JPH0777045B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0777045B2 JPH0777045B2 JP61151729A JP15172986A JPH0777045B2 JP H0777045 B2 JPH0777045 B2 JP H0777045B2 JP 61151729 A JP61151729 A JP 61151729A JP 15172986 A JP15172986 A JP 15172986A JP H0777045 B2 JPH0777045 B2 JP H0777045B2
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- optical recording
- recording medium
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ビームにより記録、再生を行なうことが可
能な光磁気記録媒体に関し、中でも光磁気記録層を有す
る光磁気記録媒体に関するものである。
能な光磁気記録媒体に関し、中でも光磁気記録層を有す
る光磁気記録媒体に関するものである。
従来より、光ディスクに用いられる光学的記録媒体とし
ては、希土類−遷移金属の合金薄膜、非晶質から結晶へ
の相転移を利用したカルコゲン化合物等の還元性酸化物
薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモプラスチック記録
媒体等が知られている。例えば希土類−遷移金属の合金
薄膜で形成される光磁気記録媒体としては、MnBi、MnCu
Biなどの多結晶薄膜、GdCo、GdFe、TbFe、DyFe、GdTbF
e、TbDyFe、GdFeCo、TbFeCo、GdTbCoなどの非晶質薄
膜、GdIGなどの単結晶薄膜などが知られている。
ては、希土類−遷移金属の合金薄膜、非晶質から結晶へ
の相転移を利用したカルコゲン化合物等の還元性酸化物
薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモプラスチック記録
媒体等が知られている。例えば希土類−遷移金属の合金
薄膜で形成される光磁気記録媒体としては、MnBi、MnCu
Biなどの多結晶薄膜、GdCo、GdFe、TbFe、DyFe、GdTbF
e、TbDyFe、GdFeCo、TbFeCo、GdTbCoなどの非晶質薄
膜、GdIGなどの単結晶薄膜などが知られている。
これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍の温度で
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むための書き込み効率、および書き込まれた信号を
S/N比よく読み出すための読み出し効率等を勘案して、
最近では、前記非晶質薄膜が光磁気記録媒体用として優
れていると考えられている。特に、150〜200℃程度のキ
ューリー温度を持つGdTbFeやカー回転角が大きく再生性
能に優れたGdTbFeCo（特開昭58−196639号公報）等が光
磁気記録媒体用として最適である。
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むための書き込み効率、および書き込まれた信号を
S/N比よく読み出すための読み出し効率等を勘案して、
最近では、前記非晶質薄膜が光磁気記録媒体用として優
れていると考えられている。特に、150〜200℃程度のキ
ューリー温度を持つGdTbFeやカー回転角が大きく再生性
能に優れたGdTbFeCo（特開昭58−196639号公報）等が光
磁気記録媒体用として最適である。
しかしながら、一般に前記GdTbFe等をはじめとして、光
磁気記録媒体に用いられる非晶質磁性体は、耐蝕性が悪
いという欠点を有している。すなわち、大気や水蒸気に
触れると磁気特性が劣化し、最終的には完全に酸化され
て透明化し、磁気特性を失ってしまうのである。
磁気記録媒体に用いられる非晶質磁性体は、耐蝕性が悪
いという欠点を有している。すなわち、大気や水蒸気に
触れると磁気特性が劣化し、最終的には完全に酸化され
て透明化し、磁気特性を失ってしまうのである。
このような欠点を除去するため、従来から光磁気記録層
の上または下に、例えばSiO2、SiO、Al2O3、Si3N4、ZnS
などの透明物質等からなる下引き層や保護層などの各種
の機能層を設けた光磁気記録媒体が提案されている。こ
れら物質の中でも、ZnSは耐蝕性に優れることから上記
光磁気記録媒体の下引き層や保護層として広く用いれて
いる。しかしながら、ZnSはプラスチック等の吸湿性の
ある基板に対しては密着性に欠けるため、このような基
板を用いた光磁気記録媒体では光磁気記録層にクラック
を生じたり、各層間にハガレを生じることがあった。特
に、このような光磁気記録媒体の耐久性の評価方法とし
て採用されている環境条件、例えば温度45℃、相対湿度
95％といったような高温、高湿下では、前記のようなク
ラックやハガレの問題は避けられなかった。
の上または下に、例えばSiO2、SiO、Al2O3、Si3N4、ZnS
