２θ（＆） ０庖、線 第２図 ２θ（度） Ｑノｋｄｔ東
膜のＸ線回折パターンを示す図、第２図は本発明の第２
の実施例におけるＰｔＭｎＳｂ薄膜のＸ線回折パターン
を示す図、第３図は薄膜作製の概観図である。 １１・・・・・・ＭｇＯの（２００）回折ピーク、１２
・・・・・・ＰｔＭｎＳｂの（４ｏｏ ）回折ピーク、
２１・・・・・・サファイアの（ｏｏｏｅ ）回折ピー
ク、２２・・・・・・ＰｔＭｎ５ｂ（７）（１１１）回
折ピーク、３１ 、、、 、、、 ｐｔメタ−ット、３
２・・・・・・Ｍｎターゲット、３３・・・・・・ｓｂ
メタ−ット、３４．３５．３６・・・・・・個別直流電
源、３γ・・・・・・平行磁界、３８・・・・・・基板
。 第１図 ２θ（＆） ０庖、線 第２図 ２θ（度） Ｑノｋｄｔ東
Claims (6)
- （１）ＮａＣｌ型結晶構造またはコランダム型結晶構造
を有する単結晶基板上に、ホイスラー合金の薄膜が形成
されていることを特徴とする磁気光学材料。 - （２）ホイスラー合金の組成に、少くともＰｔ、Ｍｎ、
Ｓｂが含まれていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の磁気光学材料。 - （３）ＮａＣｌ型結晶構造の単結晶基板がＭｇＯである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気光学
材料。 - （４）単結晶基板がＭｇＯの（１００）面基板で、少く
ともＰｔ、Ｍｎ、Ｓｂを含むホイスラー合金の＜１００
＞軸が配向した薄膜が形成されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気光学材料。 - （５）コランダム型結晶構造の単結晶基板がサファイア
（α−Ａｌ＿２Ｏ＿３）であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気光学材料。 - （６）単結晶基板がサファイア（０００１）面基板で、
少くともＰｔ、Ｍｎ、Ｓｂを含むホイスラー合金の＜１
１１＞軸が配向した薄膜が形成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁気光学材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61153107A JPS6311659A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 磁気光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61153107A JPS6311659A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 磁気光学材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6311659A true JPS6311659A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=15555124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61153107A Pending JPS6311659A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 磁気光学材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6311659A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100563376B1 (ko) * | 1997-04-25 | 2006-05-25 | 교세라 가부시키가이샤 | 박막자기헤드용기판및이를이용한박막자기헤드 |
| JP2009054724A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Toshiba Corp | ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンｍｏｓ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61153107A patent/JPS6311659A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100563376B1 (ko) * | 1997-04-25 | 2006-05-25 | 교세라 가부시키가이샤 | 박막자기헤드용기판및이를이용한박막자기헤드 |
| JP2009054724A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Toshiba Corp | ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンｍｏｓ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子 |
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