JPH0766578B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0766578B2 JPH0766578B2 JP7765586A JP7765586A JPH0766578B2 JP H0766578 B2 JPH0766578 B2 JP H0766578B2 JP 7765586 A JP7765586 A JP 7765586A JP 7765586 A JP7765586 A JP 7765586A JP H0766578 B2 JPH0766578 B2 JP H0766578B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- protective layer
- magneto
- recording medium
- optical recording
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気メモリに用いられる記録媒体に関する
もので、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁化容易軸を
有する磁性膜を記録層とし、レーザなどの光ビームを照
射した領域に反転磁区を作ることにより情報を記録する
ことができ、磁気光学効果を利用して読み出すことので
きる光磁気記録媒体に関するものである。
もので、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁化容易軸を
有する磁性膜を記録層とし、レーザなどの光ビームを照
射した領域に反転磁区を作ることにより情報を記録する
ことができ、磁気光学効果を利用して読み出すことので
きる光磁気記録媒体に関するものである。
（従来技術） 従来の一般的な光磁気記録媒体は、第２図に示すように
基体１の上に、第１の保護層２、記録層３、第２の保護
層４の順に形成したものから成る。基体１としては、ガ
ラス、Al合金及びPMMA・ポリカーボネイト、エポキシな
どのプラスチック基板が用いられ、第１及び第２の保護
層としては、SiO,SiO2,Si3N4,AlNなどの誘電体薄膜が用
いられる。第２の保護層としては、誘電体薄膜の外に、
Ti,Taなどの金属膜も用いられる。記録層としては、MnB
i,MuCuBiなどの多結晶体薄膜、Tb,Gd,Dyなどの希土類金
属とFe,Coなどの鉄族遷移金属との組み合せによって作
成される非晶質合金薄膜、また、Gd3Fe5O12などの単結
晶薄膜などが知られている。これらの薄膜の中で、非晶
質合金薄膜は、書き込み感度が高い、粒界ノイズが無
い、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する膜が容易に作
れるなどの利点を有するため、記録媒体として最も有望
視されている。
基体１の上に、第１の保護層２、記録層３、第２の保護
層４の順に形成したものから成る。基体１としては、ガ
ラス、Al合金及びPMMA・ポリカーボネイト、エポキシな
どのプラスチック基板が用いられ、第１及び第２の保護
層としては、SiO,SiO2,Si3N4,AlNなどの誘電体薄膜が用
いられる。第２の保護層としては、誘電体薄膜の外に、
Ti,Taなどの金属膜も用いられる。記録層としては、MnB
i,MuCuBiなどの多結晶体薄膜、Tb,Gd,Dyなどの希土類金
属とFe,Coなどの鉄族遷移金属との組み合せによって作
成される非晶質合金薄膜、また、Gd3Fe5O12などの単結
晶薄膜などが知られている。これらの薄膜の中で、非晶
質合金薄膜は、書き込み感度が高い、粒界ノイズが無
い、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する膜が容易に作
れるなどの利点を有するため、記録媒体として最も有望
視されている。
（発明が解決しようとする問題点） しかし、これらの非晶質合金薄膜は、活性の高い元素か
ら成るため、その磁気特性は、基体の種類及び第１の保
護層の特性に影響されて変化する。例えば、非晶質合金
薄膜してTbFeCoスパッタ膜、保護層として屈折率1.8以
下の窒化ケイ素（SiN）スパッタ膜を用いた場合には、T
bFeCo膜のカーヒステリシスループは、ガラス基板に直
接形成したものに比べてTbが消費された方向にシフト
し、角形が悪く、カー回転角θｋ小さい。これは、上述
のSiN膜が、化学量論組成Si3N4からはずれた組成となり
緻密性に劣り酸素などのガスを吸蔵しているためにTbFe
Co膜が酸化した結果生じたものである。一方、SiN膜
を、化学量論組成Si3N4に近づけ緻密にしたとしても、
この膜は、大きな圧縮応力（５〜10×109dyn/cm2）を有
するために、基板に、PMMAなどの樹脂基板を用いると、
そりを生じたり、又、樹脂から水分の除去が不十分な時
は、膜の剥離を生じる。
ら成るため、その磁気特性は、基体の種類及び第１の保
護層の特性に影響されて変化する。例えば、非晶質合金
薄膜してTbFeCoスパッタ膜、保護層として屈折率1.8以
下の窒化ケイ素（SiN）スパッタ膜を用いた場合には、T
bFeCo膜のカーヒステリシスループは、ガラス基板に直
接形成したものに比べてTbが消費された方向にシフト
し、角形が悪く、カー回転角θｋ小さい。これは、上述
のSiN膜が、化学量論組成Si3N4からはずれた組成となり
緻密性に劣り酸素などのガスを吸蔵しているためにTbFe
Co膜が酸化した結果生じたものである。一方、SiN膜
を、化学量論組成Si3N4に近づけ緻密にしたとしても、
この膜は、大きな圧縮応力（５〜10×109dyn/cm2）を有
するために、基板に、PMMAなどの樹脂基板を用いると、
そりを生じたり、又、樹脂から水分の除去が不十分な時
は、膜の剥離を生じる。
本発明の目的は、第１の保護層の保護性能を劣化させる
ことなく、膜のストレスに起因する問題を解決できる光
磁気記録媒体を提供することにある。
ことなく、膜のストレスに起因する問題を解決できる光
磁気記録媒体を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 第１図に本発明の光磁気記録媒体の断面構成図を示す。
図に示す様に、本発明の光磁気記録媒体は、基体15上
に、誘電体膜から成る第１の保護層６、誘電体膜から成
る第２の保護層７、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する非晶質磁性合金膜から成る記録層８、金属もしくは
誘電体から成る第３の保護層９の順に形成して成る構成
において、第１の保護層及び第２の保護層は化学量論組
成からはずれるにつれて、ストレスが小さくなる誘電体
より成り、かつ第１の保護層は、第２の保護層に比べ
て、膜のストレスは小さく、膜厚は大きいことを特徴と
する （作用） 本発明は、基体と記録層の間に形成される保護層とし
て、組成が化学量論組成からはずれるにつれて、ストレ
スが小さくなる様な誘電体膜を用いる場合に、有効であ
る。第１の保護層として、ストレスの小さい誘電体膜を
厚く形成し、記録層に接する第２の保護層として、化学
量論組成に近い誘電体膜を薄く形成することによって、
記録層を劣化させることなくストレスを小さくできる。
図に示す様に、本発明の光磁気記録媒体は、基体15上
に、誘電体膜から成る第１の保護層６、誘電体膜から成
る第２の保護層７、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する非晶質磁性合金膜から成る記録層８、金属もしくは
誘電体から成る第３の保護層９の順に形成して成る構成
において、第１の保護層及び第２の保護層は化学量論組
成からはずれるにつれて、ストレスが小さくなる誘電体
より成り、かつ第１の保護層は、第２の保護層に比べ
て、膜のストレスは小さく、膜厚は大きいことを特徴と
する （作用） 本発明は、基体と記録層の間に形成される保護層とし
て、組成が化学量論組成からはずれるにつれて、ストレ
スが小さくなる様な誘電体膜を用いる場合に、有効であ
る。第１の保護層として、ストレスの小さい誘電体膜を
厚く形成し、記録層に接する第２の保護層として、化学
量論組成に近い誘電体膜を薄く形成することによって、
記録層を劣化させることなくストレスを小さくできる。
（実施例） PMMA及びガラス基板上に、第１の保護層として、屈折率
1.78、厚さ800ÅのSiN膜、第２の保護層として、屈折率
2.0、厚さ200ÅのSiN膜、記録層として、厚さ1000ÅのT
b0.22（Fe0.9Co0.1）0.78、第３の保護層として、屈折
率1.85、厚さ1000ÅのSiN膜を形成した。各々の膜は、
マグネトロンスパッタにより、真空を破ることなく連続
に形成した。SiN膜は、Siターゲットに対して、ArとN2
の混合ガス（45.5％N2）をスパッタガスとした反応性ス
パッタにより作製した。
1.78、厚さ800ÅのSiN膜、第２の保護層として、屈折率
2.0、厚さ200ÅのSiN膜、記録層として、厚さ1000ÅのT
b0.22（Fe0.9Co0.1）0.78、第３の保護層として、屈折
率1.85、厚さ1000ÅのSiN膜を形成した。各々の膜は、
マグネトロンスパッタにより、真空を破ることなく連続
に形成した。SiN膜は、Siターゲットに対して、ArとN2
の混合ガス（45.5％N2）をスパッタガスとした反応性ス
パッタにより作製した。
SiN膜の屈折率は、スパッタガス圧により変化させた。
第１の表に第１〜３のSiN保護層のスパッタ条件を示
す。この条件によって得られる第１〜３のSiN膜の圧縮
応力の大きさは、それぞれ1.5×109dyn/cm2,8×109dyn/
cm2,5×109dyn/cm2であった。記録層TbFeCoは、FeCoタ
ーゲット上に、Tb片 を配した複合ターゲットを用い、Arガス雰囲気で、パワ
ー密度2W/cm2、スパッタガス圧3.5×10-1Paで作製し
た。
第１の表に第１〜３のSiN保護層のスパッタ条件を示
す。この条件によって得られる第１〜３のSiN膜の圧縮
応力の大きさは、それぞれ1.5×109dyn/cm2,8×109dyn/
cm2,5×109dyn/cm2であった。記録層TbFeCoは、FeCoタ
ーゲット上に、Tb片 を配した複合ターゲットを用い、Arガス雰囲気で、パワ
ー密度2W/cm2、スパッタガス圧3.5×10-1Paで作製し
た。
PMMA基板を用いた場合でも、膜の剥離は見られず、又そ
れも殆んどなかった。又、カーヒステリシスループより
測定される記録層は、いずれも、補償組成に対して遷移
金属リッチの極性を有し、抗磁力Hcは約5KOeであった。
この特性は、ガラス基板上に直接TbFeCo膜を形成した場
合と、殆んど同じであった。この様に、TbFeCo膜の磁気
特性を劣化させることなく、PMMA基板を用いた時に生じ
たSiN膜のストレスに起因する問題を解決できた。以上
述べた効果は基体として、ポリカーボネイトを用いた時
にも同様に見られた。
れも殆んどなかった。又、カーヒステリシスループより
測定される記録層は、いずれも、補償組成に対して遷移
金属リッチの極性を有し、抗磁力Hcは約5KOeであった。
この特性は、ガラス基板上に直接TbFeCo膜を形成した場
合と、殆んど同じであった。この様に、TbFeCo膜の磁気
特性を劣化させることなく、PMMA基板を用いた時に生じ
たSiN膜のストレスに起因する問題を解決できた。以上
述べた効果は基体として、ポリカーボネイトを用いた時
にも同様に見られた。
なお、第３の保護層にTi,Ta等の金属材料を用いた場合
にも同様な効果が得られた。
にも同様な効果が得られた。
（発明の効果） 本発明によれば、保護層の記録層に対する保護性能を劣
化させることなく保護層のストレスに起因する問題を解
決できる光磁気記録媒体を提供できる。以上の説明で
は、基体と記録層の間に形成される保護層として、SiN
膜を用いた場合について述べたが、保護層としてはこれ
に限定されるものではなく、化学量論組成からはずれる
につれて、ストレスが小さくなる様な誘電体膜を用いる
場合全てに本発明は有効である。
化させることなく保護層のストレスに起因する問題を解
決できる光磁気記録媒体を提供できる。以上の説明で
は、基体と記録層の間に形成される保護層として、SiN
膜を用いた場合について述べたが、保護層としてはこれ
に限定されるものではなく、化学量論組成からはずれる
につれて、ストレスが小さくなる様な誘電体膜を用いる
場合全てに本発明は有効である。
第１図は、本発明の構成を示す図、第２図は従来の構成
を示す図である。 図において、1,5……基体、2,6,7……誘電体から成る保
護層、3,8……非晶質磁性合金薄膜の記録層、4,9……金
属もしくは誘電体から成る保護層である。
を示す図である。 図において、1,5……基体、2,6,7……誘電体から成る保
護層、3,8……非晶質磁性合金薄膜の記録層、4,9……金
属もしくは誘電体から成る保護層である。
Claims (1)
- 【請求項１】基体上に、誘電体膜から成る第１の保護
層、誘電体膜からなる第２の保護層、膜面に垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質磁性合金膜から成る記録
層、金属膜もしくは誘電体膜から成る第３の保護層の順
に形成して成る光磁気記録媒体において、第１の保護層
及び第２の保護層は化学量論組成からはずれるにつれ
て、ストレスが小さくなる誘電体より成り、かつ第１の
保護層は、第２の保護層に比べて、膜のストレスは小さ
く、膜厚は大きいことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7765586A JPH0766578B2 (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7765586A JPH0766578B2 (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62234252A JPS62234252A (ja) | 1987-10-14 |
| JPH0766578B2 true JPH0766578B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=13639898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7765586A Expired - Lifetime JPH0766578B2 (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766578B2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-03 JP JP7765586A patent/JPH0766578B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62234252A (ja) | 1987-10-14 |
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