などの透明物質等からなる下引き層や保護層などの各種
の機能層を設けた光磁気記録媒体が提案されている。こ
れら物質の中でも、ZnSは耐蝕性に優れることから上記
光磁気記録媒体の下引き層や保護層として広く用いれて
いる。しかしながら、ZnSはプラスチック等の吸湿性の
ある基板に対しては密着性に欠けるため、このような基
板を用いた光磁気記録媒体では光磁気記録層にクラック
を生じたり、各層間にハガレを生じることがあった。特
に、このような光磁気記録媒体の耐久性の評価方法とし
て採用されている環境条件、例えば温度45℃、相対湿度
95％といったような高温、高湿下では、前記のようなク
ラックやハガレの問題は避けられなかった。
このような問題を解消するため、基板との密着性に勝る
SiOよりなる下引き層を基板上に設けた後、更にその上
にZnSよりなる下引き層を設けるといったように下引き
層を複層構成として耐久性の向上をはかる試みもなされ
ている。
SiOよりなる下引き層を基板上に設けた後、更にその上
にZnSよりなる下引き層を設けるといったように下引き
層を複層構成として耐久性の向上をはかる試みもなされ
ている。
第２図に、このような従来の光磁気記録媒体の一例を示
す。
す。
この光磁気記録媒体は、書き込み側基板1a上に、SiOよ
りなる下引き層2aを設け、その上に更にZnSよりなる下
引き層2bを設けた複層構成の下引き層を有し、この上に
光磁気記録層３、スペーサ層４、反射層５、保護層６、
接着層７を順次積層した後、保護用基板1bを接着形成し
たものである。
りなる下引き層2aを設け、その上に更にZnSよりなる下
引き層2bを設けた複層構成の下引き層を有し、この上に
光磁気記録層３、スペーサ層４、反射層５、保護層６、
接着層７を順次積層した後、保護用基板1bを接着形成し
たものである。
しかしながら、これにしてもより厳しい環境条件下、例
えば温度60℃、相対湿度90％といったような条件下で
は、前記のようなクラックやハガレの問題を生じ、耐環
境性のより向上した光磁気記録媒体が所望されている。
えば温度60℃、相対湿度90％といったような条件下で
は、前記のようなクラックやハガレの問題を生じ、耐環
境性のより向上した光磁気記録媒体が所望されている。
本発明は上記の諸点に鑑み成されたものであって、本発
明の目的とするところは、従来の光磁気記録媒体に比し
て耐環境性により優れた光磁気記録媒体を提供すること
にある。
明の目的とするところは、従来の光磁気記録媒体に比し
て耐環境性により優れた光磁気記録媒体を提供すること
にある。
本発明の上記目的は、以下の本発明によって達成され
る。
る。
プラスチック基板上に第１の下引き層、ZnSからなる第
２の下引き層、記録層を順次積層してなる光磁気記録媒
体において、 前記第１の下引き層は、SiO1+x（但し、0.7≦ｘ＜１）
よりなることを特徴とする光磁気記録媒体。
２の下引き層、記録層を順次積層してなる光磁気記録媒
体において、 前記第１の下引き層は、SiO1+x（但し、0.7≦ｘ＜１）
よりなることを特徴とする光磁気記録媒体。
〔作用〕 本発明の光磁気記録媒体は、SiO1+x（但し、0.7≦ｘ＜
１、好ましくは0.7≦ｘ＜0.9）なる下引き層を有し、前
述したような環境条件下、例えば温度45℃、相対湿度95
％といった条件はもとより、これよりも更に厳しい温度
60℃、相対湿度90％といった条件下においても、前述し
たクラックやハガレ等の問題を生じることがなく、極め
て優れた耐環境性を有するものである。
１、好ましくは0.7≦ｘ＜0.9）なる下引き層を有し、前
述したような環境条件下、例えば温度45℃、相対湿度95
％といった条件はもとより、これよりも更に厳しい温度
60℃、相対湿度90％といった条件下においても、前述し
たクラックやハガレ等の問題を生じることがなく、極め
て優れた耐環境性を有するものである。
このような作用を奏し得る理由は必ずしも定かではない
が、以下のような理由によるものと推察される。SiOお
よびSiO2は下引き層や保護層として従来用いられている
ものであるが、SiOには基板との密着性には優れるもの
の緻密性には欠け、酸化防止機能に劣る欠点がある。一
方、SiO2はSiOよりも緻密であり優れた酸化防止機能を
有するものの、基板との密着性には劣る欠点がある。こ
れは、前者において基板との密着性を良好にしていると
考えられるSiの未結合手が、後者では飽和されているた
めと考えられる。しかしながらこのような未結合手の存
在は、緻密性においてはマイナス要因として作用し、Si
Oの透湿防止機能を低下させているものと思われる。と
ころが、本発明ではSiOとSiO2の間の組成比で下引き層
を構成しているため、両者の優れた特性がともに十分に
発揮され、光磁気記録媒体の耐環境性が向上したものと
思われる。
が、以下のような理由によるものと推察される。SiOお
よびSiO2は下引き層や保護層として従来用いられている
ものであるが、SiOには基板との密着性には優れるもの
の緻密性には欠け、酸化防止機能に劣る欠点がある。一
方、SiO2はSiOよりも緻密であり優れた酸化防止機能を
有するものの、基板との密着性には劣る欠点がある。こ
れは、前者において基板との密着性を良好にしていると
