JPH03102664A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体に関し、特に偏光の楕円化が
少なく、即ち位相差が小さくもってドライブによるＣ／
Ｎのばらつきが少ない光磁気記録媒体に関するものであ
る。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、光磁気記録媒体は、レーザー光による読み出し可
能な媒体として大容量データファイル等に広く利用され
ている。

光磁気記録媒体は、ポリカーボネート等の樹脂、ガラス
等の透明な基板上にスバッタ法等の真空成膜法により誘
電体保護層や記録層よりなる光磁気記録層の薄膜が形成
された形態であるのが一般的である。

そして、前記記録層としては、Ｔｂ１Ｎｄ，Ｄｙ，Ｇａ
等の希土類金属とＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属等を主体とす
る非品質合金の薄膜が使用されている。

さらに、前記記録層を保護しかつその特性を高めるため
に、誘電体保護層の薄膜が通常設けられる。

光磁気記録層の感度及びＣ／Ｎを良好なものとするため
に、前記光磁気記録層の構成として、基板側より読み出
しを行う場合、第ｌ誘電体保護層、記録層及び第２誘電
体保護層をこの順で威膜して、第１誘電体保護層での光
の繰り返し干渉を利用してカー回転角をエンハンスする
ようないわゆる３層構造の光磁気記録層が使用されてい
る。

また、ビット形状を改良しさらにＣ／Ｎを高めるために
、前記３層構造の光磁気記録層の最上層に金属反射層の
薄膜を設けた４層構造の薄膜とする等反射膜構造の光磁
気記録媒体が、特開昭５５−８７３３２号公報、特開昭
５７−１２０２５３号公報等に開示されている。

一方、力一効果によって偏光面の回転（力一回転角）が
生ずると共に、一般的に楕円化が起こる。

これは、光が光磁気記録媒体で反射する場合に位相差Φ
が生ずるためである。

位相差が生ずるとキャリャー出力が低下し、Ｃ／Ｎが低
下するという問題を引き起こす。

位相差は、光磁気記録媒体で光が反射する場合は勿論の
ことドライブとピックアップ光学系においても生ずる。

すなわち、ビックアップには光磁気記録媒体からの反射
光を導く４５度ミラー、ビームスプリッター等の反射光
学系を有しており、この反射面は、通常誘電体の多層膜
からなり位相差を生ずる要因となっている。

さらに問題なのは、前記ビックアップ光学系の位相差δ
の個体差が大きく同じ光磁気記録媒体を使用してもドラ
イブによって得られるＣ／Ｎが異なり、ばらつくという
問題があった。

そして、光磁気記録媒体の位相差Φが大きいほど前記の
ドライブによるＣ／Ｎのばらつきは大きかった。

すなわち、ビックアップの光学系位相差δは一般に０度
を中心に振れているが、光磁気記録媒体の位相差Φが０
度に近ければ近いほどピックアップ光学系の個体差の影
響を受けにくくなる。

従って、光磁気記録媒体に起因する位相差Φを小さくす
ることは、ドライブによってＣ／Ｎがばらつくという問
題を軽減させる上で重要な課題である。

しかしながら、そのための有効な手段はいまだ提案され
ていない。

また、ドライブ差をなくして安定にＣ／Ｎを得るために
、光磁気記録層の反射率を高めて、ＲＦ出力信号を大き
くして、ドライブ・ノイズの影響を受け憎くすることが
有効であるが、前記の位相差を小さくすることと両立さ
せることは難しかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、従来技術の問題点に鑑みなされたものであり
、ドライブによってＣ／Ｎがばらつく問題が軽減された
光磁気記録媒体を提供することを目的としている。

さらに、反射率が大きく感度の高い光磁気記録媒体を提
供することをも目的としている。

また、別の目的としては、製造安定性の優れた光磁気記
録媒体を提供することである。

〔問題点を解決する手段〕

本発明の前記目的は、基板上に、第１誘電体保護層、記
録層、第２誘電体保護層及び金属反射層がこの順で戊膜
された光磁気記録層を有する光磁気記録媒体において、
前記第！誘電体保護層の膜厚が３５０乃至６５０Å、前
記記録層の膜厚が２５０乃至３５０Ａ，前記第２誘電体
保護層の膜厚が１００乃至４００人及び前記金属反射層
の膜厚が２００乃至８００人であることを特徴とする光
磁気記録媒体により達成される。

本発明の光磁気記録媒体においては、その光磁気記録層
が、第１誘電体保護層、記録層、第２誘電体保護層及び
金属反射層の４層構或であり、かつ各層の膜厚を特定の
範囲とすることにより、反射光の偏光面の回転による位
相差がその絶対値で１５度以下と小さくすることができ
るので、偏光の楕円化が起こりにくく、キャリャー出力
の低下が防止できる。

そのために、ドライブの個体差による影響を受けにくく
ドライブによるＣ／Ｈのばらつきが小さくなっている。

さらに、光磁気記録層を構成する４層の各膜厚を特定範
囲で組み合わせた結果、感度も良好になりいる。

更にまた、本発明の範囲では特に位相差に影響を与える
第一誘電体層の厚さの変化に対して位相差が極値になっ
ており、その変動が少ない。その結果、製造安定性も高
くなっている。

一般に、光磁気記録層からの反射光はカー効果により、
偏光面の回転と楕円化が発生している。

入射光方向の偏光面を持つ成分の振幅反射率をｒｘ１そ
れに直交する成分の振幅反射率をｒｙとすると ｒｘ＝　ｌ　ｒｘ　Ｉ　ｅｘｐ　　（ｉΦＸ）ｒｙ＝　
ｌ　ｒｙ　ｌ　ｅｘｐ　（ｉΦｙ）とあらわすことがで
きる。

ここで、反射光の位相差をΦとすると Φ＝Φｙ一ΦＸとなり、 また、ｔａｎα＝ｌｒｘｌ／Ｉｒｙｌとすると、カー回
転角（θｋ）、力一楕円率（ηｋ）は、ｔａｎ（２０ｋ
）＝ｔａｎ　（２ａ）ｃｏｓ　（φ）ｊａｎ　（２ηｋ
）＝ｔａｎ　（２ａ）ｓ　ｉｎ　（φ）と表すことがで
きる。

従って、光磁気記録媒体の位相差Φの増加は、カー回転
角を減少させることになる。

一方、光磁気記録媒体用のビックアップは、一般に光磁
気記録媒体からの反射光を導く光路中に４５度ミラー、
ビームスプリッターのような反射光学系を持っている。

これらの反射面は、Ｐ偏光及びＳ偏光（前記光磁気記録
媒体からの反射光のＸ及びｙ方向の偏光に当たる。）の
間に位相差δを生じさせる。すると最終的に受光される
光のカ一回転角ｅ及びカー楕円率Ｈは、 ｊａｎＨ３＝ｊａｎ　　（２（！）ｃｏｓ　　（Φ−δ
）ｔａｎ２Ｈ＝ｔａｎ　　（２α）ｓ　ｉｎ　　（Φ一
δ）と表すことができる。

ピックアップ光学系の位相差δによるＣ／Ｎの変化のグ
ラフを示した第１図において、位相差δの異なるビック
アップＡ，Ｂ，Ｃに対して位相差Φが殆どＯである光磁
気記録媒体ａについては、Ｃ／Ｎの低下は微量でありか
つピックアップ間におけるＣ／Ｎの差は小さい。しかし
、位相麺Φが大きな光磁気記録媒体ｂでは、ピックアッ
プＣにおいてはΦとδが相殺するのでＣ／Ｎの低下は殆
どないが、ビックアップＢでは、Φとδが加算されてＣ
／Ｎの低下が大きくなっている。

結局、通常、ビックアップの光学系位相差δは０度を中
心に振れるので、光磁気記録媒体の位相差Φも０度近く
に置けばビックアップの個体差の影響を受けにくくなる
。

本発明の光磁気記録媒体には、光磁気記録層の位相差を
少なくすることにより、ドライブによるＣ／Ｎのばらつ
きが小さくなっている。

本発明の光磁気記録媒体に於いては、前記第１誘電体保
護層の膜厚を３５０乃至６５０人の範囲に特定すること
により、前記光磁気記録層の反射光の位相差の膜厚の変
化に対する変動を小さくすることができ、特性を安定化
させ、延いては製造安定性を高めている。

さらに、本発明の光磁気記録媒体においては、記録層及
び第２誘電体保護層の膜厚の適切に選択することにより
、反射率が高くなり、そのためＲＦ出力信号を大きくす
ることが出来るので個々のドライブ差によるドライブ・
ノイズの影響を受けにくく安定して高いＣ／Ｎを得られ
ると同時に、トラッキング、フォーカシングも極めて安
定であり、ドライブ適正が高い。

本発明の光磁気記録媒体は、ガラスやポリカーポネート
等の透明樹脂基板上に、スパッタ法等の真空或膜法によ
り第ｌ誘電体保護層、記録層、第２誘電体保護層及び金
属反射層の薄膜を順次この順で或膜した４層構或の光磁
気記録層を形成する，前記記録層の膜厚は、２５０乃至
３５０人であ前記記録層の膜厚が、余り厚くなると位相
差の増大による性能の劣化が大きくなり、また、余り薄
くなると反射率の減少が著しくなり好ましくない。

前記第２誘電体保護層の膜厚は、１５０乃至４５０人で
ある。

膜厚が小さすぎると、感度が著しく低下し、また膜厚が
大きすぎると、反射率が低下すると同時に、位相差が、
絶対値で１５度を越えるようになり好ましくない。

本発明の光磁気記録媒体の前記金属反射層の薄膜の素材
としては、反射率の面から、ＡｌやＡｕ（金）が望まし
く、さらにコストを考慮すると、Ａｌの単体もしくはそ
の合金が望ましい。さらに、光磁気記録層の耐候性を高
めるためには、ＡｌとＴａやＴｉとの合金であることが
望ましい。

前記金属反射層の膜厚は、２００乃至８００人であるこ
とが望ましい。膜厚がこの範囲であると感度の膜厚依存
性を小さくすることができ、製造安定性を高めることが
出来る。

前記金属反射層の膜厚として更に望ましくは、２５０乃
至４５０人である。

本発明の光磁気記録媒体においては、４層構成の光磁気
記録層を構成する各層の膜厚を特定の範囲にして組み合
わせることにより、光磁気記録層からの反射光の位相差
を小さくしてドライブによるＣ／Ｎのばらつきを抑え、
感度を高くでき、また製造安定性を高めることができる
。

本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録層の前記記録層と
しては各種の酸化物及び金属の磁性体の薄膜が使用でき
る。例えば、ＭｎＢｉ，ＭｎＡｌＧｅ，ＭｎＣｕＢ　ｉ
等の結晶性材料、ＧｄｌＧ、ＢｉＳｍＥｒＧａｌＧ，Ｂ
ｉＳｍＹｂＣｏＧｅｒＧ１等の単結晶材料、さらに、Ｇ
ｄＣｏ，ＧｄＦｅＳＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，ＧｄＦｅＢｉ
，ＧｄＴｂＦｅ．ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦ
ｅＮｉ等の非晶質材料を用いた薄膜である。中でも感度
、Ｃ／Ｎ等の点で希土類金属、遷移金属を主体とする記
録層が好ましく、特に耐候性も良好であることからＴｂ
ＦｅＣｏＣｒの非晶質合金が最も好ましい。

前記記録層に隣接させてその上下に前記第１誘電体保護
層及び前記第２誘電体保護層の薄膜が設けられる。前記
基板の直上には前記記録層に対しカーエンハンス効果が
ある第ｌ誘電体保護層を設け、その上に設けた前記記録
層の上に更に記録層の保護層として第２誘電体保護層を
形成する。

本発明で用いることができる前記第１誘電体保護層及び
第２誘電体保護層用の材料としては、例えばＳｉｏｘ，
ＳｉＮｘ，ＡｌＮｘ及びＺｎＳ等の酸化物、窒化物及び
硫化物等の誘電体が使用できる。中でも光学的特性、保
護機能の面から、Ｓｉの窒化物、Ａｌの窒化物もしくは
その混合物が最も好ましい。

また、前記第１誘電体保護層及び前記第２誘電体保護層
の屈折率は、２，０乃至２．３であることが望ましい。

以上の光磁気記録層を構成する各層の薄膜は、スバッタ
峡、イオンプレーティング法、真空蒸着法等の真空成膜
法によって形成される。中でも、スバッタ法が最も良く
、マグネトロンスパッタ法等が採用される。

本発明の光磁気記録媒体の前記基板の材質としては、ポ
リカーボネート、ポリメチルメタクリレート、エポキシ
、ガラス等であるが、本発明の光記録媒体の特徴が最も
効果的に現れるのがポリヵーポネート、ポリメチルメタ
クリレート、エポキシ等の樹脂基板である。

前記樹脂基板の中でもポリカーボネート基板は、吸水率
が小さく、ガラス転移点が高い等の利点を有し、本発明
の光記録媒体においても使用することが好ましい。

本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録層の上面及び側面
を、紫外線硬化樹脂等よりなる有機樹脂保護層で覆うこ
ともできる。

また、ホットメルト樹脂などの接着剤層を介して前記基
板の光磁気記録層のない面を外側に向けて貼り合わせて
、両面記録型光磁気記録媒体とすることもできる。

〔発明の効果〕

本発明の光磁気記録媒体においては、基板上に設けられ
た光磁気記録層を、第１誘電体保護層、記録層、第２誘
電体保護層及び金属反射層がこの順で成膜された４層構
成とし、かつ各層の膜厚を、第１誘電体保護層が３５０
乃至６５０Å、記録層が２５０乃至３５０Å、第２誘電
体保護層が１００乃至４００人及び金属反射層が２００
乃至８００人の範囲に特定することによって、反射光の
位相差を小さく、その偏光面の楕円化を防止してドライ
ブによるＣ／Ｎのばらつきが抑えられた、さらに反射率
が大きく、かつ製造安定性も良好な光磁気記録媒体を得
ることができる。

本発明の光磁気記録媒体の新規な効果を以下の実施例及
び比較例によりなお一層明確にする。

〔実施例−１〕 射出成形により片面に案内溝が設けられた径Ｉ３０ｍｍ
、厚さ１．２ｍｍのポリカーポネート基板の前記案内溝
がある面に、以下の手順で光磁気記録層を形威した。

前記基板をスバッタ装置の回転基板ホルダー上にセット
して、前記スパッタ装置の或膜室をアルゴンガス圧１　
ｍＴｏｒｒの雰囲気にして、ターゲットに１．０ｋＷの
ＲＦ電力を投入し、マグネトロンスパッタ法により、第
１誘電体保護層として３５０人のＳｔＮｘの薄膜を、そ
の上に光磁気記録層として３００人のＴｂ２０Ｆｅ６０
Ｃｏｌ３Ｃｒ７の薄膜を、さらにその上に第２誘電体保
護層として３００ＡのＳｉＮｘの薄膜を、最後にＴａが
２原子％であるＡｌＴａ合金の薄膜を金属反射層として
３５０人の厚さで或膜して光磁気記録層を形成した。

次いで、紫外線硬化樹脂の塗布液を、前記光磁気記録層
の上面及び側面に、スピンコート法により３０００ｒｐ
ｍ，２０秒の条件で塗布して、照射強度１００ｍＷ／ｃ
ｎ！の紫外線を１分間照射し゛て硬化を行い、ＩＯμｍ
の厚さの有機樹脂保護層を形成した。前記紫外線硬化樹
脂としては、大日本インキ（掬製＃ＳＤ−　１　７を使
用した。

以上の条件で作成した光磁気記録媒体の試料を２枚作成
して、前記基板の光磁気記録層のない面を外側に向け、
前記有機樹脂保護層の上に東亜合成化学（ｍ製ホットメ
ルト接着剤＃ＸＷ−１３をｌ３０℃で溶融してロールコ
ーターを用いて１０μｍの厚さに塗布した後、加圧接着
して両面記録型の光磁気記録媒体の試料を得た。

〔実施例−２〕 第１誘電体保護層の膜厚を５０．０人とした以外は、実
施例−１と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の
試料を得た。

〔実施例−３〕 第ｌ誘電体保護層の膜厚を６５０人とした以外は、実施
例一ｌと同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試
料を得た。

〔比較例一Ｉ〕

第１誘電体保護層の膜厚を３００Ａとした以外は、実施
例−１と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試
料を得た。

〔比較例−２〕 第１誘電体保護層の膜厚を７００人とした以外は、実施
例−■と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試
料を得た。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、以下の測定条件で、反射光の偏光の楕円化を示す位
相差Φ、記録感度（＝Ｐｔｈ）　、Ｃ／Ｎ、及び反射率
を評価した。

位相差Φ：第２図に要部を示した測定系において、半導
体レーザーＩからの出射光をコリメートレンズ２により
光磁気記録媒体３上に収束させた。

（このとき、前記光磁気記録媒体３からの反射光４はカ
ー効果により偏光面の回転及び楕円化を起こしている。

この楕円化は入射光偏光面とそれに直交する面とに分解
された振幅戊分ｒｘ，ｒｙの位相差により発生する。）
前記反射光４の光路にバビネンレイユ補償板５進相軸方
向Ｘまたはｙ軸のに合わせて置き、ｒｘ，ｒｙ間の位相
量を補償した。そして、消光位に設定された検光千６を
通過する光量が最小となるようにして前記バビネソレイ
ユ補償板５を通過した光を直線偏光にして前記光磁気記
録媒体３で発生する位相量を補償した。

その補償量を計測して光磁気記録媒体の位相差Φの測定
値とした。

記録感度：光磁気記録ドライブの回転数を１８０Ｏ　ｒ
ｐｍとして、キャリャ一周波数３．７ＭＨｚで記録した
ときにＣ／Ｎの立ち上がる書き込みパワーの測定値（Ｐ
ｔｈ）をもって感度とした。

このとき、前記書き込みパワーを、０．１ｍＷ刻みで測
定した。

反射率：再生時のｓｕｍ信号の大きさを標準ディスクと
比較して測定した。

測定結果を第１表に示す。

第１誘電体保護層の膜厚３５０乃至６５０人の範囲にす
ることによって、位相差を絶対値でｌ５度以内にするこ
とが出来かつその値のばらつきがその範囲で小さくなっ
た。

また、記録感度、Ｃ／Ｎに関しても良好な値が得られた
。

更に反射率も大きな値が得られた。

〔実施例−４〕 前記記録層の膜厚を２５０人とした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

〔実施例−５〕 前記記録層の膜厚を３００人とした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
威した。

〔実施例−６〕 前記記録層の膜厚を３５０人とした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

〔比較例−３〕 前記記録層の膜厚を２００人とした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

〔比較例−４〕 前記記録層の膜厚を４００人とした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第２表である。

記録層の厚みを、本発明の範囲の大きさにした実施例−
４乃至−６の場合では、位相差を絶対値でｌ５度以内に
出来ると共に、反射率も高い値にすることが出来た。

記録層の厚さが薄くなると、反射率が急激に低下してし
まった。

また、厚くなると位相差が大きくなってしまった。

〔実施例−７〕 前記第２誘電体保護層の膜厚を１５０人とした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作成した。

〔実施例−８〕 前記第２誘電体保護層の膜厚を３００人とした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作成した。

〔実施例−９〕 前記第２誘電体保護層の膜厚を４５０人とした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作威した。

〔比較例−５〕 前記第２誘電体保護層の膜厚を１００人とした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作成した。

〔比較例−６〕 前記第２誘電体保護層の膜厚を５００人とした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作威した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第３表である。

記録層の厚さを、本発明の光磁気記録媒体の範囲内にす
ることにより、位相差については良好な値を得ることが
出来た。また、感度も良好で、反射率も高くすることが
出来た。

一方、記録層の厚さが厚過ぎると反射率が低下してしま
い、薄すぎると感度が著しく低下するようになり好まし
くない。

〔実施例−１０） 前記金属反射層の膜厚を２００人とした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作威した。

〔実施例−１１〕 前記金属反射層の膜厚を２５０人とした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

〔実施例−１２〕 前記金属反射層の膜厚を３５０人とした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

〔実施例−１３〕 前記金属反射層の膜厚を４５ＯＡとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作威した。

〔実施例−１４） 前記金属反射層の膜厚を８００人とした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作威した。

〔比較例−７〕 前記金属反射層の膜厚を１５ＯＡとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作或した。

〔比較例−８〕 前記金属反射層の膜厚を９００人とした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作或した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第４表である。

第４表 金属反射層の厚さが、薄くなると位相差が大きくなって
しまった。また、厚過ぎても感度が劣化してしまった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ピックアップ光学系の位相差δによる光磁気
記録媒体のＣ／Ｎの低下量を示すグラフ。 第２図は、光磁気記録媒体に起因する位相差Φの測定系
の要部を示した概略図。 ｌ　・・・　半導体レーザー ２　・・・　コリメートレンズ ３ 光磁気記録媒体 ４ 光磁気記録媒体からの反射光 ５ バビネソレイユ補償板 ６ 検光子

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、第１誘電体保護層、記録層、第２誘電
   体保護層及び金属反射層がこの順で成膜された光磁気記
   録層を有する光磁気記録媒体において、前記第１誘電体
   保護層の膜厚が３５０乃至６５０Å、前記記録層の膜厚
   が２５０乃至３５０Å、前記第２誘電体保護層の膜厚が
   １００乃至４００Å及び前記金属反射層の膜厚が２００
   乃至８００Åであることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）前記金属反射層がＡｌ（アルミニウム）の合金の
   薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. （３）前記金属反射層が、Ｔａ（タンタル）及び／また
   はＴｉ（チタン）を含有するＡｌの合金の薄膜である請
   求項１記載の光磁気記録媒体。
4. （４）前記記録層が、希土類金属及び遷移金属よりなる
   非晶質合金の薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体
   。
5. （５）前記記録層が、ＴｂＦｅＣｏＣｒの非晶質合金の
   薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体。
6. （６）前記第１誘電体保護層及び前記第２誘電体保護層
   が、Ｓｉの窒化物、Ａｌの窒化物又はそれらの混合物で
   ある請求項１記載の光磁気記録媒体。
7. （７）前記金属反射層の膜厚が、２５０乃至４５０Åで
   ある請求項１、請求項２及び請求項３記載の光磁気記録
   媒体。