JP2673962B2 - 光磁気記録ディスク - Google Patents
光磁気記録ディスクInfo
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- JP2673962B2 JP2673962B2 JP63245371A JP24537188A JP2673962B2 JP 2673962 B2 JP2673962 B2 JP 2673962B2 JP 63245371 A JP63245371 A JP 63245371A JP 24537188 A JP24537188 A JP 24537188A JP 2673962 B2 JP2673962 B2 JP 2673962B2
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- Japan
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- magneto
- erasing
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- disk
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の
記録、再生を行う光磁気記録ディスク、特に、一定の回
転数にて使用されるいわゆるCAVディスクに関する。
記録、再生を行う光磁気記録ディスク、特に、一定の回
転数にて使用されるいわゆるCAVディスクに関する。
＜従来の技術＞ 光磁気記録ディスクは、レーザー光等の照射により、
所定の組成を有する記録層の温度をキュリー点付近まで
上昇させ、このとき外部から磁界を印加することにより
情報の記録を行なう。
所定の組成を有する記録層の温度をキュリー点付近まで
上昇させ、このとき外部から磁界を印加することにより
情報の記録を行なう。
情報の記録は、一定強度の磁界を印加しながら、変調
された光により記録を行なう光変調記録、あるいは一定
の強度の光を照射しながら、変調された磁界により記録
を行なう磁界変調記録によりなされる。
された光により記録を行なう光変調記録、あるいは一定
の強度の光を照射しながら、変調された磁界により記録
を行なう磁界変調記録によりなされる。
光磁気記録ディスクの情報の消去は、外部から記録層
Hc以上の一様な磁界を印加して消去を行なう全面消去
（バルクイレーズ）法によるか、レーザー光等を記録ト
ラックに沿って照射して記録層の温度を上昇させ、記録
層の磁化反転に必要な強度の外部磁界を印加して行なう
線消去法により行なう。
Hc以上の一様な磁界を印加して消去を行なう全面消去
（バルクイレーズ）法によるか、レーザー光等を記録ト
ラックに沿って照射して記録層の温度を上昇させ、記録
層の磁化反転に必要な強度の外部磁界を印加して行なう
線消去法により行なう。
また、磁界変調により記録を行なう場合、独立した消
去過程を設けず、情報の重ね書きにより消去を行なうい
わゆるオーバーライト法により記録・消去を行なうこと
ができる。
去過程を設けず、情報の重ね書きにより消去を行なうい
わゆるオーバーライト法により記録・消去を行なうこと
ができる。
光磁気記録ディスクの記録層としては、例えば、GdF
e、TbFe、TbFeCo、GdFeCo等の希土類−遷移金属の非晶
質磁性薄膜層等が知られている。これらは、真空蒸着法
やスパッタリング法等の方法で、透明なディスク状の基
板に薄膜として形成され、光磁気記録ディスクとされて
いる。
e、TbFe、TbFeCo、GdFeCo等の希土類−遷移金属の非晶
質磁性薄膜層等が知られている。これらは、真空蒸着法
やスパッタリング法等の方法で、透明なディスク状の基
板に薄膜として形成され、光磁気記録ディスクとされて
いる。
このような光磁気記録ディスクにおいて、基板の記録
層設層面には、記録トラックが設けられている。記録ト
ラックは、幅1.6μｍ程度あり、スパイラル状、同心円
状等の円状に凸部または凹部として設けられる。
層設層面には、記録トラックが設けられている。記録ト
ラックは、幅1.6μｍ程度あり、スパイラル状、同心円
状等の円状に凸部または凹部として設けられる。
記録は、この記録トラック上の記録層に対してなされ
る。
る。
＜発明が解決しようとする課題＞ 光磁気記録ディスクでは、C/N比および線消去法にお
ける消去パワーは線速に依存する。
ける消去パワーは線速に依存する。
