JPS58105441A - 光情報記録媒体及び光情報記録・読み取り方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高エネルギー密度の光ビームな用いて情報を記
録するための光情報記録媒体及びこれな用いる光情報記
録・読取う方法に関するものである。

従来、レーザ等の高エネルギー密度の光ビームな用いる
記録材料としては、銀塩等の感光材料の他に次のような
熱的記録材料がある。この熱的記録材料に於いては、記
録層は高−光学濃度を有し。

照射され５る高エネルギー密度の光ビームな吸収し局所
的な温度上昇な生じ、融解、蒸発、凝集等の熱的変形な
して、その光照射され九部分が除去されることによって
、非照射部分に対して光学的濃度差等の光学特性の変化
な生じることにより情報が記録されるものである。この
ような熱的記録材料は一般に現像、定着等の九哩を必要
としないこと１通常の室内光では記録されな％／％ため
暗室操作が不要であること、高コントラストの画像が得
ら゛れること、情報の追加記録（アジオン）が可能であ
ること等の利点を有する。

一般にこのような熱的記録材料への記録方法は。

記録すべき情報な電気的な時系列信号に変換し。

その信号に応じて強度変調されたレーザビームでその記
録材料上な走査させて行なう場合が多いＯこの場合、リ
アルタイムで記録画儂が得られると−う利点な有する。

熱的記録材料は上記の様なユニークな特長な有する丸め
に、従来数多くの用途０例えば印刷用リスフィルムの代
用、ファクシミリ用記録材料、ＩＣ用フォトマスク、マ
イクｏフィルム等への応用が試みられ、−ｓ実用化の段
階に到遅している。このような数多くの用途・応用があ
るために、記録材料開発に関し、多（の機関により活発
に研究がなされてきており、記録層に用いる材料につい
ても、金属、プラスティック、染料等につき数多くの提
案がな嘔れてき”ＣＶ％る。具体的には１例えばＭ　、
　Ｌ　、　ＬｅｖａｎａらのＩＫよる＠Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ　Ｉｏｎ　ａｎｄＬａｍｅｒ　Ｂｍａｒ　Ｔｅｃｈｗ
ｌｏｇｙ　”第１１回シンポジウムの記録（１９，６９
年）　、　１ｅｌｅｃｔｒｏｎｌｃａ誌（１９６８年３
月１８日）Ｊ１５Ｑｊ［、Ｄ、Ｍａｙｄａｎ着”Ｔｈｅ
　Ｂ・ｕ８ｙａ％ａｍ　Ｔ＊ｃｋｍｉｃａｌ　Ｊｏｕｒ
ｎａｌ”誌５０巻（１９７１年）第１７６１員、　Ｏ、
Ｄ　、Ｇａｒｌｓｃｙｎ着”　５ｃｉｅｎｃｅ”誌第１
５４巻（１９６６Ｉｆ−）第１５５０頁等に記載されて
−る。

上記文献等に示されてｉる材料な、実用システムの中に
組み入れるためには、換言するならば感材としての実用
性を賦与するためには、更に支持体、記録層、保鰻層等
につき数多くの改良が必要とされ、実際に過去におｉて
数多くの特許、４１許゛出願等がなされている。その中
で最も多くの努力が払われてきたのは記録感度の向上に
あると言ってよい。金属薄膜な用いた記録材料につき、
過去における高感度化のための勢力がどのようになされ
てきたかな概観すると以下の如くなろう。

即ち、一般Ｋ　ｓｉ　、　！３ｓ、　Ｘｓ、ム１．Ｏｒ
等の金属薄膜を用いたものは高解像力、高コントラスト
等の点で優れた性能を有するがその反面レーザ光に対す
る光反射率が５０嘔以上の％のが多く、レーザ光のエネ
ルギーを有効に利用することが出来ないため記録に！！
する光エネルギーが大きく、従って高速走査で記録する
には大出力のレーザ光源が必要となり、そのため記録装
置が大蓋且つ高価なものになるという欠点な有して−る
。そこで記録感度の高−記録材料がいくつか探究されて
いる。たとえば脣公＠４６−４０４７９号公報に、　Ｓ
ｓ、Ｂｊ、Ｇｇから成る構成の記録材料が記載されて−
る。ここでＧ−の層はＢａの層の照射光に対する反射率
な低下させるものであり、Ｓ一層は蒸発し易ｉ層であり
、いずれもＢａ単層の場合よりも少ないエネルギーによ
って主なる記録層である８４層の熱的な東形な促進させ
る。盲らに反射減少ないし１反射防止なする丸めの層＆
！特開昭５０−１５１１５１号会報や峙公紹５１−１４
２６２号公報にも記載されている。また記録層とその支
持体との間の熱伝導を減少させる層を設けたものは特開
昭５０−１２４５３７号公報や特開昭５１−１６０２６
号公報に記載式れている。また特開昭５１−７８２５６
号公報および特−昭５２−２０８２１号公報にはるる種
の金属硫化物、金属ふつ化物あるーは金属酸化物な金属
と重層あるいは混合し良記録層が記載されている。

