JPH0785314B2 - 光磁気記録用媒体の保護膜 - Google Patents
光磁気記録用媒体の保護膜Info
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- JPH0785314B2 JPH0785314B2 JP62022981A JP2298187A JPH0785314B2 JP H0785314 B2 JPH0785314 B2 JP H0785314B2 JP 62022981 A JP62022981 A JP 62022981A JP 2298187 A JP2298187 A JP 2298187A JP H0785314 B2 JPH0785314 B2 JP H0785314B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光学的記録媒体における光磁気記録用媒体の
保護膜に関するものである。
保護膜に関するものである。
（従来の技術） 従来、このような分野の技術としては、特開昭52−31
703号公報、特開昭52−109193号公報、日本応用磁
気学会誌、８［２］（1984）「Tb−（Fe,Co,Ni）スパッ
タ膜の光学磁気特性および耐食性」P.105−108、日本
応用磁気学会誌、９［２］（1985）「RE−TM膜の耐食性
に及ぼす第３元素添加効果」P.93−96、及び今村修武
監修「光磁気ディスク」（昭61−２−20）、（株）トリ
ケップスP.119−143に記載されるものがあった。以下、
その構成を説明する。
703号公報、特開昭52−109193号公報、日本応用磁
気学会誌、８［２］（1984）「Tb−（Fe,Co,Ni）スパッ
タ膜の光学磁気特性および耐食性」P.105−108、日本
応用磁気学会誌、９［２］（1985）「RE−TM膜の耐食性
に及ぼす第３元素添加効果」P.93−96、及び今村修武
監修「光磁気ディスク」（昭61−２−20）、（株）トリ
ケップスP.119−143に記載されるものがあった。以下、
その構成を説明する。
光磁気記録用媒体の最も有望なものの１つとして、希土
類−遷移金属非晶質合金（以下、RE−TM膜という）を光
磁気記録層として用い、その光磁気記録層を基板上に形
成した構造のものが知られている。
類−遷移金属非晶質合金（以下、RE−TM膜という）を光
磁気記録層として用い、その光磁気記録層を基板上に形
成した構造のものが知られている。
ここで、光磁気記録層を構成するRE−TM膜は、具体的に
はREとしてGd,Tb,Dy等、TMとしてFeまたはCoを主成分と
している。このRE−TM膜は膜面に対して垂直な磁気をも
つ、いわゆる垂直磁化膜である。
はREとしてGd,Tb,Dy等、TMとしてFeまたはCoを主成分と
している。このRE−TM膜は膜面に対して垂直な磁気をも
つ、いわゆる垂直磁化膜である。
このようなRE−TM膜を用いた光磁気記録用媒体は、１μ
ｍφ程度に絞られたレーザビーム及び外部磁界を用いた
熱磁気書込み方式によって108bit/cm2というきわめて高
密度な記録が可能で、しかも原理的には無限回に近い消
去及び再書込みができるという非常に優れた特徴を有す
る。
ｍφ程度に絞られたレーザビーム及び外部磁界を用いた
熱磁気書込み方式によって108bit/cm2というきわめて高
密度な記録が可能で、しかも原理的には無限回に近い消
去及び再書込みができるという非常に優れた特徴を有す
る。
RE−TM膜は大きく分けてRE−鉄系とRE−コバルト系に分
類される。
類される。
RE−鉄系は、優れた磁気及び光磁気特性を有し、しかも
特性の均一な膜を作成し易い。反面、耐食性悪く、特に
孔食の発生、成長が顕著であるという欠点を有する。一
方、RE−コバルト系は、耐食性の点では多少優れている
が、均一特性の膜が得にくく、またキュリー点が高いた
め、熱磁気書込み特性の点でRE−鉄系よりも劣ってい
て、RE金属の選択酸化が著しいという欠点を有する。
特性の均一な膜を作成し易い。反面、耐食性悪く、特に
孔食の発生、成長が顕著であるという欠点を有する。一
方、RE−コバルト系は、耐食性の点では多少優れている
が、均一特性の膜が得にくく、またキュリー点が高いた
め、熱磁気書込み特性の点でRE−鉄系よりも劣ってい
て、RE金属の選択酸化が著しいという欠点を有する。
このようにRE−TM膜は耐食性の点で信頼性に問題があ
り、腐食防止の立場から改善が望まれる。そこで従来
は、SiO2やSiOからなる保護膜を用いてRE−TM膜を被覆
し、耐食性の改善を試みていた。
