JPH0329135A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、光磁気記録媒体に関し、特に偏光の楕円化が
少なく、即ち位相差が小さくもってドライブによるＣ／
Ｎのばらつきが少ない光磁気記録媒体に間するものであ
る。

［従来技術及びその問題点コ 近年、光磁気記録媒体は、レーザー光による読み出し可
能な媒体として大容量データファイル等に広く利用され
ている。

光磁気記録媒体は、ポリカーボネート等の樹脂、ガラス
等の透明な基板上にスバツタ法等の真空成膜法により誘
電体保護層や記録層よりなる光磁気記録層の１膜が形成
された形態であるのが一般的である。

そして前記記録層としては、Ｔｂ，Ｎｄ，　Ｄｙ、ｃｄ
等の希土類金属とＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属との非品質合
金の薄膜が主に使用されている。

さらに、前記記録層を保護しかつその特性を高めるため
に、誘電体保護層の薄膜が通＄設けられる。

光磁気記録層の感度及びＣ／Ｎを良好なものとするため
に、前記光＠気記録層の構成として、基板側より読み出
しを行う場合、第１誘電体保！ＬＩｊ層、記録層及び第
２誘電体保護層をこの順で成膜して、第１誘電体保ｆｆ
Ｆｆでの光の繰り返し干渉を利用してカー回転角をエン
ハンスするようないわゆる３層構造の光磁気記録層が使
用されている。

また、ビット形状を改良しざらにＣ／Ｎを高めるために
、前記３層構造の光磁気記録層の最上層に金属反駒屡の
１膜を設けた４層構造の薄膜である反射膜構造の光磁気
記録媒体が、特開昭５５−８７３３２号公報、特開昭５
７−　１　２０２５３号公報等に開示されている。

一方、力一効果によって偏光面の回転（力一回転角）が
生ずると共に、一般的に楕円化が起こる。

これは、光が光ｆｉ１気記録媒体で反射する際に位相差
Φが生ずるためである。

位相差が生ずるとキャリャー出力が低下し、Ｃ／Ｎが低
下するという問題を引き起こす。

位相差は、光磁気記録媒体で光が反躬する場合は勿論の
ことドライブのピックアップ光学系においても生ずる。

すなわち、ビックアップには光磁気記録媒体からの反射
光を導く４５度ミラー　ビームスブリッター等の反射光
学系を有しており、この反射面は、通常誘電体の多層膜
からなり位相差を生ずる要因となっている。

さらに問題なのは、前記ピックアップ光学系の位相差δ
の個体差が大きく同じ光＠気記録媒体を使用してもドラ
イブによって得られるＣ／Ｎが異なり、ばらつくという
問題があった。

そして、光磁気記録媒体の位相差Φが大きいほど前記の
ドライブによるＣ／Ｎのばらつきは大きかった。

すなわち、ピックアップの光学系位相差δは一般にＯ度
を中心に振れているが、光磁気記録媒体の位相差ΦがＯ
度に近ければ近いほどピックアップ光学系の個体差の影
響を受けにくくなる。

従って、光磁気記録媒体に起因する位相差Φを小さくす
ることは、ドライブによってＣ／Ｎがばらつくという問
題を軽減させる上で重要な課題である。

しかしながら、そのための有効な手段はいまだ提案され
ていない。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、従来技術の問題点に鑑みなされたものであり
、ドライブによってＣ／Ｎがばらつくという問題が軽減
された光磁気記録媒体を提供することを目的としている
。

さらに、感度が良好でかつ性能指数が大きい、すなわち
高いＣ／Ｎが得られさらに耐久性の優れた光磁気記録媒
体を提供することも目的としている。

［問題点を解決する手段］ 本発明の前記目的は、基板上に、第１誘電体保護層、記
録層、第２誘電体保護層及び金属反飼屠がこの順で成膜
された光磁気記録層を有する光磁気記録媒体において、
前記第１誘電体保護層の膜厚が９５０乃至１３００Å）
前記記録層の膜厚が２００乃至ａｏｏÅ）前記第２誘電
体保護層の膜厚が１００乃至５００Å及び前記金属反射
層の膜厚が２００乃至８００人であることを特徴とする
光８１気記録媒体により達成される。