また本出願の発明者の一部を含む発明者らの出願による
特開昭５４−５７４２号公報には無機物質と有機物質と
を混合した記録層が記載されている。

以上概観した如く、高感度化に関するものだけでも数多
くの努力が過去に払われてきており、前述した如く、一
部実用化の段階まで性能が向上してきている。然しなか
ら、記録材料な用いるシステム及びその周辺技術の進歩
もあり、新規の応用用途に用いる記録材料のみならず、
前述した従来の用途に用いる記録材料に関しても、更に
高度の性能が強く要求されてきＣｖ％るのが現状である
。

特に、光デイスクメモリーＯＩＩ＜、新らしい応用用途
に熱的記録材料を用ｉる場合、高性能化に対する要求は
非常に強く、過去において開示された記録材料でこれら
の要求を満足させることは実質的に困難であった。

ここで光ディスクメ篭り−材料に要求される主な楓能に
ついて説明な加えるならば以下の如（なる。即ち。

（１）　　高速データ書込みを可能にするために高感度
であること （２）　　光学系を簡易化する上で、情報の反射読取り
が好ましく、それを行うためには記録層の光反射率が高
いこと。

（３）記録情報の長期安定性（最底１０年以上のアーカ
イノミル性）を可能とする化学的安定性を有すること。

（４）高密度記録な可能とするための高Ｍ像力を有する
こと。

（５）読み取りの際のＳ／Ｎ比な太き（するために。

記録ビットの形状が良好であること（そのためには、記
録層の粒状性等の不均一性は好ましくない） （６）製造適性が優れていること（例えば蒸着中の蒸発
速度が安定し【おり、ｉた蒸着中に分解等な起こ嘔ない
こと） （７）無毒で６ること これら以外に４数多くの要求性能があるが、ここでは省
略する。上記諸性能の中：、　（１）と（２）は前述し
た即く高反射率と高感度とは一般に相反する関係にある
。また、Ｔ−薄膜の如（、比較的高い感度な示す材料は
、長期安定性、毒性等の性能を満足することは一般に困
−であった。また、高感度の目的には、Ｉｓ、ａｓ等の
低融点金属が好まし−とされて−るが、これらの−成分
系薄膜では薄膜が島状構造をとり易く、その丸め（５）
の性能な満足させることは困難でめった。

以上述べてき九如く、光デイスクメモリー材料に要求さ
れる性能は非常に高度でありこれらの性能、特にその中
で高感度、ｊｌＬ好な長期保存性、無毒と−った性能を
同時に満足畜せる材料が見出されていなかったのが実情
であった。

本発明者らは、これらの実情に鑑み、高度の性能を要求
される熱的記録材料、４１に光デイスクメモリー用途に
適した熱的記録材料を開発すべく鋭意研究な重ね【きた
。その過程で、４Ｉ開昭５２−２０８２１号公報明細書
等に開示されている。金属と非金属を共存（同時蒸着法
による）畜せた記録層を用いることにより、上記（１）
〜（７）の性能がかなり改善されることが発見された。

然し、上記公報に開示されている材料では未だ十分な性
能とは言えず、Ｉ￥ｊＫ高感度と長期安定性の両者な同
時に満足させ得るような材料な見い出すことは出来なか
った。また光デイスクメモリー用として、特開昭５６−
１２４１３４号公報に、基板上に、１襲とＳｍｏｇな、
　８ｉＯｚの体積ノ彎−セントが４０〜６０憾からなる
混合比をもって蒸着して得られる光記録媒体が開示され
ているが、これは、記録に要するレーザのエネルギーが
まだ十分小さくな（、記録の際に十分な記録速度が得ら
れないという欠点を有していた。

そこで本発明者等は、さらに鋭意研究を重ねた結果、上
記の光記録媒体より高感度でかつ前述の光ディスクメモ
リーＫｌ！求される性能を持つような記録層の組成及び
膜厚を見出し本発明に結びつめたものである。

