JPH0259530B2 - - Google Patents
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- JPH0259530B2 JPH0259530B2 JP59048205A JP4820584A JPH0259530B2 JP H0259530 B2 JPH0259530 B2 JP H0259530B2 JP 59048205 A JP59048205 A JP 59048205A JP 4820584 A JP4820584 A JP 4820584A JP H0259530 B2 JPH0259530 B2 JP H0259530B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、力−回転角をエンハンスさせる光磁
気記録体に関する。
気記録体に関する。
従来、此種光磁気記録体として、磁性層の表面
に、SiO，SiO2，ZnS，Si3N4，AlN，TiO2，
Al2O3，Ta2O3等から成る透明誘電体層を、再生
レーザー波長での反射率がほゞ極小になる膜厚に
して設けた式のものが知られている。このように
従来は、力−回転のエンハンス効果をもたらす物
質は、光学的に透明である必要があると考えら
れ、従来から光学薄膜用に用いられていた誘電体
のうち、上記のような比較的屈折率の高い物質が
検討されていた。しかし乍ら、光磁気記録の再生
に用いられるレーザー波長は、800nm近傍である
ので、この付近の波長に対して透明であれば良
く、上記従来の誘電体材料のように可視光全域に
亘つて透明である必要はないとの見地から、発明
者は、検討し、800nmの光に対してもある程度の
透過率をもち、而も透明基板側からレーザー光を
照射して再生する場合にも適した例えばガラスや
PMMAの屈折率より高い屈折率であることを必
要とする条件を満足する3.0〜3.8と云う極めて高
い屈折率を有するアモルフアスSiを、従来の透明
誘電体材料に代え、カー回転エンハンス層として
用いることを先の出願で提案した。発明者は更に
検討をすゝめ、アモルフアスSiとほゞ同じ性質を
もつ材料を知見し新規な光磁気記録体を提供する
もので、磁性層の片面又は両面にアモルフアス
Ge層又はアモルフアスGe・Si層を設けることを
特徴とする。
に、SiO，SiO2，ZnS，Si3N4，AlN，TiO2，
Al2O3，Ta2O3等から成る透明誘電体層を、再生
レーザー波長での反射率がほゞ極小になる膜厚に
して設けた式のものが知られている。このように
従来は、力−回転のエンハンス効果をもたらす物
質は、光学的に透明である必要があると考えら
れ、従来から光学薄膜用に用いられていた誘電体
のうち、上記のような比較的屈折率の高い物質が
検討されていた。しかし乍ら、光磁気記録の再生
に用いられるレーザー波長は、800nm近傍である
ので、この付近の波長に対して透明であれば良
く、上記従来の誘電体材料のように可視光全域に
亘つて透明である必要はないとの見地から、発明
者は、検討し、800nmの光に対してもある程度の
透過率をもち、而も透明基板側からレーザー光を
照射して再生する場合にも適した例えばガラスや
PMMAの屈折率より高い屈折率であることを必
要とする条件を満足する3.0〜3.8と云う極めて高
い屈折率を有するアモルフアスSiを、従来の透明
誘電体材料に代え、カー回転エンハンス層として
用いることを先の出願で提案した。発明者は更に
検討をすゝめ、アモルフアスSiとほゞ同じ性質を
もつ材料を知見し新規な光磁気記録体を提供する
もので、磁性層の片面又は両面にアモルフアス
Ge層又はアモルフアスGe・Si層を設けることを
特徴とする。
上記の層を固定する基板は、ガラス、PMMA
などの透明基板の他、不透明な有機又は無機材料
から成る基板を用いることは従来と変りがない。
更に本発明は、更にアモルフアスGe層又はアモ
ルフアスGe・Si層によるカー回転角の増大をも
たらすようにした光磁気記録体を提供するもの
で、磁性層の片面又は両面に、Ｈ，Ｆ，Ｃ，Ｎ，
Ｏの少くとも１種を約50at％以下混入したアモル
フアスGe層又はアモルフアスGe・Si層を設ける
ことを特徴とする。