本発明の光′８１気記録媒体においては、その光磁気記
録層が、第１誘電体保ｉ！層、記録層、第２誘電体保護
層及び金属反射層の４Ｎ構成であり、かつ各層の膜厚を
特定の範囲とすることにより、反射光の偏光面の回転に
よる位相差がその絶対値で１５度以下と小さくするする
ことができるので、偏光の楕円化が起こりにくく、キャ
リャー出力の低下が防止できる。

そのために、ドライブの個体差による影響を受けにくく
ドライブによろＣ／Ｎのばらつきが小さくなっている。

さらに、光磁気記録層を構成する各層の膜厚を前記の特
定範囲とすること、特に、前記第１誘電体保護層の膜厚
を９５０乃至１３００Ａに設定することにより、前記の
特徴に加え高いＣ／Ｎが得られ、同時に高温高湿度下に
おかれてもＢＥＲ　（ピットエラーレート）等の増加が
あまりなく、耐久性が優れた光磁気記録媒体となってい
る。

一般に、光磁気記録屠からの反射光はカー効果により、
偏光面の回転と楕円化が発生している。

入射光方向の偏光面を持つ成分の振幅反Ｉｔ率をｒＮ、
それに直交する成分のＳ幅反劇率をｒｙとすると ｒｘ＝ｌｒ＾　ｒｅｘｐ＜ｉφκ） ｒｙ　＝　Ｉ　ｒｙ　Ｉ　ｅｘｐ　（ｉΦｙ）とあらわ
すことができる。

ここで、反射光の位相差をφとすると Φ＝Φｙ一ΦＸとなり、 また、ｔａｎａ＝Ｉ　ｒｘ　　ｌ／ｌ　ｒｙ　　ｌとす
ると、力一回転角（θｋ）、力一楕円率（ηｋ）は、ｊ
ａｎ（２θｋ）＝ｔａｎ　（２ａ）ｃｏｓ　（Φ）ｊａ
ｎ　（２ηｋ）＝ｔａｎ　（２ａ）ｓ　ｉｎ　（Φ）と
表すことができる。

従って、光磁気記録媒体の位相差Φの増加は、カー回転
角を減少させることになる。

一方、光磁気記録媒体用のピックアップは、一般に光磁
気記録媒体からの反射光を導く光路中、に４５度ミラー
　ビームスプリッターのような反射光学系を持っている
。これらの反射面は、Ｐ偏光及びＳ偏光（前記光磁気記
録媒体からの反射光のＸ及びｙ方向の偏光に当たる。）
の間に位相差δを生じさせる。すると最終的に受光され
る光のカー回転角ｅ及びカー楕円串Ｈは、 ｔａｎ２ｅ＝ｔａｎ　（２α）ｃｏｓ　（φ一δ）ｔａ
ｎ２Ｈ＝ｔａｎ　（２ａ）ｓ　ｉ　ｎ　（Φ一δ）と表
すことができる。

ピックアップ光学系の位相差δによるＣ／Ｎの変化のグ
ラフを示した第１図において、位相差δの異なるビック
アップＡ，Ｂ，Ｃに対して位相差Φが殆どＯてある光磁
気記録媒体ａについては、Ｃ／Ｎの低下は微量でありか
つビックアップ間におけるＣ／Ｎの差は小さい。しかし
、位相差φが大きな光磁気記録媒体ｂでは、ピックアッ
プＣにおいてはΦとδが相殺するのでＣ／Ｎの低下は殆
どないが、ピックアップＢでは、Φとδが加算されてＣ
／Ｎの低下が大きくなっている。

結局、通常、ピックアップの光学系位相差δは０度を中
心に振れるので、光８１気記録媒体の位相差Φも０度近
くに置けばピックアップの個体差の影Ｖ！を受けにくく
なる。

本発明の光磁気記録媒体には、光磁気記録層の位相差を
少なくすることにより、ドライブによるＣ／Ｎのばらつ
きが小さくなっている。

本発明の光磁気記録媒体に於いては、前記第１誘電体保
護層の膜厚を９５０乃至１ａｏｏｉの範囲に特定するこ
とにより、前記光磁気記録層の反射光の位相差の膜厚の
変化に対する変動を小さくすることができ、特性を安定
化させ、かつ高Ｃ／Ｎと高耐久性とが両立できる膜厚構
成となっている。