すなわち、線速が大きくなるとC/N比は向上する消去
パワーが増大し、線速が小さくなると消去パワーは減少
するがC/N比が低下してしまう。
パワーが増大し、線速が小さくなると消去パワーは減少
するがC/N比が低下してしまう。
したがって、一定の回転数に使用されるいわゆるCAV
ディスクの場合、ディスク外周部とディスク内周部で線
速が異なるため、C/N比および消去パワーが一定とはな
らない。このため、ディスク外周部と内周部とで同等な
C/N比を得ることができない。また、消去パワーは必要
とされる最大限のものを印加する必要があり、ディスク
駆動装置の大型化を招く。
ディスクの場合、ディスク外周部とディスク内周部で線
速が異なるため、C/N比および消去パワーが一定とはな
らない。このため、ディスク外周部と内周部とで同等な
C/N比を得ることができない。また、消去パワーは必要
とされる最大限のものを印加する必要があり、ディスク
駆動装置の大型化を招く。
一方、光磁気記録ディスクでは、記録トラック幅が広
くなるほどC/N比が向上することが知られている。〔乾
他，第９回日本応用磁気学会学術講演概要集,29pB−
３（1985）〕。ただし、線消去を行なう場合、消去パワ
ーと記録トラック幅との関係については言及されていな
い。
くなるほどC/N比が向上することが知られている。〔乾
他，第９回日本応用磁気学会学術講演概要集,29pB−
３（1985）〕。ただし、線消去を行なう場合、消去パワ
ーと記録トラック幅との関係については言及されていな
い。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、ディ
スク外周部とディスク内周部とでC/N比や消去パワーに
変化が少ない光磁気記録ディスクを提供することを目的
とする。
スク外周部とディスク内周部とでC/N比や消去パワーに
変化が少ない光磁気記録ディスクを提供することを目的
とする。
＜課題を解決するための手段＞ このような目的は下記の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、下記（１）〜（３）である。
（１）円状の記録トラックを基板上に有する光磁気記録
ディスクにおいて、 前記基板内周部に存在する記録トラックの幅およびピ
ッチが、それぞれ前記基板外周部に存在する記録トラッ
クの幅およびピッチよりも広いことを特徴とする光磁気
記録ディスク。
ディスクにおいて、 前記基板内周部に存在する記録トラックの幅およびピ
ッチが、それぞれ前記基板外周部に存在する記録トラッ
クの幅およびピッチよりも広いことを特徴とする光磁気
記録ディスク。
（２）ディスク最内周のトラック幅をwI、最外周のトラ
ック幅をwOとしたときに、 1.0＜wI/wO＜5.0 である上記（１）に記載の光磁気記録ディスク。
ック幅をwOとしたときに、 1.0＜wI/wO＜5.0 である上記（１）に記載の光磁気記録ディスク。
（３）1.3＜wI/wO＜3.0である上記（２）に記載の光磁
気記録ディスク。
気記録ディスク。
＜作用＞ 本発明の光磁気記録ディスクは、記録・再生が一定の
回転数にて行なわれるいわゆるCAVディスクとして用い
られることが好ましい。
回転数にて行なわれるいわゆるCAVディスクとして用い
られることが好ましい。
CAVディスクでは、ディスク外周部からディスク内周
部に向かって、記録面の線速が漸減する。
部に向かって、記録面の線速が漸減する。
上記のように、線速が大きくなるとC/N比は向上する
が消去に必要なパワーが増大し、線速が小さくなると消
去に必要なパワーは減少するがC/N比が低下してしま
う。
が消去に必要なパワーが増大し、線速が小さくなると消
去に必要なパワーは減少するがC/N比が低下してしま
う。
すなわち、CAVディスクにおいては、外周部から内周
部に向かってC/N比は漸減するが、消去に必要なパワー
も漸減する。
部に向かってC/N比は漸減するが、消去に必要なパワー
も漸減する。
一方、上記のように、光磁気記録ディスクにおいて
は、記録トラック幅が広くなるほどC/N比が向上する。
また、いわゆる線消去を行なう場合、消去に必要なパワ
ーは記録トラック幅が広くなるほど増大する。
は、記録トラック幅が広くなるほどC/N比が向上する。
また、いわゆる線消去を行なう場合、消去に必要なパワ
ーは記録トラック幅が広くなるほど増大する。
本発明では、CAVディスクにおいて外周部と内周部と
