JPS62293540A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS62293540A JPS62293540A JP13717086A JP13717086A JPS62293540A JP S62293540 A JPS62293540 A JP S62293540A JP 13717086 A JP13717086 A JP 13717086A JP 13717086 A JP13717086 A JP 13717086A JP S62293540 A JPS62293540 A JP S62293540A
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- film
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録感度に優れる光磁気記録媒体に関する。
Ｃ発明の背景）
光磁気記録は、記録密度が高い、非接触で記録・読み出
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどのｖＦ徴を有し
ているため、近年、特に注口されている。
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどのｖＦ徴を有し
ているため、近年、特に注口されている。
光磁気記録媒体の基本的構成は、透明樹脂またはガラス
を基板とし、これに希土類−遷移金属アモルファス合金
、たとえばＧｄＦｅやＧｄＴｂＦｅ等の磁性薄膜を設け
たものである。
を基板とし、これに希土類−遷移金属アモルファス合金
、たとえばＧｄＦｅやＧｄＴｂＦｅ等の磁性薄膜を設け
たものである。
周知のように、光磁気記録は、記録に際して、熱磁気記
録によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を
形成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレ
ーザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状態（大きさ
、方向）に対応して反射光または透過光の偏光面が回転
する現象を利用するものである。反射光の偏光面が回転
する現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼ばれ
ている。
録によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を
形成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレ
ーザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状態（大きさ
、方向）に対応して反射光または透過光の偏光面が回転
する現象を利用するものである。反射光の偏光面が回転
する現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼ばれ
ている。
このカー効果を利用する読み出しでのＳＮ比は、性能指
数＝θに×、／Ｔ（Ｒ：反射率）に比例し、この性能指
数は光磁気記録媒体の特性に主として依存する。そこで
、従来から、カー回転角θヤを増大し、ＳＮ比を高める
ために、種々の提案がなされてきた。
数＝θに×、／Ｔ（Ｒ：反射率）に比例し、この性能指
数は光磁気記録媒体の特性に主として依存する。そこで
、従来から、カー回転角θヤを増大し、ＳＮ比を高める
ために、種々の提案がなされてきた。
たとえば、特開昭５６−１５６９４３号公報では、磁性
薄膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛
は上のカー回転角の増大を図っている。
薄膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛
は上のカー回転角の増大を図っている。
しかし、この種の透明誘電体膜を設ける場合、見掛は上
のカー回転角の増大については効果があるものの、記録
感度として十分なものが得られていないのが実情である
。
のカー回転角の増大については効果があるものの、記録
感度として十分なものが得られていないのが実情である
。
そこで、本発明の主たる目的は、記録感度に優れた光磁
気記録媒体を提供することにある。
気記録媒体を提供することにある。
上記目的は、透明基板と、膜面に垂直な方向に容易軸を
もつ磁性薄膜と、透明誘電体膜を構成要素の一部とする
光磁気記録媒体において、上記透明誘電体膜の透過率が
波長６００〜８５０ｎｍの入射光に対し、８０％以上と
することによって達成される。
もつ磁性薄膜と、透明誘電体膜を構成要素の一部とする
光磁気記録媒体において、上記透明誘電体膜の透過率が
波長６００〜８５０ｎｍの入射光に対し、８０％以上と
することによって達成される。
以下本発明をさらに詳説する。
本発明の光磁気記録媒体は、透明基板と、磁性薄膜と、
透明誘電体膜を構成要素の一部とする構造において、透
明誘電体膜の透過率が波長６００〜８５０ｎｍの入射光
に対して８０％以上とされる。
透明誘電体膜を構成要素の一部とする構造において、透
明誘電体膜の透過率が波長６００〜８５０ｎｍの入射光
に対して８０％以上とされる。
本発明者らの知見によれば、従来の光磁気記録媒体にお
ける記録感度が悪い理由は、透明誘電体膜の、透過率が
低いからであることが判った。透過率が低いと、書き込
みの際に、レーザー光が誘電体膜を通して磁性薄膜に十
分達しないためであると考えられる。
ける記録感度が悪い理由は、透明誘電体膜の、透過率が
低いからであることが判った。透過率が低いと、書き込
みの際に、レーザー光が誘電体膜を通して磁性薄膜に十
分達しないためであると考えられる。
これに対して、本発明に従って、誘電体膜の透過率を波
長６００〜８５０ｎｍの入射光に対して８０％以上とす
ると、後記実施例でも示されているように、記録感度に
優れた媒体を得ることができる。
長６００〜８５０ｎｍの入射光に対して８０％以上とす
ると、後記実施例でも示されているように、記録感度に
優れた媒体を得ることができる。
かかる透過率を得るためには、誘電体膜の成膜条件、た
とえばスパッタ法におけるスパッタリング条件を選定し
たり、たとえばＡＩＮなどの窒化物の場合、不活性ガス
中のＮ含有率を変えたり、さらに誘電体膜に適当な元素
を添加したりすることによって達成できる。
とえばスパッタ法におけるスパッタリング条件を選定し
たり、たとえばＡＩＮなどの窒化物の場合、不活性ガス
中のＮ含有率を変えたり、さらに誘電体膜に適当な元素
を添加したりすることによって達成できる。
本発明において好適に用いることができる透明誘電体膜
としては、ＡβＮ＋ ５ｉＪ４＋ ＳｉＯが挙げられる
。そのほか、ＣｅＦ＊＋ ＭｇＰｉ＋ ＭｇＦ２． Ｌ
ａＦ３＋ ＣａＦｚ。
としては、ＡβＮ＋ ５ｉＪ４＋ ＳｉＯが挙げられる
。そのほか、ＣｅＦ＊＋ ＭｇＰｉ＋ ＭｇＦ２． Ｌ
ａＦ３＋ ＣａＦｚ。
Ｎａｐ、 ＺｎＳ、 ５ｌｏｔ ５ｔＯｚ＋ ＣｅＦ２
． Ａｊ２Ｆ３＋ Ｔａ２Ｏ３等も用いることができる
。更に添加物として、Ｃｒ、 Ｚｒ。
． Ａｊ２Ｆ３＋ Ｔａ２Ｏ３等も用いることができる
。更に添加物として、Ｃｒ、 Ｚｒ。
Ｍｏ、す、 Ｍｎを加えてもよい。
誘電体膜の膜厚としては、２００Å〜２０００人が好ま
しい。
しい。
成膜方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、イオンブ
レーティング法、プラズマＣＶＤ法などを挙げることが
できる。
レーティング法、プラズマＣＶＤ法などを挙げることが
できる。
磁性薄膜の材質としては、希土類−遷移金属アモルファ
ス合金が一般には好ましいが、結晶体の形式であっても
よい。これらの例としては、ＧｄＦｅ。
ス合金が一般には好ましいが、結晶体の形式であっても
よい。これらの例としては、ＧｄＦｅ。
ＴｂＦｅ、 ＧｄＣｏ、 ＤｙＦｅ、 ＧｄＴｂＦｅ、
ＴｂＤｙＦｅ、 ＴｂＦｅＣ０゜ＧｄＴｂＣｏ、 Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＦｅＢ１． ＧｄＴｂＦｅＧｅ
ｉあるいはこれらにＢｉ、 Ｓｒ、 Ｇｅ等の添加元
素が添加されたもの； ＭｎＢ１． ＰｔＣｏ、 Ｍｎ
ＣｕＢ１． ＭｎＡ ＲＧｅ等がある。
ＴｂＤｙＦｅ、 ＴｂＦｅＣ０゜ＧｄＴｂＣｏ、 Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＦｅＢ１． ＧｄＴｂＦｅＧｅ
ｉあるいはこれらにＢｉ、 Ｓｒ、 Ｇｅ等の添加元
素が添加されたもの； ＭｎＢ１． ＰｔＣｏ、 Ｍｎ
ＣｕＢ１． ＭｎＡ ＲＧｅ等がある。
磁性薄膜の厚さは２００Å〜１５００人が好ましい。こ
の膜形成手段としては、前記透明誘電体膜と同様でよい
。
の膜形成手段としては、前記透明誘電体膜と同様でよい
。
本発明において用いることができる透明基板としては、
ポリメチルメタクリレ−１−（ＰＭＭＡ）、ポリカーボ
ネート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリアミド、エ
ポキシ、三酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレー
ト等の樹脂基板のほか、ガラスやセラミック等も挙げる
ことができる。
ポリメチルメタクリレ−１−（ＰＭＭＡ）、ポリカーボ
ネート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリアミド、エ
ポキシ、三酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレー
ト等の樹脂基板のほか、ガラスやセラミック等も挙げる
ことができる。
本発明において、透明基板と、磁性薄膜と、誘電体膜と
を構成要素の一部とする限り、構造は限定されない。た
とえば、透明基板／誘電体膜／磁性薄膜／誘電体膜／保
護層の順の構造、透明基板／誘電体膜／磁性薄膜／反射
膜の順の構造や、この種のものを透明基板を外側にして
貼り合せたものなどである。
を構成要素の一部とする限り、構造は限定されない。た
とえば、透明基板／誘電体膜／磁性薄膜／誘電体膜／保
護層の順の構造、透明基板／誘電体膜／磁性薄膜／反射
膜の順の構造や、この種のものを透明基板を外側にして
貼り合せたものなどである。
本発明例における反射膜としては、ＣｕまたはＡβのほ
か、Ｔｉ、 Ｐｔ＋ Ａｕ、 Ｎｉ、 Ｍｎ、 Ｂｉ、
Ｓｎを用いることができ、二種以上を混合したもので
あってもよい。この膜厚としては、５００Å〜１０００
人が好ましい。成膜法は、誘電体膜と同様でよい。
か、Ｔｉ、 Ｐｔ＋ Ａｕ、 Ｎｉ、 Ｍｎ、 Ｂｉ、
Ｓｎを用いることができ、二種以上を混合したもので
あってもよい。この膜厚としては、５００Å〜１０００
人が好ましい。成膜法は、誘電体膜と同様でよい。
保護（オーバーコート）層としては、たとえばアクリル
系の紫外線硬化樹脂を、スピンコード法などによって形
成することによって得る。この層厚は、１〜２０μｍが
望ましい。
系の紫外線硬化樹脂を、スピンコード法などによって形
成することによって得る。この層厚は、１〜２０μｍが
望ましい。
次いで実施例について説明し、本発明の効果を明らかに
する。
する。
（実施例１）
光磁気記録媒体の構成を、ＰＣ（基板）／ＡβＮ（透明
誘電体膜） ／ＴｂＦｅＣｏ （Ｔｆｉ性体薄体薄膜ｉ
Ｎ（誘電体膜）とし、透明誘電体膜の膜厚を８００人、
磁性体薄膜を１０００人、次いで誘電体膜を８００人と
した。透明誘電体膜の透過率は反応性スパッタリングに
よりその不活性ガス中のＮ２含有率を変えて６０％、７
５％、８０％、８５％のものを得た。その主な製膜条件
はパワー６００Ｗのスパッタリング装置を用い、ターゲ
ットを八ｌとし、ターゲット基板間距離を１０ｃｍにと
り、ガス圧にＮ２士Ａｒ （全圧）を選び、スパッタリ
ングを１０１一定に保ちなからＮｚ ： Ａｒ比を変え
て行った。
誘電体膜） ／ＴｂＦｅＣｏ （Ｔｆｉ性体薄体薄膜ｉ
Ｎ（誘電体膜）とし、透明誘電体膜の膜厚を８００人、
磁性体薄膜を１０００人、次いで誘電体膜を８００人と
した。透明誘電体膜の透過率は反応性スパッタリングに
よりその不活性ガス中のＮ２含有率を変えて６０％、７
５％、８０％、８５％のものを得た。その主な製膜条件
はパワー６００Ｗのスパッタリング装置を用い、ターゲ
ットを八ｌとし、ターゲット基板間距離を１０ｃｍにと
り、ガス圧にＮ２士Ａｒ （全圧）を選び、スパッタリ
ングを１０１一定に保ちなからＮｚ ： Ａｒ比を変え
て行った。
透過率の測定には波長λ＝８３０ｎｍのレーザー光を用
いた。その結果、窒素含有率（（Ｎ） ／ （Ａｊり＋
（Ｎ））と透過率との関係は第１図に示す通りである
。
いた。その結果、窒素含有率（（Ｎ） ／ （Ａｊり＋
（Ｎ））と透過率との関係は第１図に示す通りである
。
次いで、透過率と記録感度との関係を調べた。
記録条件は、記録周波数をＬＭ）＋２）速度を４ｍ／Ｓ
ｅＧ 、消去パワーを６．０ ｍＷ、再生パワーを１．
０ ｍＷ、記録デユーティ比を５０％とし、２次高調波
が最小となる点を最適記録パワーとした。その結果は第
１表に示す通りである。
ｅＧ 、消去パワーを６．０ ｍＷ、再生パワーを１．
０ ｍＷ、記録デユーティ比を５０％とし、２次高調波
が最小となる点を最適記録パワーとした。その結果は第
１表に示す通りである。
第 １ 表
（実施例２）
実施例１の条件に添加金属Ｖを加え、■の添加量と透過
率との関係を調べた。その結果は第２図に示す。図から
も判るようにＶ添加量の増加に伴ない透過率が減少する
が、■添加によって耐食性向上の効果が得られる。透過
率と最適記録パワーとの関係は第３図に示す通りである
。
率との関係を調べた。その結果は第２図に示す。図から
も判るようにＶ添加量の増加に伴ない透過率が減少する
が、■添加によって耐食性向上の効果が得られる。透過
率と最適記録パワーとの関係は第３図に示す通りである
。
（実施例３）
実施例１の層構成において、誘電体層をＳｉ３Ｎ４の膜
とし、添加金属Ｃｒを加えて、Ｃｒの添加量と透過率と
の関係を調べた。その結果は第４図に示す通りである。
とし、添加金属Ｃｒを加えて、Ｃｒの添加量と透過率と
の関係を調べた。その結果は第４図に示す通りである。
前実施例のＶ添加と同様、添加量が増加するに従って透
過率が減少するが、しかしＣｒの添加によって耐食性向
上の効果が得られる。透過率と最適記録パワーとの関係
は第５図に示す通りである。
過率が減少するが、しかしＣｒの添加によって耐食性向
上の効果が得られる。透過率と最適記録パワーとの関係
は第５図に示す通りである。
実施例１〜３のいずれの場合においても透過率が８０％
以下になると、急激に記録感度が悪化することが判る。
以下になると、急激に記録感度が悪化することが判る。
以上説明したように、本発明によれば、透過率が高いた
め、記録感度の優れた光磁気記録媒体を提供することが
できる。
め、記録感度の優れた光磁気記録媒体を提供することが
できる。
第１図は誘電体膜をＡｎとしたときのＮ２含有量と透過
率との関係を示したグラフ、第２図は誘電体膜をＡＡＮ
としたときのＶ添加量と透過率との関係を示したグラフ
、第３図は第２図における透過率と最適記録パワーとの
関係を示したグラフ、第４図は誘電体膜を５ｉ３Ｎａ
としたときのＣｒ添加量と透過率との関係を示したグラ
フ、第５図は第４図における透過率と最適記録パワーと
の関係を示したグラフである。
率との関係を示したグラフ、第２図は誘電体膜をＡＡＮ
としたときのＶ添加量と透過率との関係を示したグラフ
、第３図は第２図における透過率と最適記録パワーとの
関係を示したグラフ、第４図は誘電体膜を５ｉ３Ｎａ
としたときのＣｒ添加量と透過率との関係を示したグラ
フ、第５図は第４図における透過率と最適記録パワーと
の関係を示したグラフである。
Claims (3)
- （１）透明基板と、膜面に垂直な方向に容易軸をもつ磁
性薄膜と、透明誘電体膜を構成要素の一部とする光磁気
記録媒体において、上記透明誘電体膜の透過率が波長６
００〜８５０ｎｍの入射光に対し、８０％以上であるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）特許請求の範囲第１項において、前記透明誘電体
膜の膜厚は２００Å〜２０００Åであることを特徴とす
る光磁気記録媒体。 - （３）特許請求の範囲第１項又は第２項において、前記
誘電体膜はＡｌＮ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＳｉＯの少なくと
も一種以上から形成されることを特徴とする光磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13717086A JPS62293540A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13717086A JPS62293540A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293540A true JPS62293540A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15192454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13717086A Pending JPS62293540A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293540A (ja) |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP13717086A patent/JPS62293540A/ja active Pending
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