り、腐食防止の立場から改善が望まれる。そこで従来
は、SiO2やSiOからなる保護膜を用いてRE−TM膜を被覆
し、耐食性の改善を試みていた。
また、RE−TM膜はそれを光磁気記録層として用いる場
合、耐食性に劣るという問題の他に、カー効果あるいは
ファラデー効果といった磁気光学効果が小さい、即ちカ
ー回転角あるいはファラデー回転角が小さいという欠点
を有している。
合、耐食性に劣るという問題の他に、カー効果あるいは
ファラデー効果といった磁気光学効果が小さい、即ちカ
ー回転角あるいはファラデー回転角が小さいという欠点
を有している。
この欠点を解決するため、従来は上記文献に記載され
ているように、光の多重反射を用いて見かけ上のカー回
転角あるいはファラデー回転角を大きくする磁気光学効
果エンハンスメントが提案されている。上記文献にお
いて磁気光学効果エンハンスメントは、RE−TM膜の片面
あるいは両面を、所定の厚さを有し透明で屈折率の高い
誘電体膜で被覆することにより、見かけ上のカー回転角
あるいはファラデー回転角を大きくしている。この磁気
光学効果エンハンスメントに用いる誘電体膜（以下、エ
ンハンス膜という）としては、ZnS膜、SiO膜、Al N膜等
が報告されている。
ているように、光の多重反射を用いて見かけ上のカー回
転角あるいはファラデー回転角を大きくする磁気光学効
果エンハンスメントが提案されている。上記文献にお
いて磁気光学効果エンハンスメントは、RE−TM膜の片面
あるいは両面を、所定の厚さを有し透明で屈折率の高い
誘電体膜で被覆することにより、見かけ上のカー回転角
あるいはファラデー回転角を大きくしている。この磁気
光学効果エンハンスメントに用いる誘電体膜（以下、エ
ンハンス膜という）としては、ZnS膜、SiO膜、Al N膜等
が報告されている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、従来の保護膜では、特性の優れたものが
なく、このような保護膜でRE−TM膜からなる光磁気記録
層を被覆しても信頼性の高い光磁気記録用媒体が得られ
ないという問題点があった。例えば、従来のSiOからな
る膜厚1000Åの保護膜を用いて、RE−鉄−コバルトから
なる膜厚600ÅのRE−TE膜を被覆した場合、85℃、85％
相対湿度での100時間エイジング（ageing,保持）で多数
の孔食が発生してしまい、光磁気記録用媒体として十分
な信頼性が得られなかった。
なく、このような保護膜でRE−TM膜からなる光磁気記録
層を被覆しても信頼性の高い光磁気記録用媒体が得られ
ないという問題点があった。例えば、従来のSiOからな
る膜厚1000Åの保護膜を用いて、RE−鉄−コバルトから
なる膜厚600ÅのRE−TE膜を被覆した場合、85℃、85％
相対湿度での100時間エイジング（ageing,保持）で多数
の孔食が発生してしまい、光磁気記録用媒体として十分
な信頼性が得られなかった。
また、磁気光学効果エンハンスメントのためのZnS、SiO
膜、AlN膜にはそれぞれ次のような問題点があった。ZnS
膜は透明で屈折率が大きいものの、結晶化し易く、イオ
ウＳの蒸気圧が高いため、膜形成時にそのイオウＳによ
り真空装置が汚染される。さらにそのZnS膜が結晶化す
ると、多結晶化し、結晶粒界により光が散乱されてノイ
ズが生じるという問題点が起こる。SiO膜については、
半導体レーザの波長（830nm）のかなり長い波長におい
ても吸収があり、また膜形成時に酸化等の影響により屈
折率が変化し、大きな値が得られないという問題を有す
る。AlN膜については、水蒸気によりAlN膜自体が加水分
解され腐食からの保護機能に劣るという問題を有する。
膜、AlN膜にはそれぞれ次のような問題点があった。ZnS
膜は透明で屈折率が大きいものの、結晶化し易く、イオ
ウＳの蒸気圧が高いため、膜形成時にそのイオウＳによ
り真空装置が汚染される。さらにそのZnS膜が結晶化す
ると、多結晶化し、結晶粒界により光が散乱されてノイ
ズが生じるという問題点が起こる。SiO膜については、
半導体レーザの波長（830nm）のかなり長い波長におい
ても吸収があり、また膜形成時に酸化等の影響により屈
折率が変化し、大きな値が得られないという問題を有す
る。AlN膜については、水蒸気によりAlN膜自体が加水分
解され腐食からの保護機能に劣るという問題を有する。
さらにまた、構造の簡単化を図るために保護膜とエンハ
ンス膜を兼用させる場合に、保護機能と磁気光学効果エ
ンハンスメントの両方に優れた保護膜のないのが実情で
ある。
ンス膜を兼用させる場合に、保護機能と磁気光学効果エ
