JPH0362340A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0362340A JPH0362340A JP19624689A JP19624689A JPH0362340A JP H0362340 A JPH0362340 A JP H0362340A JP 19624689 A JP19624689 A JP 19624689A JP 19624689 A JP19624689 A JP 19624689A JP H0362340 A JPH0362340 A JP H0362340A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、書換えが可能な光磁気記録媒体に関し、特に
高速、高密度記録に適した光磁気記録媒体に関するもの
である。
高速、高密度記録に適した光磁気記録媒体に関するもの
である。
光磁気記録システムは書換え可能でかつ大容量である為
、コンピューターの外部メモリーや文書ファイルメモリ
ーとして実用化されているが、転送レートやアクセスタ
イムを向上させる為に高速ドライブが開発されようとし
ている。それと相俟って光磁気記録媒体も高感度化が要
求されており、また再生Ｃ／Ｎも０．８μｍビット長で
約５０ｄＢと高い値が要求されている。
、コンピューターの外部メモリーや文書ファイルメモリ
ーとして実用化されているが、転送レートやアクセスタ
イムを向上させる為に高速ドライブが開発されようとし
ている。それと相俟って光磁気記録媒体も高感度化が要
求されており、また再生Ｃ／Ｎも０．８μｍビット長で
約５０ｄＢと高い値が要求されている。
一般に、光磁気記録媒体の記録感度は磁性膜のキュリー
温度（Ｔｃ）に依゛存しており、 Ｔｃが高いと感度は
悪くなる傾向がある。現在実用化されている光磁気記録
媒体の磁性膜材料は、希土類元素（Ｇｄ。
温度（Ｔｃ）に依゛存しており、 Ｔｃが高いと感度は
悪くなる傾向がある。現在実用化されている光磁気記録
媒体の磁性膜材料は、希土類元素（Ｇｄ。
Ｔｂ 、 ｏｙ 、 Ｎｄ等）と遷移金ｇＩｋ（Ｆｅ、
Ｃｏ）との合金、例えば、ＴｂＦｅ 、 ＴｂＦｅＣｏ
、 ＧｄＴｂＦｅ 、 ＧｄＤｙＦｅＣｏ 、 Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏなどである。
Ｃｏ）との合金、例えば、ＴｂＦｅ 、 ＴｂＦｅＣｏ
、 ＧｄＴｂＦｅ 、 ＧｄＤｙＦｅＣｏ 、 Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏなどである。
第１図は一般的な光磁気記録媒体の層構成例を示す断面
図で、ポリカーボネート（ｐｃ）基板１上に下地層保護
膜２、磁性膜３、上層保護膜４、紫外線硬化（ＵＶ）樹
脂膜５を順次積層して構成されている。
図で、ポリカーボネート（ｐｃ）基板１上に下地層保護
膜２、磁性膜３、上層保護膜４、紫外線硬化（ＵＶ）樹
脂膜５を順次積層して構成されている。
この例では、磁性膜３が空気とふれ腐食するのを防止す
るため、該磁性ＦＦｊ３を下地層と上層の保護膜２，４
でサンドイッチしている。なお図中６はレーザー光、７
は集光レンズである。
るため、該磁性ＦＦｊ３を下地層と上層の保護膜２，４
でサンドイッチしている。なお図中６はレーザー光、７
は集光レンズである。
第１図の光磁気記録媒体の記録原理を説明すると、レー
ザー光６はレンズ７によって基板グループの磁性膜３に
集光フォーカスされ、磁性膜３はこの光を吸収し温度が
上昇する。その際に磁性膜３の磁化は温度上昇によって
小さくなり、キュリー温度（Ｔｃ）を越えると磁化が零
になってしまう。この時に外部磁界を加えて、冷却時に
回復した磁化の方向で記録を行う。
ザー光６はレンズ７によって基板グループの磁性膜３に
集光フォーカスされ、磁性膜３はこの光を吸収し温度が
上昇する。その際に磁性膜３の磁化は温度上昇によって
小さくなり、キュリー温度（Ｔｃ）を越えると磁化が零
になってしまう。この時に外部磁界を加えて、冷却時に
回復した磁化の方向で記録を行う。
上記の記録過程において、磁化を消失させるのに必要な
レーザー光のパワーが記録感度である。
レーザー光のパワーが記録感度である。
従って、例えばＴｂＦｅＣｏ膜を磁性膜とする媒体の高
感度化をはかろうとすると、まずキュリー温度（ＴＣ）
を下げなければならないが、そのためには希土類金属元
