JPS623448A - 光磁気デイスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分骨〕 本発明は基板面垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類
−遷移金属非晶質フェリ磁性合金（以下希土類を旺、遷
移金属をＸと示しＲＥ−ＴＭと略記する）薄膜を記録層
とし、この記録層と基板との間に透明層を具備する光磁
気ディスクとその製造方法に関する。

〔発明の技術的背・景とその問題点〕

近時、ＲＥ−ＴＭ膜１例えばＴｂＦｅ　、ＴｂＦｅＣｏ
　、ＧｄＴｂＦｅ　。

ＴｂＣｏ　、ＧｄＣｏ　、ＧｄＴｂＣｏ　、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ　、ＤｙＦｅ　、ＧｄＤｙＦｅ等を記録膜とする
書き換え可能型の光磁気ディスクが各所で活発に実用化
を目脂した開発が進められている。ＲＥ−ＴＩＶＩ膜Ｏ
特徴については、すでに例えば日刊工業新聞社主催（講
演会）「光磁気記録の開発と実用化」テキストに詳細に
示されているが、ここで問題なのはＲＥ−ＴＭ膜が一般
に極めて酸化され易いという点が挙げられる。従って、
実用上保護対策は必須であり、特にＦ’ｅを主成分とす
るＴｂＦｅ　、ＴｂＦｅＣｏ　、ＧｄＴｂＦｅ　、Ｄｙ
Ｆｅ　、ＧｄＤｙＦｅ　、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等はスパッ
タ誘電体膜をオーバーコートする等の保護対策が検討さ
れている。一方Ｃｏを主成分とするＴｂＣｏ　、ＧｄＣ
ｏ　、ＧｄＴｂＣｏ等はＦｅを主成分とする材料に比べ
て耐酸化性に優れるが希土類という極めて酸素と結合し
易い元素を含有する以上、空気にむき出しの状態では使
用できず、スパッタ保護をオーバーコートする程度でも
良いが何らかの酸化防止対策が必須である。又、オーバ
ーコートによる保護対策と同時に、ＲＥ−ＴＭ記録層を
形成する際の下地層及び形成雰囲気中に含有される酸素
にも極めて敏感であるので、注意しなければならない。

下地層との界面近傍にＲＥ−’ＩＭ無効領域が存在する
ことは、例えば第７回日本応用磁気学会学術講演概要集
９ＰＡ−６に示されており、またこの無効領域が下地層
中にと抄込まれた酸素によるＲＥ酸化物層。からなるこ
とが第３２回応用物連合講演予稿集Ｓ６０春ａ−ｐ−９
によって推定されている。しかし長期的な信頼性を得る
為には、酸素含有量が極めて少ない下地層の形成が、望
まれる。従来においては、この点に対する注意が殆ど払
われておらず、一般的にＲＥ−７Ｍ膜の下地層には酸素
が多く含有されているものが使用されている。ここで下
地層の必要性について説明すると、光ディスクでは、ゴ
ミや埃りによるエラーを防止する為に透明基板を使用し
て、基板面側から記録・再生用レーザビームを照射する
のが一般的であり、又、基板材質としては光ベッドガイ
ド用溝（以下グループと略記する）が安価に設けられる
樹脂系材料が用いられる。具体的な樹脂系材料としては
、低複屈折性のポリメチルメタアクリレート、ポリカー
ボネート、エポキシが代表的な例としてあげられるが、
これらの基板材料は耐熱性が鼻いと共に、全て吸水率が
体積含有率で０．１慢以上と高く、又空気透過性も大き
いので、ＲＥ−７Ｍ膜の酸化防止対策は、基板面側にも
設けられるべきであり、具体的にはＳｔ　３Ｎ４　、Ａ
＃Ｊ　、ＺｕＳ　、ＣａＦｚ　、ＭｇＦｚ　＊Ｓ　ｉｏ
ｚ　、’ｒｉｏ２などの誘電体からなる透明層が基板と
］（Ｅ−７Ｍ膜との間に設けられる。この透明層は機能
的には保護膜としての性格と共に、多重干渉効果による
カー回転角の増加という性格を持ち合わせているので実
用的には重要な層である。一方、光ディスクは小さくて
も１２０１１１直径程度大きいものは３００關直径以上
にも及ぶ大面積であり、この上に均質な透明層を成膜で
きる手段としては低耐熱性の樹脂基板を使用することを
考慮するとスパッタリング法、蒸着法。

ＥＣＲ法（′１を子サイクロトロン共鳴プラズマを利用
した（７）法）、光（至）法に略限定され、さらに量産
性、成膜装置の価格、制御性を考慮すれば、この中では
スパッタリング法が望ましく、さらに、低温成膜をする
為にはマグネトロンタイプのスパッタリング法が最も望
ましい。しかしながら、従来の例えば基板温度を低く保
持し誘電体ターゲットをスパッタして得られる透明層中
にはたとえ、窒化物系のターゲットを使用しても酸素が
とりこまれやすい。酸素の供給源は、１つには誘電体タ
ーゲットとして焼結体を使用した場合には一般的にバイ
ンダーとして使用される酸化物系のバインダーであり、
もう１つには成膜チャンバー中に残留する酸化物系の不
純物ガス（０２１Ｈ２０＃　Ｃ０２等）である。又酸化
物系のターゲットを使用した場合は言うまでもなく膜の
構成元素には酸素が入っている。又、金属ターゲット（
例えばＡｌ　）を窒素とアルゴンの混合ガスを用いて反
応性スパッタ法によって透明層を成膜する場合において
も成膜チャンバー中の不純物ガスには特別な注意が払わ
れなければならない。上記した低温スパッタ誘電体膜中
の酸素は、例えばＳｔの熱酸化によって得られる５ｉ０
２中の酸素のような安定な結合状態にはなく、固溶した
状態にあるのが一般的であり、このような同浴酸素を含
有する膜の上に、ＲＥ−７Ｍ膜を成膜した場合には、葱
元素と固溶酸素が結びついて界面に無効層領域が形成さ
れて好ましくない。特に酸化物系のターゲット（例えば
５ｉＯｚ、Ｔｉ０２）を使用して形成した膜は固溶酸素
濃度が高く好ましくない。

〔発明の目的〕

本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、Ｒ
Ｅ−’ＩＭ記録層の下地層を固溶酸素濃度の極めて低い
透明層とした光磁気ディスク及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明、の光磁気ディスクは、基板とこの基板上に形成
された透明層と、この透明層の上に透明層に接して形成
された四−冗記録層とを具備する光磁気ディスクにおい
て、透明層中に含有される酸素及び酸化物の和が２（ａ
ｔ％）以下である事を特徴とし、この光磁気ディスクの
製造方法として具体的に３種類の方法を提供するもので
ある。以下本発明の光磁気ディスクの製造方法について
その概要を記載する。