などの透明基板の他、不透明な有機又は無機材料
から成る基板を用いることは従来と変りがない。
更に本発明は、更にアモルフアスGe層又はアモ
ルフアスGe・Si層によるカー回転角の増大をも
たらすようにした光磁気記録体を提供するもの
で、磁性層の片面又は両面に、Ｈ，Ｆ，Ｃ，Ｎ，
Ｏの少くとも１種を約50at％以下混入したアモル
フアスGe層又はアモルフアスGe・Si層を設ける
ことを特徴とする。
次に本発明の実施例を添付図面につき説明す
る。アモルフアスGe層の屈折率は、未だ充分し
らべていないが、結晶Geの屈折率ｎ＝4.0が結晶
Siの屈折率ｎ＝3.5より大きいことを考えると、
アモルフアスSi層よりも更に大きいと思われる。
１方800nm付近の透過率に関係するエネルギーギ
ヤツプは、アモルフアスSiより小さい。従つて透
過率はアモルフアスSiより小さいと考えられる。
しかし、アモルフアスGe層単独においても、第
１図に示すように、従来の誘電体膜よりも大きい
カー回転角を得ることができる。第１図は、基板
に形成したTb−Fe磁性層に膜厚を色々に変え
て、従来のTiO2の誘電体層と本発明のアモルフ
アスGe層（以下ａ−Ge層と略記する）とを夫々
形成したもののカー回転角を夫々測定した結果を
示す。エンハンスさせないTb−Fe層はカー回転
角約15minであるのに対し、ａ−Ge層を設けた
場合は、最大35minまで増加させることができる
に対し、従来のTiO2層では最大25minのカー回
転角が得られるにすぎない。尚ａ−Ge層では膜
厚約600Å以下において有効でその該最大カー回
転角を与える膜厚は350Åであり、TiO2層の該最
大カー回転角を与える膜厚が650Åであるに比し
肉薄で効果があり有利である。
る。アモルフアスGe層の屈折率は、未だ充分し
らべていないが、結晶Geの屈折率ｎ＝4.0が結晶
Siの屈折率ｎ＝3.5より大きいことを考えると、
アモルフアスSi層よりも更に大きいと思われる。
１方800nm付近の透過率に関係するエネルギーギ
ヤツプは、アモルフアスSiより小さい。従つて透
過率はアモルフアスSiより小さいと考えられる。
しかし、アモルフアスGe層単独においても、第
１図に示すように、従来の誘電体膜よりも大きい
カー回転角を得ることができる。第１図は、基板
に形成したTb−Fe磁性層に膜厚を色々に変え
て、従来のTiO2の誘電体層と本発明のアモルフ
アスGe層（以下ａ−Ge層と略記する）とを夫々
形成したもののカー回転角を夫々測定した結果を
示す。エンハンスさせないTb−Fe層はカー回転
角約15minであるのに対し、ａ−Ge層を設けた
場合は、最大35minまで増加させることができる
に対し、従来のTiO2層では最大25minのカー回
転角が得られるにすぎない。尚ａ−Ge層では膜
厚約600Å以下において有効でその該最大カー回
転角を与える膜厚は350Åであり、TiO2層の該最
大カー回転角を与える膜厚が650Åであるに比し
肉薄で効果があり有利である。
更に、本発明によれば、ａ−Ge層に、種々の
元素を添加し検討した結果、Ｈ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｆ
の元素を添加することにより、ａ−Ge層の光吸
収率を減少せしめる効果があると共にカー回転角
の増大をもたらすことを確認した。第２図は、膜
厚300Åのａ−Ge層にＨ，Ｃ，Ｏ，Ｎの各添加量
を変化させた場合の各カー回転角との関係を示
す。これから明らかなように、各元素の添加量の
増大につれカー回転角は増大するが、或る程度の
増大からは、添加量の効果は減少し約50at％まで
が有効であることが認められた。これは、添加量
が比較的少ない領域では光の吸収量を低減するこ
とがカー回転角のエンハンスに寄与しており、そ
れ以上添加量を増大させると、光の吸収量が殆ん
どなくなるが、屈折率は低下し、その低下に伴な
つてカー回転角は、ゆるやかに減少することを意
味している。これらの元素は、Ge原子との間で
強い結合力をもつており、その結果エネルギーギ
ヤツプを増大させている。従つて、同時に２種以
上の元素を添加してもほゞ同様の結果が得られ
る。実際、そのいくつかの実験結果を第３図に示
す。即ち、夫々１対１の配合割合でＨとＦ及びＯ
とＮを色々の混合量で添加した膜厚300Åのａ−
Ge層のエンハンス効果を示す。このように、Ｈ，
Ｆ，Ｃ，Ｏ，Ｎの少くとも１種をａ−Ge層に約
50at％以下添加する場合、カー回転角を更に増大
することができることが分る。以上の結果は、ａ
−Ge層単独についてのカー回転角増大効果につ
いてであるが、SiとGeは殆んど同様な半導体特
性を示し且つ任意の配合比で組成したアモルフア
スGe・Si合金を作ることができる。第４図は、
両成分を全組成配合領域に亘り合金化したアモル
フアスGe・Si層におけるカー回転角を測定した
結果を曲線Ａに示す。この場合の膜厚は350Åの
一定とした。更に同じ合金層に10at％のＨを添加
した場合についてカー回転角を測定した結果を曲
線Ｂに示す。これから明らかなように、アモルフ
アスGe・Si層でもアモルフアスGe層と同様にエ
ンハンス効果があり、更にこれにＨを添加した場
合は更に増大することが認められた。尚、図示し
ないが、Ｈ元素以外のＣ，Ｏ，Ｎ，Ｆ元素の添加
でも同様にエンハンス効果をもたらすことが認め
られた。このアモルフアスGe−Si層の厚さは約
350Åと約1200Åの２ケ所においてカー回転角約
70〜50minのピーク値をもつ。
元素を添加し検討した結果、Ｈ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｆ
の元素を添加することにより、ａ−Ge層の光吸
収率を減少せしめる効果があると共にカー回転角
の増大をもたらすことを確認した。第２図は、膜
厚300Åのａ−Ge層にＨ，Ｃ，Ｏ，Ｎの各添加量
を変化させた場合の各カー回転角との関係を示
す。これから明らかなように、各元素の添加量の
増大につれカー回転角は増大するが、或る程度の
増大からは、添加量の効果は減少し約50at％まで
が有効であることが認められた。これは、添加量
が比較的少ない領域では光の吸収量を低減するこ
とがカー回転角のエンハンスに寄与しており、そ
れ以上添加量を増大させると、光の吸収量が殆ん
どなくなるが、屈折率は低下し、その低下に伴な
つてカー回転角は、ゆるやかに減少することを意
味している。これらの元素は、Ge原子との間で
強い結合力をもつており、その結果エネルギーギ
ヤツプを増大させている。従つて、同時に２種以
上の元素を添加してもほゞ同様の結果が得られ
る。実際、そのいくつかの実験結果を第３図に示
す。即ち、夫々１対１の配合割合でＨとＦ及びＯ
とＮを色々の混合量で添加した膜厚300Åのａ−
Ge層のエンハンス効果を示す。このように、Ｈ，
Ｆ，Ｃ，Ｏ，Ｎの少くとも１種をａ−Ge層に約
50at％以下添加する場合、カー回転角を更に増大
することができることが分る。以上の結果は、ａ
−Ge層単独についてのカー回転角増大効果につ
いてであるが、SiとGeは殆んど同様な半導体特
性を示し且つ任意の配合比で組成したアモルフア
スGe・Si合金を作ることができる。第４図は、
両成分を全組成配合領域に亘り合金化したアモル
フアスGe・Si層におけるカー回転角を測定した
結果を曲線Ａに示す。この場合の膜厚は350Åの
一定とした。更に同じ合金層に10at％のＨを添加
した場合についてカー回転角を測定した結果を曲
線Ｂに示す。これから明らかなように、アモルフ
アスGe・Si層でもアモルフアスGe層と同様にエ
ンハンス効果があり、更にこれにＨを添加した場
合は更に増大することが認められた。尚、図示し
ないが、Ｈ元素以外のＣ，Ｏ，Ｎ，Ｆ元素の添加
でも同様にエンハンス効果をもたらすことが認め
られた。このアモルフアスGe−Si層の厚さは約
350Åと約1200Åの２ケ所においてカー回転角約
70〜50minのピーク値をもつ。
これら元素の添加量とａ−Ge層やａ−Ge・ａ
−Si層の光吸収との関係を検討すると、これら元
素を添加して行くと、約５〜40at％までは、光吸
収端は低波長側にずれ、800nmでの吸収が減少し
てゆき、これに伴ないカー回転角は増大傾向をも
たらし、これ以上の添加は、光の吸収量が殆んど
なくなるが、屈折率が減少しこれに伴ないカー回
転角の増大効果も減少して行くことが分つた。
−Si層の光吸収との関係を検討すると、これら元
素を添加して行くと、約５〜40at％までは、光吸
収端は低波長側にずれ、800nmでの吸収が減少し
てゆき、これに伴ないカー回転角は増大傾向をも
たらし、これ以上の添加は、光の吸収量が殆んど
なくなるが、屈折率が減少しこれに伴ないカー回
転角の増大効果も減少して行くことが分つた。
上記のアモルフアスGe層やアモルフアス
（Ge・Si）層は、プラズマCVD法、スパツタ法、
蒸着法、イオンプレーテイング法、光CVD法等
の任意の公知の方法により得られ、これらの層
に、Ｆ，Ｈ，Ｃ，Ｎ，Ｏなどの元素の１種又はそ
れ以上を混入するには、これらの方法の実施中
に、真空容器中に、H2ガス、N2ガス、O2ガス、
CH4ガスを１種又は２種以上導入したり、グラフ
アイトペレツトをスパツタリング法におけるター
ゲツトとして配設して用いたり、GeH4ガスと
GeF4などの混合ガスを用いプラズムCVD法等に
より上記の方法の１つ又はそれ以上を組み合わせ
る等により遂行される。上記の実験例のアモルフ
アス（Si・Ge）層の形成には、種々の面積比の
Si−Ge複合ターゲツトを用いた。又上記の全て
の実験例では、基板にはガラス板を用い、種々の
膜厚のａ−Ge膜、又はａ−（Ge・Si）膜を形成し
た後、その上に膜厚1000Åの25at％Tb−Fe膜を
形成し、更に保護膜としてSiO2膜を1000Å形成
したものである。カー回転の測定には830nmの半
導体レーザーを用い、ガラス基板側から測定した
結果を示した。
（Ge・Si）層は、プラズマCVD法、スパツタ法、
蒸着法、イオンプレーテイング法、光CVD法等
の任意の公知の方法により得られ、これらの層
に、Ｆ，Ｈ，Ｃ，Ｎ，Ｏなどの元素の１種又はそ
れ以上を混入するには、これらの方法の実施中
に、真空容器中に、H2ガス、N2ガス、O2ガス、
CH4ガスを１種又は２種以上導入したり、グラフ
アイトペレツトをスパツタリング法におけるター
ゲツトとして配設して用いたり、GeH4ガスと
GeF4などの混合ガスを用いプラズムCVD法等に
より上記の方法の１つ又はそれ以上を組み合わせ
る等により遂行される。上記の実験例のアモルフ
アス（Si・Ge）層の形成には、種々の面積比の
Si−Ge複合ターゲツトを用いた。又上記の全て
の実験例では、基板にはガラス板を用い、種々の
膜厚のａ−Ge膜、又はａ−（Ge・Si）膜を形成し
た後、その上に膜厚1000Åの25at％Tb−Fe膜を
形成し、更に保護膜としてSiO2膜を1000Å形成
したものである。カー回転の測定には830nmの半
導体レーザーを用い、ガラス基板側から測定した
結果を示した。
以上の測定は、基板側から再生する場合につい
て行なつたものであるが、空気側から再生する型
のものや、薄い磁気記録層と反射層の間にエンハ
ンス層を介在させてフアラデー回転とカー回転の
両方を用いる型においても、これらに用いられる
エンハンス層として本発明の上記層を用いること
ができる。
て行なつたものであるが、空気側から再生する型
のものや、薄い磁気記録層と反射層の間にエンハ
ンス層を介在させてフアラデー回転とカー回転の
両方を用いる型においても、これらに用いられる
エンハンス層として本発明の上記層を用いること
ができる。
このように本発明によれば、アモルフアスGe
層又はアモルフアス（Ge・Si）層をエンハンス
層とするとき、カー回転角の増大する光磁気記録
体を得ることができ、更に、これら層にＨ，Ｆ，
Ｃ，Ｏ，Ｎの１種又は２種以上を約50at％添加す
るときは、更にカー回転角の大きい光磁気記録体
を得られる効果を有する。
層又はアモルフアス（Ge・Si）層をエンハンス
層とするとき、カー回転角の増大する光磁気記録
体を得ることができ、更に、これら層にＨ，Ｆ，
Ｃ，Ｏ，Ｎの１種又は２種以上を約50at％添加す
るときは、更にカー回転角の大きい光磁気記録体
を得られる効果を有する。
第１図は本発明実施の１例のアモルフアスGe
の膜厚とカー回転角との関係を示す特性図、第２
図は、他の本発明実施の１例の元素添加量とカー
回転角との関係を示す特性図、第３図は変形例の
第２図と仝様の図、第４図は更に他例の元素を添
加し又はしないアモルフアス（Ge・Si）の配合
組成を異にした各合金膜とカー回転角との関係を
示す特性図を示す。
の膜厚とカー回転角との関係を示す特性図、第２
図は、他の本発明実施の１例の元素添加量とカー
回転角との関係を示す特性図、第３図は変形例の
第２図と仝様の図、第４図は更に他例の元素を添
加し又はしないアモルフアス（Ge・Si）の配合
組成を異にした各合金膜とカー回転角との関係を
示す特性図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁性層の片面又は両面にアモルフアスGe層
又はアモルフアスGe・Si層を設けることを特徴
とする光磁気記録体。 ２ 磁性層の片面又は両面に、Ｈ，Ｆ，Ｃ，Ｎ，
Ｏの少くとも１種を約50at％以下混入したアモル
フアスGe層又はアモルフアスGe・Si層を設ける
ことを特徴とする光磁気記録体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4820584A JPS60193150A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 光磁気記録体 |
| US06/698,480 US4661420A (en) | 1984-02-06 | 1985-02-05 | Optical magnetic recording member |
| EP85300775A EP0152269B1 (en) | 1984-02-06 | 1985-02-06 | Optical magnetic recording member |
| DE8585300775T DE3577247D1 (de) | 1984-02-06 | 1985-02-06 | Magneto-optischer aufzeichnungstraeger. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4820584A JPS60193150A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 光磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193150A JPS60193150A (ja) | 1985-10-01 |
| JPH0259530B2 true JPH0259530B2 (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=12796881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4820584A Granted JPS60193150A (ja) | 1984-02-06 | 1984-03-15 | 光磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193150A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS615460A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ＧｅＮで保護された光熱磁気記録媒体 |
| JP2551118B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1996-11-06 | 富士通株式会社 | 光磁気ディスク媒体およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938950A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP4820584A patent/JPS60193150A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938950A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60193150A (ja) | 1985-10-01 |
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Legal Events
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