JPS62112252A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS62112252A JPS62112252A JP60252314A JP25231485A JPS62112252A JP S62112252 A JPS62112252 A JP S62112252A JP 60252314 A JP60252314 A JP 60252314A JP 25231485 A JP25231485 A JP 25231485A JP S62112252 A JPS62112252 A JP S62112252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- magneto
- kinds
- added
- room temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は希土類元素（Ｒと称す）と半金属元素（Ｋと
称す）を主成分とし更に添７ＪＯ元素（Ｍと称す）を加
えた合金薄膜で垂直方向に磁化容易軸を有する光磁気記
録媒体に関する。
称す）を主成分とし更に添７ＪＯ元素（Ｍと称す）を加
えた合金薄膜で垂直方向に磁化容易軸を有する光磁気記
録媒体に関する。
本発明概要は常温以上にキューリ一点（Ｔｃ）を有しか
つ磁気光学効果のカー回転角（θｋ）が大きい新しい合
金薄膜としてＲとＫを主成分とし、添加元素ＣＭ）を加
えた磁性材料を発明したことである。
つ磁気光学効果のカー回転角（θｋ）が大きい新しい合
金薄膜としてＲとＫを主成分とし、添加元素ＣＭ）を加
えた磁性材料を発明したことである。
従来光磁気記録媒体（光磁気メモリー）は多くの材料が
知られているがＲがＴｍ（原子番号６９）である合金薄
膜はθｋが大きく光磁気メモリーとして有望であること
が知られている。
知られているがＲがＴｍ（原子番号６９）である合金薄
膜はθｋが大きく光磁気メモリーとして有望であること
が知られている。
例えば文献（１，〕Ｗ 、 Ｒｅ ｉ ｍ 、 Ｏ、Ｂ
、 Ｈ＋ａ５ｅｅｒ、、ｒ、５ｃｈｏｅｎｅｓ、Ｅ、
Ｋａｌａｉｓ、ａｎｄｐ、 Ｗａｃｈｔｅｒ、Ｊ、Ａ
ｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、５５（６）、１５Ｍａｒｃｈ
１９８４、Ｐ２１５５〜２１５７等に示されており、化
合物としてはＴｌｎ１８１ 、 Ｔｍｌ Ｓｅ １ 、
Ｔｍ１（ＳｅＴｅ）１ が記載されている。
、 Ｈ＋ａ５ｅｅｒ、、ｒ、５ｃｈｏｅｎｅｓ、Ｅ、
Ｋａｌａｉｓ、ａｎｄｐ、 Ｗａｃｈｔｅｒ、Ｊ、Ａ
ｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、５５（６）、１５Ｍａｒｃｈ
１９８４、Ｐ２１５５〜２１５７等に示されており、化
合物としてはＴｌｎ１８１ 、 Ｔｍｌ Ｓｅ １ 、
Ｔｍ１（ＳｅＴｅ）１ が記載されている。
又θには２．５°と従来の光磁気メモリーに比べ著るし
く大きいことが示されている。しかしこれらの値は低温
２Ｋ（ケルビン温度）で磁界４Ｔ（テスラ）の場合であ
る。
く大きいことが示されている。しかしこれらの値は低温
２Ｋ（ケルビン温度）で磁界４Ｔ（テスラ）の場合であ
る。
しかしこれらに示されている’ｒｍｓ 、’ｒｍｓｅ、
Ｔ＋ｎ８ｅＴｅはθに＝２．５°ｍ１ＬＸで大きいが’
ｒｅが２にで低いために実用は不可能である。
Ｔ＋ｎ８ｅＴｅはθに＝２．５°ｍ１ＬＸで大きいが’
ｒｅが２にで低いために実用は不可能である。
本発明は上記の欠点を解決するためＴｃが常温以上にし
、光磁気メモリーとして使用できることを目的としてし
）る。
、光磁気メモリーとして使用できることを目的としてし
）る。
上記間顆点を解決するためにこの発明はＴｍ元素以外の
Ｒ元素も含め、これらと特許請求範囲に示した半金属を
中心としたに元素を２種以上を加わえた合金によってＴ
ｃを０°Ｃ以上又常温以上にすることが出来た。又更に
θにも大きくするため特許請求範囲に示した添加元素Ｍ
を加えた。このように特許３１？求範囲に示したＲとＫ
とＭの合金又は化合物を作製することによりθにも大き
く、シフかも実用可能な常温以上にＴｃを持つ光磁気メ
モリーを発明したことである。
Ｒ元素も含め、これらと特許請求範囲に示した半金属を
中心としたに元素を２種以上を加わえた合金によってＴ
ｃを０°Ｃ以上又常温以上にすることが出来た。又更に
θにも大きくするため特許請求範囲に示した添加元素Ｍ
を加えた。このように特許３１？求範囲に示したＲとＫ
とＭの合金又は化合物を作製することによりθにも大き
く、シフかも実用可能な常温以上にＴｃを持つ光磁気メ
モリーを発明したことである。
上記のように本発明化合物磁性薄膜は一般には多結晶で
面内方向が磁化容易軸となる傾向が強いカ光ａ ％メモ
