JPS6063747A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JPS6063747A JPS6063747A JP17148883A JP17148883A JPS6063747A JP S6063747 A JPS6063747 A JP S6063747A JP 17148883 A JP17148883 A JP 17148883A JP 17148883 A JP17148883 A JP 17148883A JP S6063747 A JPS6063747 A JP S6063747A
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- transparent dielectric
- dielectric film
- transparent
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/126—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing rare earth metals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はレーザ等の光を照射することにより情報の記録
・再生・消去等を行なう磁気光学記憶素子に関するもの
である。
・再生・消去等を行なう磁気光学記憶素子に関するもの
である。
〈従来技術〉
磁気光学記憶素子の研究が活発に行なわれている。
中でも記憶媒体として希土数−遷移金属非晶質合金薄膜
を用いて構成したものは、記録ビ・ノドか粒界の影響を
受けない点及び記録媒体の膜を大面積に亘って作成する
ことが比較的容易である点から特に注目を集めている。
を用いて構成したものは、記録ビ・ノドか粒界の影響を
受けない点及び記録媒体の膜を大面積に亘って作成する
ことが比較的容易である点から特に注目を集めている。
しかし上記記録媒体として希土類−遷移金属非晶質合金
薄役を用いて磁気光学記憶素子を構成したものでは、一
般に光磁気効果（カー効果、ファラデー効果）が十分得
られずその為再生信号の斎が不十分なものであった。
薄役を用いて磁気光学記憶素子を構成したものでは、一
般に光磁気効果（カー効果、ファラデー効果）が十分得
られずその為再生信号の斎が不十分なものであった。
これに対する対応策として既に本発明者等は次の如き素
子構造の改良を試みた。第１図は既に改良を試みた素子
構造の磁気光学記憶素子の一部側面断面図を示す。同図
で１はガラス、ポリカーボネート、アクリル等の透明基
板であり、該透明基板ｌ上に第１の透明誘電体膜である
透明なＳｉＯ膜２（膜厚１２０ｎｍ）が形成され、該５
ｉｏｌ模２上に希土類遷移金属合金薄膜であるＧｄＴｂ
ＦｅΔ八＃！ ワ／へｎＢＷ １ （： −−） −７
１＜４１？訃吉→’ｌ 法ｒＡＴｂＦｅ合金薄膜３上に
第２の透明誘電体膜である透明な５ｉ０２膜４（膜厚５
０ｎｍ）が形成され、該ＳｉＯ□膜４上に反射膜である
Ｃｕ膜５（膜厚５Ｑｎｍ）が形成されている。以上の構
造では見かけのカー回転角が１．７５°もの大きな値が
得られた。
子構造の改良を試みた。第１図は既に改良を試みた素子
構造の磁気光学記憶素子の一部側面断面図を示す。同図
で１はガラス、ポリカーボネート、アクリル等の透明基
板であり、該透明基板ｌ上に第１の透明誘電体膜である
透明なＳｉＯ膜２（膜厚１２０ｎｍ）が形成され、該５
ｉｏｌ模２上に希土類遷移金属合金薄膜であるＧｄＴｂ
ＦｅΔ八＃！ ワ／へｎＢＷ １ （： −−） −７
１＜４１？訃吉→’ｌ 法ｒＡＴｂＦｅ合金薄膜３上に
第２の透明誘電体膜である透明な５ｉ０２膜４（膜厚５
０ｎｍ）が形成され、該ＳｉＯ□膜４上に反射膜である
Ｃｕ膜５（膜厚５Ｑｎｍ）が形成されている。以上の構
造では見かけのカー回転角が１．７５°もの大きな値が
得られた。
以上の素子構造の採用によってカー回転角が著しく大き
なものを得ることのできた理由を次に説明する。
なものを得ることのできた理由を次に説明する。
第１図に示す如く透明基板１側からレーザ光６を希土類
遷移金属合金薄膜３に照射した場合、入射レーザ光が第
１の透明誘電体膜２の内部で反射が繰り返され、干渉し
た結果見かけ上のカー回転角が増大するものであり、こ
の際上記第１の透明誘電体膜２の屈折率は大きい程カー
回転角の増大効果は大きい。
遷移金属合金薄膜３に照射した場合、入射レーザ光が第
１の透明誘電体膜２の内部で反射が繰り返され、干渉し
た結果見かけ上のカー回転角が増大するものであり、こ
の際上記第１の透明誘電体膜２の屈折率は大きい程カー
回転角の増大効果は大きい。
又第１図に示す如く希土類遷移金属合金薄膜３の背面に
反射膜５を配置したことで見かけ上のカー回転角を増大
させており、希土類遷移金属合金薄膜３と反射膜５の間
に第２の透明誘電体膜４を介在させることで見かけ上の
カー回転角を更に増大させている。次にこの作用の原理
