JPH01158645A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JPH01158645A JPH01158645A JP31775787A JP31775787A JPH01158645A JP H01158645 A JPH01158645 A JP H01158645A JP 31775787 A JP31775787 A JP 31775787A JP 31775787 A JP31775787 A JP 31775787A JP H01158645 A JPH01158645 A JP H01158645A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザ等の光を照射することにより情報の記
録、再生、消去等を行う磁気光学記憶素子に関する。
録、再生、消去等を行う磁気光学記憶素子に関する。
（従来の技術）
近年、情報の記録、再生、消去が可能な光メモリ素子と
して磁気光学記憶素子の開発が活発に行われている。中
でも、記憶媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いた
ものは、記録ピットが粒界の影響を受けない点、および
記憶媒体の膜を大面積にわたって作成することが比較的
容易である点から特に注目を集めている。しかし記憶媒
体として上記のような希土類遷移金属合金薄膜を用いて
磁気光学記憶素子を構成したものでは、一般に光磁気効
果（カー効果、ファラデー効果）が充分に得られず、そ
のため再生信号のＳ／Ｎ比が不充分なものであった。こ
のような問題点を改良するため、従来より例えば特開昭
５７−１２４２８号公報に示されるように、反射膜構造
と呼ばれる素子構造が磁気光学記憶素子において採用さ
れている。
して磁気光学記憶素子の開発が活発に行われている。中
でも、記憶媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いた
ものは、記録ピットが粒界の影響を受けない点、および
記憶媒体の膜を大面積にわたって作成することが比較的
容易である点から特に注目を集めている。しかし記憶媒
体として上記のような希土類遷移金属合金薄膜を用いて
磁気光学記憶素子を構成したものでは、一般に光磁気効
果（カー効果、ファラデー効果）が充分に得られず、そ
のため再生信号のＳ／Ｎ比が不充分なものであった。こ
のような問題点を改良するため、従来より例えば特開昭
５７−１２４２８号公報に示されるように、反射膜構造
と呼ばれる素子構造が磁気光学記憶素子において採用さ
れている。
第２図は従来の反射膜構造の磁気光学記憶素子の一部縦
断面図を示している。同図において、？はガラス、ポリ
カーボネート樹脂、エポキシ樹脂等の透明基板、ｂはこ
の透明基板ａよりも屈折率の高い特性を有する透明誘電
体膜、Ｃは希土類遷移金属合金薄膜、ｄは透明誘電体膜
、ｅは金属反射膜である。
断面図を示している。同図において、？はガラス、ポリ
カーボネート樹脂、エポキシ樹脂等の透明基板、ｂはこ
の透明基板ａよりも屈折率の高い特性を有する透明誘電
体膜、Ｃは希土類遷移金属合金薄膜、ｄは透明誘電体膜
、ｅは金属反射膜である。
遷移金属合金薄膜Ｃに入射した光はその一部が通り抜け
る。そのため、再生光は希土類遷移金属合金薄膜Ｃ表面
での反射によるカー効果と、希土類遷移金属合金薄膜Ｃ
を通り抜けて金属反射膜ｅで反射され、再び希土類遷移
金属合金薄膜Ｃを通り抜けることで生起されるファラデ
ー効果とが合わせられることにより、単なるカー効果の
みによる素子に比べて見かけ上数倍カー回転角が増大す
るものとなる。−例として、第２図において透明基板ａ
をガラスとし、透明誘電体膜すをＡＩＮとし、希土類遷
移金属合金薄膜ＣをＧｄＴｂＦｅとし、透明誘電体膜ｄ
ｆ：Ａ Ｉ Ｎとし、金属反射膜ｅをＡＩとした構成で
は、見かけ上のカー回転角が１．６度にまで増大した。
る。そのため、再生光は希土類遷移金属合金薄膜Ｃ表面
での反射によるカー効果と、希土類遷移金属合金薄膜Ｃ
を通り抜けて金属反射膜ｅで反射され、再び希土類遷移
金属合金薄膜Ｃを通り抜けることで生起されるファラデ
ー効果とが合わせられることにより、単なるカー効果の
みによる素子に比べて見かけ上数倍カー回転角が増大す
るものとなる。−例として、第２図において透明基板ａ
をガラスとし、透明誘電体膜すをＡＩＮとし、希土類遷
移金属合金薄膜ＣをＧｄＴｂＦｅとし、透明誘電体膜ｄ
ｆ：Ａ Ｉ Ｎとし、金属反射膜ｅをＡＩとした構成で
は、見かけ上のカー回転角が１．６度にまで増大した。
（ＧｄＴｂＦｅ単層膜の場合は０．３音程度である。）
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、記憶媒体である希土類遷移金属合金薄膜
