JPS61182651A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61182651A JPS61182651A JP2286485A JP2286485A JPS61182651A JP S61182651 A JPS61182651 A JP S61182651A JP 2286485 A JP2286485 A JP 2286485A JP 2286485 A JP2286485 A JP 2286485A JP S61182651 A JPS61182651 A JP S61182651A
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- magneto
- optical recording
- recording layer
- erasure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光を用いて情報の記録再生消去をおこな
う光磁気記録媒体に関する。
う光磁気記録媒体に関する。
（従来技術とその問題点）
光デイスクメモリは高密度・大容量・高速アクセスが可
能であるということから、現在の磁気ディスクメモリに
代わる新規なメモリとじて考えられている。中でも光磁
気記録媒体を用いた光磁気ディスクは書き替え性を有し
ていることから最も注目され、近年活発に研究開発がお
こなわれている。
能であるということから、現在の磁気ディスクメモリに
代わる新規なメモリとじて考えられている。中でも光磁
気記録媒体を用いた光磁気ディスクは書き替え性を有し
ていることから最も注目され、近年活発に研究開発がお
こなわれている。
従来より知られている光磁気記録媒体の構成は、第２図
に示したように支持基板１としてガラスあるいは有機物
樹脂を用い、支持基板ｌ上に基板に対して垂直方向に磁
化を有する垂直磁化膜から成る光磁気記録層２を形成し
たものである。光磁気記録層としてはＭｎ１３ｉ、Ｍｎ
Ｃｕ１３ｉ ＃ＭｎＴｒ Ｂ ｔ 、ＭｎＡｌＧｅ ｌ
ｐ ｔ ｃｏなどの結晶体磁性薄膜あるいはＧｄ 、
Ｔｂ 、Ｄｙ 、ｎｏなどの希土類とＦｅ 、 Ｃｏ
。
に示したように支持基板１としてガラスあるいは有機物
樹脂を用い、支持基板ｌ上に基板に対して垂直方向に磁
化を有する垂直磁化膜から成る光磁気記録層２を形成し
たものである。光磁気記録層としてはＭｎ１３ｉ、Ｍｎ
Ｃｕ１３ｉ ＃ＭｎＴｒ Ｂ ｔ 、ＭｎＡｌＧｅ ｌ
ｐ ｔ ｃｏなどの結晶体磁性薄膜あるいはＧｄ 、
Ｔｂ 、Ｄｙ 、ｎｏなどの希土類とＦｅ 、 Ｃｏ
。
Ｎｉなどの遷移金属との合金として得られるアモルファ
ス磁性薄膜が知られている。また、第３図に示したよう
に、支持基板１に深さ６００−１０００Ａ周期１．６〜
２．５μｍの溝を同心円状もしくはうす巻き状に形成し
、前記支持基板ｌ上に光磁気記録層２を形成した媒体構
成も知られている。
ス磁性薄膜が知られている。また、第３図に示したよう
に、支持基板１に深さ６００−１０００Ａ周期１．６〜
２．５μｍの溝を同心円状もしくはうす巻き状に形成し
、前記支持基板ｌ上に光磁気記録層２を形成した媒体構
成も知られている。
ここで形成されている溝は、記録媒体への情報の記録、
あるいは再生・消去に用いるレーザー集光ビームのトラ
ッキングアクセス（ご用いられるものである。
あるいは再生・消去に用いるレーザー集光ビームのトラ
ッキングアクセス（ご用いられるものである。
光磁気記録においては、記録はレーザ光照射と外部磁界
印加による磁化反転ビットの形成によって達成される。
印加による磁化反転ビットの形成によって達成される。
すなわち、光磁気記録層である垂直磁化膜をレーザ光照
射によってキューリ温度以上に昇温し、同時に磁化反転
方向に外部磁界を印加し、磁化反転ビットを形成する。
射によってキューリ温度以上に昇温し、同時に磁化反転
方向に外部磁界を印加し、磁化反転ビットを形成する。
このとき、レーザ光照射領域の周辺の光磁気記録層が発
生する反磁界はレーザ光照射領域の磁化反転を助ける方
向に働く。
生する反磁界はレーザ光照射領域の磁化反転を助ける方
向に働く。
光磁気記録における消去は、記録同様、レーザ光照射と
外部磁界印加によって達成される。
外部磁界印加によって達成される。
このとき外部磁界は記録時とは逆に初期着磁方向に印加
される。ここで、レーザ光照射領域周辺の光磁気記録層
が発生する反磁界は、記録時と同様にレーザ光照射領域
の磁化反転を助ける方向、すなわち消去時の外部磁界印
加方向とは逆に働く。そのために、消去時には記録時よ
りも絶対値の大きい外部磁界の印加が必要であるという
欠点があった。
される。ここで、レーザ光照射領域周辺の光磁気記録層
が発生する反磁界は、記録時と同様にレーザ光照射領域
の磁化反転を助ける方向、すなわち消去時の外部磁界印
加方向とは逆に働く。そのために、消去時には記録時よ
りも絶対値の大きい外部磁界の印加が必要であるという
欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、消去時に必要な外部磁界を小さく抑え、かつ良好な記
録再生消去性能を有する新規な光磁気記録媒体を提供す
ることにある。
、消去時に必要な外部磁界を小さく抑え、かつ良好な記
録再生消去性能を有する新規な光磁気記録媒体を提供す
ることにある。
（発明の構成）
本発明によれば、同心円状もしくはうず巻き状の溝を有
する支持基板上に光磁気記録層を設け、前記溝部にレー
ザ光を追従させて情報の記録再生消去をおこなう光磁気
記録媒体において前記溝部以外の領域に設けられた光磁
気記録層の磁化状態が消磁状態であることを特徴とする
光磁気記録媒体が得られる。
する支持基板上に光磁気記録層を設け、前記溝部にレー
ザ光を追従させて情報の記録再生消去をおこなう光磁気
記録媒体において前記溝部以外の領域に設けられた光磁
気記録層の磁化状態が消磁状態であることを特徴とする
光磁気記録媒体が得られる。
（構成の詳細な説＃１）
本発明は上述の構成をとることにより、従来技術の問題
点を解決した。すなわち光磁気記録媒体のレーザ光追従
用溝部以外の領域を消磁することにより、レーザ光照射
領域周辺部から生じる反磁界が大幅に低減し、消去が容
易となる。
点を解決した。すなわち光磁気記録媒体のレーザ光追従
用溝部以外の領域を消磁することにより、レーザ光照射
領域周辺部から生じる反磁界が大幅に低減し、消去が容
易となる。
本発明にかかる光磁気記録媒体の断面図を第１図に示す
。支持基板１としては通常ポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、エポキシなどの有機物樹脂材料を注
型法あるいはインジェクション成形法により構を持つデ
ィスク基板に成形したものが用いられる。溝の形状は溝
深さ７００Ａ、溝幅０．８〜１．５ μｍ、溝ピッチ１
．６〜２．５μｍの同心円状あるいはうす巻き状である
。
。支持基板１としては通常ポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、エポキシなどの有機物樹脂材料を注
型法あるいはインジェクション成形法により構を持つデ
ィスク基板に成形したものが用いられる。溝の形状は溝
深さ７００Ａ、溝幅０．８〜１．５ μｍ、溝ピッチ１
．６〜２．５μｍの同心円状あるいはうす巻き状である
。
また支持基板１としては反応性エツチング法によって溝
を形成したガラス基板の使用も可能である。光磁気記録
層２としてはＧｄ 、Ｔｂ 、Ｄｙ 、Ｈ。
を形成したガラス基板の使用も可能である。光磁気記録
層２としてはＧｄ 、Ｔｂ 、Ｄｙ 、Ｈ。
などの希土類金属とｐｅ ｌ Ｃｏ 、Ｎｉなどの遷移
金属との合金から成るアモルファス磁性薄膜が用いられ
る。たとえば、ＱｄＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ 。
金属との合金から成るアモルファス磁性薄膜が用いられ
る。たとえば、ＱｄＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ 。
ＴｂＦｅ 、ＴｂＦｅＣｏ ？ ＴｂＤｙＦｅＣｏ 、
ＧｄＴｂＦｅ 、ＧｄＴｂＤｙＦｅ 。
ＧｄＴｂＦｅ 、ＧｄＴｂＤｙＦｅ 。
ＴｂＣｏ 、 ＴｂＤｙＣｏ 、ＴｂＦｅＮｉなどであ
る。
る。
これらの光磁気記録層の材料は真空蒸着法、スパッタリ
ング法などの成膜方法により作成される。通常、光磁気
記録層の膜厚は１００−２０００＾である。保護膜３と
しては酸化物、窒化物、硫化物、半導体、金属などの使
用が可能である。
ング法などの成膜方法により作成される。通常、光磁気
記録層の膜厚は１００−２０００＾である。保護膜３と
しては酸化物、窒化物、硫化物、半導体、金属などの使
用が可能である。
第１図において記録再生消去用レーザ光５は溝部に集光
される。磁化反転ビットは溝部に形成される。光磁気記
録層２の溝部以外の領域４は、あらかじめ消磁される。
される。磁化反転ビットは溝部に形成される。光磁気記
録層２の溝部以外の領域４は、あらかじめ消磁される。
消磁は光磁気記録層の領域４を一皿キューり温度以上に
レーザ光により昇温し、昇温部に働く磁界をゼロ近傍に
設定して冷却することによりおこなう。
レーザ光により昇温し、昇温部に働く磁界をゼロ近傍に
設定して冷却することによりおこなう。
（実施例）
溝深さ７００Ａ、溝幅１．５μｍ、溝ピッチ２．５μｍ
のうず巻き状の溝を持つポリメチルメタクリレート基板
（１２０ｍ直径、厚さ１．２鰭）上に′Ｉｖ″ｅを１０
０ＯＡ電子ビーム加熱の共蒸着により形成し、さらζこ
真空を破ることなく、保護膜としてＳｉＯ［Ｌを２００
ＯＡ抵抗加熱により真空蒸着した。
のうず巻き状の溝を持つポリメチルメタクリレート基板
（１２０ｍ直径、厚さ１．２鰭）上に′Ｉｖ″ｅを１０
０ＯＡ電子ビーム加熱の共蒸着により形成し、さらζこ
真空を破ることなく、保護膜としてＳｉＯ［Ｌを２００
ＯＡ抵抗加熱により真空蒸着した。
