JPH0352202B2 - - Google Patents
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- JPH0352202B2 JPH0352202B2 JP24430084A JP24430084A JPH0352202B2 JP H0352202 B2 JPH0352202 B2 JP H0352202B2 JP 24430084 A JP24430084 A JP 24430084A JP 24430084 A JP24430084 A JP 24430084A JP H0352202 B2 JPH0352202 B2 JP H0352202B2
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｕ（ウラン元素・原子番号92）を
含むウラニウム化合物合金薄膜で膜面と垂直方向
に磁化容易軸を有する光磁気記録媒体に関する。
含むウラニウム化合物合金薄膜で膜面と垂直方向
に磁化容易軸を有する光磁気記録媒体に関する。
従来光磁気記録媒体（光磁気メモリー）は多く
の材料が知られているがＵ元素を主体としたウラ
ニウムカルコゲナイド化合物が光磁気効果として
のカー効果が大きく光磁気メモリーとして有望で
あることが知られている。
の材料が知られているがＵ元素を主体としたウラ
ニウムカルコゲナイド化合物が光磁気効果として
のカー効果が大きく光磁気メモリーとして有望で
あることが知られている。
例えば文献〔１〕W.Reim、J.Schoenes、
and0.Vogt J.Appl.Phys.55(6)、15March.1984、
P1853〜1855等に示されている。
and0.Vogt J.Appl.Phys.55(6)、15March.1984、
P1853〜1855等に示されている。
しかしこれらに示されている、US、USe、
UTe、U3As4のウラニウムカルコゲナイドは光磁
気効果（カー効果、フアラデー効果）が大きくカ
ー効果のカー回転角θkは3゜から6゜と著るしく大き
いが、いずれもキユーリー温度Tcが−113℃から
−73℃と低温であるため実用が難かしい欠点を有
している。
UTe、U3As4のウラニウムカルコゲナイドは光磁
気効果（カー効果、フアラデー効果）が大きくカ
ー効果のカー回転角θkは3゜から6゜と著るしく大き
いが、いずれもキユーリー温度Tcが−113℃から
−73℃と低温であるため実用が難かしい欠点を有
している。
本発明は従来のこのような欠点を解決するため
光磁気効果は大きくかつTcが従来のウラニウム
カルコゲナイトより高いウラニウム化合物を発明
し優れた光磁気メモリーを得ることを目的として
いる。
光磁気効果は大きくかつTcが従来のウラニウム
カルコゲナイトより高いウラニウム化合物を発明
し優れた光磁気メモリーを得ることを目的として
いる。
上記問題点を解決するためにこの発明は従来の
ウラニウムカルコゲナイドに代りウラニウムと
ｂ、ｂ、ｂ族元素の化合物を作製した結果
Tcがウラニウムカルコゲナイドより高くかつ、
光磁気効果（θk）は変らないことを発明したこ
とにある。
ウラニウムカルコゲナイドに代りウラニウムと
ｂ、ｂ、ｂ族元素の化合物を作製した結果
Tcがウラニウムカルコゲナイドより高くかつ、
光磁気効果（θk）は変らないことを発明したこ
とにある。
上記のようにＵを含む化合物磁性薄膜は一般に
多結晶で面内方向が磁化容易軸となる傾向が強い
が薄膜の作製条件と組成の関係においてアモルフ
アス化も可能である又十分垂直磁化膜化すること
も可能である。そして本発明合金は垂直磁化膜と
して高密度の光磁気記録媒体として使用する。又
アモルフアスであれば更に粒界等による読出し信
号のノイズが低減出来るため優れた媒体になるが
本発明ではいずれでも十分優れた媒体を得ること
が可能である。
多結晶で面内方向が磁化容易軸となる傾向が強い
が薄膜の作製条件と組成の関係においてアモルフ
アス化も可能である又十分垂直磁化膜化すること
も可能である。そして本発明合金は垂直磁化膜と
して高密度の光磁気記録媒体として使用する。又
アモルフアスであれば更に粒界等による読出し信
号のノイズが低減出来るため優れた媒体になるが
本発明ではいずれでも十分優れた媒体を得ること
が可能である。
本発明合金は光磁気記録媒体としてレーザー光
によりスポット状の反転磁区をバイアス磁界のも
とで作ることが出来るそしてこれを利用すること
によつて情報を記録することが可能であり、書込
可能な光磁気のデイスク、テープ、シート、ドラ
ム等に応用できる。そしてこのレザーによつて書
込んだスポツトを読出す方法として磁気光学効果
を利用するが特にθkが大きな材料が必要である。
そして従来のウラニウム化合物のウラニウムカル
コゲナイドはθk＝３〜6゜と大きいしかしTcが低
いため使用上困難であつた。又書込んだスポツト
はレーザー光で逆バイアス磁界によつて消去する
ことが出来る。
によりスポット状の反転磁区をバイアス磁界のも
とで作ることが出来るそしてこれを利用すること
によつて情報を記録することが可能であり、書込
可能な光磁気のデイスク、テープ、シート、ドラ
ム等に応用できる。そしてこのレザーによつて書
込んだスポツトを読出す方法として磁気光学効果
を利用するが特にθkが大きな材料が必要である。
そして従来のウラニウム化合物のウラニウムカル
コゲナイドはθk＝３〜6゜と大きいしかしTcが低
いため使用上困難であつた。又書込んだスポツト
はレーザー光で逆バイアス磁界によつて消去する
ことが出来る。
本発明合金はU1-xK1においてＸは０から0.5モ
ルである。第１図においてＫの代表的元素につい
て示してあるがU0.5K1以下のＵモル比になると
Tcが低下する。このためいずれの場合もＸは０
＜Ｘ＜0.5でTcが高温側の値が得られる。又U1K1
以上のＵモル比の所では更にTcは低下すること
が知られているので図中では示していない。
ルである。第１図においてＫの代表的元素につい
て示してあるがU0.5K1以下のＵモル比になると
Tcが低下する。このためいずれの場合もＸは０
＜Ｘ＜0.5でTcが高温側の値が得られる。又U1K1
以上のＵモル比の所では更にTcは低下すること
が知られているので図中では示していない。
又Ｋについてはｂ、ｂ、ｂ族の元素が好
ましくTc向上についてはｂ族（Ｂ、Al、Ca、
In、Tl）が最も良好な値となつている。又ｂ
族（Si、Ge、Sn）については効果は小さいがTc
の向上を得ることが出来る。又ｂ族（Ｐ、Sb、
Bi）についてもTcの向上はみられ従来のウラニ
ウムカルコゲナイドより優れたTcを得ることが
可能である。（Tc＝−50℃以上となる。） 〔実施例〕 以下この合金の実施例にもとづいて説明する。
ましくTc向上についてはｂ族（Ｂ、Al、Ca、
In、Tl）が最も良好な値となつている。又ｂ
族（Si、Ge、Sn）については効果は小さいがTc
の向上を得ることが出来る。又ｂ族（Ｐ、Sb、
Bi）についてもTcの向上はみられ従来のウラニ
ウムカルコゲナイドより優れたTcを得ることが
可能である。（Tc＝−50℃以上となる。） 〔実施例〕 以下この合金の実施例にもとづいて説明する。
ウラニウム化合物はスパツター法、真空蒸着
法、イオンプレーテイング法によつて作製するこ
とができる。例えばスパツター法ではウラニウム
ターゲツト板上に他の元素のチツプを乗せた複合
ターゲツトで作製することで組成を容易に変化さ
せることが可能である。
法、イオンプレーテイング法によつて作製するこ
とができる。例えばスパツター法ではウラニウム
ターゲツト板上に他の元素のチツプを乗せた複合
ターゲツトで作製することで組成を容易に変化さ
せることが可能である。
そして基板はガラス、PC、PMMA等の透明プ
ラスチツクを用いその上に本発明の光磁気メモリ
ー膜を50Å〜数μの範囲内で合金膜を作製した。
このサンプルをフアラデー変調方式によるθk測
定装置により室温又は低温において測定した。低
温は液体N2で冷却できる特殊構造を持つた真空
ビン中でレーザー光を通せる方法で測定した。
ラスチツクを用いその上に本発明の光磁気メモリ
ー膜を50Å〜数μの範囲内で合金膜を作製した。
このサンプルをフアラデー変調方式によるθk測
定装置により室温又は低温において測定した。低
温は液体N2で冷却できる特殊構造を持つた真空
ビン中でレーザー光を通せる方法で測定した。
レーザーはHe−Ne5ｍＷ、LD20ｍＷ等を使用
した。又スパツターで作製条件によつて、垂直磁
化膜が得られ、特にバイアス電圧−30〜−150V
において良い結果を得た。又アモルフアス化ある
いは超微細化結果が作製膜が300Å以下で見られ
た。作製条件と組成によつて更に厚い膜1200Åで
も可能である。
した。又スパツターで作製条件によつて、垂直磁
化膜が得られ、特にバイアス電圧−30〜−150V
において良い結果を得た。又アモルフアス化ある
いは超微細化結果が作製膜が300Å以下で見られ
た。作製条件と組成によつて更に厚い膜1200Åで
も可能である。
このようにして作製した膜のθk測定値は従来
のウラニウムカルコゲナイドの3゜〜6゜とほぼ同じ