は非常に酸化され易く、酸化されるとその本来の磁気光
学特性を消失してしまう。特に、上記のに対膜構造にお
いては希土類遷移金属合金薄膜Ｃ中を光が透過する必要
があるため、希土類遷移金属合金薄膜Ｃの膜厚をかなり
薄くしなければならず、このため上記酸化の影響を更に
受は易くなってしまう。言い換えれば、長期信頼性に欠
けるという問題があった。
は非常に酸化され易く、酸化されるとその本来の磁気光
学特性を消失してしまう。特に、上記のに対膜構造にお
いては希土類遷移金属合金薄膜Ｃ中を光が透過する必要
があるため、希土類遷移金属合金薄膜Ｃの膜厚をかなり
薄くしなければならず、このため上記酸化の影響を更に
受は易くなってしまう。言い換えれば、長期信頼性に欠
けるという問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、反射膜を含む多層膜構造の記録層を有する磁
気光学記憶素子において、上記反射膜上に耐湿性を向上
させる目的で、さらに薄膜を形成してなるもので、耐湿
性を向上せしめ、長期信頼性を高めつる磁気光学記憶素
子を提供することを目的とする。
気光学記憶素子において、上記反射膜上に耐湿性を向上
させる目的で、さらに薄膜を形成してなるもので、耐湿
性を向上せしめ、長期信頼性を高めつる磁気光学記憶素
子を提供することを目的とする。
（作 用）
本発明によれば反射膜上にさらに膜を付加することで、
本来の磁気光学特性を失うことなく、磁気光学記憶素子
の長期信頼性が確保さ八る。
本来の磁気光学特性を失うことなく、磁気光学記憶素子
の長期信頼性が確保さ八る。
（実施例）
以下、本発明の磁気光学記憶素子の一実施例を図面を参
照して説明する。
照して説明する。
第１図は、磁気光学記憶素子の構造の一例を示す一部縦
断面図である。同図において、ｌはガラス、ポリカーボ
ネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明基板
であり、この透明基板１上に透明な窒化アルミニウム（
ＡＩＮ）からなる第１の透明誘電体膜２が例えば８０ｎ
ｍの膜厚に形成され、この第１の透明誘電体膜２上にＧ
ｄＴｂＦｅ合金からなる希土類遷移金属合金薄膜（記録
媒体〕３が例えば２０ ｎｍの膜厚に形成され、この希
土類遷移金属合金薄膜３上に透明な窒化アルミニウム（
ＡＩＮ）からなる第２の透明誘電体膜４が例えば２５
ｎｍの膜厚に形成され、この第２の透明誘電体膜４上に
アルミニウム（ＡＩ）からなる反射膜５が例えば５０
ｎｍの膜厚に形成され、この反射膜５上に窒化アルミニ
ウム（ＡＩＮ）からなる透明誘電体膜６が例えば２０
ｎｍの膜厚に形成されている。
断面図である。同図において、ｌはガラス、ポリカーボ
ネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明基板
であり、この透明基板１上に透明な窒化アルミニウム（
ＡＩＮ）からなる第１の透明誘電体膜２が例えば８０ｎ
ｍの膜厚に形成され、この第１の透明誘電体膜２上にＧ
ｄＴｂＦｅ合金からなる希土類遷移金属合金薄膜（記録
媒体〕３が例えば２０ ｎｍの膜厚に形成され、この希
土類遷移金属合金薄膜３上に透明な窒化アルミニウム（
ＡＩＮ）からなる第２の透明誘電体膜４が例えば２５
ｎｍの膜厚に形成され、この第２の透明誘電体膜４上に
アルミニウム（ＡＩ）からなる反射膜５が例えば５０
ｎｍの膜厚に形成され、この反射膜５上に窒化アルミニ
ウム（ＡＩＮ）からなる透明誘電体膜６が例えば２０
ｎｍの膜厚に形成されている。
以下に、この構造の効果を確かめるために行った実験及
び実験結果について説明する。
び実験結果について説明する。
一般に磁気光学記憶素子の耐湿性を評価する一手段とし
て、磁気光学記憶素子を高温高湿下に放置する、いわゆ
る加速テストにかけ、その際に発生する孔食（ピンホー
／Ｉ／）を目視あるいは顕微鏡で観察し、その完生程度
で良否を判断する方法がよく取られている。ここで言う
孔食とは、現象としては、磁気光学記憶素子を構成する
薄膜が部分的に酸化さル、透明な酸化物に変化してしま
うもので、周囲の酸化されていない部分と比べて見た場
合にピンホールのごとく観察されるものである。
て、磁気光学記憶素子を高温高湿下に放置する、いわゆ
る加速テストにかけ、その際に発生する孔食（ピンホー
／Ｉ／）を目視あるいは顕微鏡で観察し、その完生程度
で良否を判断する方法がよく取られている。ここで言う
孔食とは、現象としては、磁気光学記憶素子を構成する
薄膜が部分的に酸化さル、透明な酸化物に変化してしま
うもので、周囲の酸化されていない部分と比べて見た場
合にピンホールのごとく観察されるものである。
本実験においては、上記の手段をもって耐湿性の評価を