作成した光磁気記録媒体全体を電磁石により一方向に着
磁したのち、波長８３０ ｎｍの半導体レーザを用いた
光磁気ディスク用ヘッドにより線速９ｍ／−こて１ｙｆ
１−Ｉ２の信号を溝部に記録した。
磁したのち、波長８３０ ｎｍの半導体レーザを用いた
光磁気ディスク用ヘッドにより線速９ｍ／−こて１ｙｆ
１−Ｉ２の信号を溝部に記録した。
十分な再生信号特性を得るには磁化反転方向に８００ｅ
の外部磁界印加と４ｍｗの記録パワーが必要であった。
の外部磁界印加と４ｍｗの記録パワーが必要であった。
つづいて前記条件で記録された信号を１トラツクにわた
り一括消去した。このとき４ｍＷの消去パワーで消去す
るには初期着磁方向に２７ ｏｏｅの外部磁界の印加が
必要であった。
り一括消去した。このとき４ｍＷの消去パワーで消去す
るには初期着磁方向に２７ ｏｏｅの外部磁界の印加が
必要であった。
次に、作成した光磁気記録媒体全体を電磁石により一方
向に着磁後、光磁気記録媒体の溝以外の領域にレーザ光
が照射されるようにトラッキングをかけた。線速ｇ ｒ
ｎ／ ｓ ｅ ｃにて４ ｍＷ（７）レーサパワーを１
周毎に一括照射したところ、外部磁界を初期着磁方向に
８００ｅ印加したときレーザ照射部が消磁されているこ
とが確認できた。
向に着磁後、光磁気記録媒体の溝以外の領域にレーザ光
が照射されるようにトラッキングをかけた。線速ｇ ｒ
ｎ／ ｓ ｅ ｃにて４ ｍＷ（７）レーサパワーを１
周毎に一括照射したところ、外部磁界を初期着磁方向に
８００ｅ印加したときレーザ照射部が消磁されているこ
とが確認できた。
つづいて溝の両側の領域が消磁されている溝部にトラッ
キングをかけ、ＩＭＨＩの信号記録をおこなった。十分
な再生信号を得るには磁化反転方向に８００ｅの外部磁
界印加と４ｍＷの記録パワーが必要であった。さらにこ
の条件で記録された信号を１トラツクにわたり消去した
。このとき、４ｍＷの消去パワーで消去するには初期着
磁方向に２２００６の外部磁界印加で十分であった。
キングをかけ、ＩＭＨＩの信号記録をおこなった。十分
な再生信号を得るには磁化反転方向に８００ｅの外部磁
界印加と４ｍＷの記録パワーが必要であった。さらにこ
の条件で記録された信号を１トラツクにわたり消去した
。このとき、４ｍＷの消去パワーで消去するには初期着
磁方向に２２００６の外部磁界印加で十分であった。
光磁気記録媒体の溝部以外の領域をあらかじめ消磁して
おくことにより消去時に必要な外部磁界を５００ｅ低減
できた。
おくことにより消去時に必要な外部磁界を５００ｅ低減
できた。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば従来例と比較して溝
部以外の領域からの反磁界がないので、消去時に必要な
外部印加磁界を低減できるという効果がある。また、本
発明は前述の実施例として示した光磁気記録媒体に限定
されるものではなく、溝を有する光磁気記録媒体すべて
に適用可能である。
部以外の領域からの反磁界がないので、消去時に必要な
外部印加磁界を低減できるという効果がある。また、本
発明は前述の実施例として示した光磁気記録媒体に限定
されるものではなく、溝を有する光磁気記録媒体すべて
に適用可能である。
第１図は本発明の適用された光磁気記録媒体の構成を示
す断面図、第２図、第３図は従来の光磁気記録媒体の構
成を示す断面図である。 図中１・・・・・・支持基板、２・−・・光磁気記録層
、３・−・・保護膜、４・・−溝部、５・・−・・消磁
領域、６・・・・・ レーザ光である。 ｒ１人六−士内原 石・、 ！ 東１図 ２＝光戚Ｆｔ記錦贋 ４：浦鎗願爪 ５： レーサ゛光 手続補正書鴎式） １．事件の表示 昭和６０年 特許 願第２２８６
４号２、発明の名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル五 補正命令の日付 昭和６０年５月２８日（発送日） ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７ 補正の内容 （１）明細書第２頁第１０行目から第１１行目に「Ｍｎ
Ｂ１゜ＭｎＣｕＢ１． ＭｎＴｉ Ｂｉ 、ＭｎＡｌ
Ｇｅ 、 Ｐｔ Ｃｏ Ｊとあるのを［マンガン・ビス
マス（ＭｎＢｉ）、マンガン・銅・ビスマス（ＭｎＣｕ
Ｂｉ ） 、マンガン・チタン・ビスマス（ＭｎＴｉ
Ｂｉ ） 、マンガン・アルミニウム・ゲルマニウム（
Ｍｎ ＡＩ Ｇｅ ） 、白金・コバルト（ＰｔＣｏ）
Ｊと補正する。 （２）明細書第２頁第１２行目から第１３行目に「ある
いはＧｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄｙ 、 Ｈｏなどの希土類
とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなど」とあるのを「あるいはガドリ
ニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ ）、ジスプロシウ