すなわち、本発明の光磁気記録媒体では、第１誘電体保
護層が前記の比較的厚い領域にあると、Ｃ／Ｎが安定す
るだけでなく、その値も大きくすることができる。これ
は、他の層の膜厚構成と組み合わせたときに光学的に最
もエンハンスメント効果が効き易い膜厚設計になってい
るためと推定される。

また同時に、第１誘電体保護層が厚いために基板を通し
て侵入してくる水分、オリゴマー、基板の加水分解物等
の影響が緩和されて、その結果、高酎久性が実現されて
いるためと考えられる。

本発明の光磁気記録媒体は、ガラスもしくはポリカーボ
ネート等の透明樹脂基板上に、スバッタ法等の真空成膜
法により第１誘電体保護層、記録層、第２誘電体保護層
及び金属反射層の薄膜を順次この順で成膜した４Ｎ構成
の光磁気記録層を形成する。

前記記録層の膜厚は、２００乃至３００Ａである。

前記膜厚があまり小さいと、耐久性が低下し特に、高温
高湿度下での性能劣化が著しくなる。また前記膜厚が余
り大きくなるとカー回転角の減少と反１１率の増大が顕
著となって、記録層の性能指数としては最良の範囲を逸
脱するようになる。

前記第２誘電体保護層の膜厚は、１００乃至５００Åで
ある。

前記膜厚が小さすぎると感度が低下し、また前記膜厚が
大きすぎると、位相差Φの絶対値が大きくなって１５度
以上にもなって本発明の目的が達成できなくなる。

本発明の光磁気記録媒体の前記金属反射層の薄膜の素材
としては、反射率の面から、Ａ１やＡｕ（金）が望まし
く、さらにコストを考慮すると、Ａｌの単体もしくはそ
の合金が望ましい。さらに、光磁気記録層の耐候性を高
めるためには、Ａ１とＴａやＴｉとの合金であることが
望ましい。

前記金属反射層の膜厚は、２００乃至８００Å）好まし
くは２５０乃至４６０Ａである。

前記膜厚が小さ過ぎると、位相差Φの絶対値が大きくな
り、また大きすぎると熱容量が大きくなって、感度が低
下したり、材料コストの上昇・製造工程時間の増大を招
くので好ましくない。

以上のように、本発明の光磁気記録媒体においては、４
層構成の光磁気記録層を構成する各層の膜厚を特定の範
囲にして組み合わせることにより、光磁気記録層からの
反射光の位相差を小さくしてドライブによるＣ／Ｎのば
らつきを抑え、かつ嗣久性が優れていて、さらに感度が
良好でかつ高Ｃ／Ｎとすることができる。

本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録層の前記記録層と
しては各種の酸化物及び金属の磁性体の３膜が使用でき
る。例えば、ＭｎＢ　ｉ　，　ＭｎＡ　ＩＧｅ，ＭｎＣ
ｕＢｉ等の結晶性材料、Ｇｄ　ＩＧ，ＢｉＳｒｎＥｒＧ
ａＩＧ，ＢｉＳｍＹｂＣｏＧｅｌＧ，等の単結晶材料、
さらに、ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，Ｇ
ｄＦｅＢｉ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣ
ｏ，ＴｂＦｅＮｉ等の非晶質材料を用いた蕩膜である。

中でも感度、Ｃ　／　Ｎ等の点で希土類金属、遷移金属
を主体とする記録層が好ましく、特に耐候性も良好であ
ることからＴｂＦｅＣｏＣｒの非晶質合金が最も好まし
い。

前記記録層に隣接させてその上下に前記第１誘電体保護
層及び前記第２誘電体保護層の薄膜が設けられる。前記
基板の直上には前記−記録層に対しカーエンハンス効果
がある第１誘電体保護層を設け、その上に設けた前記記
録層の上に更に記録層の保護層として第２誘電体保護層
を形成する。