素を選択し、Ｄｙ等を添加したり、キュリー温度（Ｔｃ
）を上げる作用を有するＣｏ量を減らすことが実際には
有効である。ところが、再生Ｃ／Ｎを向上させるにはカ
ー回転角θｋを大きくするＣＯを多く入れておきたいこ
ともあって、Ｃｏｉを＆ａｔｏｍ％程度までしか減らす
ことができない。上述したような背景から、ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ 、 ＴｂＤｙＦｅＣｏ 、 ＮｄＤｙＦｅＣｏ
などの実際の高感度媒体では、感度と再生Ｃ／Ｎのバラ
ンスを考慮してその組成を選択している。しかし。
感度化をはかろうとすると、まずキュリー温度（ＴＣ）
を下げなければならないが、そのためには希土類金属元
素を選択し、Ｄｙ等を添加したり、キュリー温度（Ｔｃ
）を上げる作用を有するＣｏ量を減らすことが実際には
有効である。ところが、再生Ｃ／Ｎを向上させるにはカ
ー回転角θｋを大きくするＣＯを多く入れておきたいこ
ともあって、Ｃｏｉを＆ａｔｏｍ％程度までしか減らす
ことができない。上述したような背景から、ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ 、 ＴｂＤｙＦｅＣｏ 、 ＮｄＤｙＦｅＣｏ
などの実際の高感度媒体では、感度と再生Ｃ／Ｎのバラ
ンスを考慮してその組成を選択している。しかし。
現在以上の高感度化には対応できず、今後の高速ドライ
ブに適合させることは困難であるというのが実情である
。
ブに適合させることは困難であるというのが実情である
。
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたもので、磁
性膜に改良を加えて、高感度でかつ再生Ｃ／Ｎに優れた
光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
性膜に改良を加えて、高感度でかつ再生Ｃ／Ｎに優れた
光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕上記目的を達成
するため、本発明によれば、Ｃ。
するため、本発明によれば、Ｃ。
を含む希土類金属−遷移金屑合金からなる非晶質磁性膜
を記録層とした光磁気記録媒体において、前記磁性膜の
再生側の表面層に他の膜中よりもＣ。
を記録層とした光磁気記録媒体において、前記磁性膜の
再生側の表面層に他の膜中よりもＣ。
を多く含ませたことを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
される。
以下本発明を図面により詳細に説明する。
第２図及び第３図はレーザー光が光磁気記録媒体に照射
された時の面内の温度上昇とその分布及び膜深さ方向の
温度分布をそれぞれ示したものである。第２図からは、
レーザーのスポット中心部において温度が最も高く、三
次元等方向に温度分布が生じていることがわかる。また
、第３図からは磁性膜表面（再生側）で最も温度が高く
、表面から離れるにつれて減少していることがわかる。
された時の面内の温度上昇とその分布及び膜深さ方向の
温度分布をそれぞれ示したものである。第２図からは、
レーザーのスポット中心部において温度が最も高く、三
次元等方向に温度分布が生じていることがわかる。また
、第３図からは磁性膜表面（再生側）で最も温度が高く
、表面から離れるにつれて減少していることがわかる。
従って、本発明では、磁性膜におけるこのような温度分
布を考慮することで、次のような改良を加えた。つまり
磁性膜の上層保護層側温度が最も低くこの部分の磁化が
零のときには再生側表面は７０℃程度以上高いはずであ
り、再生側の表面層ではキュリー温度（Ｔｃ）が高くと
も、これによって感度が全体として悪くはならない。そ
こで、再生側の表面層のみＣｏ量を多くし、それ以外は
Ｃｏを少なくし、全体として低キユリー温度（Ｔｃ）化
すると、記録感度が高くなるとともに、再生側の表面層
はＣｏ量が多いので再生Ｃ／Ｎも高くなる。
布を考慮することで、次のような改良を加えた。つまり
磁性膜の上層保護層側温度が最も低くこの部分の磁化が
零のときには再生側表面は７０℃程度以上高いはずであ
り、再生側の表面層ではキュリー温度（Ｔｃ）が高くと
も、これによって感度が全体として悪くはならない。そ
こで、再生側の表面層のみＣｏ量を多くし、それ以外は
Ｃｏを少なくし、全体として低キユリー温度（Ｔｃ）化