本発明の目的は、前述の光ディスクＫｌ！求される諸性
能の中で１％にレーザ光に対する記録感度。

長期の保存性、解像力・読み取りの際のＳ／Ｎ比の面で
すぐれかつコストの安い、光デイスクメモリー用の記録
媒体を提供することＫｈる。

ここで本発明に到る過程を説明するならば以下のように
なる。前述の光デイスクメモリーに！！求される性能の
うち、（３）の条件を満たすためには。

水に溶けに（り、かつ酸化されに（い物質がよい。

また（１）の条件な満たすためには、できるだけ膜厚が
薄くて、光の吸収能力の太きｉものが曳く、かつレーザ
の光を吸収して融解しやすめ物質が良い。

これには融点が低く（１５７Ｃ）かつ酸化されに（い１
旙が適して−るが、光の反射率が高いためま−だ十分な
感度が得られない、そこで工％に光反射率が低（、かつ
安定性のよい５ｓＯｓ　＆−混合すれば光反射率は低（
な９レ一ザ記録感度が嵐（なると予想されるが、ここで
注意しなければならな−のはＳｓ　Ｏｓの混合量が多す
ぎるとＢ＊Ｏ＊の融点が高−（２２３０Ｃ）ため逆に感
度が低下する。ということである。

この欠点を改良するために、４Ｉ開昭５６−１２４１３
４号公報には、工ｓＫ化学的安定性の高い８Ｂ０４を４
０〜６０憾混合することにより感度が向上し、また蒸着
膜に粒状性がなくなり、ルヘ此の高い再生シグナルが得
られることが述べられて−る。本発明者らは上記公報に
開示されて−る技術を詳細に検討したところ、上記公報
に開示の技術範囲内では感度及び解像力の点で満足でき
る性能を得ることはｍ離であると結論されえ。その困難
な理由としては次のように考えられる。すなわち、蒸着
膜の粒状性をなくｔ、、ａ好な再生シグナルな得るため
ＮＣ，５ｉＯｚの組成ｆ：４０憾以上と比較的多くして
おり、そのため１ｏｏｏｉ以下の薄膜では光学濃度が小
さくなり感度が低下する。この感度低下を防ぐため（膜
厚を１０００Ｘ　以上にして光学濃度を高めることＫよ
り記録感度の向上とＳ／Ｎ比良好な再生シグナルを得る
ことを図っていると考えられる。即ち、上記公報には蒸
着層表面の粒状性のなｉ膜質及び記録感度両者の最適な
組成及び膜厚としてＳｉ０□４０〜６０憾及び１０００
Ｘ以上と記載している。換言するならば１粒状性のなめ
膜質な得るためＫＳ　番０２の含有量を増したので感度
が低下し、感度を上げるた−にやむな得ず、膜厚な１０
００１以上にしたのであるが、そのために解像力が劣り
、膜厚を増しただけでは十分な感度が得られないことが
考えられる。

そこで本発明者らは、感度及び解像力の点で良好な記録
媒体を得るべく、前記特開昭５６−１２４１５４号公報
に開示されて−る技術範囲よりも更に広い範囲にっき詳
１１ＢＫ検酎したところ。

１０００λ以下の比較的薄−゛膜厚の場合、上記公報の
請求範囲とは異なるＳ＊　Ｏｍ組成域、具体的にはＳ　
龜Ｏｘの組成が１０〜３５憾の範囲で記録感度が著しく
向上することを発見した。然しなから。

１０〜３５憾の組成域では上記特許公報の発明者による
指摘の通り、蒸着層表面に粒状性があるため、記録後、
蒸着層側からレーザー光読取９な行うとその再生シグナ
ルは−８ｉＯｚ組成が４ｏ鳴以上のものに比べて著しく
劣るものであった。

そこで本発明者らは、再生シグナルの８７Ｎ比な向上さ
せることを目的として１種々の検討な行なったが、その
過＝で、蒸着層表面側で粒状性が観察される場合でも透
明基板側から蒸着膜を観察したり、またマイツーテープ
により蒸着°層を基板から剥して微細に綾察しぇ結果、
予想外に基板側Ｏ蒸着面には粒状性が認められなめこと
を発見した。基板側界面に粒状性がないことは、基板側
からレーザー光を入射して記録・読み出しさせれば。

その再生シグナルの８７Ｎ比が嵐好であることを予Ｉｌ
ｌせるものでＴｏ９．実１ＩＩＩＩＣテストな行ったと
ころ嵐好な結果を得ることができ１本発明に到ったもの
である。