リーとして使用するためにはアモルファスであること又
垂直磁化膜にすることが重要である。これらは薄膜作製
条件を適当に選ぶことによって容易に作製できる。この
ようにして得られた光磁気メモリーは粒界ノイズの低減
が出来又高密度にすることが可能である。
面内方向が磁化容易軸となる傾向が強いカ光ａ ％メモ
リーとして使用するためにはアモルファスであること又
垂直磁化膜にすることが重要である。これらは薄膜作製
条件を適当に選ぶことによって容易に作製できる。この
ようにして得られた光磁気メモリーは粒界ノイズの低減
が出来又高密度にすることが可能である。
本発明合金は光磁気記録メモリーとしてレザー元により
スポット状に絞りそこに反転磁区をバイアス磁界のもと
で作ることが出来るこれによって情報の書込みが可能で
ある。文書込んだ磁区を読出す時は磁気光学効果として
θにの値に比例した信号となるために大きなθｋが必要
となる。
スポット状に絞りそこに反転磁区をバイアス磁界のもと
で作ることが出来るこれによって情報の書込みが可能で
ある。文書込んだ磁区を読出す時は磁気光学効果として
θにの値に比例した信号となるために大きなθｋが必要
となる。
従来のＴｍ化合物はθｋが大きい点では優れておるがＴ
ｃが低温であるため常温でレザースポットで書込みや又
逆バイアス磁界の下で消去することが不可能である。す
なわち光磁気メモリーとして常温で使用するにはＴｃが
その使用温度以上であることが必要になる。
ｃが低温であるため常温でレザースポットで書込みや又
逆バイアス磁界の下で消去することが不可能である。す
なわち光磁気メモリーとして常温で使用するにはＴｃが
その使用温度以上であることが必要になる。
本発明化合物は主成分として（Ｒ１，５−Ｘ Ｋｌ ）
においてｘ＝０から［１７モルが必要である。すなわち
Ｒ，に２からＲ，に、の間のモル組成を取る必要がある
。第一図においてＲとＫの代表的元素について示しであ
る。すなわちＸが０．７以上になるとＴｃは常温以下に
なるため使用が出来なくなる。
においてｘ＝０から［１７モルが必要である。すなわち
Ｒ，に２からＲ，に、の間のモル組成を取る必要がある
。第一図においてＲとＫの代表的元素について示しであ
る。すなわちＸが０．７以上になるとＴｃは常温以下に
なるため使用が出来なくなる。
ｏ （ｘ （０，７では一応Ｔｃが使用可能な温度常温
以上となり光磁気メモリーとして使用できる。又Ｒ，に
２以上のＲモル比ではやはりＴｃは低化するので使用が
難かしくなる。Ｋの元素についてはＩＶＡ、ＩＶＡ、Ｖ
Ａ、ＶＩＡ族の元素が好ましいがＴｃを向上させること
から二種以上加えることが必要であり、必ずその内の一
種はＧθ、Ｓｉ、Ｂ、ｃ、ｐ、を選択することによって
Ｔｃは高められる。このようにすることによって例えば
従来のＴｍ化合物であるＴｍＳ等はＴ ｍｔ （Ｓｏ、
ｓ・Ｓｉｏ、２）。
以上となり光磁気メモリーとして使用できる。又Ｒ，に
２以上のＲモル比ではやはりＴｃは低化するので使用が
難かしくなる。Ｋの元素についてはＩＶＡ、ＩＶＡ、Ｖ
Ａ、ＶＩＡ族の元素が好ましいがＴｃを向上させること
から二種以上加えることが必要であり、必ずその内の一
種はＧθ、Ｓｉ、Ｂ、ｃ、ｐ、を選択することによって
Ｔｃは高められる。このようにすることによって例えば
従来のＴｍ化合物であるＴｍＳ等はＴ ｍｔ （Ｓｏ、
ｓ・Ｓｉｏ、２）。
によって図１に示したようにＴｏは常温以上になり１０
０℃近くが得られ、常温でレザーによってスポットの書
込み、読取り、又消去が可能となった。
０℃近くが得られ、常温でレザーによってスポットの書
込み、読取り、又消去が可能となった。
更に読取りで重要なθｋを大きくするために添加元素を
ｂ口える必要がありＭなる添加元素によって第２図に示
したようにθｋが大きくなる、添加しない時より添加す
ることによってθには増大し、’Ｘ ＩＦ １０．２９
／！＜までは向上するがそれ以上ではがえってθｋを
小さくする傾向がある。第２図には代表的な元素のみを
示したがこれらと同じ族や金属特性が似た元素について
同じ効果があることが確認された。これらの効果あるＭ
は特許請求の範囲に示した元素である。これらは一種又
は二侃以上で十分効果が発生する。
ｂ口える必要がありＭなる添加元素によって第２図に示
したようにθｋが大きくなる、添加しない時より添加す
ることによってθには増大し、’Ｘ ＩＦ １０．２９
／！＜までは向上するがそれ以上ではがえってθｋを
小さくする傾向がある。第２図には代表的な元素のみを
示したがこれらと同じ族や金属特性が似た元素について
同じ効果があることが確認された。これらの効果あるＭ
は特許請求の範囲に示した元素である。これらは一種又
は二侃以上で十分効果が発生する。
以下この合金の実施例にもとづいて説明する。
本発明の化合物はスパッター法、真空蒸着法。
イオングレーティング法によって作製することができる