について定性的に説明を行なう。
反射膜５を配置したことで見かけ上のカー回転角を増大
させており、希土類遷移金属合金薄膜３と反射膜５の間
に第２の透明誘電体膜４を介在させることで見かけ上の
カー回転角を更に増大させている。次にこの作用の原理
について定性的に説明を行なう。
上記第２の透明誘電体膜４と反射膜５との複合膜を一つ
の反射層Ａとして考える。第１図に於て透明基板ｌ側か
ら入射し、希土類遷移金属合金薄膜３を通過し、上記反
射層Ａにて反射された後上記希土類遷移金属合金薄膜３
を再び通過した光と透明基板ｌ側から入射し希土類遷移
金属合金薄膜３の表面で反射された光とが合成されるか
、この場合入射光が希土類遷移金属合金薄膜３の表面で
反射することにより生起されるカー効果と、入射光が希
土類遷移金属合金薄膜３の内部を通過することにより生
起されるファラデー効果とが合わされることにより、見
かけ上のカー回転角が増大するものである。上記構造の
磁気光学記憶素子に於ては上記ファラデー効果を如何に
してカー効果に加えるかが極めて重要になる。ファラデ
ー効果について謂えば記録媒体の層厚を厚くすれば回転
角を大きくできるが、入射レーザ光が記録奴体に吸収さ
れる為所期の目的を達成し得ない。よって上記記録媒体
の適切な層厚の値は概ねｌＯ〜５０ｎｍてあり、その値
は使用するレーザ光の波長や上記反射層の屈折率等によ
り決定される。上記反射層に対してめられる条件は上記
の説明から判るように反射率が高いことにある。言い替
えると入射レーザ光を反射層内憂こ入れないことであり
、光学的に見れば反射層（第２の透明誘電体膜十反射＠
）の等価的な屈折率がＯに近いことが必要である。
の反射層Ａとして考える。第１図に於て透明基板ｌ側か
ら入射し、希土類遷移金属合金薄膜３を通過し、上記反
射層Ａにて反射された後上記希土類遷移金属合金薄膜３
を再び通過した光と透明基板ｌ側から入射し希土類遷移
金属合金薄膜３の表面で反射された光とが合成されるか
、この場合入射光が希土類遷移金属合金薄膜３の表面で
反射することにより生起されるカー効果と、入射光が希
土類遷移金属合金薄膜３の内部を通過することにより生
起されるファラデー効果とが合わされることにより、見
かけ上のカー回転角が増大するものである。上記構造の
磁気光学記憶素子に於ては上記ファラデー効果を如何に
してカー効果に加えるかが極めて重要になる。ファラデ
ー効果について謂えば記録媒体の層厚を厚くすれば回転
角を大きくできるが、入射レーザ光が記録奴体に吸収さ
れる為所期の目的を達成し得ない。よって上記記録媒体
の適切な層厚の値は概ねｌＯ〜５０ｎｍてあり、その値
は使用するレーザ光の波長や上記反射層の屈折率等によ
り決定される。上記反射層に対してめられる条件は上記
の説明から判るように反射率が高いことにある。言い替
えると入射レーザ光を反射層内憂こ入れないことであり
、光学的に見れば反射層（第２の透明誘電体膜十反射＠
）の等価的な屈折率がＯに近いことが必要である。
この為には第２の透明誘電体膜の実数部の値が小さく且
つ虚数部の値がＯで、更に反射膜の実数部の値が小さい
ことが必要である。
つ虚数部の値がＯで、更に反射膜の実数部の値が小さい
ことが必要である。
以上の如く透明基板１と希土類遷移金属合金薄膜３との
間に介する第１の透明誘電体膜２、及び希土類遷移金属
合金薄膜３の背面の反射層への構成を付加することによ
ってカー回転角の増大の効果を得ることができる。
間に介する第１の透明誘電体膜２、及び希土類遷移金属
合金薄膜３の背面の反射層への構成を付加することによ
ってカー回転角の増大の効果を得ることができる。
しかし、上述の効果が得られる反面で、第１の透明誘電
体膜２としてＳｉＯ膜を選択し、第２の透明誘電体膜４
として５ｉ０２膜を選択した場合、希土類遷移金属合金
薄膜３か酸化されるという問題が発生した。本発明者は
この原因か上記ＳｉＯ膜及びＳｉＯ□膜の中に含有され
る酸素にあることを確認した。即ち上記ＳｉＯ膜及びＳ
ｉＯ□膜の成膜時、あるいは成膜後に内部の酸素成分が
分離等して希土類遷移金属合金薄膜３か酸化されるもの
である。しかるに希土類遷移金属合金薄膜３は酸化され
ることによって磁気記録媒体としての能力を著しく阻害
されるものであるから上記酸化の問題は極めて重大であ
る。又、上記希土類遷移金属合金薄膜３の膜厚が薄い場
合は僅かの酸化であっても影響が大きいので非常な注意
か必要である。
体膜２としてＳｉＯ膜を選択し、第２の透明誘電体膜４
として５ｉ０２膜を選択した場合、希土類遷移金属合金
薄膜３か酸化されるという問題が発生した。本発明者は
この原因か上記ＳｉＯ膜及びＳｉＯ□膜の中に含有され
る酸素にあることを確認した。即ち上記ＳｉＯ膜及びＳ
ｉＯ□膜の成膜時、あるいは成膜後に内部の酸素成分が
分離等して希土類遷移金属合金薄膜３か酸化されるもの
である。しかるに希土類遷移金属合金薄膜３は酸化され
ることによって磁気記録媒体としての能力を著しく阻害
されるものであるから上記酸化の問題は極めて重大であ