即ち１本発明は、蒸着層表面に粒状性があって４基板と
蒸着膜界面には粒状性がな−とｉう発見と、更には、　
　１ｏｏｏＸ以下の蒸着膜厚で従来知られてい良組成域
とは異なった組成域で著しくレーザー感度が向上すると
いう発見との二つの発見に基づくものであり、すなわち
１本発明は支持体上にＩｓと５ｓＯｚを含む記録層が設
けられ、レーザ光を支持体側から入射させて情報の記録
又は読み取９な行う光記録媒体において、咳記録層のＳ
　ｓ　ＯｚのＩｓに対する体積比が１０憾〜３５ｇ６で
あること１０徽とする光情報記録媒体である。

ｉた１本発明の光情報記録媒体におφては、記録層の厚
さな２００ｉ〜６００１にすることが好まし−０ 本発明はさらに、上記の光記録媒体な用い、支持体側か
らレーザ光を入手させて情報を記録するか、記録された
情報な読み取ることな特徴とする光情報記録読取９方法
にも関する。

本発明では上記の如＜　５３ａＯｚの組成比な少くシ。

また好まし％／％態様ＫＴｏるように記録層の膜厚を比
較的薄（することにより、後述の実施例で理解されるよ
うに、従来の記録媒体に比べ【着しく高感度化すること
ができ、ｔた支持体側からレーザビームで記録すると高
解偉力で情報記録を行うことかで＆、これな同様に支持
体側から読み取ることにより高ル１比で再生することが
できる。

また基板側からの書き込み、再生は１例えば特開１８５
２−１５６６０５号公報ＫＭ示されている感材構成、具
体的ｖｃ＆！記録層な有する二枚の基板な。

記録層を向かい合せてシーＪ４ｙＩｋ介して固着させ。

記録層間に空気ギャップを持たせた構成（通称エアーナ
ンド・イッチタイプ）の場合ＫｑｉＫ好適であプ１両前
記録可能等１種々の長所な持九せることが可能である。

このような□感材構成の観点からも本発明はｑｌＫ好ま
しい。

本発明で８ｓＯｚの組成を１０〜６５暢、膜厚な２００
ｉ〜６００１とし良のは下記の理由による。

即ち。

（１）実施例で理解される如く、１０〜６５憾の範囲で
％に感度向上が大きいこと、ｔた。

８ｓＱｚ　（）比率Ｉｋ１０鳴以下にすると、蒸着層／
基板界ＩｊＫ濁りな発生し易（なり、再生の際のＳ／Ｎ
比Ｙ低下させる。

（２）　　膜厚が２００Ｘ以下では、光吸収率が小さく
感度が低下してしまい、また６００Ｘ以上では感度及び
解像力低下が起きる。

本発明に用いられる支持体としては、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリメチルメタクリレート及びその重量体
、ポリカーボネート等のプラスチック及びガラスが適し
【いる。

本発明の配録層を設ける方法としては、真空槽内ＫＩ％
用として抵抗加熱蒸発源、　Ｓ　ｓ　Ｏｚ用として電子
銃の２つの蒸発源を用い、同時に蒸着を行なう方法であ
る。両者の拠金率の制御は各々の蒸発源に対して水晶振
動鳳の膜厚モニターを配置し。

それＫより蒸等速度を制御して行なえる。

また本発明の記録層と支持体との間に、さらに高感度に
するため、あるｉは記録層がはがれないようにする目的
のために適当な中間層な塗布、蒸着その他の手段によっ
て設けてもよい。たとえばハロゲン化ポリオレフィン、
ハ賞ゲン化ポリヒｒロキシスチレン、塩化＝ｒム、ニト
ロセルロースなどの有機物質、　ＳｓＯａ　８ａＯ＊勢
の非金属が好ましい。

この断熱層の厚さは、１０５ｍ賜〜５μ襲が適当である
。

本発明の記録材料にお−ては、支持体上に設けられた前
記記録層上に無機物質又は有機質からなる保護層な設け
てもよい。

記録層上に保護層を設けることは、記録材料としての耐
久性０機械的強度、経時安定性の改轡等に有効であって
本発明としては好ましい態様の一つであることは勿論で
ある。

保護層としては無機物質又は有機物質のいずれでもよ−
が、使用する高エネルギー密度の光ビームに対し【透過
性であること１機械的強度が大であること、記録層とし
て反応しにくφこと、被膜性の良いこと、ａ造が容易な
こと等が要求される。

本発明に用いられる保護層としては、無機物質又は有機
物質のいずれでもよいが二例えば無機の保ｍＮＩ・トシ
テハ、　１７．Ｏ，、Ｓｉｎ、、　Ｓｉｎ、　Ｍ％）、
　ＺｓＯ。

Ｔｉｅ、、　ＺｆＯ，、Ｍ％’、、　０ｓＦｚ　＠ｏ透
明す物質カ望ｔしい。これらは真空蒸着、スノ々ツタリ
ング、イオンプレーデインダ等で形成される。

また有機物質な保護層として用いることは優れた方法で
ある。かかる保護層として用いられる樹脂は種々のもの
が可能でるるか１例えばポリスチレン・スチレン−無水
マレイン酸樹脂のごときスチレン系樹脂、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリビニル７にコール、フチラール、ホリビニルホ
ルマールの如き酢酸ビニル系ＩＩＭ脂、Ｉリメタクリル
酸イソブチル、Ｉリメタクリル酸メチルの如きメタクリ
ル酸エステル系樹脂、ポリダイア七トンアクリルアミド
、ポリアクリルアミｙｏｔｔｎ＊アミド系樹脂、エチル
セルロース、酢酸ラフ酸竜ルロース、硝酸竜ルロース、
ジアセチルセルロースの如きセル四−ス系樹脂、ポリ塩
化ビニル、塩素化ポリエチレンの如きポリハロゲン化オ
レフィン、フェノール樹脂、可溶性ポリエステル、可溶
性ナイロン、ゼラチン等及びこれらの共電食物等から選
ばれる。これらの樹脂は種々の溶剤Ｋｌ！かして既知の
塗布方法により塗布することができる。

用いられる溶剤としては各種の溶剤があるが。

例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルゾ、ブチ
ルセロソルブ、メチルセロツルアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、へ午
サン、シクロヘキサン。

エチレンクロライド、メチレンクＩ２ツイド、ベンゼン
、クロルベンゼン、メタノール、エタノール。

シタノール、石油エーテル、ジメチルホルムアミド°、
シンナー等の中から使用する樹脂に応じて選べば良−０ これらの樹脂の中には、頗科、マット化剤、可塑剤、滑
剣などの各種添加物な目的に応じ【添加することが可能
であり、％に炭素原子数が１１以上の高級脂肪酸或いは
酸アミドな０．１〜ｔｏｗｉ鳴程度添加することは記録
材料の真面強度な向上させる点で効果がある。

ｔた。これらの高級脂肪酸あるいは酸アきドのＷＩき滑
剤は保護層上に通常の方法でα００１〜１声の厚さＫｍ
布することも可能でめる。本発明に用いられる保護層の
膜厚は記録材料として要望される製函強度、経時安定性
、記録感度等から最適の厚さに遺ばれるが、％にα０１
μ〜２００μの膜厚が好ましい。

保躾層の別な形態として、特開昭５２−１５６６０５号
公報明細書に開示されている１０く、記録層と保護層間
に空気ギャップな設ける形に保護層な形成することも可
能でるる。特に、記録層を形成した支持体二枚な、シー
ルを介して記録層同士な向い合せて固着させた形態は両
面記録が可能であり。

光デイスクメモリーの如く大容量の情報記録が要求され
る場合には特に最適な形態の一つである。

本発明の記録材料は、前述した如く光デイスクメモリー
用途に最適であるが、印刷用リスフィルムの代用、ファ
クタきり記録材料。ＩＣフォトマスク、！イク四フィル
ム等に使用可能なことはもちろんであり、またそれらに
限定されるものでもない＠ 以下に実施例により本発明を具体的に説明する。

実施例 厚”ｉ！１００μｇｏポリエチレンテレフタレート支持
体上に、真空度５　Ｘ　１０１Ｔｏｒｒの条件下でＩｓ
と５ｔｏｚを、Ｉｓ＆！抵抗加熱蒸発源な用い、　Ｓｉ
Ｏ□は電子銃な用いて同時に蒸着な行なった。両者の混
合率の制御は、各々の蒸発源に対して水晶振動量の膜厚
モニターを配置し、それによりｓ着連腹を制御して行な
った。

以上のように−して総膜厚ｚｏｏＬ　４ｏｏｌ・６００
Ｘ・１ｏｏｏｉ、５ｈｏ２の体積パーセント１０〜７５
１１６の記録媒体な得た。また比較のために、金属と化
合物を、各々別の抵抗加熱蒸発源を用い、他は以上と同
様な方法により、特開昭５２−２［］８１で開示されて
いるＳｓとＳ％Ｓ及びＩｓとＳ％Ｓの混合層（総膜犀５
ｏｏｉ、ｓｓｓの体積ノーセント２０憾）の記録媒体を
得た。

以上のようにし【作製した記録媒体なムｒレーザな用い
て書き込みしきい値の測定を行なった。第１図に示すよ
うに、記録層の総膜厚が６００Ｘ以下では、　５ａＯｚ
の体積パーセントが１０〜３５憾の付近で極小値なもち
、この値は、特開昭５６−１２４１５４号会報に開示さ
れている領域の総膜厚が１０００にのものより小さく、
−また、ＳｓとＳルＳの混合層のものに比べ同勢か越シ
＜は小さいものであった。

さらに、　ＩｓとＳｉＯの混合層（総膜厚４００Ｘ。

８　ａ　Ｏ＊の体積）々−セント２５噛）の記録媒体と
。

Ｉｓと８ｓ８　、　Ｓｓと８％５（２）記録媒体な６０
Ｃ−９０１ＲＨの恒温湿層に入れ、光学濃度の経時変化
について調べた。第２図に示すように、１襲とＳ＝Ｏ，
の記録媒体は、ＳｓとＳｓＳのものく比べ経時による光
学濃度の低下は大幅に改善されていることがわがった。

またＩｓとＳ％Ｓの混合層の記録媒体は、経時により、
腐食パター／が無数に発生し、使用に耐えるものではな
かった。これに対し、Ｉ％と８８０２のものは１以上の
腐食ノ々ターンは発生せず１面状の劣化は認められなか
った。

また、　ＩｓとＳ　＊Ｏｘの混合層の記録媒体な支持体
側よりレーザ光を入射し、読み取りを行なったところ、
Ｓハ比は良好でＴｏす、さらに蒸着層なマイラーテープ
により剥離し、支持体に接していた面をＢＫＭで観察し
九ところ、蒸着ｌＩＯ島状構造は見られず、Ｓ／Ｎ比の
良好な条件なみたしていることがわかった。

ま九、　ＩｓとＳ　＊　Ｏｚの混合層の記録媒体のレー
ザによる記録部をＳＫＭで観察したところ１ｓのピット
が観察され解像力が十分であることがわかつ九。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による実験例及び比較例で作成した試料
のレーザによる書き込みし龜−値を示したグラフ、第２
図は１強制劣化テストによる光学濃度の低下な示すグラ
フである。 手続補正書 昭和ｓ７年　６月／ρ日 昭和ｓ６年特許願第２０１４＠墨　号 ２、発明の名称 光情報ｆｆｉ銀媒体及び光情報記録・読み取り方法３、
補正をする者 事件との関係：特許出願人 名称　（！！２０）富士写真フィルム株式金社霞が関ピ
ル内郵便局　私書箱第４９号 ７、補正の対象 特＠８８５８−１０５４４１　（８） ２）同　　第る真下から４行目、ｊｌｌｅｃｔｒｅｎｌ
ｃｓ誌」をｊＥｌｅｃｔｒｏｎｌｃｓ誌」と補正する。 墨）同　　第墨真下から１行目、ｌ’ｃ、Ｄ、ｃａｒｌ
ｓｅｍ着」を（’Ｃ，Ｏ，Ｃａｒｌｓｏｍ着」と補正す
る・４）同　　第４頁下から・行■、「−」を「８ｍＪ
と補正する。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　支持体上にＩｓとＳ−〇□を含む記録層が設
   けられ、レーザ光な支持体側から入射させ【情報の記録
   又は読み取りな行う光記録媒体において、該記録層のＳ
   ｉＯ□のＩｓに対する体積比が１０憾〜６５憾でめるこ
   とを特徴とする光情報記録媒体。
2. （２）記録層の厚さが２００Ｘ〜６０ＯＮである特許請
   求の範囲第（１）項に記載の光情報記録媒体。
3. （３）支持体上にＩｓとＳ　＊　ＯｚとなＳ　＊　Ｏｚ
   　の体積比が１０憾〜３５鳴になるように含む記録層な
   設けた光情報記録媒体に、支持体側から−レーザ光な入
   射式せて情報を記録するか、記録した情報を読み取るこ
   とな特徴とする光情報記録・読取り方法。
4. （４）記録層の浮名が２００１〜６００Ｘで娶る特許請
   求の範囲第（３）項に記載の方法。