。例えばスパッター法ではＸ元素の金属ターゲツト板上
にＲとＭのチップを乗せて貼り付けこれらのチップの数
・面積を変えることによって種々の組成の合金薄膜を基
板上に作製することができる。基板としてはガラスやＰ
Ｃ、ＰＭＭＡ等のディスク透明プラスチックが好ましい
。
。例えばスパッター法ではＸ元素の金属ターゲツト板上
にＲとＭのチップを乗せて貼り付けこれらのチップの数
・面積を変えることによって種々の組成の合金薄膜を基
板上に作製することができる。基板としてはガラスやＰ
Ｃ、ＰＭＭＡ等のディスク透明プラスチックが好ましい
。
これらの合金垂直磁性膜は数百オングストロームから数
μの膜厚にし、基板側からレザー光によってθに測定を
する。このようにしてθにの測定値は第２図に示した値
となる。レザーは半導体レザー、 Ｈｅ −Ｎ ｅレザ
ー、等を使用するが、波長依存性を調べる場合はモノク
ロメータ−を使用した。
μの膜厚にし、基板側からレザー光によってθに測定を
する。このようにしてθにの測定値は第２図に示した値
となる。レザーは半導体レザー、 Ｈｅ −Ｎ ｅレザ
ー、等を使用するが、波長依存性を調べる場合はモノク
ロメータ−を使用した。
スパッター法ではバイアス電圧−３０〜−１５０７、Ａ
ｒガス圧１０−”Ｔｏｒｒ代、スパッター電力２００Ｗ
オーダーで作製した結果アモルファス垂直磁化膜が得ら
れた。
ｒガス圧１０−”Ｔｏｒｒ代、スパッター電力２００Ｗ
オーダーで作製した結果アモルファス垂直磁化膜が得ら
れた。
ＴｃはＶＳＭ（振動試料型磁力計）を使用し、温度は液
体Ｈθ、Ｎｅを使用、ヒーターで温度を上昇させて磁化
の消失する所を直読して求めた。
体Ｈθ、Ｎｅを使用、ヒーターで温度を上昇させて磁化
の消失する所を直読して求めた。
これらによって求めたＴＯは第１図に示した。
以上によって得られた光磁気ディスクは動特性１８００
ｒｐｍ回転で半導体３０ｍＷで書込み、読出し、消去が
できた、一段に６０ｄＢＣｌＨ比）以上が得られた。こ
れらはディスク、テープ。
ｒｐｍ回転で半導体３０ｍＷで書込み、読出し、消去が
できた、一段に６０ｄＢＣｌＨ比）以上が得られた。こ
れらはディスク、テープ。
ドラム、シートのメモリーとして又ホログラム。
各種磁気光学素子の材料として広く用いることが出来る
。
。
代表的な合金として従来のＴｍＳ、ＴｍＳｅ。
’Ｉ’ｍＳｅ ＴｏはＴ ｃ ＝−２５０℃以下であっ
たが本発明のＴｍ５Ｂ、Ｔ！ｎ５ｅｓｉ、ＴｍＴｅＧｅ
等ではＴｃが１００℃以上も得ることができθにも添加
元素例えばＰｔ、Ｏｕ、Ｍｏ、Ｚｒ等で１°から１．５
° （常温で）以上にアップできた。
たが本発明のＴｍ５Ｂ、Ｔ！ｎ５ｅｓｉ、ＴｍＴｅＧｅ
等ではＴｃが１００℃以上も得ることができθにも添加
元素例えばＰｔ、Ｏｕ、Ｍｏ、Ｚｒ等で１°から１．５
° （常温で）以上にアップできた。
同様にＧｄ−Ａｔ−８ｉ、（）ｄ−Ａｔ−Ｂ。
Ｔｂ−Ａ ｔ−３ｉ、Ｎｄ−Ａ／、−Ｇｅ、Ｎｄ−Ｂ・
Ｇ θ 、 Ｄ ｙ ＩＩ Ｂ −Ｓ
１ 、 Ｈｏ ａ Ｓ ・ Ｓ １
、 Ｙ ｂ−Ｓｅ−３ｉ、Ｙ−Ｂｉ・Ｂ等について
もＴｃは常温以上又２００℃以上の化合物も得られた。
Ｇ θ 、 Ｄ ｙ ＩＩ Ｂ −Ｓ
１ 、 Ｈｏ ａ Ｓ ・ Ｓ １
、 Ｙ ｂ−Ｓｅ−３ｉ、Ｙ−Ｂｉ・Ｂ等について
もＴｃは常温以上又２００℃以上の化合物も得られた。
又θｋをアップするためＭとして各種添加元素の効果が
ありこのようにしてＴｃが常温以上で又θにも大きい光
磁気材料が得られメモリーとし使用することが可能とな
った。今後さらに広い用途、例えばシャッター、ディス
プレイ、アイソレーター等への用途も考えられる。
ありこのようにしてＴｃが常温以上で又θにも大きい光
磁気材料が得られメモリーとし使用することが可能とな
った。今後さらに広い用途、例えばシャッター、ディス
プレイ、アイソレーター等への用途も考えられる。
第１図は本発明にかかわる代表的なＲ１，５−ＸＫ１組
成でありベースとなる化合物である、参考に従来のＴｍ
Ｓも図中の破線で示す。又とＴｃの関係図を示す。 第２図は本発明化合物の代表例である添加元素としてＰ
ｔ、Ｏｕ、Ｍｏ、Ｚｒの場合を示した。 これは第１図でＸ＝Ｏ８５の場合であり常温での添加元
素のｉＹとθにの関係を示す。 ×とＴｃの関俳口 第１図
成でありベースとなる化合物である、参考に従来のＴｍ
Ｓも図中の破線で示す。又とＴｃの関係図を示す。 第２図は本発明化合物の代表例である添加元素としてＰ
ｔ、Ｏｕ、Ｍｏ、Ｚｒの場合を示した。 これは第１図でＸ＝Ｏ８５の場合であり常温での添加元
素のｉＹとθにの関係を示す。 ×とＴｃの関俳口 第１図
Claims (1)
- （Ｒ＿１＿．＿５＿−＿ＸＫ＿１）＿１＿−＿ＹＭ＿Ｙ
で示される組成体において、Ｒは希土類複元素のＳｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ
、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｍのうち１
種又は２種以上と、ＫはＧｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、の１
種又は２種以上とＳ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、
Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌの１種又は２種以
上と、ＭはＺｎ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ
、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、
Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、の１種又は２種以上であり、Ｘは０
＜Ｘ＜０．７であり、Ｙは０．０１＜Ｙ＜０．２で示さ
れることを特徴とする薄膜光磁気記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252314A JPS62112252A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252314A JPS62112252A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112252A true JPS62112252A (ja) | 1987-05-23 |
Family
ID=17235525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60252314A Pending JPS62112252A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62112252A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950556A (en) * | 1987-10-26 | 1990-08-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magneto-optic recording medium |
| CN103146993A (zh) * | 2013-02-06 | 2013-06-12 | 山西三益强磁业有限公司 | 一种耐热钕铁硼材料及其制备方法 |
| CN103680794A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-03-26 | 南京信息工程大学 | 磁性功能材料及其制备方法 |
| CN114898959A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-08-12 | 江苏兰诺磁业有限公司 | 一种高矫顽力的钕铁硼硬磁材料及其制备方法 |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP60252314A patent/JPS62112252A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950556A (en) * | 1987-10-26 | 1990-08-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magneto-optic recording medium |
| CN103146993A (zh) * | 2013-02-06 | 2013-06-12 | 山西三益强磁业有限公司 | 一种耐热钕铁硼材料及其制备方法 |
| CN103680794A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-03-26 | 南京信息工程大学 | 磁性功能材料及其制备方法 |
| CN103680794B (zh) * | 2013-12-19 | 2015-12-30 | 南京信息工程大学 | 磁性功能材料及其制备方法 |
| CN114898959A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-08-12 | 江苏兰诺磁业有限公司 | 一种高矫顽力的钕铁硼硬磁材料及其制备方法 |
| CN114898959B (zh) * | 2022-04-29 | 2024-04-12 | 江苏兰诺磁业有限公司 | 一种高矫顽力的钕铁硼硬磁材料及其制备方法 |
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