ンハンスメントの両方に優れた保護膜のないのが実情で
ある。
本発明は、前記従来技術が持っていた問題点として、腐
食防止効果及び磁気光学効果エンハンスメントに優れた
保護膜が未だ存在しないという点について解決した光磁
気記録用媒体の保護膜を提供するものである。
食防止効果及び磁気光学効果エンハンスメントに優れた
保護膜が未だ存在しないという点について解決した光磁
気記録用媒体の保護膜を提供するものである。
（問題点を解決するための手段及び作用） 本発明は前記問題点を解決するために、基板上に形成さ
れる光磁気記録層の少なくとも一面を被覆する光磁気記
録用媒体の保護膜において、この保護膜を、ケイ素Si,
アルミニウムAl,酸素O,窒素ＮからなるSi−Al−O,Si−A
l−Ｏ−N,Si−Ｏ−N,またはAl−Ｏ−Ｎのいずれかの共
有結合で構成したものである。本発明の保護膜は、孔食
の発生、成長を抑制すると共に、保磁力の変化を抑制す
るための十分な機能を有している。さらに本発明による
保護膜は、透明で屈折率も大きな値を有するため、磁気
光学効果エンハンスメントにも優れた特性を有する、従
って、前記問題点を除去できるのである。
れる光磁気記録層の少なくとも一面を被覆する光磁気記
録用媒体の保護膜において、この保護膜を、ケイ素Si,
アルミニウムAl,酸素O,窒素ＮからなるSi−Al−O,Si−A
l−Ｏ−N,Si−Ｏ−N,またはAl−Ｏ−Ｎのいずれかの共
有結合で構成したものである。本発明の保護膜は、孔食
の発生、成長を抑制すると共に、保磁力の変化を抑制す
るための十分な機能を有している。さらに本発明による
保護膜は、透明で屈折率も大きな値を有するため、磁気
光学効果エンハンスメントにも優れた特性を有する、従
って、前記問題点を除去できるのである。
（実施例） 第１図は本発明の実施例に係る保護膜を形成した光磁気
記録用媒体の概略断面図である。
記録用媒体の概略断面図である。
この光磁気記録用媒体は、透明度が高く、かつ光学特性
の良いガラス板、樹脂板等からなる基板１を有し、この
基板１上には、保護膜２、光磁気記録層３、及び保護膜
４が順次積層状態に形成されている。
の良いガラス板、樹脂板等からなる基板１を有し、この
基板１上には、保護膜２、光磁気記録層３、及び保護膜
４が順次積層状態に形成されている。
光磁気記録層３は、例えば膜厚120nmのTb−Fe系合金で
作られたRE−TM膜で構成されている。RE−TM膜として他
に、REはGd,Dy等で、TMはCo等でそれぞれ構成すること
もできるが、本実施例では保護膜2,4の効果が明確とな
るように、腐食の非常に起き易いTb−Fe膜を採用した。
このTb−Fe膜として、例えばTb31Fe69の組成物を使用し
ている。
作られたRE−TM膜で構成されている。RE−TM膜として他
に、REはGd,Dy等で、TMはCo等でそれぞれ構成すること
もできるが、本実施例では保護膜2,4の効果が明確とな
るように、腐食の非常に起き易いTb−Fe膜を採用した。
このTb−Fe膜として、例えばTb31Fe69の組成物を使用し
ている。
光磁気記録層３を被覆する保護膜2,4の内の一方の保護
膜２は、カー効果エンハンスメントの働きも有し、例え
ば下層の保護膜２は膜厚70nmに、上層の保護膜４は膜厚
150nmに、それぞれスパッタ、蒸着等で形成されてい
る。保護膜2,4は、Si,Al,O,NからなるSi−Al−O,Si−Al
−Ｏ−N,Si−Ｏ−ＮまたはAl−Ｏ−Ｎのいずれかの共有
結合で構成され、それらはいずれも透明で屈折率が高い
という性質を有している。
膜２は、カー効果エンハンスメントの働きも有し、例え
ば下層の保護膜２は膜厚70nmに、上層の保護膜４は膜厚
150nmに、それぞれスパッタ、蒸着等で形成されてい
る。保護膜2,4は、Si,Al,O,NからなるSi−Al−O,Si−Al
−Ｏ−N,Si−Ｏ−ＮまたはAl−Ｏ−Ｎのいずれかの共有
結合で構成され、それらはいずれも透明で屈折率が高い
という性質を有している。
ここで、Si−Al−Ｏでは、Si量を０〜80原子％、Al量を
０〜80原子％とする。Si−Al−Ｏ−Ｎでは、Si量を０〜
80原子％、Al量を０〜80原子％、Ｏ量を０〜62原子％、
Ｎ量を０〜57原子％とする。Si−Ｏ−ＮではSi量を０〜
80原子％、Ｏ量を０〜62原子％、Ｎ量を０〜55原子％と
する。Al−Ｏ−ＮではAl量を０〜80原子％、Ｏ量を０〜
55原子％、Ｎ量を０〜46原子％とする。
０〜80原子％とする。Si−Al−Ｏ−Ｎでは、Si量を０〜
80原子％、Al量を０〜80原子％、Ｏ量を０〜62原子％、