る。又、上記希土類遷移金属合金薄膜３の膜厚が薄い場
合は僅かの酸化であっても影響が大きいので非常な注意
か必要である。
〈目 的〉
本発明は以上の問題点を解消する為ｌこなされたもので
あり、磁気光学特性を充分に確保し得ると共に希土類遷
移金属合金薄膜の酸化を防止した新規な磁気光学記憶素
子を提供することを目的とするものである。
あり、磁気光学特性を充分に確保し得ると共に希土類遷
移金属合金薄膜の酸化を防止した新規な磁気光学記憶素
子を提供することを目的とするものである。
〈実施例〉
第２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の−実施例の一
部側面断面図である。同図において、１はガラス、ポリ
カーボネート、アクリル等の透明基板であり、該透明基
板１上に第１の透明誘電体膜である透明なＳｉＮ膜７（
膜厚９０ｎｍ）が形成され、該ＳｉＮ膜７上に希土類遷
移金属合金薄膜であるＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３（膜厚３
５ ｎｍ ）が形成され、該ＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３上
に第２の透明誘電体膜である透明なＡｊｌ＋Ｎ膜８（膜
厚４゜ｎｍ）が形成され、該Ａ、／！Ｎ膜８上に反射膜
であるＡ４膜９（膜厚４０ｎｍ以上）が形成されている
。
部側面断面図である。同図において、１はガラス、ポリ
カーボネート、アクリル等の透明基板であり、該透明基
板１上に第１の透明誘電体膜である透明なＳｉＮ膜７（
膜厚９０ｎｍ）が形成され、該ＳｉＮ膜７上に希土類遷
移金属合金薄膜であるＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３（膜厚３
５ ｎｍ ）が形成され、該ＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３上
に第２の透明誘電体膜である透明なＡｊｌ＋Ｎ膜８（膜
厚４゜ｎｍ）が形成され、該Ａ、／！Ｎ膜８上に反射膜
であるＡ４膜９（膜厚４０ｎｍ以上）が形成されている
。
以上の構造の磁気光学記憶素子に於て、特に注目すべき
点は第１の透明誘電膜としてＳｉＮ膜、第２の透明誘電
膜としてＡ１Ｎ膜を用いた事である。
点は第１の透明誘電膜としてＳｉＮ膜、第２の透明誘電
膜としてＡ１Ｎ膜を用いた事である。
この構造の優利な点について以下説明する。
■ ＳｉＮ及びＡｉＮは高融点の材料であり極めて安定
であり、又共に窒化物である為酸化物の膜に比較して緻
密な膜が形成できる。
であり、又共に窒化物である為酸化物の膜に比較して緻
密な膜が形成できる。
■ 第１の透明誘電体膜であるＳｉＮは屈折率が２．０
程度であり、一方第２の透明誘電体膜であるＡｉＮは屈
折率が１．９〜１．８程度であり、相対的に第１の透明
誘電体膜の屈折率を第２の透明誘電体膜の屈折率より大
きくてきる。
程度であり、一方第２の透明誘電体膜であるＡｉＮは屈
折率が１．９〜１．８程度であり、相対的に第１の透明
誘電体膜の屈折率を第２の透明誘電体膜の屈折率より大
きくてきる。
前述した如く第１の透明誘電体膜の屈折率は大きい程カ
ー回転角の増大効果か得られ、一方第２の透明誘電体膜
の屈折率は小さい程反射率を高くできる。従って上記Ｓ
’ ｉ ＮとＡｆｆｌＮの組合せは極めて都合が良い。
ー回転角の増大効果か得られ、一方第２の透明誘電体膜
の屈折率は小さい程反射率を高くできる。従って上記Ｓ
’ ｉ ＮとＡｆｆｌＮの組合せは極めて都合が良い。
尚、上記構造においてＳｉＮ膜７は９０ ｎｍをピーク
として±１０％程度の膜厚であれば良好であり、又Ａ１
Ｎ膜８は４０ｎｍをピークとした±１０チ程度の膜厚で
あれば良好である。
として±１０％程度の膜厚であれば良好であり、又Ａ１
Ｎ膜８は４０ｎｍをピークとした±１０チ程度の膜厚で
あれば良好である。
■ 上記ＳｉＮとＡｉＮはその成分として酸素を含有し
ないので希土類遷移金属合金薄膜が酸化される危険性を
極度に減少せしめ得る。
ないので希土類遷移金属合金薄膜が酸化される危険性を
極度に減少せしめ得る。
く効 果〉
であ、る。
第１図は従来の磁気光学記憶素子の一部側面断面図、第
２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の一部
側面断面図を示す。 図中 １：透明基板、２：第１の透明誘電体膜、３：希
土類遷移金属合金薄膜、 ４二第２の透明誘電体膜、５：Ｃｕ膜、６：レーザ光、
７：ＳｉＮ膜、８：Ａ４Ｎ膜、９：Ａｆｆｌ＠。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第２図
２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の一部
側面断面図を示す。 図中 １：透明基板、２：第１の透明誘電体膜、３：希
土類遷移金属合金薄膜、 ４二第２の透明誘電体膜、５：Ｃｕ膜、６：レーザ光、
７：ＳｉＮ膜、８：Ａ４Ｎ膜、９：Ａｆｆｌ＠。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １６ 透明基板上に第１の透明誘電体膜、希土類遷移金
属合金薄膜、第２の透明誘電体膜、反射膜をこの順に被
覆してなる磁気光学記憶素子において、 前記第１の透明誘電体膜及び第２の透明誘電体膜を、共
に窒化物であって、且つ前記第１の透明誘電体膜の屈折
率が前記第２の透明誘電体膜の屈折率より大である物質
にて構成したことを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17148883A JPS6063747A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 磁気光学記憶素子 |
| CA000462506A CA1224270A (en) | 1983-09-16 | 1984-09-05 | Magneto-optic memory element |
| US06/648,741 US4610912A (en) | 1983-09-16 | 1984-09-10 | Magneto-optic memory element |
| DE8484306341T DE3481878D1 (de) | 1983-09-16 | 1984-09-17 | Magnetooptisches speicherelement. |
| EP84306341A EP0139474B1 (en) | 1983-09-16 | 1984-09-17 | Magneto-optic memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17148883A JPS6063747A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063747A true JPS6063747A (ja) | 1985-04-12 |
| JPH039546B2 JPH039546B2 (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15924023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17148883A Granted JPS6063747A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063747A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226452A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH038151A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の作製方法 |
| JPH0329135A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH03252939A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | Sharp Corp | 光磁気ディスク |
| JPH04205742A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS586541A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP17148883A patent/JPS6063747A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS586541A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226452A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH038151A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の作製方法 |
| JPH0329135A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH03252939A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | Sharp Corp | 光磁気ディスク |
| JPH04205742A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH039546B2 (ja) | 1991-02-08 |
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