考えられるSiの未結合手が、後者では飽和されているた
めと考えられる。しかしながらこのような未結合手の存
在は、緻密性においてはマイナス要因として作用し、Si
Oの透湿防止機能を低下させているものと思われる。と
ころが、本発明ではSiOとSiO2の間の組成比で下引き層
を構成しているため、両者の優れた特性がともに十分に
発揮され、光磁気記録媒体の耐環境性が向上したものと
思われる。
上記SiO1+x（但し、0.7≦ｘ＜１）の組成よりなる下引
き層の形成は、例えばSiOを出発原料として、O2雰囲気
中で真空蒸着する、あるいはSiOとSiO2とを出発原料と
して、これらを同時に蒸着もしくはスパッタリングする
等によるとよい。
き層の形成は、例えばSiOを出発原料として、O2雰囲気
中で真空蒸着する、あるいはSiOとSiO2とを出発原料と
して、これらを同時に蒸着もしくはスパッタリングする
等によるとよい。
このような下引き層を有する本発明の光磁気記録媒体の
一例を第１図に示す。
一例を第１図に示す。
第１図において、図中に符合2cで示すものが、基板1aに
相接して設けたSiO1+x（但し、0.7≦ｘ＜１）よりなる
下引き層である。本例の光磁気記録媒体は、このような
下引き層2cを設ける以外は第２図に例示の従来例の光磁
気記録媒体と同様の構成とされており、図に符合2bに示
すものは前述したZnS等よりなる下引き層であり、３は
光磁気記録層、４はスペーサ層、５は反射層、６は保護
層、７は接着層、1bは保護用基板である。
相接して設けたSiO1+x（但し、0.7≦ｘ＜１）よりなる
下引き層である。本例の光磁気記録媒体は、このような
下引き層2cを設ける以外は第２図に例示の従来例の光磁
気記録媒体と同様の構成とされており、図に符合2bに示
すものは前述したZnS等よりなる下引き層であり、３は
光磁気記録層、４はスペーサ層、５は反射層、６は保護
層、７は接着層、1bは保護用基板である。
本発明を更に具体的に説明するため、以下に本発明の実
施例を示す。
施例を示す。
実施例１ 第１図に例示の光磁気記録媒体を以下のようにして作成
した。
した。
厚さ1.2mmのポリカーボネイトよりなるプラスチック板
を基板1aとし、該基板1a上に厚さ約1300ÅのSiO1+x（但
し、0.7≦ｘ＜１）よりなる下引き層2cを真空蒸着によ
り形成した。
を基板1aとし、該基板1a上に厚さ約1300ÅのSiO1+x（但
し、0.7≦ｘ＜１）よりなる下引き層2cを真空蒸着によ
り形成した。
下引き層2cの形成は、蒸着とスパッタリングをともに行
なうことが可能な周知の成膜装置の真空槽内に基板1aを
挿入した後、該真空槽内を５×10-6Torr以下まで排気
し、その後O2ガスを導入して、１×10-4Torrの圧力で出
発原料としてのSiOを蒸発させることによって行なっ
た。この際、下引き層2cの屈折率が1.55±0.022となる
ように蒸着速度を制御して膜形成を行なったところ、基
板1a上にSiO1+x（但し、ｘ＝0.8）の組成の下引き層2c
が得られた。
なうことが可能な周知の成膜装置の真空槽内に基板1aを
挿入した後、該真空槽内を５×10-6Torr以下まで排気
し、その後O2ガスを導入して、１×10-4Torrの圧力で出
発原料としてのSiOを蒸発させることによって行なっ
た。この際、下引き層2cの屈折率が1.55±0.022となる
ように蒸着速度を制御して膜形成を行なったところ、基
板1a上にSiO1+x（但し、ｘ＝0.8）の組成の下引き層2c
が得られた。
次に、真空槽の真空を保持したまま上記下引き層2c上
に、厚さ約300ÅのZnSよりなる下引き層2bをスパッタリ
ングにより形成した。
に、厚さ約300ÅのZnSよりなる下引き層2bをスパッタリ
ングにより形成した。
次に、上記と同様に真空槽の真空を破ることなく、高周
波スパッタリングによってGdTbFeよりなる膜厚約150Å
の光磁気記録槽３を上記下引き層2b上に形成した。
波スパッタリングによってGdTbFeよりなる膜厚約150Å
の光磁気記録槽３を上記下引き層2b上に形成した。
以下、真空を破ることなく上記と同様のスパッタリング
により、膜厚300ÅのZnSと膜厚約1100ÅのSiOよりなる
スペーサ層４、膜厚約800ÅのAlよりなる反射層５およ
び膜厚約2800ÅのSiOよりなる保護層６を順次形成し
た。
により、膜厚300ÅのZnSと膜厚約1100ÅのSiOよりなる
スペーサ層４、膜厚約800ÅのAlよりなる反射層５およ
び膜厚約2800ÅのSiOよりなる保護層６を順次形成し
た。
その後、上記各層を形成した基板1aを真空槽内より取り
出し、接着層７としてホットメルト接着剤を用いて、保
護用プラスチック基板1bと貼り合わせて光磁気記録媒体
を完成した。
出し、接着層７としてホットメルト接着剤を用いて、保
護用プラスチック基板1bと貼り合わせて光磁気記録媒体
を完成した。
こうして得られた光磁気記録媒体を温度60℃、相対湿度
90％の恒温恒湿槽に保持して1000時間の耐環境試験を実
施したところ、この光磁気記録媒体は1000時間の経過後
にも外観上の変化は特に見られず、クラックや膜ハガレ
も全く発生していず、従来にない優れた耐環境性を有し
ていることが分った。