く製造法−１〉 先ず第１の製造方法は透明層を形成する手段が、酸素及
び酸化物の含有量の和が１　（ａｔ％〕以下の誘電体タ
ーゲットを酸素及び酸化物系ガスの含有量の和が分圧比
で１％以下のガスを使用してスパッタリングして得る事
を特徴とし、望ましくは、スパッタガス中の酸素及び酸
化物系ガス（０２，Ｎ２０゜ＣＯ２等）の含有量の和が
分圧比で０．２％以下であることを特徴としている。又
、誘電体ターゲットとしては酸化物、弗化物、硫化物等
、双元素と結合しやすい元素（０，Ｆ、Ｓ）を含有する
ものは好ましくないので変化物、炭化物、硼化物が良い
。この他にはＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＩｎＰ等、の燐化１
合物、ＧａＡｅ　＊Ｇａ　Ｉ　ｎＡｓ等の砒素化合物等
も挙げられようが、透明性、コスト、毒性等の面から除
外されるべきであるので、窒化物、炭化物、硼化物が好
ましく具体的にはＳ　ｉ　３Ｎ４　、ＡｌＮ　、ＳＣ、
ＢＮ等があげられるがこの中でＳｉ３Ｎ４．ＳｉＣ及び
焼結ＢＮはバッキングデンシティに問題があると共にバ
ッキングデンシティを上昇するためには酸化物系のバイ
ンダーをかなり入れなければならないという点があるの
で特に好ましいのはＡ八及びパイロリティックＣＶＤ法
で形成されたＢＮである。ここで窒化物、炭化物として
はＴｉＮ、ＴｔＣ，ＷＣ，ＴａＮ、ＴａＣ等があるが、
これらは光透過率が小さいので本発明の主旨から除外さ
れる材料である。又、これらのターゲットを使用する場
合でも、スパッタガス中に酸素あるいは酸化物系が混入
していては意味をなさないので、ガス中に含まれるそれ
らの量は分圧でｌチ以下に抑制されるべきであり、ざら
に好ましくは０．２％以下に抑えられるべきである。又
成膜チャンバー器壁に吸着するＮ２０等の影響をなるべ
く小さくする上ではスパッタガスの流量は大きくとるべ
きであり５（ｓｅｅｍ）以上好ましくは２０（ｓｅａｍ
）以上が良く一般的に使用されるポンプ（スパッタでは
クライオポンプ。

拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ等が一般的である）の排
気能力にもよるがコストを考慮してポンプを選定すれば
流量の上限は１０１０００（ｓｅｅより好ましくは４０
０（ｓｃｃｍ）以下とするのがポンプに対する負担が少
なく長期使用上有利である。又、　ＡＩＮ、ＢＮ等のタ
ーゲットを使用する場合には、希ガスのみでスパッタす
るよりもＮ２ガス、　ＮＨ３ガスを混合した方が膜組成
が良い化学量論的組成比に近くなり光透過率も上昇する
ρで添加した方が好ましく毒性を考慮すればＮ２が好ま
しい。Ｎ２分圧比としては１（＠以上、より好ましくは
５＠）以上とすべきであり、又ｓ　Ｎ２分圧比が高すぎ
ると、成膜速度が低下し膜中にＮ２が余分にとりこまれ
る状態となるので３０チ以下、より好ましくは２０チ以
下とすべきである。又、炭化物系のターゲットを使う場
合はＣＨ４，Ｃ２Ｈ６等の炭化水素系のガスを添加して
使用するのが好ましいのは自明であり、その混合比はＮ
２の場合に順する。

Ｎ２．Ｃ’Ｈ４以外のスパッタガスとしては反応性のな
イＨｅ　、Ｎｅ　ｔ　Ａｒ　＊　Ｋｒ　、Ｘｅ等の希ガ
スが望ましく、コスト、スパッタ率を考慮すればＡｒが
最も好ましい（クライオポンプを使用する場合、　Ｈｅ
の使用はできない）。

く製造法−２〉。

次に固溶酸素濃度の少ない透明層は金属ターゲットを反
応性ガスでスパッタしても得ることができ、この場合の
反応性ガス中の酸素及び酸化物系ガスの含有量の分圧比
にして１＠）以下、より好ましくは０．２％以下である
のはく製造法−１〉と同じ理由による。反応性ガスとし
ては、窒化物の膜の作成にはＡｒ−Ｎ２混合ガス、Ａｒ
−ＮＨ３等、炭化物の膜の作成にはＡｒ　−ＣＨ４、Ａ
ｒ　−Ｃ２Ｈ６等、硼化物系の膜の作成にはＡｒ−Ｂ２
Ｈ６等があげられるが、炭化物系の膜はスパッタリング
で化学量論的組成比を得るのが難かしくむしろ炭化水素
のブランチを含んだ形態の膜になり易く、又、硼化物系
のＡｒ−Ｂ２Ｈ６は、Ｂ　２）１．の毒性、発火性を考
慮すれば実用上好ましくないので、好−ましくはＡｒ−
Ｎ２混合ガスによって、窒化物系の膜を形成するのが妥
当である。金属ターゲットとしては透明窒化物を形成す
るものであれば何でも良く具体的にはＬｉ、Ｂｅ、β＋
　Ａｌｅ　Ｓ　ｊ　＋ｓｕ　＋　ｚｎ　ｗ　Ｇａ　＋　
Ｇｅ　ｅ　Ｉ　ｎ　ｅ　Ｌａ　＋　ｃｌＨＮｄ＋　Ｓｍ
　ｓ　螺ｔ　ｃａ　ｔ　Ｔｂ＊　Ｄｙ　ｔ　ＨＯＩ　Ｅ
ｒ、Ｙｂ、Ｌｗがあげられるが、この中で好寸しくない
のは透明性、成膜速度などを考慮してＡｌ、ｓｉ、１３
１Ｇａである。

Ａｒ−Ｎｚ反応性ガス中のＮ２量は、成膜速度の点から
は少ない方が良く、膜の透明性といり点からは多い方が
良いので分圧で２１％ド５０（％）とするのが良く、よ
り好ましくぐ・＝−！、７（＠〜３０（１）である。Ｎ
２以外のガスとしてＡｒを選択する理由及びガス流量に
ついてはく製造法−１〉と同じ理由に因っている。

く製造法−３〉 固溶酸素濃度の少ない透明膜の第３の製造法はバイアス
・スパッタ法でおる。この場合は、銹電体ターゲット中
に含有される酸素及び酸化物の量はく製造法−１〉の様
に厳しくなくて良（５（ａｔ％〕以下であれば固溶酸素
９度は問題とならないほど少ない。父、スパッタガス中
の酸素及び酸化物系ガスの分圧比も５（＠以下であれば
良いがより好ましくは１（％）以外である。このような
ターゲットとスパッタガスを使用した場合においても基
板に負の電位を印加して成膜を行なう（バイアス、スパ
ッタリング）と、膜中にとり込まれた酸素が膜中から選
択的に再スパツタ放出されるので、バイアス・スパッタ
法を適用すれば様々なターゲットの使用が可能で、酸化
物系のバインダー含有量の比較的多い５ｔ３Ｎ４焼結タ
ーゲット−１低線度Ｍぎ焼結ターゲット、ＢＮ焼結ター
ゲヅトが代表としてあげられる。希ガスと窒素ガスと窒
素ガスの混合ガスを主成分とするガスを使用する理由は
、製造法−１の場合と同一の理由によってい、る。バイ
アス・スパッタ時に基板に印加する電圧は、膜中にとり
こまれる酸素を効率より選択的に再スパツタ放出する上
では高い方がよいが、余り高すぎると成膜速度が低下す
ると共に基板への熱負荷が過大となるので、−５０（Ｖ
）　〜−７００（Ｖ）カよく、特に−１Ｏ０Ｖ　〜−３
００Ｖが好ましい。

以上に示した３つの光磁気ディスクの製造法は、特に基
板が実用的な樹脂材料からなる場合に効果が顕著となり
、例へばガラスを基板とした場合には、基板を３００°
Ｃ程度に加熱するプラズマＧつ法による透明層の成膜が
可能となるので、固溶酸素量の少ない膜の形成を本発明
の方法に因らすとも達成できる（無論、本発明の方法は
ガラス基板に対しても有効ではある）からである。ガラ
スに７オトボリマーを用いてグループを形成した基板に
はグループ自体は耐熱性がないので本発明の効果が顕著
な基板に含まれる。樹脂材料として代表的なのは低複屈
折性で、グループの設けやすいポリメチルメタアクリレ
ート、ポリカーボネイト、エポキシが代表的であり、ガ
ラスに７オトボリマーを形成する場合も、フォトポリマ
ーはアクリル系もしくはエポキシ系が一般的であるので
本発明に含まれる。又、上記材料は耐熱性がないので°
透明層成膜時の基板表面温度は、アクリル、ボリカ。

エポキシの各れを用いるかによって異なるが、基板のガ
ラス転移点以下には抑えられるべきであり、１００’０
以下とするのが安全でアリ、より好ましくは７０℃以下
に抑えられるべきである。前述した本発明の光磁気ディ
スクの３つの製造方法は全て基板温度を上記した温度以
下に保持して成膜ができ、基板ホルダーを水冷すればさ
らに低温成膜ができる。

３つの製造方法の中ではく製造法−３〉のバイアス・ス
パッタリング法が最も基板に対する熱負荷が大きいが、
本発明は透明干渉層（基板に接し、ＲＥ−ＴＭ膜にも接
する）全てを本発明の製造方法で提供しようとするもの
に限定されず％ＲＥ−ＴＭ膜に接する下地の一部のみに
しても良いので、例えば製逸法−３の場合には、無バイ
アス−スパッタ法で７０ＯＡ基板上に同市酸素の多い透
明層を形成し、その後に本発明のバイアス・スパッタ法
を用いて４００Ｘの同浴酸素の少ない透明層を形成する
プロセスをとれば基板表面温度は低く抑制できる。ここ
で、透明干渉層は前記した如く保護と多重干渉という２
つの機能を有しているのでその多重干渉の機能を充分発
揮する上では、再生用レーザビームの波長λと透明干渉
層の屈折率ｎとによってλ／４ｎの厚さに形成されるの
が好ましく実用されて―る半導体レーザ波長ｓａａ（ｎ
ｍ）と、例えば５１３Ｎ４透明＃（ｎ：２　）を用いる
場合は、約１１００久とすべきである。この膜厚を得る
為の上記した無バイアスからバイアスに切り換えるタイ
ミングは基板材質によっていかようにも変えられる。

〔発明の効果〕

本発明の光磁気ディスクは、ＲＥ−７Ｍ膜の下地となる
透明層中の固溶酸素濃度が充分に低く、ＲＥ−７Ｍ膜と
透明層との界面にＵ−酸化物からなる無効領域を含んで
いないので、良好な特性が得られ、特に、　ＲＥ−７Ｍ
膜厚が薄い（５００１以下）場合に効果があり、さらに
光磁気ディスクの長寿命化にも効果的でおる。

また、本発明に係る光磁気ディスクの型造方法によれば
、スパッタリングの際のターゲット及びガス中の酸素等
の含有率を所定の値とすることにより上述の如き磁気特
性の良好な光磁気ディスクを得ることができる。

〔発明の実施例〕

以下、図面を参照して本発明に係る光磁気ディスクの一
実施例とその製造方法を詳細に説明する。

本発明に係る光磁気ディスクは、第１図（ａ）に示すよ
うに、例えばＳｔ基板（１）上に固溶酸素濃度が２　（
ａｔ％）以下のＡざ透明層（２）、ＴｂＣｏ記録層（３
）、Ｓｉ３Ｎ４酸化防止層（４）が順次形成されている
。本実施例で特徴とするのは上記ＡＩ！′Ｎ透明層（２
）の固溶酸素ｌ農度が２（ａｔチ）以下である点でるる
。第１図（ｂ）にこの光磁気ディスクにおける基板に垂
直な方向の組成分布を示す。これは第１１図（ａ）の光
磁気ディスクを膜面側からＡｒイオンでエツチングしな
からオーシュ電子分光分析（以下ＡＦＳと略記する）を
行った結果である。この結果から明らかなように本実施
例に係るＡ＃透明層（２）からはＯのオーシュピークは
検出されておらず、Ａｍ層（２）とＴｂＣｏ記録層（３
）との間には全く無効領域は形成されていない。

第１図（ｃ）　ｉｄ％第１図（ａ）に示す光磁気ディス
クのカーヒステリシスループであり、グラントムソンプ
リズムによって直接偏光した６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレ
ーザビームをマグネット中にホールドした光磁気ディス
クのＴｂＣｏ記録ｒａ　（３１側に照射し、その反射光
をグラントムソンプリズムとフォトマルチプライアーに
よって構成される光検出系で検知しながらマグネットの
発生磁界を変化させて測定したものである。この第１図
（ｃ）に示す如く第１図（ａ）に示する本実施例の光磁
気ディスクのカーループは角形が極めて良好であり、磁
化反転に優れてい名ことが判る。本実施例では、ん人透
明層（２）の固溶酸素濃度を２　（ａｔ％）以下とした
が、これは透明層中の固溶酸素濃度が２（ａｔ％）を超
えると透明層と記録層との界面に無効層が形成されるた
めである。

ここで比較例として従来技術による光磁気ディスクの断
面図及びその特性図を第２図に示す、先ず、第２図値）
は従来例の断面図を示すもので、本発明の上記実施例と
園様に８１基板（１）上にＡＩＮ透明層（５）、ＴｂＣ
ｏ記録層（３）、Ｓｉ３Ｎ４酸化防止層（４）が順次形
成されているのであるが、上記実施例と大きく異なるの
はＡ缶透明層（５）の固溶酸素濃度が約１０（ａｔ％）
であり、このためＡ／Ｎ透明層（５）とＴｂＣｏ記録層
（３）との界面近傍に磁気特性の不良は無効領域（６）
が存在する点である。この第２図（ａ）に示す光磁気デ
ィスクにおいての基板に垂直な方向の組成分１布は第２
図（ｂ）のようになり、ＡｆＮ透明層（５）から０のオ
ージェビークが検出されていることが判る。

このような無効領域（６）を有する光磁気ディスクのカ
ーヒステリシスループは第２図（Ｃ）のようになり磁化
反転部が萎えるとともに磁気的特性がＴｂの欠乏する方
向にシフトし、磁気特性が良好でないことが判る。

次に、第１図（ａ）に示した光磁気ディスクの本発明に
系る製造方法を説明する。以下、先ず第１の製造方法を
第２図の製造装置の概略図を参照して説明する。この製
造装置は、チャンバー（７）内にマグネトロンスパッタ
ガン（チャンバー底面に４つ配置されている）＋８＞、
シャッター（９）、基板ホルダーｖ：ｒが設けられてお
り、またチャンバー（７）周辺にはマグネトロンスパッ
タガン（８）用のＤＣ″ｄＬ源＋ｉｌｌ、ＨＰ゛醒源０
υ及び基板ホルダーα２用のＲＦ　＝ｇ源（１３）、コ
ンデンサー〇滲、基板接地用スイッチα９が設けられて
おり、さらにこのチャンバー（７）にはＮ２ガスボンベ
αｅ１Ａｒカスボンベｄη、質量流量コントローラーａ
ｌｌｉ１１　コンダクタンスバルブ（１９，クライオポ
ンプ（Ｔｏｒｒ−８タイプ）（至）、真空計（イオンゲ
ージ１１）、ロータリーポンプ器が取り付けられている
。

このような第２図の製造装置において、先ずホルダーａ
３上に８１ウニ７アーをテフロンテープで固定し、チャ
ンバー（力を先ずロータリーポンプ器で粗抜きする。次
にクライオポンプ（イ）で５ＸＩＯ’Ｔｏｒｒまで真空
排気した後、コントローラａＳを操作して９９．９９９
％純度のＮ２ガスを約２５＋ｓｃｃｍチャンバー（７）
中に流入しコンダクタンスパルプ（１９を操作してイオ
ンゲージＱυの出力が１ｍＴｏｒｒになるように調整し
た後コントローラー〇８１を操作して９９．９９９チ純
度のＡｒガスを流入し全ガス圧力を５ｍＴｏｒｒとした
。このときＡｒガスの流量は約７５ｓｅｃｍであったが
、流量比、とガス分圧比が異なるのは、クライオポンプ
のＮ２ガスとＡｒガスに対する排気速度が異なるためで
ある。（使用したクライオポンプ（Ｔｏｒｒ−８）タイ
プではＮ２に対する排気速度はＡｒに対するそれの１．
２５倍でおる。）４つあるスパッタガン（８）のターゲ
ット構成は、それぞれ酸化物含有量が０．５（ａｔ％）
以下のＡＩＮ焼結ターゲット、Ｔｂターゲット、Ｃｏタ
ーゲット、純度的９５（ａｔチ）（酸化物系バインダー
としてＹ２Ｏ３＋　Ａｌ２Ｏａを約５（ａｔ％）含有す
る。ＫＥＩＮｏ　５４８−９−２に規定される焼結体）
のＳｉ３Ｎ４焼結ターゲットである。第１図（ａ）の光
磁気ディスクのサンプルは次のようにして形成する。先
ず上記高純度ＡＪＩＮターゲットの置かれたスパッタガ
ン（８）にＲＦ電源（ｌυを接続してスパッタリングを
１始し、シャツ−ター（９）を閉じた状態で５分間のプ
レスパツタを行ってターゲット表面をクリーニングし、
その後シャッター（９）を開き基板ホルダー（１７Ｊを
６０（ｒｐｍ）の速度で回転してサンプル基板上に約１
０００１のＡ須膜を形成する。

その後Ｎ２−Ａｒ４合ガスの供給を断ってチャンバー（
７）中を再度５Ｘ１０　　Ｔｏｒｒまで排気し、ざらに
Ａｒガスを８０ｓｅｃｍ導入しチャンバー内圧力を５（
ｍＴｏｒｒ　）とし、Ｔｂターゲット及びＣｏターゲッ
トにＤｃ亀源ａ〔を印加し５分間のプレスパツタクリー
ニングを行う。次に、Ｔｂターゲット、　Ｃｏターゲッ
ト上のシャッター（９）を開いて約１０００　Ｘ　、７
）　ＴｂＣ０膜をＡｌｆＮ膜上に形成した後再びチャン
バー内を排気しＮ２−Ａｒ混合ガスをＡ＃Ｊの場合と同
一条件で流入しＳｉ３Ｎ４ターゲットにＲＦパワーを印
加しＴｂＣ。

膜の上に約１０００ＸのＳ　ｉ　ｇＮｇ膜を形成し真空
を破って第１図（ａ）に示す光磁気ディスクを得る。こ
のようにして磁気特性の良好は光磁気ディスクを得るこ
とができる。

尚、比較例として示した第２図（ａ）の光磁気ディスク
は、上述と同様のターゲット配置によって形成したもの
であるが、　ＡＩＩＮ膜を形成する際に。

Ｎｚ−０２−Ａｒ混合ガスを使用した。ｏ２はチャンバ
ー（７）に設けられた微小リークボート（第３図には記
載せず）より大気を６ｓｅｃｍ微量導入し、残りはＮ２
ボンベ（ＩＧ、ＡｒボンベαＤによりＮ２２５　ｓｅｃ
ｍ　、　Ａｒ　ニア５８ｃ■を導入して酸素分圧にして
王１．１（％）のＮ２−０２−Ａｒ混合ガスを得たもの
で、その他の操作は本発明の上記製造方法に従って得て
いる。

次に、　Ｎ２−０２−Ａｒ混合ガス中の０２分圧比を、
０．９％、０．５％、　０．２　％　、　０．０５％の
４種類変化させて、高純度Ａへターゲットの２バツタを
行ってＴｂＣｏ下地層を形成し、ＡＥＳ分析、カー測定
を行ったところ０．９　％　、　０．５　％のものは、
無効層領域が若干残っているもののカーループの磁化反
転部はかなりシャープなものが得られ実用には耐え得る
光磁気ディスクサンプルが得られ、又、０．２％及び０
．０５％のものは無効領域の厚さが極めて小さく、カー
ループも第１図（Ｃ）にかなり近いものが得られた。こ
の場合、上記混合ガス中の０２分圧比が０．２チ以下で
あればＣｏ系磁性膜以外のＦｅ系磁性膜についても磁気
特性の良好な膜が得られ、さらには磁性膜の膜厚が１ｏ
ｏ　Ｘ以下の良好な膜を得ることができる。従って透明
層の形成に、高純度ターゲットを使用した場合のスパッ
タガス雰囲気中の酸素あるいは酸化物系ガスの分圧比は
１チ以下と規定され、好ましくは０．２％以下、より好
ましぐは０．０２％以下（Ｎ２−Ａｒ混合ガス使用時の
残留ガス中に占める酸素及び酸化物系ガスの総分圧比は
この程度と見積られる；チャンバー中の残留ガスの主成
分はＮ２０であることが質量分析の結果判っている。）
と規定される。ＡｌＮターゲットをスバッタするＮ２−
Ａｒ混合ガス中のＮ２分圧比は上記した２０チの他に、
０チ、１チ、５チ、２．５チ、４０チとして行なった所
、何れの場合にも無効領域はなくカーループも良好とな
ったが、別個にＡｍ膜そのものの透過率をガラス基板を
使用して調べたところ、ガラス基板の透過率を１００チ
とした場合の透過率（Ｔｒ　）はｓ　Ｎ２分圧比が０４
のものはＴｒが６５チと低くて実用的でなく、Ｎ２分圧
比が１チのものはＴｒが７５チと若干低く、Ｎ２分圧比
が５％ではＴｒが８５チｓ　Ｎ２分圧比が２５チ、４０
％ではＴｒが９５チあつ九これよりＮ２分圧比としては
最低１％以上、好ましくは５チ以上が必要である。また
ｓ　Ｎ２分圧の増加に従って、成膜速度はＮ２分圧０チ
時の１００Ａ／ｍｉｎから４０チ時の４０久／ｍｉ　ｎ
へとほぼＮ２分圧比に対して直線的に減少し、また３０
％以上では膜中のＮ２過多となったためＮ２分圧比の上
限は３０チより好ましくは２０チが良い。

また、　Ｎ２−Ａｒ混合ガスの流量を前記し７’ｃ　１
１００５ｅｅの他に、０（ｓｅｅｍ）（ガスを導入して
／くルプ霞を完全にしめた）　、　　５　（ｓｅｅｍ）
　、　２０（ｓｅｅｍ）　ｒ２００（ｓｅｅｍ）　、　
５００（ｓｃｃｍ）で行なったところ、Ｏ（ｓｅｅｍ）
ではスパッタ開始と共にガス圧力が若干増加しくチャン
バー器壁よりのＮ２０の放出のためである）、膜質も不
安定であったのに対し、５〔ｓｅｅｍ）以上では安定し
て酸素濃度の低いＡへ膜が得られ特に２０　（ｓｃｃｍ
）以上では酸素オージェビーク強度（感度袢正後の値）
が全体の２（ａ１％）以下の膜が再現性良く得られ、そ
のようなＡｍｌを下地とする媒体のカーループは常に良
好であった。但し、５００（ｓｅｅｍ）ではクライオ（
Ｔｏｒｒ−８）の排気能力ぎりぎりなので長時間に亘る
成膜はできなかったので、本質的にはガス流量の上限は
ないが実用的には１０００　（ｓｅａｍ）以下（Ｔｏｒ
ｒ−８Ｔｙｐｅ以上の能力のポンプが必要となる）、よ
り実用的には４００（ｓｃｃｍ）以下とすべきである。

また上記透明膜中の酸素の含有量は記録層の膜厚とも関
係し、透明膜中の酸素の含有量が２　（ａｔ％）以下で
あれば磁気特性の良好な膜厚が５００Ｘ以下の記録膜を
得ることができる。この場合、　Ｃｏ系の記録層に対し
ては特に特性が良好であったが％Ｆｅ系の記録層に対し
ては不十分であり、また記録層の膜厚をさらに薄くする
には不十分である。このＦｅ系の記録層に対する問題、
記録層の膜厚に対する問題を解消するためには透明膜中
の酸素の含有量をさらに０．５（ａｔチ）以下とすれば
良い。このようにすればＦｅ系の記録膜を良好に形成す
ることができ、また１００八以下の薄い記録性を得るこ
とができる。従って、記録膜の膜厚を薄くできることに
より、［Ｆ］光損失が少ないためファラデー効果であり
再生Ｃ／Ｎを向上させることができ、■レーザビーム照
射時の熱損失が少ないため記録感度を向上でき、■量産
に適している等の効果を得ることができる。

次に、高純度ＡＩＩＮターゲットをＹ２Ｏ３，Ａ１２０
ａ等の酸化物が、１［ａｔチ）　、　３　（ａｔチ）　
、　５　［ａｔチ〕の焼結Ａハタ−ゲットを用意し、ス
パッタガスとしては、　Ｎ２−Ａｒ混合ガスを使用して
、　Ａｉ！Ｎスパッタ膜をＴｂＣｏ　、下地層として形
成し前記したと同様のサンプルの形成及び評価を行なっ
た。その結果１（ａｔ％）酸化物入りのＡＩＮターゲッ
トを使用したサンプルについては、界面近傍に薄い無効
層領域が検出されたもののカーループは、高純度ＡＩＮ
ターゲットを使用した場合に近い良好なものが得られた
のに対し％酸化物が３ａｔ％、５ａｔ％のＡＩＮターゲ
ットでは無効領域が大きく成長しカーループ形状も悪い
ことが判った。故に１本発明に規定される如く、透明層
の成膜に使用するターゲット中に含有される酸化物の含
有量は１［ａｔ％：）とすべきである。そして、この様
な高純度かつ緻密なターゲットとして現在入手可馳なも
のとしては、実施例に記載したＡへの他には、パイロリ
ティックロ法で形成されたＢＮターゲットが代表的であ
る。

ｍ４図は、本発明に係る第１図（ａ）に示すサンプルと
従来技術に係る第２図（ａ）のサンプルを７０’０−８
５チルＨ０の恒温恒湿槽中に放置して寿命評価試験を行
なった結果であり１本発明に係るサンプルは、Ａｓ　、
Ｄｅｐｏと全く特性（カーループ）が変化しなかったの
に対し、従来技術に係るサンプルは保磁力がＴｂの欠乏
する方向へ次第に変化していってしまうことが明らかと
なった。従来技術に係るサンプルについて、３５０ｈｒ
の加速劣化試験後のすンプルのＡＥＳ分析を行なった結
果が第５図である（第２図（ｂ）が加速劣化前）、。第
５図から明らかな如く、従来技術によって得た無効領域
を有する媒体では、この無効領域が加速劣化試験によっ
てどんどん厚くなってしまうことが判り、本発明の光磁
気ディスク及びその製造方法が長寿命化にも著しい効果
があることが明らかである。第５図より、ＴｂＣｏ膜の
上に成膜した（オーバーコート）　５ｉｓＮ４膜中にも
、酸素がとり込まれているが、オーバーコート層中の酸
素によっては無効層（翌−酸化物）が形成されず、又、
加速劣化してもオーバーコート層中の酸素によるＲＥ−
酸化はみられない。この理由は、　ＴｂＣｏ膜の成膜を
下地層上に行なう際にはＴｂ元素が裸のスパッタ粒子と
いう形で下地層上に飛来するのに対して、ＴｂＣｏ膜が
できてしまえば、ＴｂとＣｏとの間に金属結合力が働い
ており、その上に酸素が固溶している膜がコートきれて
もそれ程悪影響を及ぼざない為と、定性的には解釈され
る。

第６図は、　ＴｂＣｏ記録膜の膜厚を２５０Ｘ以下と薄
くして形成したサングルのカーループであす、下地層に
は、従来技術のＡＩＮと本発明の入１ＩＮ（両者弁製造
条件は上述したものと同一とした）の２種類を使用し、
ＴｂＣｏオーバーコート膜にはＳｉ３Ｎ４膜を使用した
。第６図より明らかな如く、従来技術の下地層上にＴｂ
Ｃｏ膜を形成したサンプルでは、ＴｂＣｏ膜厚１５０Ｘ
以下では垂直膜とならず、２００Ｘ、２５０Ｘでも、磁
気的特性が大幅にＴｂの欠乏する側にシフトしているの
に対し、本発明の下地層上にＴｂＣｏ膜を形成したサン
プルでは、ＴｂＣｏ膜厚１００Ａでも良好なカーループ
の垂直媒体となっており、本発明の効果が記録層の膜厚
が薄い場合特に効果があることが明らかである。

次に本発明に係る光磁気ディスクの第２の製造方法につ
いて示し、それによって得た本発明の光磁気ディスクの
有用性を明らかにする。成膜装置は第１の製造方法で示
したものと同一の第３図のものを用いた。４つのターゲ
ットは、Ｓｉ、Ｔｂ、ＣｏｔＳｉ３Ｎ４とした。Ｓｉ以
外は第１の製造方法と同一である。

上記構成で、先ずチャンバー内を排気し、　　３０チ分
王Ｎ２−Ａｒ混合ガスを１０１００（ｓｅｅ導入し、ガ
ス圧力を５ｍＴｏｒｒとして、Ｓｔターゲットには゛パ
ワーを印加して、反応性スパッタリング法によってＳｉ
３Ｎ４膜を約ｔｏｏｏＸ形成し、その上にＴｂＣｏ膜、
Ｓ　ｉ　３Ｎ４膜を連続形成した。下地の８１の反応性
スパッタＳｉ３Ｎ４膜中の酸素濃度は、１（ａｔチ以下
でありＴｂＣｏと下地のＳｉ３Ｎ４の間に無効領域は形
成されておらずカーループも良好であった。

次に８１の反応性スパッタガス中のＮ２分圧比を２ｓ、
１０％、３０％、５０％、７０％に変化しテ８１３Ｎ４
下地層の形成を行なったところ、Ｎ２分圧比２％の膜は
Ｓｔ過多で透過率が小さく、これ以下のＮ２分圧比では
Ｓｔ主体の膜となり透明層として用いるには適さないこ
とが判った。又、　Ｎ２分圧比７０％の場合は、成膜速
度が極端に低下しｓ　Ｎ２５０１分圧でも成膜速度は５
０Ｘ／ｍｉｎと低かったのでｓ　Ｎ２分圧比の条件とし
ては２％〜５０チ、好ましくは７％〜３゜チであること
が判った。Ｓｉ以外の金属としてはＭを用いて同様の実
験を行なったところ、ｓｌ　　と有意差のない結果を得
た。この他には窒化物を形成できる金属ならば何でもＮ
　＜　Ｌｉ、Ｂｅ　Ｉ　Ｂ　、Ａｌ１　Ｓ　ｉ　ｍ　Ｃ
ｕ、Ｚｎ　、Ｇａ、Ｇｅ　、　Ｉｎ　、Ｌａ　、Ｃ１、
Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ　、Ｇｄ、Ｔｂ　、Ｄ７．Ｈｏ　ｓＥ
ｒ　。

Ｙｂ、Ｌｕが使えるが、残留ガスの影響が少なく、・、
さらに安価という面から好ましいのは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ
。

Ｇｅである。次に、Ｎ２−０２−Ａｒ混合ガス（第１の
製造方法と同様の手段で行なった）でＳｔを反応性スパ
ッタした結果、８１３Ｎ４膜中への０の、固溶量を２（
ａｔ％）以下とするためには、ガス中の酸素の分圧比を
１（％）以下とする必要がある。またこのように酸素の
分圧比を１（チ）以下とすることにより記録層の膜厚を
５ｏｏＸ以下とすることができるが、この記録層の膜厚
を１００　’１以下とし、またＣｏ系以外のＦｅ系の記
録層に対して十分の磁気特性を得るためには酸素の分圧
比を０．２（チ）以下とする必要がある。

尚、ガスの流量については第１の製造方法に準じている
。

次に本発明に係る光磁気ディスクの第３の製造方法につ
いて述べる。Ｔｂ（Ｂｏ膜の下地層の形成には。

純度的９５　（ａｔ％〕のＳｉ３Ｎ４　＋４結ターゲツ
トを使用し、これを２０（＠分圧Ｎ２−Ａｒ混合ガスで
スパッタすると同時に、基板ホルダーに約２５０ＶのＲ
Ｆ自己バイアス電位を印加してバイアス・スパッタして
Ｓｉ３Ｎ４膜を得、この上にＴｂＣｏ膜、Ｓｉ３Ｎ４無
バイアス・スパッタ膜を形成して評価したところ、バイ
アスΦスパッタ５ｔ３Ｎ４膜中からは、酸素のオージェ
ビークは検出されず（１（ａｔｅ）以下）、無効領域の
ない良質なカールーズのサンプルが得られた。

ＴｂＣｏ膜上に形成した５１３Ｎ４無バイアス・スパッ
タ膜中からは約１０（ａｔチ）の０が検出されたが、同
一の焼結ターゲットを使用したものであるので基板への
バイアス電位の印加によって、膜中から酸素が選択的に
再スパツタ放出されることが明らかである。基板へ印加
するバイアス電位としては、酸素の再スパツタ放出を充
分性なうためには、ネガテスブ側へ−３０（Ｖ）以上好
ましくは−１ｏｏ（ｖ）以上であり、−２３０（Ｖ）で
充分であるが、ターゲット中の酸化物含有量によっては
、より大きなバイスを印加すべきでろろう。バイアス電
位の上限は、基板への熱負荷によって規定されるべきで
おるが、−７００（Ｖ）以上ならば３分間以上のバイア
ス嗜スパッタｓ　−３００Ｖ以上ならば５分間以上のバ
イアス・スパッタで、例えばアクリル基板の場合は熱変
形を彷起して好ましくないので、−７Ｏ０Ｖ以下、好ま
しくは一３００Ｖ以下とすべきである。第３の製造方法
の手法によれば酸化物含有蓋の多いターゲットも使用で
きるので、特にターゲット材料に限定されないが、ｃｌ
ｋ化物系ターゲットよりは窒化物系ターゲットが良く、
特にＳ　１３Ｎ４１　ＡＩＮ　、ＢＮ等が、コスト、成
膜速度％透明性の点から好ましい。

この第３の製造方法では純度約９５（ａｔｅ）のＳｉ３
Ｎ４焼結ターゲットを用いているが、これは、ターゲッ
ト中の酸素及び酸化物の和から５（ａｔｅ）以上ではバ
イアス・スパッタＳ　ｉ　３Ｎ４膜とＴｂＣｏ膜の界面
に磁気特性に影響を与える無効領域が形成さ・するため
である。また、このようにターゲット中の酸素及び酸化
物の和を５（ａｔｅ）以下とし、上記第２の製造方法で
示したガスのガス中の酸素及び酸化物系ガスの含有量の
和を分圧比で５（チ）以下としてスパッタリングするこ
とにより記録層の膜厚を５００λ以下とすることができ
るが、この記録層の膜厚を１００Ｘ以下とし、またＣｏ
系以外のＦｅ系の記録層に対して十分の磁気特性を得る
ためには。

さらにターゲット中の酸素及び酸化物の和を２（ａｔチ
）以下とする必要がある。同様に、ターゲット中の酸素
及び酸化物の和を５（ａｔｅ）以下とした場合に、記録
層の膜厚を１ｏｏＸ以下としたり、またＦｅ系の記録層
に対して十分の磁気特性を得るためにはガス中の酸素及
び酸化物系ガスの含有量の和を１（＠以下とする必要が
ある。

以上、本発明の巻磁気ディスクを製造する手段として３
つの製造方法を詳述したが、これら何れの方法も、実用
的な光デイスク基板の製喝法である。アクリル、エポキ
シ、ＰＣに充分適用が可能であるのは自明であるが、第
３のバイアス・スパッタ法は基板への熱負荷が懸念され
るので、無バイアススパッタとバイアス・スパッタの組
与合わせによるＴｂＣｏ膜下地透明層の成膜を何通りか
行なった。第７図はその様にして得たサンプルの表面状
態である。第７図（ａ）　、　（ｂ）が、バイアス・ス
パッタ法で形成した１００ＯＸのＳ　ｉ　３Ｎ４を下地
層とするもので、第７図すがグループ付きＰＭＭＡ基板
、第７図すがグループ付きＰＣ基板の場合である。ＰＣ
基板では、基板の熱変形は発生していないが、ＰＭＭＡ
基板では発生している。第７図Ｃは無バイアス・スパッ
タ法で５ｏｏＸの５１３Ｎ４を形成した後にバイアス・
スパッタ法で５０ＯＡのＳ　ｉ　３Ｎ４を形成した下地
層を有するサンプルでＰ■仏基板、第７図（ｄ）は、無
バイアス・スパッタ法で７５ｏＸノ５ｉ３Ｎ４を形成し
たにバイアス・スパッタ法で２５０１のＳｉ３Ｎ４を形
成した下地層を有するサンプルでｐｍ基板の表面写真で
あり、第７図（ｄ）ではＰｎ仏でも熱的に耐え得ること
が明らかである。この様に基板の材質を考慮してプロセ
スコントロールを行なえば、本発明に係る光磁気ディス
クの３つの製造方法は広く東用的樹脂基板に適用するこ
とができる。第８図は、Ｓｔ基板上に、無バイアス・ス
パッタＳｉ３Ｎ４７５０Ｘ、　／＜（７ス＊　ス／＜　
！／　タ５ｉ３Ｎ４２５０Ｘヲ成膜し、ソＯ上１ｃ　Ｔ
ｂＣｏ膜ｘｏｏｏＸ、無バイアス・スパッタＳｉ３Ｎ４
膜２５０Ｘを成膜したサンプルのオージェ分析結果であ
るが、　ＴｂＣｏ膜に接すル下地のバイアス・スノ（ツ
タＳｉ３Ｎ４膜中の酸素ｉ９度は１（ａｔチ）以下とな
っており、その下のＴｂＣ。

膜に接しない下地の無ノくイアス・スノくツタＳｉ３Ｎ
４中には１０　（ａｔ％）程度の固溶酸素が存在する力
；。

本発明の光磁気ディスクはこの様な構造のものも当然含
んでいる。また、この様な構造のサンプルを加速劣化試
験に供しても、無ノ（イアス・スノくツタＳｉ３Ｎ４膜
領域中の固溶酸素が、・（イアス・スノくツタＳｉ３Ｎ
４膜領域に拡散してくるということはみられなかった・ 上記実施例ではＲＥ−ＴＭ記録膜としてＴｂＣｏ膜を用
いた例につりで詳述したが本発明は他のＨ膜に対しても
有用であることは、本発明の主旨力λらして自明である
。ＴｂＣｏ膜を特に例として用いたのは、ｌ−ＴＭ模膜
中は最も耐酸化性に優れているからであり、発明の骨子
からすれば、他のＲＥ−１Ｍ膜、例えばＴｂＦｅ　、Ｔ
ｂＦｅＣｏ　、ＧｄＴｂＦｅ　、ＧｄＴｂＦｅＣ＋：＋
　。

ＤｙＦｅ等Ｆｅを含有するＲＥ−１Ｍ膜に対しては本発
明はよね効果的である。また１本発明は、ＲＥ−１Ｍ膜
に接する下地透明層（基板とＲＢ−１Ｍ膜の中間層）を
厳格に規定するものであり、上地層（ＲＥ−１Ｍ膜に接
するオーバーコート層）については、言及しなかったが
、これは、上池層中には固溶酸素が存在していても実用
上、問題がないという実験結果を重視したためであり、
ＲＥ−１Ｍ膜に接する上地層にも本発明の３つの光磁気
ディスクの製造方法が適用可能でそのようにして得た光
磁気ディスクは、ａ刊Ｘ膜の両面を固溶酸素濃度の極め
て低い透明層でテンドイツチした構造となるので、ＲＥ
−１Ｍ膜を薄くしてその透過光をも利用する多層エンハ
ンスメント構成のディスクにおいても長期信頼性の極め
て高いものが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光磁気ディスクの説明図、第２図
は比較例としての従来技術に係る光磁気ディスクの説明
図、第３図は５本発明の光磁気ディスクの製造に使用し
た装置を示す図、第４図は本発明及び従来技術の光磁気
ディスクの寿命評価結果を示す図、ｉＸＳ図は従来技術
の光磁気ディスクの加速劣化後の組成分布図、第６図は
本発明及び従来技術の光磁気ディスクのカーループを示
す図。 第７図は本発明の製造方法で形成した光磁気ディスクの
結晶構造を顕微鏡写真により表わした図、第８図は本発
明の光磁気ディスクの組成分布図である。 １・・・基板、２・・・透明層、３・・・記録層、４・
・・保ｆｉ／ｉ、７・・・チャンバー、８・・・スノ＜
ツタ源、９・・・シャッター、１０・・・ＤＣ１源、１
１．１３・・・ば１′電源、１２・・・基板ホルダー、
１４・・・コンデンサー、１５・・・スイッチ、１６・
・・Ｎ２ガス、１７・・・Ａｒガス、１８・・・質量流
量コントローラー。 １９・・・コンダクタンスパルプ、 ２０・・・クライオポンプ、２１・・・Ｘ２ゲージ、２
２・・・ロータリポンプ １　　　　　　　　　／′ 第１図 第２図 第８図 第４図 第５図 第６図 ・パ３・） 憾ワ図 （（〕７ン 範ワ図 、・・″・”・〜″・′・１ 第３：３図

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に形成された透明層と、この透明層上に形
   成された希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜か
   らなる記録層とからなり、前記透明層中に含有される酸
   素の量が２（ａｔ％）以下であることを特徴とする光磁
   気ディスク。
2. （２）基板は、透明樹脂からなることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク。
3. （３）基板は、ポリメチルメタアクリレート、ポリカー
   ボネート、エポキシの少なくともいずれか一種からなる
   透明樹脂からなることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の光磁気ディスク。
4. （４）記録層は、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｃＴｂＦ
   ｅ、ＴｂＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ
   Ｃｏ、ＥｙＦｅ、ＧｄＤｙＦｅのいずれかからなること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のの光磁気ディ
   スク。
5. （５）透明層中に含有される酸素の量は０、５（ａｔ％
   ）以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光磁気ディスク。
6. （６）基板上に透明層を形成し、この透明層上に希土類
   −遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜からなる記録層を
   形成する際に、前記透明層を酸素及び酸化物の含有量の
   和が１（ａｔ％）以下のターゲットを、酸素及び酸化物
   系ガスの含有量の和が分圧比で１（％）以下のガスのイ
   オンによってスパッタリングすることにより形成するこ
   とを特徴とする光磁気ディスクの製造方法。
7. （７）ターゲットは誘電体からなることを特徴とする特
   許請求の範囲第６項記載の光磁気ディスクの製造方法。
8. （８）ターゲットは金属からなることを特徴とする特許
   請求の範囲第６項記載の光磁気ディスクの製造方法。
9. （９）誘電体は窒化物、炭化物、硼化物のいずれかから
   なることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の光磁
   気ディスクの製造方法。
10. （１０）窒化物はＡｌＮ、ＢＮのいずれかからなること
    を特徴とする特許請求の範囲第９項記載の光磁気ディス
    クの製造方法。
11. （１１）金属はＬｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｚ
    ｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｃｌ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ
    、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕの少なく
    ともいずれか一種からなることを特徴とする特許請求の
    範囲第８項記載の光磁気ディスクの製造方法。
12. （１２）ガスは希ガスと窒素ガスとの混合ガスを主成分
    とすることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の光
    磁気ディスクの製造方法。
13. （１３）窒素ガスの含有量の和が分圧比で１乃至３０（
    ％）であることを特徴とする特許請求の範囲第７項及び
    第１２項記載の光磁気ディスクの製造方法。
14. （１４）窒素ガスの含有量の和が分圧比で２乃至５０（
    ％）であることを特徴とする特許請求の範囲第８項及び
    第１２項記載の光磁気ディスクの製造方法。
15. （１５）ガス中の酸素及び酸化物系ガスの含有量の和が
    分圧比で０．２（％）以下であることを特徴とする特許
    請求の範囲第６項記載の光磁気ディスクの製造方法。
16. （１６）基板上に透明層を形成し、この透明層上に希土
    類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜からなる記録層
    を形成する際に、前記透明層を酸素及び酸化物の和が５
    （ａｔ％）以下のターゲットを、酸素及び酸化物系ガス
    の含有量の和が分圧比で５（％）以下のガスのイオンに
    よってスパッタリングするとともに、前記基板に負のバ
    イアス電位を印加して形成することを特徴とする光磁気
    ディスクの製造方法。
17. （１７）基板は透明樹脂からなることを特徴とする特許
    請求の範囲第１６項記載の光磁気ディスクの製造方法。
18. （１８）基板は、ポリメチルメタアクリレート、ポリカ
    ーボネイト、エポキシの少なくともいずれか一種からな
    る透明樹脂からなることを特徴とする特許請求の範囲第
    １６項記載の光磁気ディスクの製造方法。
19. （１９）ターゲットの酸素及び酸化物の和は２（ａｔ％
    ）以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１６項
    記載の光磁気ディスクの製造方法。
20. （２０）ターゲットは誘電体からなることを特徴とする
    特許請求の範囲第１６項記載の光磁気ディスクの製造方
    法。
21. （２１）誘電体は窒化物、炭化物、硼化物のいずれかか
    らなることを特徴とする特許請求の範囲第１６項記載の
    光磁気ディスクの製造方法。
22. （２２）窒化物はＳｉ＿３Ｎ＿４、ＡｌＮ、ＢＮのいず
    れかからなることを特徴とする特許請求の範囲第１６項
    記載の光磁気ディスクの製造方法。
23. （２３）ガスは、希ガスと窒素ガスとの混合ガスを主成
    分とすることを特徴とする特許請求の範囲第１６項記載
    の光磁気ディスクの製造方法。
24. （２４）負のバイアス電位は、接地電位に対して−５０
    〜７００（Ｖ）であることを特徴とする特許請求の範囲
    第１６項記載の光磁気ディスクの製造方法。
25. （２５）負のバイアス電位は、接地電位に対して−１０
    ０〜−５００（Ｖ）であることを特徴とする特許請求の
    範囲第１６項記載の光磁気ディスクの製造方法。