で異なるC/N比および消去に必要なパワーを、基板内周
部に存在する記録トラックの幅を基板外周部に存在する
記録トラックの幅よりも広く構成することにより補償
し、C/N比や消去に必要なパワーをほぼ一定に保つこと
ができる。
で異なるC/N比および消去に必要なパワーを、基板内周
部に存在する記録トラックの幅を基板外周部に存在する
記録トラックの幅よりも広く構成することにより補償
し、C/N比や消去に必要なパワーをほぼ一定に保つこと
ができる。
この際、トラックピッチも内周部で広くすることによ
り、C/N比も向上する。
り、C/N比も向上する。
＜具体的構成＞ 本発明において、記録トラックはディスク状の基板上
にスパイラル状、あるいは同心円状等の円状に設けられ
る。
にスパイラル状、あるいは同心円状等の円状に設けられ
る。
本発明では基板内周部に存在する記録トラックの幅
が、基板外周部に存在する記録トラックの幅よりも広く
構成される。
が、基板外周部に存在する記録トラックの幅よりも広く
構成される。
本発明の光磁気記録ディスクの一定の回転数にて使用
されるCAVディスクとして用いる場合であって、記録ト
ラックがスパイラル状に設けられる場合、記録トラック
幅はディスク外周部から内周部に向かって漸増するよう
構成されることが好ましい。
されるCAVディスクとして用いる場合であって、記録ト
ラックがスパイラル状に設けられる場合、記録トラック
幅はディスク外周部から内周部に向かって漸増するよう
構成されることが好ましい。
また、記録トラックが同心円状に設けられる場合、各
トラックは一定の間隔とされ、かつトラック幅は外周部
から内周部に向かって漸増するよう構成されることが好
ましい。
トラックは一定の間隔とされ、かつトラック幅は外周部
から内周部に向かって漸増するよう構成されることが好
ましい。
これら各場合において、記録トラック幅の変化率は、
トラック密度、再生光のビーム径等に基づいて、理論的
ないし実験的に決定することができる。
トラック密度、再生光のビーム径等に基づいて、理論的
ないし実験的に決定することができる。
さらに、本発明においては、記録トラック幅と共に、
トラック間隔（トラックピッチ）を変化させる。これに
より、C/N比が向上する。
トラック間隔（トラックピッチ）を変化させる。これに
より、C/N比が向上する。
線速が変化するとC/N比および消去に必要なパワーは
変化するが、これら両者の変化率は一致するとは限らな
い。また、記録トラック幅が変化してもC/N比および消
去に必要なパワーは変化するが、この場合の両者の変化
率も一致するとは限らない。したがって、例えば、線速
の変化によるC/N比の変化を相殺してC/N比がほぼ一定と
なるように記録トラック幅の変化率を定めた場合、消去
に必要なパワーはほぼ一定になるとは限らない。
変化するが、これら両者の変化率は一致するとは限らな
い。また、記録トラック幅が変化してもC/N比および消
去に必要なパワーは変化するが、この場合の両者の変化
率も一致するとは限らない。したがって、例えば、線速
の変化によるC/N比の変化を相殺してC/N比がほぼ一定と
なるように記録トラック幅の変化率を定めた場合、消去
に必要なパワーはほぼ一定になるとは限らない。
このため、目的に応じて、C/N比および消去に必要な
パワーのいずれか一方がほぼ一定になるように記録トラ
ック幅の変化率を決定すればよい。また、C/N比の変化
および消去に必要なパワーの変化のいずれもが許容範囲
内に収まるように、記録トラック幅の変化率を定めるこ
ともできる。
パワーのいずれか一方がほぼ一定になるように記録トラ
ック幅の変化率を決定すればよい。また、C/N比の変化
および消去に必要なパワーの変化のいずれもが許容範囲
内に収まるように、記録トラック幅の変化率を定めるこ
ともできる。
本発明において、C/N比がほぼ一定になるとは、ディ
スク外周部と内周部とのC/N比の差がある範囲内に収ま
ることを意味する。
スク外周部と内周部とのC/N比の差がある範囲内に収ま
ることを意味する。
この範囲は、目的、用途等に応じて異なるが、例え
ば、直径150mmの光磁気記録ディスクをユーザー領域を
半径30〜60mmとして、CAV1800rpmの回転速度において使
用する場合、消去のし易さを考慮して、4dB以内、特に
2.5dB以内であることが好ましい。
ば、直径150mmの光磁気記録ディスクをユーザー領域を
半径30〜60mmとして、CAV1800rpmの回転速度において使
用する場合、消去のし易さを考慮して、4dB以内、特に
2.5dB以内であることが好ましい。
また、消去に必要なパワー、すなわち最小消去パワー
（例えば、残留信号出力比が1.0dB未満となる最小のパ
ワー）の変化は、レーザーダイオードの出力に上限があ
り、さらに、出力パワーのバラツキも通常10％程度は見
込んでおく必要があることから、1.0mW以内、特に0.8mW
以内に収まることが好ましい。
（例えば、残留信号出力比が1.0dB未満となる最小のパ
ワー）の変化は、レーザーダイオードの出力に上限があ
り、さらに、出力パワーのバラツキも通常10％程度は見
込んでおく必要があることから、1.0mW以内、特に0.8mW
以内に収まることが好ましい。
ディスク外周部とディスク内周部のC/N比および消去
に必要なパワーの変化量を上記範囲内に収めるために
は、記録トラック幅の変化範囲は、ディスク最外周のト
ラック幅をwO、最内周のトラック幅をwIとした場合、1.
0＜wI/wO＜5.0、特に1.3＜wI/wO＜3.0であることが好ま
しい。
に必要なパワーの変化量を上記範囲内に収めるために
は、記録トラック幅の変化範囲は、ディスク最外周のト
ラック幅をwO、最内周のトラック幅をwIとした場合、1.
0＜wI/wO＜5.0、特に1.3＜wI/wO＜3.0であることが好ま
しい。
ここでwOとしては、0.5〜1.6μｍの範囲であることが
好ましい。
好ましい。
トラック幅wOが上記範囲未満となると、消去に必要な
パワーは減少するが、C/N比が不十分となってしまう。
また、トラッキング信号の強度も低下してしまう。
パワーは減少するが、C/N比が不十分となってしまう。
また、トラッキング信号の強度も低下してしまう。
なお、直径300mm以下のディスクでは、このようなwI/
wOの関係にて、C/N比および消去に必要なパワーの変化
量を、常に上記範囲内とすることができる。
wOの関係にて、C/N比および消去に必要なパワーの変化
量を、常に上記範囲内とすることができる。
このような場合、トラック幅やピッチはディスク半径
と比例して広くなるようにすることが好ましいが、場合
によっては、階段的に広くなるなど種々の形態をとるこ
とができる。
と比例して広くなるようにすることが好ましいが、場合
によっては、階段的に広くなるなど種々の形態をとるこ
とができる。
このような記録トラックは、凸状に設けられてもよ
く、凹状に設けられてもよい。
く、凹状に設けられてもよい。
記録トラックの高さないし深さは、通常、20〜100nm
程度である。
程度である。
また、記録トラックの間隔（ピッチ）は、通常、1.0
〜3.0μｍ程度である。
〜3.0μｍ程度である。
なお、上記では、記録トラックの全ての部分の再生回
転数が一定であるCAVディスクについて説明したが、本
発明はこのようなディスクに限らず、ディスクの一部で
再生回転数が異なるCAVディスク、例えば、外周部と内
周部で再生回転数が異なるCAVディスクにも好適に用い
ることができる。この場合も、トラック幅およびその変
化率は、理論的・実験的に求めることができる。
転数が一定であるCAVディスクについて説明したが、本
発明はこのようなディスクに限らず、ディスクの一部で
再生回転数が異なるCAVディスク、例えば、外周部と内
周部で再生回転数が異なるCAVディスクにも好適に用い
ることができる。この場合も、トラック幅およびその変
化率は、理論的・実験的に求めることができる。
上記のような記録トラックが設けられる基板は、ガラ
ス製、あるいはアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテ
ン樹脂等の樹脂製であって、記録ないし再生光に対し透
明なものであればよい。
ス製、あるいはアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテ
ン樹脂等の樹脂製であって、記録ないし再生光に対し透
明なものであればよい。
そして、基板上に記録トラックを形成するには、射出
成形、2P法等の公知の方法によればよい。
成形、2P法等の公知の方法によればよい。
また、基板の寸法は通常、外径50〜300mm程度、厚さ
0.5〜3mm程度とされる。なお、基板と対向して保護板を
設ける場合、保護板の材質は基板の材質と同様なもので
あってよい。また、記録・再生光は、基板側から入射す
るため、保護板は透明でなくてもよい。
0.5〜3mm程度とされる。なお、基板と対向して保護板を
設ける場合、保護板の材質は基板の材質と同様なもので
あってよい。また、記録・再生光は、基板側から入射す
るため、保護板は透明でなくてもよい。
本発明の光磁気記録ディスクの記録層に特に制限はな
いが、Gd、Td、Dy等の希土類金属と好ましくはFe、Co等
の遷移金属の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質
膜として形成したものであることが好ましい。このよう
な記録層は、変調された熱ビームあるいは変調された磁
界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記録
情報は磁気−光変換して再生されるものである。
いが、Gd、Td、Dy等の希土類金属と好ましくはFe、Co等
の遷移金属の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質
膜として形成したものであることが好ましい。このよう
な記録層は、変調された熱ビームあるいは変調された磁
界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記録
情報は磁気−光変換して再生されるものである。
このような記録層の厚さは、通常、10〜1000nm程度で
ある。
ある。
このような記録層上あるいは膜の少なくとも一方に
は、保護層を形成することが好ましい。
は、保護層を形成することが好ましい。
保護層を、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物ある
いはこれらの混合物の30〜300nm程度の無機薄膜から構
成すると、耐食性が向上する。
いはこれらの混合物の30〜300nm程度の無機薄膜から構
成すると、耐食性が向上する。
また、記録・再生光の入射側（本発明ではディスク主
面111側）の保護層と記録層との間には、30〜150nm程度
の各種誘導体物質の層を中間層として設置すると、C/N
比が向上する。
面111側）の保護層と記録層との間には、30〜150nm程度
の各種誘導体物質の層を中間層として設置すると、C/N
比が向上する。
さらに、これら保護層、中間層、記録層からなる積層
体上には、保護コートを設定することが好ましい。
体上には、保護コートを設定することが好ましい。
保護コートとしては、上記の積層体の全面、すなわち
積層体の上面のみならず、内周側と外周側の側面にも設
けることが好ましい。これにより耐食性が向上する。
積層体の上面のみならず、内周側と外周側の側面にも設
けることが好ましい。これにより耐食性が向上する。
保護コート材質としては種々の有機系の物質を用いれ
ばよいが、アクリル系二重結合を有する放射線硬化型化
合物を電子線、紫外線等の放射線で硬化させたものを用
いることが好ましい。
ばよいが、アクリル系二重結合を有する放射線硬化型化
合物を電子線、紫外線等の放射線で硬化させたものを用
いることが好ましい。
このような保護コートの厚さは、一般に１〜150μｍ
程度とする。
程度とする。
上記積層体を有する基板と保護板とは、ホットメルト
系接着剤、熱硬化性接着剤、嫌気性接着剤等の公知の接
着剤で接着すればよい。
系接着剤、熱硬化性接着剤、嫌気性接着剤等の公知の接
着剤で接着すればよい。
なお、本発明は、基板と保護層を貼り合わせた片面記
録型の光磁気記録ディスクに限らず、記録層を有する上
記の基板を２枚貼り合わせた両面記録型の光磁気記録デ
ィスクにも好適に適用できる。
録型の光磁気記録ディスクに限らず、記録層を有する上
記の基板を２枚貼り合わせた両面記録型の光磁気記録デ
ィスクにも好適に適用できる。
＜実施例＞ 以下、本発明の具体的実施例、比較例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
実施例 スパイラル状の記録トラックを形成した直径130mm、
厚さ1.2mmのポリカーボネート基板を使用した。
厚さ1.2mmのポリカーボネート基板を使用した。
記録トラック幅としては、最内周のトラック幅wI2.0
μｍ、最外周のトラック幅wO0.8μｍ、wI/wO＝2.5、ト
ラック深さ60nm、トラック間隔を最外周で2.6μｍ、最
内周で1.4μｍとした。
μｍ、最外周のトラック幅wO0.8μｍ、wI/wO＝2.5、ト
ラック深さ60nm、トラック間隔を最外周で2.6μｍ、最
内周で1.4μｍとした。
記録トラック幅と記録トラック間隔は、共にディスク
半径に対しリニアに変化させ、記録トラック幅の変化率
は0.040μm/mm、記録トラック間隔の変化率は0.040μm/
mmとした。
半径に対しリニアに変化させ、記録トラック幅の変化率
は0.040μm/mm、記録トラック間隔の変化率は0.040μm/
mmとした。
この基板上に、ガラス製の保護層を高周波マグネトロ
ンスパッタにより40nmの層厚に設層し、この保護層上
に、SiNXからなる中間層を高周波マグネトロンスパッタ
により層厚80nmに設層した。
ンスパッタにより40nmの層厚に設層し、この保護層上
に、SiNXからなる中間層を高周波マグネトロンスパッタ
により層厚80nmに設層した。
次に、中間層上に、TbFeCo系の記録層をスパッタによ
り層厚80nmに設層した。
り層厚80nmに設層した。
さらに、記録層上に、保護層と同組成の保護層を高周
波マグネトロンスパッタにより層厚100nmに設層し、こ
の保護層上に、保護コートを設層した。なお、保護コー
トは、多官能オリゴエステルアクリレートと光増感剤と
を含む塗布組成物をスピンナーコートにより保護層上に
塗布し、その後、紫外線を15秒間照射して架橋硬化させ
ることにより設層した。保護コートの厚さは５μｍとし
た。
波マグネトロンスパッタにより層厚100nmに設層し、こ
の保護層上に、保護コートを設層した。なお、保護コー
トは、多官能オリゴエステルアクリレートと光増感剤と
を含む塗布組成物をスピンナーコートにより保護層上に
塗布し、その後、紫外線を15秒間照射して架橋硬化させ
ることにより設層した。保護コートの厚さは５μｍとし
た。
このようにして光磁気記録ディスクサンプルNo.1を作
製した。
製した。
このサンプルNo.1に対し、下記の測定を行なった。
（１）C/N比 ディスク回転数1800rpm 周波数3.7MHz 記録パワー2.0〜6.0mW 再生パワー1.5mW RBW30kHz VBW100Hz にて測定した。
ディスク中心からの記録トラックの距離（ディスク半
径）とC/N比との関係を、第１図に示す。
径）とC/N比との関係を、第１図に示す。
なお、光学系は、λ＝830nm、N.A.＝0.52、PIN差動の
ものを用い、記録時の磁界強度は、300Oeとした。
ものを用い、記録時の磁界強度は、300Oeとした。
（２）最小消去パワー 消去磁界強度400Oeにおける消去における必要な最小
消去パワー（残留信号出力比が1.0dB未満となる最小の
パワー）を測定した。
消去パワー（残留信号出力比が1.0dB未満となる最小の
パワー）を測定した。
なお、用いた光学系は、C/N比測定のときと同じであ
る。
る。
ディスク中心からの記録トラックの距離（ディスク半
径）と最小消去パワーとの関係を、第２図に示す。
径）と最小消去パワーとの関係を、第２図に示す。
比較例１ 記録トラック幅としては、最内周のトラック幅wI1.1
μｍ、最外周のトラック幅wO0.6μｍ、wI/wO＝1.8、ト
ラック深さ60nm、トラック間隔1.6μｍとした。
μｍ、最外周のトラック幅wO0.6μｍ、wI/wO＝1.8、ト
ラック深さ60nm、トラック間隔1.6μｍとした。
記録トラック幅の変化は、ディスク半径に対しリニア
とし、その変化率は、0.017μm/mmとした。
とし、その変化率は、0.017μm/mmとした。
これ以外は、実施例と同様にして光磁気記録ディスク
サンプルNo.2を作製し、実施例と同様な測定を行なっ
た。
サンプルNo.2を作製し、実施例と同様な測定を行なっ
た。
結果を第１図および第２図に併記する。
比較例２ 記録トラック幅が0.8μｍで、内外周一定幅の光磁気
記録ディスクを実施例と同様にして作製し、サンプルN
o.3とした。
記録ディスクを実施例と同様にして作製し、サンプルN
o.3とした。
このサンプルについて、上記と同様な測定を行なっ
た。結果を第１図および第２図に併記する。
た。結果を第１図および第２図に併記する。
第１図および第２図に示される結果から、本発明の効
果が明らかである。すなわち、トラック幅を内周側で広
くしたNo.1およびNo.2は、C/N比、最小消去パワーとも
一定に保たれている。しかも、トラックピッチも変化さ
せたNo.1はC/N比が向上している。
果が明らかである。すなわち、トラック幅を内周側で広
くしたNo.1およびNo.2は、C/N比、最小消去パワーとも
一定に保たれている。しかも、トラックピッチも変化さ
せたNo.1はC/N比が向上している。
なお、サンプルNo.1および２ともに、十分なトラッキ
ング信号強度が得られた。
ング信号強度が得られた。
＜効 果＞ 本発明の構成によれば、CAVディスクにおけるC/N比お
よび消去に必要なパワーの変動を補償することができ、
C/N比および消去に必要なパワーをほぼ一定に保つこと
ができる。
よび消去に必要なパワーの変動を補償することができ、
C/N比および消去に必要なパワーをほぼ一定に保つこと
ができる。
第１図は、記録トラックのディスク中心からの距離（デ
ィスク半径）とC/N比との関係を示すグラフである。 第２図は、記録トラックのディスク中心からの距離（デ
ィスク半径）と最小消去パワーとの関係を示すグラフで
ある。
ィスク半径）とC/N比との関係を示すグラフである。 第２図は、記録トラックのディスク中心からの距離（デ
ィスク半径）と最小消去パワーとの関係を示すグラフで
ある。
Claims (3)
- 【請求項１】円状の記録トラックを基板上に有する光磁
気記録ディスクにおいて、 前記基板内周部に存在する記録トラックの幅およびピッ
チが、それぞれ前記基板外周部に存在する記録トラック
の幅およびピッチよりも広いことを特徴とする光磁気記
録ディスク。 - 【請求項２】ディスク最内周のトラック幅をwI、最外周
のトラック幅をｗ ときに、 1.0＜wI/wO＜5.0 である請求項１に記載の光磁気記録ディスク。 - 【請求項３】1.3＜wI/wO＜3.0である請求項２に記載の
光磁気記録ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245371A JP2673962B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 光磁気記録ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245371A JP2673962B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 光磁気記録ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294045A JPH0294045A (ja) | 1990-04-04 |
| JP2673962B2 true JP2673962B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=17132672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63245371A Expired - Fee Related JP2673962B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 光磁気記録ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2673962B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635267A (en) * | 1992-09-17 | 1997-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium of phase change type having variably grooved tracks depending on their radial locations |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233740A (ja) * | 1988-07-23 | 1990-02-02 | Seiko Epson Corp | 光ディスク |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP63245371A patent/JP2673962B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0294045A (ja) | 1990-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |