JPH038151A - 光磁気記録媒体の作製方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の作製方法Info
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- JPH038151A JPH038151A JP14250189A JP14250189A JPH038151A JP H038151 A JPH038151 A JP H038151A JP 14250189 A JP14250189 A JP 14250189A JP 14250189 A JP14250189 A JP 14250189A JP H038151 A JPH038151 A JP H038151A
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光磁気的に情報の記録、消去を行う光磁気記
録媒体およびその作製方法に関するものである。
録媒体およびその作製方法に関するものである。
従来の技術
書き換え可能な大容量、高密度メモリーとして、光磁気
記録媒体が商品化段階に達している。
記録媒体が商品化段階に達している。
一般に、光磁気記録媒体の膜構造としては、保護層と光
磁気記録層よりなる構造と、保護層と光磁気記録層と反
射層よりなる構造があるが、最近ではカー回転角が大き
く読み出し特性の良好な、反射層を有する構造が主流と
なっている。保護層としては、ＺｎＳ、ＡｌＮ、Ｓ ｉ
Ｎ、Ｓ ｉｏ２等が用いられ、光磁気記録層は希土類−
遷移金属アモルファス合金薄膜よりなり、反射層として
はＡｌ。
磁気記録層よりなる構造と、保護層と光磁気記録層と反
射層よりなる構造があるが、最近ではカー回転角が大き
く読み出し特性の良好な、反射層を有する構造が主流と
なっている。保護層としては、ＺｎＳ、ＡｌＮ、Ｓ ｉ
Ｎ、Ｓ ｉｏ２等が用いられ、光磁気記録層は希土類−
遷移金属アモルファス合金薄膜よりなり、反射層として
はＡｌ。
Ａｔ！ Ｔｉ、Ａｌ Ｃｒ等が用いられている。これら
の薄膜は、母材を用いてスパッタリング法、真空蒸着法
等により形成される。
の薄膜は、母材を用いてスパッタリング法、真空蒸着法
等により形成される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、反射層を有する構造であると、膜構造は
４層構造となり、特に、第１の保護層と第２の保護層の
成分元素が異なる場合、母材は４種類必要となる。母材
が多いと、母材に多額の費用を費やすことになり、光磁
気記録媒体の材料コストが高くなる。
４層構造となり、特に、第１の保護層と第２の保護層の
成分元素が異なる場合、母材は４種類必要となる。母材
が多いと、母材に多額の費用を費やすことになり、光磁
気記録媒体の材料コストが高くなる。
さらに、薄膜を形成するための成膜装置の構造及び薄膜
形成過程が複雑になるだけでな（、成膜装置の大型化も
必要となってくる。
形成過程が複雑になるだけでな（、成膜装置の大型化も
必要となってくる。
したがって、材料コストのみならず薄膜形成のプロセス
にかかるコストまでが高くなる、という問題を有してい
た。
にかかるコストまでが高くなる、という問題を有してい
た。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、保護層と
反射層を同一の母材もしくは実質的に同一組成の母材を
用いて形成することができる光磁気記録媒体およびその
作製方法を提供することを目的とする。
反射層を同一の母材もしくは実質的に同一組成の母材を
用いて形成することができる光磁気記録媒体およびその
作製方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の光磁気記録媒体は
、基板上に第１の保護層と光磁気記録層を有する光磁気
記録媒体であって、この光磁気記録層上にＡｌを主成分
とする母材を用いて反射層を形成した後、Ａｒガスに加
えてＮ２、Ｏ２のうちいずれか一方もしくは両方を含む
気体を導入し、前記母材と同一の母材もしくは実質的に
同一組成の母材と反応させることにより、酸化物系もし
くは窒化物系もしくは酸化窒化物系の第２の保護層を、
前記反射層上に連続して積層する、あるいは、この反射
層と第２の保護層の順序を逆にしたことを特徴とするも
のである。
、基板上に第１の保護層と光磁気記録層を有する光磁気
記録媒体であって、この光磁気記録層上にＡｌを主成分
とする母材を用いて反射層を形成した後、Ａｒガスに加
えてＮ２、Ｏ２のうちいずれか一方もしくは両方を含む
気体を導入し、前記母材と同一の母材もしくは実質的に
同一組成の母材と反応させることにより、酸化物系もし