Ｎ量を０〜57原子％とする。Si−Ｏ−ＮではSi量を０〜
80原子％、Ｏ量を０〜62原子％、Ｎ量を０〜55原子％と
する。Al−Ｏ−ＮではAl量を０〜80原子％、Ｏ量を０〜
55原子％、Ｎ量を０〜46原子％とする。
以上のように構成された光磁気記録用媒体を用いて光磁
気記録ディスクを作り、そのディスクの回転数を900rp
m、該ディスク面に照射する半導体レーザ光6mV以下、デ
ューティ比を50％、記録周波数を1MHZとした場合、10万
回以上の消去及び再書込みの反復に耐えることが確認で
きた。
気記録ディスクを作り、そのディスクの回転数を900rp
m、該ディスク面に照射する半導体レーザ光6mV以下、デ
ューティ比を50％、記録周波数を1MHZとした場合、10万
回以上の消去及び再書込みの反復に耐えることが確認で
きた。
また、Tb−Fe系合金のRE−TM膜からなる光磁気記録層３
を両面から被覆する保護膜2,4を次の表で示すような材
料及び方法で形成し、光透過率の変化の比較を行った。
を両面から被覆する保護膜2,4を次の表で示すような材
料及び方法で形成し、光透過率の変化の比較を行った。
なお、試料No.1及びNo.2は従来のもの、試料No.3〜No.7
は本実施例のものを示し、また保護膜形成方法における
ガスの混合比はモル％である。
は本実施例のものを示し、また保護膜形成方法における
ガスの混合比はモル％である。
試料No.1〜No.7の830nmにおける屈折率は第２図の屈折
率を示す図のようであった。試料No.2については830nm
で吸収が認められた。
率を示す図のようであった。試料No.2については830nm
で吸収が認められた。
第３図は試料No.1〜No.7を85℃、85％相対湿度雰囲気中
に保持した後における光透過率（波長514.5nm）の変化
を示す図である。
に保持した後における光透過率（波長514.5nm）の変化
を示す図である。
試料No.1〜No.7を前記雰囲気中に保持すると、孔食が発
生し、該孔食によってTb−Fe膜が貫通する。そのため、
孔食量の増加に伴ない透過率が上昇する。従って、上記
文献に記載されているように、透過率により孔食量を
定量化することができる。
生し、該孔食によってTb−Fe膜が貫通する。そのため、
孔食量の増加に伴ない透過率が上昇する。従って、上記
文献に記載されているように、透過率により孔食量を
定量化することができる。
第３図において透過率変化（即ち、孔食の増加）をみて
みると、従来の試料No.1であるSiO2は、孔食に対してか
なり大きな保護機能を有しているが、試料No.2のSiOで
は透過率が試料No.1の４倍にも達し、多数の孔食が発生
しそれが成長していることがわかる。ところが、本実施
例における試料No.3〜No.7では、微小な孔食がわずかに
発生するのみで、それが成長しないため、大きな透過率
の変化がない。
みると、従来の試料No.1であるSiO2は、孔食に対してか
なり大きな保護機能を有しているが、試料No.2のSiOで
は透過率が試料No.1の４倍にも達し、多数の孔食が発生
しそれが成長していることがわかる。ところが、本実施
例における試料No.3〜No.7では、微小な孔食がわずかに
発生するのみで、それが成長しないため、大きな透過率
の変化がない。
次に、試料No.1〜No.7における保磁力の変化を第図４を
参照しつつ説明する。
参照しつつ説明する。
保磁力はTbの選択酸化により変化する。試料No.1〜No.7
におけるRE−TM膜は全てTb31Fe69の組成で、Tb richな
ため、上記文献に記載されたように始め保磁力が増加
する。
におけるRE−TM膜は全てTb31Fe69の組成で、Tb richな
ため、上記文献に記載されたように始め保磁力が増加
する。
第４図において保磁力の変化をみてみると、従来におけ
る試料No.2のSiOは、保磁力の変化を抑える相当大きな
機能を有しているが、試料No.1のSiO2では、保磁力が大
きく変化して２倍以上の値になってしまう。ところが、
本実施例による試料No.3〜No.7では、保磁力がほとんど
変化しない。
る試料No.2のSiOは、保磁力の変化を抑える相当大きな
機能を有しているが、試料No.1のSiO2では、保磁力が大
きく変化して２倍以上の値になってしまう。ところが、
本実施例による試料No.3〜No.7では、保磁力がほとんど
変化しない。
以上説明した本実施例の保護膜2,4における保護特性の
利点をまとめれば、次のようになる。
利点をまとめれば、次のようになる。
本実施例の保護膜2,4でRE−TM膜からなる光磁気記録層