すると、記録感度が高くなるとともに、再生側の表面層
はＣｏ量が多いので再生Ｃ／Ｎも高くなる。
第４図は本発明による光磁気記録媒体に用いられる磁性
膜におけるＣｏ量と膜深さの関係の一例を示す図である
。本発明では、上記の効果を得るため、再生側（下地層
保護膜側）の表面層のＣｏ濃度は他の膜中よりもｌ〜１
０ａｔ％程度多くなるようにする。
膜におけるＣｏ量と膜深さの関係の一例を示す図である
。本発明では、上記の効果を得るため、再生側（下地層
保護膜側）の表面層のＣｏ濃度は他の膜中よりもｌ〜１
０ａｔ％程度多くなるようにする。
多くなるＣｏ量が１０ａｔ％以上であると十分な感度向
上が達成できず、１ｓｔ％未満であるとカー回転角０□
が小さくなるので上記範囲が適当である。また、Ｃｏを
多く含有させる再生側の表面層の厚みは１００人〜４０
０λ程度が好ましい。４００Åより厚くすると十分な感
度向上が達成できず、１００人より薄くするとカー回転
角θ２が小さくなるので上記範囲の厚みとするのが適当
である。
上が達成できず、１ｓｔ％未満であるとカー回転角０□
が小さくなるので上記範囲が適当である。また、Ｃｏを
多く含有させる再生側の表面層の厚みは１００人〜４０
０λ程度が好ましい。４００Åより厚くすると十分な感
度向上が達成できず、１００人より薄くするとカー回転
角θ２が小さくなるので上記範囲の厚みとするのが適当
である。
本発明の光磁気記録媒体の磁性膜に用いられるＣｏを含
む希土類金属−遷移金属合金からなる非晶質磁性膜材料
としては、ＴｂＦｅＣｏ 、 ＴｂＤｙＦｅＣｏ 、
ＧｄＤｙＦａＣｏ 、 ＮｄＤｙＦｅＣｏなどが挙げら
れるが、これに限定されない。
む希土類金属−遷移金属合金からなる非晶質磁性膜材料
としては、ＴｂＦｅＣｏ 、 ＴｂＤｙＦｅＣｏ 、
ＧｄＤｙＦａＣｏ 、 ＮｄＤｙＦｅＣｏなどが挙げら
れるが、これに限定されない。
また、本発明では、磁性膜の再生側の表面層のＣｏｆｌ
Ａ度を高くする方法として、磁性膜形成の際、例えば磁
性膜形成用ターゲットの基板進行方向の手前側に適当な
個数のＣｏチップを乗せてＣｏ７３度を調整する方法が
使用される。
Ａ度を高くする方法として、磁性膜形成の際、例えば磁
性膜形成用ターゲットの基板進行方向の手前側に適当な
個数のＣｏチップを乗せてＣｏ７３度を調整する方法が
使用される。
次に実施例及び比較例をあげて本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
（実施例１）
プラスチック基板として直径１３０ｍｍ、厚さ１ 、２
＋＋＋＋ｓのポリカーボネート（ＰＣ）を用いた。この
ＰＣ基板は射出成形で作成したものであり、１．６μｍ
ピッチのグループが形成されており、ランド部の幅は１
．０μｍ、溝部の幅は０．６μ■、深さは７００人とな
っている。このＰＣ基板をスパッタ装置のチャンバーに
セットし、２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒまで真空排気し
、第１スパツタ室でＳｉＮからなる下地層保護膜を８０
０人厚錯形威し、次いで第２スパツタ室で磁性膜を８０
０人厚錯形成した。ターゲットはＴｂ１ｚＤ’ｊ１Ｊｅ
７ｘＣＯｓ四元系合金ターゲットを用いた。また、磁性
膜の再生側表面層をＣｏリッチにする為に、第５図のよ
うなターゲットを用いた。つまり、ＴＩ）ｚ ｚ ＤＹ
１２ Ｆｅ、 ｘ Ｃｏｓターゲットの基板進行方向の
手前側に１０ｍｍ Ｘ ７ｍｍ Ｘ ３＋ｍｍのＣｏチ
ップを７個乗せ、Ｃｏ濃度を再生側の表面層で１Ｏａｔ
％になるように調整した。Ｃｏリッチ層は表面より約２
００人とした０次いで、第１スパツタ室でさらにＳｉＮ
からなる上層保護膜を８００λ厚に形成した後、チャン
バーより取出した。そして、最後にエポキシ系樹脂をス
ピンコードにより２０μｍ厚に塗膜し紫外線を照射して
硬化させて有機保護膜を形成し、光磁気記録媒体を得た
。
＋＋＋＋ｓのポリカーボネート（ＰＣ）を用いた。この
ＰＣ基板は射出成形で作成したものであり、１．６μｍ
ピッチのグループが形成されており、ランド部の幅は１
．０μｍ、溝部の幅は０．６μ■、深さは７００人とな
っている。このＰＣ基板をスパッタ装置のチャンバーに
セットし、２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒまで真空排気し
、第１スパツタ室でＳｉＮからなる下地層保護膜を８０
０人厚錯形威し、次いで第２スパツタ室で磁性膜を８０
０人厚錯形成した。ターゲットはＴｂ１ｚＤ’ｊ１Ｊｅ
７ｘＣＯｓ四元系合金ターゲットを用いた。また、磁性
膜の再生側表面層をＣｏリッチにする為に、第５図のよ
うなターゲットを用いた。つまり、ＴＩ）ｚ ｚ ＤＹ
１２ Ｆｅ、 ｘ Ｃｏｓターゲットの基板進行方向の
手前側に１０ｍｍ Ｘ ７ｍｍ Ｘ ３＋ｍｍのＣｏチ
ップを７個乗せ、Ｃｏ濃度を再生側の表面層で１Ｏａｔ
％になるように調整した。Ｃｏリッチ層は表面より約２
００人とした０次いで、第１スパツタ室でさらにＳｉＮ
からなる上層保護膜を８００λ厚に形成した後、チャン
バーより取出した。そして、最後にエポキシ系樹脂をス
ピンコードにより２０μｍ厚に塗膜し紫外線を照射して
硬化させて有機保護膜を形成し、光磁気記録媒体を得た
。
（実施例２〜４）
実施例１において、 Ｃｏリッチ層の膜厚をそれぞれ１
００人、３００人、４００人としたこと以外は同様にし
て実施例２．３．４の光磁気記録媒体を得た。
００人、３００人、４００人としたこと以外は同様にし
て実施例２．３．４の光磁気記録媒体を得た。
（実施例５〜８）
実施例１において、 Ｃｏチップ数を９個にし磁性膜の
再生側の表面層のＣｏ濃度が１２ａｔ％どなるようにし
、かつＣｏリッチ層の膜厚をそれぞれ１００人、２００
人、３００人、４００Ａとしたこと以外は同様にして実
施例５，６．７．８の光磁気記録媒体を得た。
再生側の表面層のＣｏ濃度が１２ａｔ％どなるようにし
、かつＣｏリッチ層の膜厚をそれぞれ１００人、２００
人、３００人、４００Ａとしたこと以外は同様にして実
施例５，６．７．８の光磁気記録媒体を得た。
（実施例９〜１２）
実施例１において、 Ｃｏチップ数を６個にし磁性膜の
再生側の表面層のＣｏ濃度が８ａｔ！ｇとなるようにし
、かつＣｏリッチ層の膜厚をそれぞれ１００λ、２００
Ａ、３００人、４００人としたこと以外は同様にして実
施例９．１０．１１．１２の光磁気記録媒体を得た。
再生側の表面層のＣｏ濃度が８ａｔ！ｇとなるようにし
、かつＣｏリッチ層の膜厚をそれぞれ１００λ、２００
Ａ、３００人、４００人としたこと以外は同様にして実
施例９．１０．１１．１２の光磁気記録媒体を得た。
表−１に上記実施例１〜１２の磁性膜のＣｏリッチ層（
再生側の表面層）の膜厚とＣｏ量の関係を示す、なお、
各サンプルのＣｏリッチ層の膜厚及びＣｏ量の測定はオ
ージェ分光分析により行った。
再生側の表面層）の膜厚とＣｏ量の関係を示す、なお、
各サンプルのＣｏリッチ層の膜厚及びＣｏ量の測定はオ
ージェ分光分析により行った。
表−ｌ
（比較例１）
実施例１において、磁性膜全体を実施例１のＣｏリッチ
層と同じ組成の膜（膜厚８００人）としたこと以外は同
様にして光磁気記録媒体を得た。
層と同じ組成の膜（膜厚８００人）としたこと以外は同
様にして光磁気記録媒体を得た。
（比較例２）
実施例１において、磁性膜全体を実施例５のＣｏリッチ
層と同じ組成の膜（膜厚８００Ａ）としたこと以外は同
様にして光磁気記録媒体を得た。
層と同じ組成の膜（膜厚８００Ａ）としたこと以外は同
様にして光磁気記録媒体を得た。
（比較例３）
実施例１において、磁性膜全体を実施例９のＣｏリッチ
層と同じ組成の膜（膜厚８００Ａ）としたこと以外は同
様にして光磁気記録媒体を得た。
層と同じ組成の膜（膜厚８００Ａ）としたこと以外は同
様にして光磁気記録媒体を得た。
以上のようにして作製した各光磁気記録媒体の記録再生
特性を以下の条件で評価した。
特性を以下の条件で評価した。
ディスク回転数 ３６０Ｏｒｐｍ（ＣＡＶ）記録周波数
ｆ＝７．４ ＭＨｚ外部磁界 Ｈｅｘ
＝３０００ｅ なお、記録感度は半径ｒ＝６０ｍｍの最外周位置で評価
し、第二高調波最小値をもって最適とした。Ｃ／Ｎは半
径ｒ＝３０ｍｍの位置で最小ビット長が０．７６μｍと
なり、ここで評価した。これらの結果を表−２に示す。
ｆ＝７．４ ＭＨｚ外部磁界 Ｈｅｘ
＝３０００ｅ なお、記録感度は半径ｒ＝６０ｍｍの最外周位置で評価
し、第二高調波最小値をもって最適とした。Ｃ／Ｎは半
径ｒ＝３０ｍｍの位置で最小ビット長が０．７６μｍと
なり、ここで評価した。これらの結果を表−２に示す。
また記録感度と表面層膜厚の関係を第６図に示す。
表−２
第６図かられかるように、実施例ではＣｏ量によらず表
面層膜厚が増加するにつれて記録感度は低くなる傾向を
示し、比較例と同一感度になるのは４００人である。ま
たＣ／ＮはＣｏ量を多く出来るので４８〜５０ｄＢを達
成できており、比較例と同等である。
面層膜厚が増加するにつれて記録感度は低くなる傾向を
示し、比較例と同一感度になるのは４００人である。ま
たＣ／ＮはＣｏ量を多く出来るので４８〜５０ｄＢを達
成できており、比較例と同等である。
このように本発明の実施例では再生Ｃ／Ｎを損わずに記
録感度を向上させることができた。
録感度を向上させることができた。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、再生側の
磁性膜表面層に他の膜中よりもＧｏを多く含ませたので
、高感度でかつ高Ｃハの光磁記録媒体の提供が可能とな
る。
磁性膜表面層に他の膜中よりもＧｏを多く含ませたので
、高感度でかつ高Ｃハの光磁記録媒体の提供が可能とな
る。
第１図は一般の光磁気記録媒体の構成例を示す断面図、
第２図は媒体のレーザー光照射部の温度上昇と面内温度
分布を示す図、第３図は磁性膜の深さ方向の温度分布を
示す図、第４図は本発明の光磁気記録媒体の磁性膜のＣ
ｏ濃度の深さ方向の分布を示す図、第５図は本発明の実
施例の磁性膜形成に使用されるターゲットを示す斜視図
、第６図は本発明の実施例の記録感度と表面層膜厚との
関係を示す図である。 １・・・ｐｃ基板 ２・・・下地層保護膜 ３・・・磁性層 ４・・・上層保護層 ５・・・ＵＶ樹脂膜
第２図は媒体のレーザー光照射部の温度上昇と面内温度
分布を示す図、第３図は磁性膜の深さ方向の温度分布を
示す図、第４図は本発明の光磁気記録媒体の磁性膜のＣ
ｏ濃度の深さ方向の分布を示す図、第５図は本発明の実
施例の磁性膜形成に使用されるターゲットを示す斜視図
、第６図は本発明の実施例の記録感度と表面層膜厚との
関係を示す図である。 １・・・ｐｃ基板 ２・・・下地層保護膜 ３・・・磁性層 ４・・・上層保護層 ５・・・ＵＶ樹脂膜
Claims (1)
- （１）Ｃｏを含む希土類金属−遷移金属合金からなる非
晶質磁性膜を記録層とした光磁気記録媒体において、前
記磁性膜の再生側の表面層に他の膜中よりもＣｏを多く
含ませたことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19624689A JPH0362340A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19624689A JPH0362340A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362340A true JPH0362340A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16354618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19624689A Pending JPH0362340A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362340A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61276148A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスク |
| JPS63282945A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS63282944A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光熱磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP19624689A patent/JPH0362340A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61276148A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスク |
| JPS63282945A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光熱磁気記録媒体 |
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