90％の恒温恒湿槽に保持して1000時間の耐環境試験を実
施したところ、この光磁気記録媒体は1000時間の経過後
にも外観上の変化は特に見られず、クラックや膜ハガレ
も全く発生していず、従来にない優れた耐環境性を有し
ていることが分った。
実施例２ 下引き層2c形成時のO2をそれぞれ２×10-4Torrおよび８
×10-5Torrとする以外は実施例１と同様にして、下引き
層2cがSiO1+x（但し、ｘ＝0.85）およびSiO1+x（但し、
ｘ＝0.7）の組成の光磁気記録媒体をそれぞれ得た。
×10-5Torrとする以外は実施例１と同様にして、下引き
層2cがSiO1+x（但し、ｘ＝0.85）およびSiO1+x（但し、
ｘ＝0.7）の組成の光磁気記録媒体をそれぞれ得た。
これら光磁気記録媒体について実施例１と同様の耐環境
試験を施したところ、いずれの場合にも実施例１と同様
に1000時間の経過後にもクラックや膜ハガレは見られ
ず、優れた耐環境性を有するものであった。
試験を施したところ、いずれの場合にも実施例１と同様
に1000時間の経過後にもクラックや膜ハガレは見られ
ず、優れた耐環境性を有するものであった。
比較例 出発原料をそれぞれSiOおよびSiO2とし、酸素を導入し
ない以外は実施例１と同様にして、それぞれSiOおよびS
iO2よりなる下引き層2aを有する第２図に例示の従来構
成の光磁気記録媒体を得た。
ない以外は実施例１と同様にして、それぞれSiOおよびS
iO2よりなる下引き層2aを有する第２図に例示の従来構
成の光磁気記録媒体を得た。
これら光磁気記録媒体について実施例１と同様の耐環境
試験を行なったところ、SiOよりなる下引き層2aを有す
るものでは300時間経過後、SiO2よりなる下引き層2aを
有するものでは400時間経過後に膜ハガレおよびクラッ
クが発生した。
試験を行なったところ、SiOよりなる下引き層2aを有す
るものでは300時間経過後、SiO2よりなる下引き層2aを
有するものでは400時間経過後に膜ハガレおよびクラッ
クが発生した。
以上に説明したように、本発明によれば、従来に比して
耐環境性の著しく向上した光磁気記録媒体を提供するこ
とができる。特に、耐環境性がともすれば低かったプラ
スチック基板を用いた光磁気記録媒体の耐環境性を向上
させることが可能である。
耐環境性の著しく向上した光磁気記録媒体を提供するこ
とができる。特に、耐環境性がともすれば低かったプラ
スチック基板を用いた光磁気記録媒体の耐環境性を向上
させることが可能である。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の一例の概略断面図、
第２図は従来の光磁気記録媒体の一例の概略断面図であ
る。 1a、1b……基板 2a、2b、2c……下引き層 ３……光磁気記録層、４……スペーサ層 ５……反射層、６……保護層 ７……接着層
第２図は従来の光磁気記録媒体の一例の概略断面図であ
る。 1a、1b……基板 2a、2b、2c……下引き層 ３……光磁気記録層、４……スペーサ層 ５……反射層、６……保護層 ７……接着層
Claims (1)
- 【請求項１】プラスチック基板上に第１の下引き層、Zn
Sからなる第２の下引き層、記録層を順次積層してなる
光磁気記録媒体において、 前記第１の下引き層は、SiO1+x（但し、0.7≦ｘ＜１）
よりなることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61151729A JPH0777045B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61151729A JPH0777045B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639049A JPS639049A (ja) | 1988-01-14 |
| JPH0777045B2 true JPH0777045B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=15525013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61151729A Expired - Fee Related JPH0777045B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777045B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936346A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録担体 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61151729A patent/JPH0777045B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639049A (ja) | 1988-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |