JPS59148161A - 光磁気デイスク - Google Patents

光磁気デイスク

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JPS59148161A
JPS59148161A JP2230383A JP2230383A JPS59148161A JP S59148161 A JPS59148161 A JP S59148161A JP 2230383 A JP2230383 A JP 2230383A JP 2230383 A JP2230383 A JP 2230383A JP S59148161 A JPS59148161 A JP S59148161A
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JP
Japan
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film
magneto
layer
thickness
recording medium
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Application number
JP2230383A
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English (en)
Inventor
Tadao Iwaki
忠雄 岩城
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は垂直磁化膜上にレーザー元を用いて情報を記録
・再生・消去を行なう光磁気ディスクにおいて光磁気記
録媒体を2層有する光磁気ディスクに関する。
(従来技術) 従来より光磁気記録媒体の磁気カー回転角を増大させる
試みは数多くなζnてきた。特に情報記録特性の優nて
いる希土類−遷移金属アモルファス膜を用いた光磁気デ
ィスクはその磁気カー回転角が小さくその情報再生感度
が悪いため、反射膜構造を待った多層膜にすることによ
り、その見かけの磁気カー回転角を約2倍近く増大させ
、情報再生感度を向上芒せる努力がなされてきたことは
公知の事実である。しかしながら従来の希土類遷移金属
アモルファス膜を用いた反射膜構造を持った多層膜構造
の光磁気ディスクの見かけの磁気力−回転角は依然とし
て0.5〜07度と小ζく、光磁気ディスクの情報再生
感度を向−ヒはせるにけ1だ不充分であるという欠点全
有していた。
(発明の目的) 本発明は上記光磁気記録媒体の磁気カー回転角が小さい
ためそれを用いた光磁気ディスクの情報再生感度が悪く
なるという欠点を除去し、光磁気ディスクの情報再生特
性を向上はせること全目的としたものである。
(発明の構成) 本発明は透明基板上に光磁気記録媒体よりなる第1層、
誘電体断熱膜よりなる第2層、光磁気記録媒体膜よりな
る第3層、金属反射膜よりなる第4層および誘電体保護
膜より々る15層を構成し、特に第1層の光磁気記録媒
体の膜厚を50〜180ス、第2層の誘電体断熱膜の膜
厚を1oooX以下、第5層の光磁気記録媒体の膜厚を
50〜250え、第4層の金属反射膜として膜厚2 n
 O’に以上のOu膜あるいはjJZ膜ある(1)けΔ
11膜あるいはM膜とすることにニジ化の見かけの磁気
カー回転角を光磁気記録媒体膜単層の場合の磁気カー回
転角の5倍近く増大はせ上記問題点を解決した。
(実施例) 本発明にKる光磁気ディスクを図面を用いて説明する。
第1図は従来より公知の光磁気ディスク装置の光学系の
構成図であり、1は半導体レーザー、2はコリメーター
レンズ、5はプリズム、4はハーフミラ−15けフォー
カスl/ンズ、6は光磁気記録媒体膜、7はスポットレ
ンズ、8は検光子、9はフォトダイオード、10は情報
記録消去用磁界発生コイルである。1ず情報記録時める
いは情報消去時には半導体1/−ザー1から出たレーザ
ー光はコリメーターレンズ2、ブ11ズム3、ハーフク
゛ラー4を透過Lフォーカス1/ンズ5によシ光磁気記
録媒体膜6土に約1μmの径で集光さn光磁気記録媒体
膜6の集光部の温度をキューリ一温度以上に上昇芒せる
とともにその集光部の磁化の向きと逆向きの磁界を情報
記録消去用磁界発午コイル10にJ:16印加して情報
の記録あるいは消去を行なう。ブた情報の再生時には半
導体レーザー1から出た情報記録時あるいは情報消去時
のものより低出力のレーザー光はコリメーターレンズ2
、プリズム3、ハーフミラ−4を透過してフォーカスレ
ンズ5にエリ光磁気記録媒体膜6上に約1μmの径で集
光された後、磁気カー効果のだめ偏光面を磁気カー回転
角分だけ回転はせて反射された後再びハーフミラ−4で
反射1れスポットレンズ7、検光子8を透過しフォトダ
イオード9で検出される。
第2図は本発明による光磁気ディスクの1実施例の構成
図であり、11はガラス基板、12は膜厚10口×のG
 d、 ’lr b F e膜、13は膜厚600にの
8102断熱膜、14は膜厚100スのGdTb−TP
e膜、15け膜厚1000AのOu反射膜、16け81
0保護膜である。第1図で示した光磁気ディスク装置の
フォーカスレンズ5から入射したレーザー光は第2図中
の矢印で示ζnているようにガラス基板11を透過した
後、1部はG(ITb−Fe膜12で反射炉れW1図で
示ζnた光磁気ディスク装置のフォーカスl/ンズに戻
り、1部は、 5− G4TbFe膜12および5102断熱膜16を透過し
さらにその1部はGdTbF、  膜14で反射さn残
りの光はGdTbFe膜14を透過して□Qu反射膜1
5で反射さn各々の反射光はG d、 T b F e
膜12とGdTbFe膜14あるいはGdTbFe膜1
2とOu反射膜15の間で多重反射した後、あるいはそ
の1箇直接第1図で示した光磁気ディスク装置のフォー
カスレンズ5に戻る。この場合情報の記録あるいは消去
に際しては1元磁気記録媒体膜がGdT、bFθ単層膜
の場合に比べてレーザーパワーが5〜15%余分に必要
であるが、これは本発明による光磁気ディスクの致命的
欠点にはならない。
このようにして構成された光磁気ディスクの見かけの磁
恭カー回転角をHθ−Nθレーザーを用いて測定したと
ころ31.28度あ、9GdTbFθGdTbFe膜単
気カー回転角027度に比べ約4.7倍の大きさとなっ
た。
次に発明者は第1層のGdTbFe膜膜の膜厚、第2層
のs i O2断熱膜の膜厚、第3層のGdTbFe膜
の膜厚、第4層の金属反射膜の膜厚あるいは第 6− 4層の金属反射膜の材質各々と見かけの磁気カー回転角
との関係を明らかにするため各層の膜厚あるいは第41
Viの金属反射膜の材質を変化させた場合の光力)けの
磁気カー回転角の変化をHe −N eレーザーを用い
て調べた。
第6図は第2層の8102断熱膜の膜厚を600×、第
3N4のGdTbFe膜の膜〃を100ス、第4層の(
ju反射膜の膜厚をI TI OOAとl〜て第1層の
GclTbドθ膜の膜厚を変化Aぜた場合の見〃)けの
磁気カー回転角の変化のようすを示し/こ図であり、横
軸に第1層のl■dTb′F8IIIの膜厚をA部位で
縦軸に見かけの磁気カー回転角を度単位でとったもので
ある。第3図から明らかなLうに第1層のGdTbFe
膜の膜厚を5o〜1ank、;すルC−トによシ見かけ
の磁気カー回転角を05度ルーヒにすることができ従来
のG d、 T b F e光磁気記録媒体を用いた光
磁気ディスク以上の大きな磁気カー回転角の光磁気ディ
スクを得ることができることが分った。
第4図は第1層のGdTbFe膜の膜厚を100?、第
2層の8102断熱膜の膜厚を300賃、第4層のOu
反射膜の膜厚を1oooXとして第3層のG(ITbF
θ膜の膜厚を変化させた場合の見かけの磁気カー回転角
の変化のようすを示した図で、横軸に第3層のG dT
 −o F e膜の膜厚をX単位で、縦軸に見かけの磁
気カー回転角を度単位で示したものである。第4図から
明らかなように第3層のGdTbFe膜の膜厚がso〜
25oXで、33ば見かけの磁気カー回転角を05度以
上にすることができ従来のGdTbF’e光磁気記録媒
体を用いた光磁気ディスク以上の大きな出熱カー回転角
の光磁気ディスクを得ることができることがわかった。
第5図は第1層のG d、 T b F e膜の膜厚を
10.0穴、第3層のGdTbFe膜の膜l唯を100
7としてtJ42層の8102断熱膜の膜厚を変化尽せ
た場合の1.かけの磁気カー回転角の変化のようすを示
した図でりり、横軸に第2層の8102断熱膜の膜厚を
X単位で、縦軸に光力・けの磁気カー回転角を度単位で
示しだものである。第6図は第5図の条件の下に第2層
の5102断熱膜の膜厚を変化させたときその膜厚と、
上記構成の本発明による光磁気ディスクに情報を記録あ
るいは消去するのに必要なレーザーパワーとG(ITb
Fθ膜単層構造の光磁気ディスクに情報を記録あるいは
消去するのに必要なレーザーパワーの比の関係を示した
図であり、横軸に第2層のSiO□断熱膜の膜厚をX単
位で、縦軸に情報を記録あるいは消去するのに必要なレ
ーザーパワー比をとったものである。第5図、第6図力
・ら第2層の51021F?熱膜を1000ス以下とす
ることで従来のG d−T b F e膜を用いた光磁
気ディスクと同程度のレーザーパワーで情報の記録ある
いは消去ができ、見かけの磁気カー回転角が05度以上
の光磁気ディスクを得られることがわかった。
第7図は第1層のGdTbFe膜の膜厚を100X、第
2層のS i o2断熱膜の膜厚を300 J第3層(
7) G eL T b F e膜の膜厚を10OAと
して、第4層の金属反射膜としてOu膜、Au膜、Ag
膜、M膜、Fe膜を用い各々の金属反射膜の膜厚を変 
9− 化させた場合の見かけの磁気カー回転角の変化のようす
を示した図であり、横軸に各金属反射膜の膜厚をX単位
で、縦軸に見力)けの磁気カー回転角を度単位で示した
ものである。第7図ニジ図中全ての金属反射膜はその膜
厚が400 ApJ上で見かけの伍気カー回転佳を05
2度以上にすることができるが、特にCu膜、Ag膜、
Au膜、Ag膜はその再生特性に優nており膜厚200
ス以上で見かけの磁気カー回転角を05度以上とするζ
、とができることがわかった。
以上の実施例においては光磁気記録媒体としてGdTb
Fe膜を用いて本発明による光磁気ディスクを炸裂した
場合の情報を述べたが不発明による光磁気ディスクはG
dTbFe膜以外の光磁気記録媒体であるMnB10u
膜、TbDyFe膜、DdCO膜など使用した場合にも
類似の効果を有することがわかった。
(発明の効果) 以上述べたように本発明による光磁気ディスクは透明基
板上に光磁気記録媒体よりなる第1層。
−10− 誘電体断熱膜よりなる第2層、光磁気記録媒体よりなる
第5層、金属反射膜よりなる第4層、誘電体断熱膜工り
なる第5層を構成し、特に第1層の光磁気記録媒体膜の
膜厚を50〜180X、第2層の誘電体断熱膜の膜厚を
1oooX以下、第3層の光磁気記録媒体膜の膜厚を5
0〜25Q:、第41iiの金属反射膜として膜#2 
Q a ’j>以上の011膜あるいけAg膜するいは
6. u膜あるいはAQ、膜とすることにエリその見か
けの磁気カー回転角を従来の光磁気ディスクに比べ著1
〜く増大づせることができその結果、従来の光磁気ディ
スクに比べ情報再生のS/N を大きく向−F3せるこ
とができるという効果を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は従米裏り公知の光磁気ディスク装置における光
学系の構成図、第2図は不発明による光磁気ディスクの
一実施例の構成図である。 1・・・半導体レーザー、  2・・・コ11メーター
レン3・・・グ11ズム、      ズ、4・・・ハ
ーフミラ−15・・・フォーカスレンズ、6・・・光磁
気記録媒体膜、7・・・スポットレンズ、8・・・検光
子、      9・・・フォトダイオード、10・・
・情報記録消去用磁界発生コイル、11・・・ガラス基
板、   12・・・膜厚100Aの13・・・膜厚3
110スの    GdTbFe膜、S】02断熱膜、 1419.膜厚100スのGdTbFe膜、15、、、
膜厚1oooXのCu反射膜、16・・・SiO保獲膜
。 第3図は本発明による元凪気ディスクにおいて第2j場
の5io2i@熱膜の膜厚を50 OA、第6層のG 
(1,T b ’FF a膜の膜厚を100X、第4層
のCu反射膜の膜厚を1ooo:Rとしたとき、第1層
のG’(I T b F e膜の膜厚を変化部せた場合
の見かけの磁気カー回転角の変化を示したグラフである
。 第4図は本発明りこよる光磁気ディスクにおいて第1M
のGdTbFe膜の膜厚を10ロス、第2層の8102
断熱膜の膜厚を6007、第4層のCu反射膜の膜厚を
1o 011 ’iとしたとき、第3層のGdTbFe
  膜の膜厚を変化させた場合の見かけの磁気カー回転
角の変化を示したグラフである。 第5図は不発明による光磁気ディスクにおいて第1層の
GdTbFe膜の膜厚を100ス、第3層の04TbF
’e膜の膜厚をioo:j、第4層のCu反射膜の膜厚
佑100・、Xとしたとき、第2層の5i02断熱膜の
膜厚を変化いせた場合の見かけの磁気カー回転角の変化
な示し1こグラフである。 第6図は本発明における光磁気ディスクにおいて第5図
の条件の下K 第2層の6102断熱膜の膜厚と、2i
:発明による光磁気ディスクに情報を記録あるいは消去
ブ心のに必要なレーザーパワーとGdTI)F8膜単層
構造の光磁気ディスクに情報を記録あるいは消去するの
に必要なレーザーパワーの比との関係を示したグラフで
ある。 紀7図は第1層のG d T b F’θ膜の膜厚全1
00ス、第2層の8102断熱侮の膜厚を6oa’l、
第3NのG d’r −o Fe膜の膜厚を1g 【4
にとしたとき第4層の金嬌反射膜としでCu膜、Au膜
、Ag膜1M膜、Fe膜を用いる各々の金属反射膜の膜
−13− 厚を変化させた場合の見かけの磁気カー回転角の変化を
示したグラフである。 以上 用願人 株式会社 第二精工台 代理人 弁理士  最 上   務 −14− 第1図 第2図 第3図 譬1jへ\ 第5図 第6EJ 第7E

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透明基板上に光磁気記録媒体膜、Cシなる絹目り
    誘電体断熱膜エリなる第2層、光磁気記録媒体膜よりな
    る第6層、金属反射膜よりなる第4層お工び誘電体保護
    膜エリなる第5層を有する光磁気ディスク。
  2. (2)  第1層の光磁気記録媒体膜の膜厚が50〜1
    80Aであり第3層の光磁気記録媒体膜厚が50〜25
    0スである特許請求の範囲第1項記載の光磁気ディスク
  3. (3)第2層の誘電体断熱膜の膜厚が1000A以下で
    ある特許請求の範囲第2項記載の光磁気ディスク。
  4. (4)  第4層の金属反射膜が膜厚200X以上の0
    11膜あるいはAg膜あるいはAu膜あるいはAl膜で
    ある特許請求の範囲第3項記載の光磁気ディスク。
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