３を被覆すれば、孔食の発生と、その成長を抑制してRE
−TM膜の最大の欠点である腐食を防止でき、しかも保磁
力の変化を抑制できるため、信頼性の高い光磁気記録用
媒体が得られる。
３を被覆すれば、孔食の発生と、その成長を抑制してRE
−TM膜の最大の欠点である腐食を防止でき、しかも保磁
力の変化を抑制できるため、信頼性の高い光磁気記録用
媒体が得られる。
次に、本実施例の保護膜2,4のカー効果エンハンスメン
ト特性について説明する。
ト特性について説明する。
第１図において基板１として1.6μｍピッチの案内溝を
有するポリカーボネイト円板上に、前記試料No.1〜No.7
の保護膜２を75nm、80nm、85nmの膜厚で形成し、その上
の光磁気記録層３としてTbFeを90nm、保護膜４として前
記試料No.1〜No.7の膜を100nm形成した。以上試料No.1
〜No.7の保護膜について、保護膜２の膜厚を３種類変え
たものを合計30枚作製した。また、比較のために下方の
保護膜２がなく、上方の保護膜４にSiOを用いた光磁気
記録ディスクを作製した。
有するポリカーボネイト円板上に、前記試料No.1〜No.7
の保護膜２を75nm、80nm、85nmの膜厚で形成し、その上
の光磁気記録層３としてTbFeを90nm、保護膜４として前
記試料No.1〜No.7の膜を100nm形成した。以上試料No.1
〜No.7の保護膜について、保護膜２の膜厚を３種類変え
たものを合計30枚作製した。また、比較のために下方の
保護膜２がなく、上方の保護膜４にSiOを用いた光磁気
記録ディスクを作製した。
これらのディスクについてディスク回転数900rpm、記録
周波数1MHZ、デューティ比50％、記録パワー８〜12mW、
消去パワー12mW、外部磁界600Oe、読み出しパワー１〜2
mVでキャリア／ノイズ比（以下、C/N値という）の測定
を行った。その結果を第５図に示す。
周波数1MHZ、デューティ比50％、記録パワー８〜12mW、
消去パワー12mW、外部磁界600Oe、読み出しパワー１〜2
mVでキャリア／ノイズ比（以下、C/N値という）の測定
を行った。その結果を第５図に示す。
第５図のC/N値特性図において、ここでのC/N値は、各種
保護膜（第１図の２）の厚さが３種類ある中で、最も大
きなC/N値を示す。また記録パワー、読み出しパワーは
前記の範囲で変えた場合に最も大きなC/N値が得られた
時のC/N値を示す。
保護膜（第１図の２）の厚さが３種類ある中で、最も大
きなC/N値を示す。また記録パワー、読み出しパワーは
前記の範囲で変えた場合に最も大きなC/N値が得られた
時のC/N値を示す。
第５図に示すように、試料No.3〜No.7の保護膜2,4につ
いては３〜5dBのC/N値の向上が認められ、カー効果エン
ハンスメントの機能が発現されていることを示してい
る。このように、Si、Al、O,Nの組合せにより得られるS
i−Al−O,Si−Al−Ｏ−N,Si−Ｏ−ＮまたはAl−Ｏ−Ｎ
からなる保護膜2,4は、いずれも十分な保護特性を有す
るばかりか、磁気光学効果エンハンスメント膜として十
分な機能を有しているため、ターゲットの組成や、チッ
プを置くという複合化等により、組成に自由度を持たせ
ることができ、屈折率等の制御も可能である。さらに保
護膜2,4はスパッタ、蒸着等により、簡単に形成するこ
とができる。
いては３〜5dBのC/N値の向上が認められ、カー効果エン
ハンスメントの機能が発現されていることを示してい
る。このように、Si、Al、O,Nの組合せにより得られるS
i−Al−O,Si−Al−Ｏ−N,Si−Ｏ−ＮまたはAl−Ｏ−Ｎ
からなる保護膜2,4は、いずれも十分な保護特性を有す
るばかりか、磁気光学効果エンハンスメント膜として十
分な機能を有しているため、ターゲットの組成や、チッ
プを置くという複合化等により、組成に自由度を持たせ
ることができ、屈折率等の制御も可能である。さらに保
護膜2,4はスパッタ、蒸着等により、簡単に形成するこ
とができる。
本実施例の保護膜2,4の構造をＸ線回折とＸ線光電子分
光（XPS）により解析した。
光（XPS）により解析した。
まず、Ｘ線回析の結果によれば、試料No.1〜No.7の保護
膜は、全て非晶質（アモルファス）であった。Ｘ線光電
子分光（XPS）により、試料No.4のSi−Al−Ｏ−Ｎ膜、N
o.5のSi−Ｏ−Ｎ膜とSi−Ｎ膜、Al−Ｎ膜とを分析し、S
i2pとAl2p（但し、添字2pは電子の軌道番号）スペクト
ルをピーク分離の手法により帰属した結果を第６図
（１），（２）に示す。Si−Al−Ｏ−Ｎ膜はSi2pに100.