くは窒化物系もしくは酸化窒化物系の第２の保護層を、
前記反射層上に連続して積層する、あるいは、この反射
層と第２の保護層の順序を逆にしたことを特徴とするも
のである。
作用
このような構成および作製方法により、保護層と反、耐
層を同一の母材もしくは実質的に同一組成の母材を用い
て形成することができ、安価で生産性のよい光磁気記録
媒体及びその作製方法を実現することができる。
層を同一の母材もしくは実質的に同一組成の母材を用い
て形成することができ、安価で生産性のよい光磁気記録
媒体及びその作製方法を実現することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、基板１上に第１の保
護層２を形成し、その上にＤＣマグネトロンスパッタ法
により光磁気記録１）を成膜し、さらにその上に、反射
層４をＲＦスパッタ法により形成する。さらに、反射層
４を形成してものと同一の母材を用いてＡ ｒ 、 Ｎ
２、Ｏ２を導入することにより反応性スパッタ法により
第２の保護層５を連続成膜する。
護層２を形成し、その上にＤＣマグネトロンスパッタ法
により光磁気記録１）を成膜し、さらにその上に、反射
層４をＲＦスパッタ法により形成する。さらに、反射層
４を形成してものと同一の母材を用いてＡ ｒ 、 Ｎ
２、Ｏ２を導入することにより反応性スパッタ法により
第２の保護層５を連続成膜する。
この場合、反射層４形成用の母材はＡｌであり、Ａｌ母
材の上にＴｉ片或いはＣｒ片等を並べることにより異な
る成分元素を有する反射層４を形成することもできる。
材の上にＴｉ片或いはＣｒ片等を並べることにより異な
る成分元素を有する反射層４を形成することもできる。
反射層４の組成は、スパッタ時の放電パワー、Ａ ｒガ
ス圧力等の成膜条件を変えることにより調整することが
可能である。また、第２の保護層５は導入するＮ２、Ｏ
２の流量を変えることにより、膜中の０２含有量または
Ｎ２含有量を調整して屈折率ｎをかえることができ、ｎ
の値が１．８位あれば第１の保護層２も反応性スパッタ
法により形成し、エンハンス層としての機能も兼ね備え
ることができる。
ス圧力等の成膜条件を変えることにより調整することが
可能である。また、第２の保護層５は導入するＮ２、Ｏ
２の流量を変えることにより、膜中の０２含有量または
Ｎ２含有量を調整して屈折率ｎをかえることができ、ｎ
の値が１．８位あれば第１の保護層２も反応性スパッタ
法により形成し、エンハンス層としての機能も兼ね備え
ることができる。
したがって、この場合は、第１の保護層２と第２の保護
層５を形成する成分元素を同一とし、第１の保護層２も
反応性スパッタにより成膜することができるので、光磁
気記録媒体を作製するのに必要な母材は２種類でよいこ
とになる。例えば、第１の保護層２と第２の保護層５が
Ａｔ！ ＯＮで反射層４がＡｌであれば、光磁気記録層
３形成用の母材とＡｌ母材のみで反応性スパッタを行う
ことにより、４層構造の光磁気記録媒体を作製すること
が可能となり、非常に形成プロセスが簡略化される。
層５を形成する成分元素を同一とし、第１の保護層２も
反応性スパッタにより成膜することができるので、光磁
気記録媒体を作製するのに必要な母材は２種類でよいこ
とになる。例えば、第１の保護層２と第２の保護層５が
Ａｔ！ ＯＮで反射層４がＡｌであれば、光磁気記録層
３形成用の母材とＡｌ母材のみで反応性スパッタを行う
ことにより、４層構造の光磁気記録媒体を作製すること
が可能となり、非常に形成プロセスが簡略化される。
また、母材に要する費用も低減できることから光磁気記
録媒体のコストは、材料費及びプロセス費の両方で低減
することができる。
録媒体のコストは、材料費及びプロセス費の両方で低減
することができる。
実際に反射層４にＡｌ及びＡｆ！Ｔｉを用いその上に第
２の保護層５を連続積層した際の反応性スパッタの成膜
条件、成膜レート、屈折率を表１（ａ） 、 （ｂ）に
示す。反射層４のＡ＆及びＡｌＴ：０）成膜条件は以下
のように固定し、第２の保護層５の成膜条件は■〜■の
ように調整し、各々偕層実験をしたものである。
２の保護層５を連続積層した際の反応性スパッタの成膜
条件、成膜レート、屈折率を表１（ａ） 、 （ｂ）に
示す。反射層４のＡ＆及びＡｌＴ：０）成膜条件は以下
のように固定し、第２の保護層５の成膜条件は■〜■の
ように調整し、各々偕層実験をしたものである。
（以 下 余 白 ）
いずれの成膜条件においてもｎの値は１．８よりも大き
く、第１の保護層としての機能をも備えることが確かめ
られた。
く、第１の保護層としての機能をも備えることが確かめ
られた。
また、反応性スパッタ法により薄膜を形成すると、非常
に成膜速度が大きくなる。実施例として、Ａ！！ ＯＮ
薄膜を形成する場合の成膜速度を表２に示す。
に成膜速度が大きくなる。実施例として、Ａ！！ ＯＮ
薄膜を形成する場合の成膜速度を表２に示す。
〈 以 下 余 白 〉
■はＡｌ母材にＮ２及び０２を反応させてＡｌ ＯＮ薄
膜を形成した場合、■はＡｌ ＯＮ母材をＲＦスパッタ
することによりＡｌ ＯＮ薄膜を形成した場合の実験結
果である。比較すると、反応性スパッタ法で形成すれば
約４．５倍の成膜レートが得られ、薄膜形成時間を短縮
することができることは明らかである。
膜を形成した場合、■はＡｌ ＯＮ母材をＲＦスパッタ
することによりＡｌ ＯＮ薄膜を形成した場合の実験結
果である。比較すると、反応性スパッタ法で形成すれば
約４．５倍の成膜レートが得られ、薄膜形成時間を短縮
することができることは明らかである。
尚、第２図に示すように、光磁気記録層３を形成した後
反応性スパッタ法により反射層４形成用の母材と０２．
Ｎ２を反応させて第２の保護層５を形成し、その上に反
射層４を積層する構造にすることもできる。また、実質
的に同一組成の別個の母材を用いてもよい。この場合は
、実質的に同一の組成の母材を複数個使用することで、
母材に要するコストが低減でき、また互換性もとれる。
反応性スパッタ法により反射層４形成用の母材と０２．
Ｎ２を反応させて第２の保護層５を形成し、その上に反
射層４を積層する構造にすることもできる。また、実質
的に同一組成の別個の母材を用いてもよい。この場合は
、実質的に同一の組成の母材を複数個使用することで、
母材に要するコストが低減でき、また互換性もとれる。
以上のように、本実施例によれば保護層と反射層を同一
の母材もしくは実質的に同一組成の母材を用いて形成し
たことにより、母材の数及び種類を減らし、プロセスが
簡単でコストの低減が可能となる光磁気記録媒体が得ら
れた。
の母材もしくは実質的に同一組成の母材を用いて形成し
たことにより、母材の数及び種類を減らし、プロセスが
簡単でコストの低減が可能となる光磁気記録媒体が得ら
れた。
発明の効果
このように５本発明によれば、保護層と反射層を同一の
母材もしくは実質的に同一組成の母材を用いて形成した
ことにより、母材の数及び種類を低減し、媒体の作製プ
ロセスが簡単で、コストの低い光磁気記録媒体を実現で
きるものである。
母材もしくは実質的に同一組成の母材を用いて形成した
ことにより、母材の数及び種類を低減し、媒体の作製プ
ロセスが簡単で、コストの低い光磁気記録媒体を実現で
きるものである。
第１図、第２図は本発明の実施例における光磁気記録媒
体の断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・第１の保護層、３
・・・・・・光磁気記録層、４・・・・・・反射層、５
・・・・・・第２の保護層。
体の断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・第１の保護層、３
・・・・・・光磁気記録層、４・・・・・・反射層、５
・・・・・・第２の保護層。
Claims (5)
- （１）基板上に第１の保護層と光磁気記録層とを有する
光磁気記録媒体であって、前記光磁気記録層上にＡｌを
主成分とする母材を用いて形成された反射層と、Ａｒガ
スに加えてＮ＿２、Ｏ＿２のうちいずれか一方もしくは
両方を含む複合気体が導入されて前記母材と同一母材も
しくは実質的に同一組成の母材と反応されて形成された
酸化物系もしくは酸化窒化物系の第２の保護層とが連続
して積層されていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）基板上に第１の保護層と光磁気記録層とを有する
光磁気記録媒体であって、前記光磁気記録層上にＡｒガ
スに加えてＮ＿２、Ｏ＿２のうちいずれか一方もしくは
両方を含む複合気体が導入されて反射層形成用の母材と
同一母材もしくは実質的に同一組成の母材と反応されて
形成された酸化物系もしくは窒化物系もしくは酸化窒化
物系の第２の保護層と、前記反射層形成用の母材を用い
て前記第２の保護層上に連続して積層された反射層とを
有することを特徴とする光磁気記録媒体。 - （３）反射層は、ＡｌもしくはＡｌを主成分としてＴｉ
、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｙ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｄのう
ち少なくともいずれか１つが添加された組成であること
を特徴とする請求項１または２記載の光磁気記録媒体。 - （４）第１の保護層と光磁気記録層とを有する基板上に
反射層と第２の保護層を連続して積層して光磁気記録媒
体を作製する方法であって、前記光磁気記録層上にＡｌ
を主成分とする母材を用いて反射層を形成した後、Ａｒ
ガスに加えてＮ＿２、Ｏ＿２のうちいずれか一方もしく
は両方を含む複合気体を導入し、前記母材を同一母材も
しくは実質的に同一組成の母材と反応させることにより
、酸化物系もしくは窒化物系もしくは酸化窒化物系の第
２の保護層を前記反射層上に連続して積層することを特
徴とする光磁気記録媒体の作製方法。 - （５）第１の保護層と光磁気記録層を有する基板上に第
２の保護層と反射層を連続して積層することにより光磁
気記録媒体を作製する方法であって、Ａｒガスに加えて
、Ｎ＿２、Ｏ＿２のうちいずれか一方もしくは両方を含
む複合気体を導入し、反射層形成用の母材と同一母材も
しくは実質的に同一組成の母材と反応させることにより
酸化物系もしくは窒化物系もしくは酸化窒化物系の第２
の保護層を前記光磁気記録層上に形成し、前記反射層形
成用の母材を用いて前記第２の保護層上に反射層を連続
して積層することを特徴とする光磁気記録媒体の作製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1142501A JP2822455B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 光磁気記録媒体の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1142501A JP2822455B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 光磁気記録媒体の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038151A true JPH038151A (ja) | 1991-01-16 |
| JP2822455B2 JP2822455B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=15316809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1142501A Expired - Lifetime JP2822455B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 光磁気記録媒体の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822455B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05198026A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-08-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063747A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-12 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS62293542A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01173454A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP1142501A patent/JP2822455B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063747A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-12 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS62293542A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01173454A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05198026A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-08-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2822455B2 (ja) | 1998-11-11 |
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Legal Events
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