値が液体N2温度中において得られた。又Tcにつ
いてはヒーターによつて液体N2を蒸発させ磁化
率をVSM（振動試料型磁力計）を使用し温度との
関係から求めた。その結果を添付図面に示した。
のウラニウムカルコゲナイドの3゜〜6゜とほぼ同じ
値が液体N2温度中において得られた。又Tcにつ
いてはヒーターによつて液体N2を蒸発させ磁化
率をVSM（振動試料型磁力計）を使用し温度との
関係から求めた。その結果を添付図面に示した。
この発明は以上説明したようにウラニウム化合
物合金において大きなθkを所有し、しかも従来
のウラニウムカルコゲナイト（US、USe、
UTe、U3As4）に比べキユーリ温度Tcが高く、
そのために−73℃以上高い温度や室温あるいは＋
100℃以上も得られることが出来た。このために
θkが大きい光磁気媒体として利用することが出
来、優れたＣ／Ｎ比を持つ媒体が可能となつた。
物合金において大きなθkを所有し、しかも従来
のウラニウムカルコゲナイト（US、USe、
UTe、U3As4）に比べキユーリ温度Tcが高く、
そのために−73℃以上高い温度や室温あるいは＋
100℃以上も得られることが出来た。このために
θkが大きい光磁気媒体として利用することが出
来、優れたＣ／Ｎ比を持つ媒体が可能となつた。
図は本発明にかかるU1-xＫの組成のうちＫの
代表例を示す。すなわちＫ＝Ｐ、Bi、Si、Sn、
Tl、Ｂについて、Ｘを変化させた時の、キユー
リー温度Tcの変化を示している。
代表例を示す。すなわちＫ＝Ｐ、Bi、Si、Sn、
Tl、Ｂについて、Ｘを変化させた時の、キユー
リー温度Tcの変化を示している。
Claims (1)
- １ 一般式U1-xK1で示され、膜面に垂直な方向
に磁化容易軸を有する薄膜光磁気記録媒体におい
て、Ｕはウラニウム元素、ＫはＰ、Si、Sn、Tl、
Bi、Ｂの元素一種以上で構成し、且つ、ｘは０
＜ｘ＜0.5とすることを特徴とする薄膜光磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24430084A JPS61121404A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24430084A JPS61121404A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121404A JPS61121404A (ja) | 1986-06-09 |
| JPH0352202B2 true JPH0352202B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=17116684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24430084A Granted JPS61121404A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121404A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770095B2 (ja) * | 1986-08-11 | 1995-07-31 | 日本電信電話株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| WO1989008912A1 (en) * | 1988-03-18 | 1989-09-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Magneto-optical storage medium |
| JP2612966B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1997-05-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 無定形ウラニウム合金、それを用いた光磁気記憶媒体および光磁気記憶システム |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP24430084A patent/JPS61121404A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61121404A (ja) | 1986-06-09 |
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