ム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）などの希土類と鉄（Ｆ
ｅ）、 コバルト（Ｃｏ）。 ニッケル（Ｎｉ）など」と補正する。 （３）明細書第５頁第１１頁から第１２頁に「Ｇｄ、
Ｔｂ 。 Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類・金属とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなど
」とあるのを［ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔ
ｂ）。 ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）などの希
土類金属と鉄（Ｆｅ）、：＋バルト（Ｃｏ）、ニッケル
（Ｎｉ）など」と補正する。 （４）明細書筒１４から１６頁にｒＧｄＣｏ 、 Ｇｄ
ＴｂＣｏ 。 ＧｄＴｂＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、 Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ、
ＴｂＣｏ、 ＴｂＤｙＣｏ、 ’Ｉ’ｂＦ’ｅＮｉ
Ｊとあるのを「ガドリニウム・コバルト（ＧｄＣｏ）、
ガドリニウム・テルビウム・コバルト（ＧｄＴｂＣｏ）
、ガドリニウム・テルビウム・鉄・コバル） （Ｇｄ
ＴｂＦｅＣｏ） 。
す断面図、第２図、第３図は従来の光磁気記録媒体の構
成を示す断面図である。 図中１・・・・・・支持基板、２・−・・光磁気記録層
、３・−・・保護膜、４・・−溝部、５・・−・・消磁
領域、６・・・・・ レーザ光である。 ｒ１人六−士内原 石・、 ！ 東１図 ２＝光戚Ｆｔ記錦贋 ４：浦鎗願爪 ５： レーサ゛光 手続補正書鴎式） １．事件の表示 昭和６０年 特許 願第２２８６
４号２、発明の名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル五 補正命令の日付 昭和６０年５月２８日（発送日） ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７ 補正の内容 （１）明細書第２頁第１０行目から第１１行目に「Ｍｎ
Ｂ１゜ＭｎＣｕＢ１． ＭｎＴｉ Ｂｉ 、ＭｎＡｌ
Ｇｅ 、 Ｐｔ Ｃｏ Ｊとあるのを［マンガン・ビス
マス（ＭｎＢｉ）、マンガン・銅・ビスマス（ＭｎＣｕ
Ｂｉ ） 、マンガン・チタン・ビスマス（ＭｎＴｉ
Ｂｉ ） 、マンガン・アルミニウム・ゲルマニウム（
Ｍｎ ＡＩ Ｇｅ ） 、白金・コバルト（ＰｔＣｏ）
Ｊと補正する。 （２）明細書第２頁第１２行目から第１３行目に「ある
いはＧｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄｙ 、 Ｈｏなどの希土類
とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなど」とあるのを「あるいはガドリ
ニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ ）、ジスプロシウ
ム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）などの希土類と鉄（Ｆ
ｅ）、 コバルト（Ｃｏ）。 ニッケル（Ｎｉ）など」と補正する。 （３）明細書第５頁第１１頁から第１２頁に「Ｇｄ、
Ｔｂ 。 Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類・金属とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなど
」とあるのを［ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔ
ｂ）。 ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）などの希
土類金属と鉄（Ｆｅ）、：＋バルト（Ｃｏ）、ニッケル
（Ｎｉ）など」と補正する。 （４）明細書筒１４から１６頁にｒＧｄＣｏ 、 Ｇｄ
ＴｂＣｏ 。 ＧｄＴｂＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、 Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ、
ＴｂＣｏ、 ＴｂＤｙＣｏ、 ’Ｉ’ｂＦ’ｅＮｉ
Ｊとあるのを「ガドリニウム・コバルト（ＧｄＣｏ）、
ガドリニウム・テルビウム・コバルト（ＧｄＴｂＣｏ）
、ガドリニウム・テルビウム・鉄・コバル） （Ｇｄ
ＴｂＦｅＣｏ） 。
Claims (1)
- 同心円状もしくはうず巻き状の溝を有する支持基板上に
光磁気記録層を設け、前記溝部にレーザ光を追従させて
情報の記録再生消去をおこなう光磁気記録媒体において
、前記溝部以外の領域に設けられた光磁気記録層の磁化
状態が消磁状態であることを特徴とする光磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60022864A JPH0734272B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60022864A JPH0734272B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182651A true JPS61182651A (ja) | 1986-08-15 |
| JPH0734272B2 JPH0734272B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=12094566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60022864A Expired - Lifetime JPH0734272B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734272B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110638A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
| WO1995026548A1 (fr) * | 1994-03-25 | 1995-10-05 | Hitachi, Ltd. | Procede d'enregistrement et de lecture d'informations a haute densite |
| US5835469A (en) * | 1990-05-25 | 1998-11-10 | Hitachi, Ltd. | High-density information recording/reproducing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5661032A (en) * | 1979-10-22 | 1981-05-26 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Optical magnetic recording medium |
| JPS619850A (ja) * | 1984-06-23 | 1986-01-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の案内トラツク形成方法 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60022864A patent/JPH0734272B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5661032A (en) * | 1979-10-22 | 1981-05-26 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Optical magnetic recording medium |
| JPS619850A (ja) * | 1984-06-23 | 1986-01-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の案内トラツク形成方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110638A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
| US5835469A (en) * | 1990-05-25 | 1998-11-10 | Hitachi, Ltd. | High-density information recording/reproducing method |
| US5886969A (en) * | 1990-05-25 | 1999-03-23 | Hitachi, Ltd. | High-density information recording/reproducing method |
| WO1995026548A1 (fr) * | 1994-03-25 | 1995-10-05 | Hitachi, Ltd. | Procede d'enregistrement et de lecture d'informations a haute densite |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734272B2 (ja) | 1995-04-12 |
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