行った。加速テスト条件としては、相対湿度が１００％
となる１２０℃、２気圧の、一般にプレッシャークツカ
ーテストと呼ばれる条件とした。テストサンプルは、以
下の２種である。
行った。加速テスト条件としては、相対湿度が１００％
となる１２０℃、２気圧の、一般にプレッシャークツカ
ーテストと呼ばれる条件とした。テストサンプルは、以
下の２種である。
■ 上記実施例で述べた本発明に係る膜溝成をもつ磁気
光学記憶素子。
光学記憶素子。
■■の膜溝成で透明誘電体膜６の無い、従来の磁気光学
記憶素子。
記憶素子。
ト開始から２時間毎に行った。
本テストを行った結果、■の従来の磁気光学記憶素子に
おいてはテスト開始後４１時間でピンホールが観察され
たのに対し、■の木発明に係る膜構成をもつ磁気光学記
憶素子においては１５０時間後葦でピンホールは観察さ
れず、３０倍以上の非常に優れた１酎湿性を示した。こ
れは、反射膜５と接着剤との密着性よりも、透明誘電体
膜６と接着剤との密着性の方がより優れており、膜部へ
の水分等の透湿量が抑制された結果である。
おいてはテスト開始後４１時間でピンホールが観察され
たのに対し、■の木発明に係る膜構成をもつ磁気光学記
憶素子においては１５０時間後葦でピンホールは観察さ
れず、３０倍以上の非常に優れた１酎湿性を示した。こ
れは、反射膜５と接着剤との密着性よりも、透明誘電体
膜６と接着剤との密着性の方がより優れており、膜部へ
の水分等の透湿量が抑制された結果である。
なお、上記実施例においては、透明誘電体膜６として窒
化アルミニウムを用いているが、木発明はこれに１設定
されるものではない。すなわち、張り合わせに使用する
接着剤との密着性が良い、耐湿効果に優れた透明誘電体
膜、例えば、Ｓ ｉＮ。
化アルミニウムを用いているが、木発明はこれに１設定
されるものではない。すなわち、張り合わせに使用する
接着剤との密着性が良い、耐湿効果に優れた透明誘電体
膜、例えば、Ｓ ｉＮ。
ＺｎＳ、Ｓ ｉｏ＋ Ｓ ｉＯｚ ＋ Ａｌ２Ｏ３等で
あっても良い。また、これは特に透明膜である必要もな
い。
あっても良い。また、これは特に透明膜である必要もな
い。
また、上記実施例においては、記録媒体としてＧｄＴｂ
Ｆｅ合金薄膜を用いているが、他の希土類遷移金属合金
薄膜（例えば、ＧｄＴｂＦｅＣｏ。
Ｆｅ合金薄膜を用いているが、他の希土類遷移金属合金
薄膜（例えば、ＧｄＴｂＦｅＣｏ。
ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅ等）であっても良く
、また、透明誘電体膜２．４についても、窒化アルミニ
ウムの他に例えばＳ ｉＮ ＋ Ｚ ｎ Ｓ ＋Ｓ ｉ
ｏ、Ｓ ｉＯｚ 、Ａ Ｉ２Ｏ３等の透明誘電体膜であ
っても良い。また、反射膜５についても、Ａ１の他に例
えばＳＵＳ、Ｔａ＋ Ｔｉ＋ Ｃｕ等であっても良い。
、また、透明誘電体膜２．４についても、窒化アルミニ
ウムの他に例えばＳ ｉＮ ＋ Ｚ ｎ Ｓ ＋Ｓ ｉ
ｏ、Ｓ ｉＯｚ 、Ａ Ｉ２Ｏ３等の透明誘電体膜であ
っても良い。また、反射膜５についても、Ａ１の他に例
えばＳＵＳ、Ｔａ＋ Ｔｉ＋ Ｃｕ等であっても良い。
また、反射膜５を備えた多層膜構造の記録層を有する磁
気光学記憶素子であれば、上記実施例の構造に限ること
なく適用可能である。
気光学記憶素子であれば、上記実施例の構造に限ること
なく適用可能である。
丑た、上記実施例で示した膜厚ばこれに限定されるもの
ではない。
ではない。
（発明の効果）
以上説明したように木発明によれば、磁気光学記憶素子
の耐温性を大幅に向上せしめ、畏期信頼−例を示す一部
縦断面図、箒２図は従来の反射膜構造の磁気光学記憶素
子の一例を示す一部縦断面図である。
の耐温性を大幅に向上せしめ、畏期信頼−例を示す一部
縦断面図、箒２図は従来の反射膜構造の磁気光学記憶素
子の一例を示す一部縦断面図である。
１・・・透明基板 ２・・・第１の透明誘電体膜３・
・・希土類遷移金属合金薄膜 ４・・・第２の透明誘
電体膜 ５・・・反射膜 ６・・・透明誘電体膜代
理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 第 ２７１
・・希土類遷移金属合金薄膜 ４・・・第２の透明誘
電体膜 ５・・・反射膜 ６・・・透明誘電体膜代
理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 第 ２７１
Claims (1)
- １、透明な基板上に希土類遷移金属合金薄膜と反射膜を
この順に積層してなる磁気光学記憶素子において、上記
反射膜上に該反射膜よりも接着剤との密着性に優れた膜
を被覆し、該膜上に接着剤を介して他の基板を張り合わ