本発明で用いることができる前記第１誘電体保護層及び
第２誘電体保護層用の材料としては、例えばＳ　ｉｏｘ
，Ｓ　ｉＮｘ　．ＡｌＮｘ及びＺｎＳ等の酸化物、窒化
物及び硫化物等の誘電体が使用できろ。中でも光学的特
性、保護機能の面から、Ｓｉの窒化物、Ａｌの窒化物も
しくはその混合物が最も好ましい。

また、前記第１誘電体保護層及び前記第２誘電体保謹層
の屈折率は、２．０乃至２．３であることが望ましい。

以上の光磁気記録層を構成する各層の薄膜は、スパッタ
法、イオンブレーティング法、真空煎着法等の真空成膜
法によって形成される。中でも、スパッタ法が最も良く
、マグネトロンスパッタ法等が採用される。

本発明の光磁気記録媒体の前記基板の材質としては、ポ
リカーボネート、ポリメチルメタクリレート、エボキシ
、ガラス等であるが、本発明の光記録媒体の特徴が最も
効果的に現れるのがポリカーボネート、ポリメチルメタ
クリレート、エボキシ等の樹脂基板である。

前記樹脂基板の中でもポリカーボネート基板は、吸水率
が小さく、ガラス転移点が高い等の利点を有し、本発明
の光記録媒体においても使用することが好ましい。

本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録層の上面及び側面
を、紫外線硬化樹脂等よりなる有機樹脂保護層で覆うこ
ともできる。

また、ホットメルト樹脂などの接着剤層を介して前記基
板の光磁気記録層のない面を外側に向けて貼り合わせて
、両面記録型光磁気記録媒体とすることもてきる。

［発明の効果コ 本発明の光磁気記録媒体においては、基板上に設けられ
た光磁気記録層を、第１誘電体保護層、記録層、第２誘
電体保護層及び金属反射層がこの順で成膜された４ｒｗ
！構成とし、かつ各層の膜厚を、第１誘電体保ｔｕｔｉ
が９５０乃至１３００Ａ，記録層が２００乃至ａｏｏÅ
）第２誘電体保護層が１００乃至５００Å及び金属反射
層が２００乃至８００Ａの範囲に特定することによって
、反射光の位相差を小さく、その偏光面の楕円化を防止
してドライブによるＣ／Ｎのばらつきを抑えることがで
きかつ耐久性も良好であって、また高感度でかつ高Ｃ／
Ｎとすることができる。

本発明の光磁気記録媒体の新規な効果を以下の実施例及
び比較例によりなお一層明確にする。

［実施例−１］ 射出成形により片面に案内溝が設けられた径１３０ｍｍ
，厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板の前記案内溝
がある面に、以下の手順で光磁気記録層を形成した。

前記基板をスパッタ装置の回転基板ホルダー上にセット
して、前記スパッタ装置の成膜室をアルゴンガス圧１ｎ
〕ｍＴｏｒｒの雰囲ヌにして、夕一ゲットに１．ＯｋＷ
のＲＦ電力を投入して、マグネトロンスパッタ法により
、第１誘電体保護層として９５０ＡのＳｉＮｘの薄膜を
、その上に光磁気記録層として２５０ＡのＴ　ｂ　２１
Ｆ　ｅ　６０Ｃ　ｏ　１：３Ｃｒ６の薄膜を、さらにそ
の上に第２誘電体保護層として３５０ＡのＳ　ｉ　Ｎ　
ｘの薄膜を、最後にＴｉが２原子％であるＡｌＴｉ合金
の薄膜を金属反射層として３５０Ａの厚さで成膜し・て
光磁気記録層を形成した。

次いで、紫外線硬化樹脂の塗布液を、前記光磁気記録層
の上面及び側面に、スピンコート法により３０００ｒｐ
ｍ、２０秒の条件で塗布して、照射強度１００ｒｎＷ／
ｃｍ　　の紫外線を１分間照射して硬化を行い、１０μ
ｍの厚さの有機樹脂保護層を形成した．前記紫外線硬化
樹脂としては、大日本インキ（株）製＃ＳＤ−１７を使
用した。

以上の条件で作成した光８１％記録媒体の試料を２枚作
成して、前記基板の光磁気記録層のない面を外側に向け
、前記有機樹脂保護層の上に１３０℃に溶融しｋ束亜合
成化学（株）製ホットメルト接着剤＃ＸＷ−　１　３を
ロールコーターを用いてｌＯμｍの厚さに塗布した後、
加圧接着して両面記録型の光磁気記録媒体の試料を得た
。

［実施例−２］ 第１誘電体保ｔＩＮの膜厚なＩＩＯＯＡとした以外は、
実施例−１と同一の条件で両面記録型の光８１気記録媒
体の試料を得た。

［実施例−３］ 第１誘電体保護層の膜厚を１３００人とした以外は、実
施例−ｌと同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の
試料を得た。

［比較例−１］ 第１誘電体保ｖｉ層の膜厚を８５０人とした以外は、実
施例−１と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の
試料を得た。

［比較例−２コ 第１誘電体保護層の膜厚を１４００Ａとした以外は、実
施例−１と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の
試料を得た。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、以下の測定条件で、反剥光の偏光の楕円化を示す位
相差φ、感度、Ｃ／Ｎ及びＢＥＲ変化率を評価した。

位相差Φ：　第２図に要部を示した測定系において、半
導体レーザー１からの出射光をコリメートレンズ２によ
り光磁気記録媒体３上に収束させた。

（このとき、前記光磁気記録媒体３からの反躬光４はカ
ー効果により偏光面の回転及び楕円化を起こし・ている
。この楕円化は入射光偏光面とそれに直交する面とに分
解された振幅成分ｒｘ，ｒｙの位相差により発生する。

）前記反射光４の光路にバビネソレイユ補償板５進相軸
方向Ｘまｋはｙ軸のに合わせて置き、ｒｘｒｒｙ間の位
相量を補償した．そして、消光交位に設定した検光子６
を通過する光量が最小となるようにして前記バビネソレ
イユ補償板５を通過した光を直線偏光にして前記光磁気
記録媒体３て発生する位相量を補償した。その補償量を
計測して光磁気記録媒体の位相差Φの測定値とした。

使用したレーザー光は、波長が７　８　０　ｎ　ｍのも
のを使用した。

感度　：　光磁気記録ドライブの回転数を１８００　ｒ
　ｐ　ｒｎとし、キャリャー周波数３．７ＭＨｚで記録
したときにＣ／Ｎの立ち上がる書き込みパワーの測定値
（Ｐｔｈ）をもって感度とした。

Ｃ／Ｎ　　：　　波長７８０ｎｍのレーザー光を使用し
、ドライブの回転数が１８００ｒｐｒｎではキャリャ一
周波ｒ′１３．７１ＭＨｚとして測定した。なお、ドラ
イブの光学系ビックアップの位相差はＯとなるように￥
Ａ整した。

ＢＥＲ変比率　：　８０℃、９０％ＲＨの条件に設定さ
れた恒温恒湿槽中に１　５００時間保存した前後におけ
るＢＥＲを測定して、保存前に対する保存後のその倍率
をもってＢＥＲ変比率とした。

測定結果を第１表に示す。

第１表 第１表に示した結果から、第１誘電体保護層の厚さを９
５０乃至１３００Ａの範囲に特定することにより位相差
Φが小さく、Ｃ／Ｎも比較的良好な値であって、またＢ
ＥＲ変比率も小さく嗣久性も優れていることが分かった
。

［実施例−４］ 前記記録層の膜厚を２００Ａとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光８１気記録媒体の試料を
作成した。

［実施例−５］ 前記記録層の膜厚を２５０Ａとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

［実施例−６］ 前記記録層の膜厚を３ｏｏｉとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

［比較例−３］ 前記記録層の膜厚な１５０Ａとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光８１気記録媒体の試料を
作成した。

［比較例−４］ 前記記録層の膜厚を３５０Ａとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第２表である。

なお、各記録層のカー回転角（θｋ）と反射率Ｒをそれ
ぞれ測定してその積をもって性能指数とした。

第２表 記録層の厚さが小さくなり本発明の光磁ス記録媒体の範
囲をはずれると耐久性が劣化してＢＥＲ変化率が大きく
なることが分かった。

また、記録層の厚さが大きくなり過ぎても位相差Φが大
きくなって本発明の目的を達成できないことが分かった
。

［実施例−７コ 前記第２誘電体保護層の膜厚を１ｏｏ，Ｌとした以外は
、実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒
体の試料を作成した。

［実施例−８］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を３５０Ａとした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁ス記録媒体
の試料を作成した。

［実施例−９１ 前記第２誘電体保護層の膜厚を６０ＯＡとした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作成した。

［比較例−５］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を８０Ａとした以外は、実
施例−２と同一の条件で両面記録型の光８１気記録媒体
の試料を作成した。

［比較例−６コ 以外は、実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気
記録媒体の試料を作成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第３表である。

第３表 ［実施例−１０コ 前記金属反劃層の膜厚を２００Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光８１気記録媒体の試
料を作成した。

［実施例−１１］ 前記金属反射層の膜厚を２５０Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［実施例−１２］ 前記金属反射層の膜厚を３５０Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［実施例−１３コ 前記金属反射層の膜厚を４５ＯＡとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［実施例−１４］ 前記金属反射層の膜厚を８０ＯＡとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［比較例−７］ 前記金属反射層の膜厚を１５ＯＡとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［比較例−８コ 前記金属反射層の膜厚を９０ＯＡとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

以上のようにして得られた光８ｉ気記録媒体の試料につ
いて、各特性を測定した結果が第４表である。

第４表 ［実施例−１５コ 前記第２誘電体保護層の膜厚をＩＯＯＡとし、前記金属
反射層の組成をＴａが５原子％のＡｌ−は、実施例−２
と同一の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

［実施例一ｌ６コ 前記第２誘電体保護層の膜厚を３５ＯＡとし、前記金属
反射層の組成をＴａが５原子％のＡｌ−Ｔａ合金を用い
、その膜厚を４０ＯＡとした以外は、実施例−２と同一
の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

［実施例−１７コ 前記第２誘電体保護層の膜厚を３５０Ａとし、前記金属
反射層の組成をＴａが５原子％のＡｌ−Ｔａ合金を用い
、その膜厚を４００Ａとした以外は、実施例−２と同一
の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

［比較例−９］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を８０入とし、前記金属反
射層の膜厚を４００Ａとした以外は、実施例−２と同一
の条件で光８１気記録媒体の試料を作成した。

［比較例−１０］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を６５０Ａとし、前記金属
反射層の膜摩をｑｏｏＡとした以外は、実施例−２と同
一の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第５表である。

ｖ．５表

【図面の簡単な説明】

第１図は、ピックアップ光学系の位相差δによる光磁気
記録媒体のＣ／Ｎの低下量を示すグラフ。 第２図は、光磁気記録媒体に起因する位相差Φの測定系
の要部を示した概格図。 １　・・・　半導体レーザー ２　・・・　コリメートレンズ ３　・・・　光磁気記録媒体 光磁気記録媒体からの反射光 バビネソレイユ補償板 検光子 第１図 Ｃ／Ｎｎイ氏下量 ｌ Ｔ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、第１誘電体保護層、記録層、第２誘電
   体保護層及び金属反射層がこの順で成膜された光磁気記
   録層を有する光磁気記録媒体において、前記第１誘電体
   保護層の膜厚が９５０乃至１３００Å）前記記録層の膜
   厚が２００乃至３００Å、前記第２誘電体保護層の膜厚
   が１００乃至５００Å及び前記金属反射層の膜厚が２０
   ０乃至８００Åであることを特徴とする光磁気記録媒体
   。
2. （２）前記金属反射層がＡｌ（アルミニウム）の合金の
   薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. （３）前記金属反射層が、Ｔａ（タンタル）及び／また
   はＴｉ（チタン）を含有するＡｌの合金の薄膜である請
   求項１記載の光磁気記録媒体。
4. （４）前記記録層が、希土類金属及び遷移金属よりなる
   非晶質合金の薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体
   。
5. （５）前記記録層が、ＴｂＦｅＣｏＣｒの非晶質合金の
   薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体。
6. （６）前記第１誘電体保護層及び前記第２誘電体保護層
   が、Ｓｉの窒化物、Ａｌの窒化物又はそれらの混合物で
   ある請求項１記載の光磁気記録媒体。
7. （７）前記金属反射層の膜厚が、２５０乃至４５０Åで
   ある請求項１、請求項２及び請求項３記載の光磁気記録
   媒体。