8eV、Al2pに73.4eVの既存の物質の結合エネルギー値と
異なるエネルギー値を示し、Si−Al−Ｏ−Ｎ膜において
独特の結合形態を有することがわかる。
膜は、全て非晶質（アモルファス）であった。Ｘ線光電
子分光（XPS）により、試料No.4のSi−Al−Ｏ−Ｎ膜、N
o.5のSi−Ｏ−Ｎ膜とSi−Ｎ膜、Al−Ｎ膜とを分析し、S
i2pとAl2p（但し、添字2pは電子の軌道番号）スペクト
ルをピーク分離の手法により帰属した結果を第６図
（１），（２）に示す。Si−Al−Ｏ−Ｎ膜はSi2pに100.
8eV、Al2pに73.4eVの既存の物質の結合エネルギー値と
異なるエネルギー値を示し、Si−Al−Ｏ−Ｎ膜において
独特の結合形態を有することがわかる。
Ｘ線回析とＸ線光電子分光（XPS）の結果をあわせて考
えると、Si−Al−Ｏ−Ｎ膜が単なるSiN、AlN、SiO、Al2
O3等の混合物ではないことがわかる。Si−Al−Ｏ−Ｎ膜
はSi,Al,N,あるいはＯが三次元的に結合した共有結合で
あると考えられる。そして試料No.3〜No.7のような共有
結合の膜は、いずれも保護膜として十分な機能を有して
いるため、組成に自由度を持たせることができ、屈折率
等の制御が可能であるという効果が期待できる。
えると、Si−Al−Ｏ−Ｎ膜が単なるSiN、AlN、SiO、Al2
O3等の混合物ではないことがわかる。Si−Al−Ｏ−Ｎ膜
はSi,Al,N,あるいはＯが三次元的に結合した共有結合で
あると考えられる。そして試料No.3〜No.7のような共有
結合の膜は、いずれも保護膜として十分な機能を有して
いるため、組成に自由度を持たせることができ、屈折率
等の制御が可能であるという効果が期待できる。
なお、本発明は上記実施例に限定されず、種々の変形が
可能である。その変形例としては、例えば次のようなも
のがある。
可能である。その変形例としては、例えば次のようなも
のがある。
（ｉ） 上記実施例では光磁気記録層３の両面に保護膜
2,4を設けたが、この保護膜2,4は光磁気記録層３の上面
または下面のいずれか一方に設けるだけでも、相当大き
な効果が得られる。また、光磁気記録層３を構成するRE
−TM膜は、Tb−Fe系合金以外のもので形成したものであ
ってもよい。
2,4を設けたが、この保護膜2,4は光磁気記録層３の上面
または下面のいずれか一方に設けるだけでも、相当大き
な効果が得られる。また、光磁気記録層３を構成するRE
−TM膜は、Tb−Fe系合金以外のもので形成したものであ
ってもよい。
（ii） 本発明の保護膜は、RE−TM膜ばかりでなく、Co
Fe2O4等の酸化物系、あるいはMnBi系等の材料からなる
光磁気記録層の保護、あるいは磁気光学効果エンハンス
メントのため保護膜として用いても十分な効果を発揮す
る。
Fe2O4等の酸化物系、あるいはMnBi系等の材料からなる
光磁気記録層の保護、あるいは磁気光学効果エンハンス
メントのため保護膜として用いても十分な効果を発揮す
る。
（iii） 第１図に示す実施例ではカー効果を利用して
いるが、第１図の保護膜４上に反射膜を設け、カー効果
及びファラデー効果を利用する構造も当然可能である。
いるが、第１図の保護膜４上に反射膜を設け、カー効果
及びファラデー効果を利用する構造も当然可能である。
（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明による保護膜は、S
i,Al,O,NからなるSi−Al−O,Si−Al−Ｏ−N,Si−Ｏ−N,
またはAl−Ｏ−Ｎのいずれか１つの共有結合で構成した
ので、次のような効果がある。
i,Al,O,NからなるSi−Al−O,Si−Al−Ｏ−N,Si−Ｏ−N,
またはAl−Ｏ−Ｎのいずれか１つの共有結合で構成した
ので、次のような効果がある。
（ａ） 本発明のSi−Al−O,Si−Al−Ｏ−N,Al−Ｏ−N,
Si−Ｏ−Ｎは、３つ以上の元素の共有結合で構成され、
いずれも透明で高屈折率である。この保護膜には、従来
から知られているSiO2やSi3N4、AlNだけの混合ではな
く、独自の３元構造が含まれている。本発明の保護膜
は、３元素以上で構成されているため、緻密な網目構造
になっており、緻密であるが故に高屈折率となる。その
ため、磁気光学効果エンハンスメント（カー効果エンハ
ンスメント）の働きが大きい。また、緻密であるが故に
酸素、水等の浸入、透過が少なく、孔食の発生や成長等
を抑制でき、高保護性能を有する。
Si−Ｏ−Ｎは、３つ以上の元素の共有結合で構成され、
いずれも透明で高屈折率である。この保護膜には、従来
から知られているSiO2やSi3N4、AlNだけの混合ではな
く、独自の３元構造が含まれている。本発明の保護膜
は、３元素以上で構成されているため、緻密な網目構造
になっており、緻密であるが故に高屈折率となる。その
ため、磁気光学効果エンハンスメント（カー効果エンハ
ンスメント）の働きが大きい。また、緻密であるが故に
酸素、水等の浸入、透過が少なく、孔食の発生や成長等
を抑制でき、高保護性能を有する。
（ｂ） 本発明の保護膜は、３元の網目構造であるた
め、結晶化もしにくく、安定したアモルファス構造であ
る。例えば、前記のような従来のAlN等は、非常に結晶
化し易い。結晶化すると、結晶粒界ノイズや、表面の凹
凸によるノイズ等が発生し、不利となる。また、粒界や
表面の凹凸は、腐食の原因ともなる。これに対し、本発
明の保護膜は、安定したアモルファスであるため、ノイ
ズが少なく、信号特性が良好になる。その上、粒界がな
く、表面の凹凸が少ないことから、高保護性能を有す
る。
め、結晶化もしにくく、安定したアモルファス構造であ
る。例えば、前記のような従来のAlN等は、非常に結晶
化し易い。結晶化すると、結晶粒界ノイズや、表面の凹
凸によるノイズ等が発生し、不利となる。また、粒界や
表面の凹凸は、腐食の原因ともなる。これに対し、本発
明の保護膜は、安定したアモルファスであるため、ノイ
ズが少なく、信号特性が良好になる。その上、粒界がな
く、表面の凹凸が少ないことから、高保護性能を有す
る。
（ｃ） 前記の３元網目構造が効果を出すためには、十
分な割合の３元構造が存在する必要がある。本発明の保
護膜において、例えば、Si−Al−Ｏ−Ｎでは、AlSiN構
造とSiON構造とがほとんどである。AlSiN構造とは、Al
とSiとＮとがほぼこの割合で網目状に結合したものであ
り、Al−Si−Ｎとは意味が異なる。また、Si−Ｏ−Ｎ
は、かなりの割合のSiON構造からなる。従って、本発明
の保護膜では、十分な割合の３元構造が存在し、その結
果、安定したアモルファスで、かつ高屈折率、高保護性
能が得られる。
分な割合の３元構造が存在する必要がある。本発明の保
護膜において、例えば、Si−Al−Ｏ−Ｎでは、AlSiN構
造とSiON構造とがほとんどである。AlSiN構造とは、Al
とSiとＮとがほぼこの割合で網目状に結合したものであ
り、Al−Si−Ｎとは意味が異なる。また、Si−Ｏ−Ｎ
は、かなりの割合のSiON構造からなる。従って、本発明
の保護膜では、十分な割合の３元構造が存在し、その結
果、安定したアモルファスで、かつ高屈折率、高保護性
能が得られる。
（ｄ） 保護膜としての重要な要件の一つに、基板に対
する密着性がある。例え初期性能が優れていても、密着
性が悪いと、長時間の温湿度サイクルによって保護膜の
剥離等が生じ、特性が劣化してくる。光磁気記録用媒体
の基板は、例えば、ガラス、ポリカーボネート等のポリ
マーであり、酸素を構成要素とする材料であり、酸化物
との親和力が強い。従って、本発明のような酸化物保護
膜は、基板との密着性も優れる。
する密着性がある。例え初期性能が優れていても、密着
性が悪いと、長時間の温湿度サイクルによって保護膜の
剥離等が生じ、特性が劣化してくる。光磁気記録用媒体
の基板は、例えば、ガラス、ポリカーボネート等のポリ
マーであり、酸素を構成要素とする材料であり、酸化物
との親和力が強い。従って、本発明のような酸化物保護
膜は、基板との密着性も優れる。
以上のように、本発明の保護膜では、保磁力の変化を抑
制しつつ、光磁気記録層の腐食を防止することができ
る。さらに、これらの膜は透明で、大きな屈折率を有す
るために磁気光学効果エンハンスメントにも優れ、C/N
値の大きな光磁気記録用媒体を得ることができる。
制しつつ、光磁気記録層の腐食を防止することができ
る。さらに、これらの膜は透明で、大きな屈折率を有す
るために磁気光学効果エンハンスメントにも優れ、C/N
値の大きな光磁気記録用媒体を得ることができる。
第１図は本発明の実施例に係る保護膜を形成した光磁気
記録用媒体の概略断面図、第２図は屈折率の特性図、第
３図は光透過率の特性図、第４図は保磁力の特性図、第
５図はC/N値の特性図、第６図（１），（２）はSi2p,Al
2pスペクトルの帰属特性図を示すもので、同図（１）は
Si2pスペクトルの帰属結果図、同図（２）はAl2pスペク
トルの帰属結果図である。 １……基板、2,4……保護膜、３……光磁気記録層。
記録用媒体の概略断面図、第２図は屈折率の特性図、第
３図は光透過率の特性図、第４図は保磁力の特性図、第
５図はC/N値の特性図、第６図（１），（２）はSi2p,Al
2pスペクトルの帰属特性図を示すもので、同図（１）は
Si2pスペクトルの帰属結果図、同図（２）はAl2pスペク
トルの帰属結果図である。 １……基板、2,4……保護膜、３……光磁気記録層。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成される光磁気記録層の少なく
とも一面を被覆する光磁気記録用媒体の保護膜におい
て、 前記保護膜を、Si,Al,O,NからなるSi−Al−O,Si−Al−
Ｏ−N,Si−Ｏ−N,またはAl−Ｏ−Ｎの共有結合で構成し
たことを特徴とする光磁気記録用媒体の保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62022981A JPH0785314B2 (ja) | 1986-02-05 | 1987-02-03 | 光磁気記録用媒体の保護膜 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2354286 | 1986-02-05 | ||
| JP61-23542 | 1986-02-05 | ||
| JP62022981A JPH0785314B2 (ja) | 1986-02-05 | 1987-02-03 | 光磁気記録用媒体の保護膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62275340A JPS62275340A (ja) | 1987-11-30 |
| JPH0785314B2 true JPH0785314B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=26360275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62022981A Expired - Lifetime JPH0785314B2 (ja) | 1986-02-05 | 1987-02-03 | 光磁気記録用媒体の保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785314B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293542A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01169759A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体 |
| JP2688505B2 (ja) * | 1988-10-17 | 1997-12-10 | 日立マクセル株式会社 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US5192626A (en) * | 1988-12-14 | 1993-03-09 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| JP2550698B2 (ja) * | 1989-03-28 | 1996-11-06 | 富士電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US5156909A (en) * | 1989-11-28 | 1992-10-20 | Battelle Memorial Institute | Thick, low-stress films, and coated substrates formed therefrom, and methods for making same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62114141A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-25 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1987
- 1987-02-03 JP JP62022981A patent/JPH0785314B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62275340A (ja) | 1987-11-30 |
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