せてなることを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317757A JP2589332B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 磁気光学記憶素子 |
| CA000585837A CA1315983C (en) | 1987-12-15 | 1988-12-14 | Magneto-optic memory device |
| EP88311888A EP0321250B1 (en) | 1987-12-15 | 1988-12-15 | Magneto-optic memory device |
| DE88311888T DE3884923T2 (de) | 1987-12-15 | 1988-12-15 | Magneto-optisches Speichergerät. |
| US07/993,517 US5305254A (en) | 1987-12-15 | 1992-12-17 | Magneto-optic memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317757A JP2589332B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158645A true JPH01158645A (ja) | 1989-06-21 |
| JP2589332B2 JP2589332B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=18091701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317757A Expired - Fee Related JP2589332B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589332B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03273542A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5187703A (en) * | 1990-02-28 | 1993-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical multilayer recording disk and method of reproducing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6192456A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS63211138A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Hitachi Ltd | 光記録媒体 |
| JPH01146145A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Canon Inc | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP62317757A patent/JP2589332B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6192456A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS63211138A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Hitachi Ltd | 光記録媒体 |
| JPH01146145A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Canon Inc | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187703A (en) * | 1990-02-28 | 1993-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical multilayer recording disk and method of reproducing the same |
| JPH03273542A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2589332B2 (ja) | 1997-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |