JP3055807B2 - 光磁気媒体 - Google Patents
光磁気媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、重ね書きが可能な光磁
気媒体に関する。
気媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録技術は書き換え可能型光メモ
リ技術として実用化、もしくは研究開発されている。そ
の原理は次の通りである。まず記録は、膜面に対して垂
直な方向に磁化容易軸を有する光磁気記録層に記録レー
ザ光を照射して加熱することにより加熱部の保持力を低
下させて、保持力が低下した部分の磁化を記録磁界の向
きに向けて記録する。再生は、画像偏光の再生レーザ光
を照射し、これによって生じる磁気光学効果を利用する
ことにより行う。消去は、消去レーザ光を照射して加熱
することにより加熱部の保持力を低下させて、保持力が
低下した部分の磁化を消去磁界の向きに向けて消去す
る。
リ技術として実用化、もしくは研究開発されている。そ
の原理は次の通りである。まず記録は、膜面に対して垂
直な方向に磁化容易軸を有する光磁気記録層に記録レー
ザ光を照射して加熱することにより加熱部の保持力を低
下させて、保持力が低下した部分の磁化を記録磁界の向
きに向けて記録する。再生は、画像偏光の再生レーザ光
を照射し、これによって生じる磁気光学効果を利用する
ことにより行う。消去は、消去レーザ光を照射して加熱
することにより加熱部の保持力を低下させて、保持力が
低下した部分の磁化を消去磁界の向きに向けて消去す
る。
【０００３】従来の光記録技術においては、記録磁界と
消去磁界の向きは逆向きであるか、同向きでも少なくと
も値が異なっていなければ記録消去動作を行うことがで
きなかったので、外部磁界を高速に変調する磁界変調方
式以外にはデータの重ね書き機能が得られなかった。
消去磁界の向きは逆向きであるか、同向きでも少なくと
も値が異なっていなければ記録消去動作を行うことがで
きなかったので、外部磁界を高速に変調する磁界変調方
式以外にはデータの重ね書き機能が得られなかった。
【０００４】近年、記録磁界と外部磁界（Ｈex）が同向
きで大きさも同じに設定した条件下でも、記録レーザパ
ワー（ＰW ）と消去レーザパワー（ＰE ）を変えること
によって重ね書きができる光変調オーバーライト技術が
幾つか提案されている。これらの光変調オーバーライト
技術の中で本発明に直接関連がある技術について、その
技術課題を明らかにする目的で概略を説明する。
きで大きさも同じに設定した条件下でも、記録レーザパ
ワー（ＰW ）と消去レーザパワー（ＰE ）を変えること
によって重ね書きができる光変調オーバーライト技術が
幾つか提案されている。これらの光変調オーバーライト
技術の中で本発明に直接関連がある技術について、その
技術課題を明らかにする目的で概略を説明する。
【０００５】図５は従来技術に基づく光変調オーバーラ
イト可能な光磁気媒体の断面構成図である。図５におい
て、１は記録層、２はバイアス層、３は中間層、４は干
渉層、５は保護層、６は基板、７は外部磁界（Ｈex）供
給源、８はレーザビームである。
イト可能な光磁気媒体の断面構成図である。図５におい
て、１は記録層、２はバイアス層、３は中間層、４は干
渉層、５は保護層、６は基板、７は外部磁界（Ｈex）供
給源、８はレーザビームである。
【０００６】図６は記録層１の磁化（ＭSR）の膜温度
（Ｔ）特性、バイアス層２の磁化（ＭSB）のＴ特性、Ｍ
SB―Ｔ特性とレーザ照射時のバイアス層の熱分布に起因
してバイアス層外部に発生するバイアス磁界（ＨB ）の
Ｔ特性の特性図であり、Ｔａはメモリ保持温度、ＴCRは
記録層１のキューリー点、ＴCBはバイアス層２のキュー
リー点である。
（Ｔ）特性、バイアス層２の磁化（ＭSB）のＴ特性、Ｍ
SB―Ｔ特性とレーザ照射時のバイアス層の熱分布に起因
してバイアス層外部に発生するバイアス磁界（ＨB ）の
Ｔ特性の特性図であり、Ｔａはメモリ保持温度、ＴCRは
記録層１のキューリー点、ＴCBはバイアス層２のキュー
リー点である。
【０００７】図６の特性を示す図５の媒体を用いた光変
調オーバーライトは、例えば次のようにして実施され
る。図７はオーバーライト動作を行う時の光パワーレベ
ル（Ｐ）と時刻（ｔ）との関係を示す図であり、記録パ
ワーレベル（ＰW ）、消去パワーレベル（ＰE ）、再生
パワーレベル（ＰR ）の３段階のパワーを設定する。
調オーバーライトは、例えば次のようにして実施され
る。図７はオーバーライト動作を行う時の光パワーレベ
ル（Ｐ）と時刻（ｔ）との関係を示す図であり、記録パ
ワーレベル（ＰW ）、消去パワーレベル（ＰE ）、再生
パワーレベル（ＰR ）の３段階のパワーを設定する。
【０００８】図８は各パワーレベルの光ビーム照射時の
記録層１とバイアス層２の磁化状態を示す図である。Ｈ
exは図８には示していないが、膜の特性に応じて必要で
あればＨexは印加され、印加される場合その向きは膜の
特性に応じて上向きにも下向きにも設定される。適切な
Ｈexが印加された場合には、一定のＨex印加の元で図８
に示した“０”状態と“１”状態の間の遷移が全て実現
される。
記録層１とバイアス層２の磁化状態を示す図である。Ｈ
exは図８には示していないが、膜の特性に応じて必要で
あればＨexは印加され、印加される場合その向きは膜の
特性に応じて上向きにも下向きにも設定される。適切な
Ｈexが印加された場合には、一定のＨex印加の元で図８
に示した“０”状態と“１”状態の間の遷移が全て実現
される。
【０００９】“０”→“１”の遷移はＰW 光照射によっ
て記録層１、バイアス層２共にキューリー点以上に加熱
することで達成でき、加熱状態で記録方向に大きなＨB
が記録層１に対して供給されるので記録層１に大きな反
転磁区が形成される。“１”→“０”の遷移はＰE 光照
射によって記録層１をキューリー点ＴCR近傍に加熱し、
バイアス層２はそのキューリー点ＴCB未満でＭSBがＴに
対して余り変化していない温度に加熱して、加熱状態で
殆どＨB が記録層１に供給されないようにし、Ｈexある
いは記録層の磁区収縮力によって反転磁区が消滅する。
また、図８では“１”→“０”の遷移を説明するため
に、ＰE の下に示されている図中の記録層１に反転磁区
があるが、“０”→“０”の遷移は最初から反転磁区が
存在しない状態にＰE 光を照射するだけなので、“０”
→“０”の遷移の場合には反転磁区は存在しない。
“１”→“１”の遷移は図示した通りである。
て記録層１、バイアス層２共にキューリー点以上に加熱
することで達成でき、加熱状態で記録方向に大きなＨB
が記録層１に対して供給されるので記録層１に大きな反
転磁区が形成される。“１”→“０”の遷移はＰE 光照
射によって記録層１をキューリー点ＴCR近傍に加熱し、
バイアス層２はそのキューリー点ＴCB未満でＭSBがＴに
対して余り変化していない温度に加熱して、加熱状態で
殆どＨB が記録層１に供給されないようにし、Ｈexある
いは記録層の磁区収縮力によって反転磁区が消滅する。
また、図８では“１”→“０”の遷移を説明するため
に、ＰE の下に示されている図中の記録層１に反転磁区
があるが、“０”→“０”の遷移は最初から反転磁区が
存在しない状態にＰE 光を照射するだけなので、“０”
→“０”の遷移の場合には反転磁区は存在しない。
“１”→“１”の遷移は図示した通りである。
【００１０】このように、ＨB にパワーに対する選択性
を付与することで光変調オーバーライトが可能となる。
しかしながら、Ｈexやバイアス層２自身の自己漏洩磁界
の向きにもよるが、ＴａもしくはＰW を高く設定しすぎ
るとバイアス層２自身が反転してしまい、１回反転する
とＰE 、ＰR 光照射時にも下向きに比較的大きなＨBが
供給されてしまうので、２回目からはオーバーライトが
できなくなってしまう。
を付与することで光変調オーバーライトが可能となる。
しかしながら、Ｈexやバイアス層２自身の自己漏洩磁界
の向きにもよるが、ＴａもしくはＰW を高く設定しすぎ
るとバイアス層２自身が反転してしまい、１回反転する
とＰE 、ＰR 光照射時にも下向きに比較的大きなＨBが
供給されてしまうので、２回目からはオーバーライトが
できなくなってしまう。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の光磁気記録媒体では２回目からオーバーライトができ
なくなってしまうという問題があった。本発明は上記の
問題を鑑みてなされたもので、バイアス層がオーバーラ
イト後も初期磁化方向を保持でき、繰り返して安定した
オーバーライト動作が可能な光磁気媒体を提供すること
を目的とする。
の光磁気記録媒体では２回目からオーバーライトができ
なくなってしまうという問題があった。本発明は上記の
問題を鑑みてなされたもので、バイアス層がオーバーラ
イト後も初期磁化方向を保持でき、繰り返して安定した
オーバーライト動作が可能な光磁気媒体を提供すること
を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、記録層と、この記録層に静磁的に結合さ
れたバイアス層とを有する光磁気媒体であって、前記バ
イアス層は主バイアス層の第１バイアス層とこの第１バ
イアス層の磁化状態を保持するための第２バイアス層と
を有する交換結合多層膜であり、前記バイアス層内の界
面磁壁エネルギー密度をＥWB、前記第１バイアス層を構
成する膜の磁化をＭSB1 、膜厚をｈB1、前記第１バイア
ス層の保持力をＨCB1 としたとき、メモリ保持温度Ｔａ
で、下記（１）式を満足することを特徴とする光磁気媒
体を提供する。
めに本発明は、記録層と、この記録層に静磁的に結合さ
れたバイアス層とを有する光磁気媒体であって、前記バ
イアス層は主バイアス層の第１バイアス層とこの第１バ
イアス層の磁化状態を保持するための第２バイアス層と
を有する交換結合多層膜であり、前記バイアス層内の界
面磁壁エネルギー密度をＥWB、前記第１バイアス層を構
成する膜の磁化をＭSB1 、膜厚をｈB1、前記第１バイア
ス層の保持力をＨCB1 としたとき、メモリ保持温度Ｔａ
で、下記（１）式を満足することを特徴とする光磁気媒
体を提供する。
【００１３】 ＨCB1 ＜ＥWB／（２ＭSB1 ｈB1） ……（１） （１）式の条件を満たすことによって、仮にＰW 照射後
の冷却過程においてバイアス層の磁化がキュ−リ−点以
下となって立ち上げる時に反転しても、少なくともＴａ
においては下記式（２）で表される交換力
の冷却過程においてバイアス層の磁化がキュ−リ−点以
下となって立ち上げる時に反転しても、少なくともＴａ
においては下記式（２）で表される交換力
【００１４】 Ｈexg1＝ＥWB／（２ＭSB1 ｈB1） ……（２） によって反転して初期状態に復帰する。
【００１５】第２バイアス層は第１バイアス層よりも記
録層から見て遠くに配置されることが好ましい。また、
レーザ光は記録層側から入射するのが好ましく、この場
合、第２バイアス層は第１バイアス層に比べれば昇温し
にくいが、第２バイアス層が反転してしまっては意味が
ないので、第２バイアス層のキューリー点は第１バイア
ス層のキューリー点よりも高い方が好ましい。バイアス
層は最低限２層あれば良く、本発明の主旨を逸脱しない
範囲において３層以上の多層でもかまわない。
録層から見て遠くに配置されることが好ましい。また、
レーザ光は記録層側から入射するのが好ましく、この場
合、第２バイアス層は第１バイアス層に比べれば昇温し
にくいが、第２バイアス層が反転してしまっては意味が
ないので、第２バイアス層のキューリー点は第１バイア
ス層のキューリー点よりも高い方が好ましい。バイアス
層は最低限２層あれば良く、本発明の主旨を逸脱しない
範囲において３層以上の多層でもかまわない。
【００１６】
【作用】本発明の光磁気媒体によれば、オーバーライト
動作、特に記録動作時にＰW を大きくしても，Ｈexの向
き、ＨB の向きにかかわらずバイアス層が反転しない
か、もしくは一時的に反転してもＴａにおいては初期磁
化状態に復帰するので、繰り返して安定なオーバーライ
トができる。
動作、特に記録動作時にＰW を大きくしても，Ｈexの向
き、ＨB の向きにかかわらずバイアス層が反転しない
か、もしくは一時的に反転してもＴａにおいては初期磁
化状態に復帰するので、繰り返して安定なオーバーライ
トができる。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１８】図１は本発明の一実施例に係る光磁気媒体
の断面構成図である。図１において、１は記録層、２１
は主バイアス層の第１バイアス層、２２は主バイアス層
の磁化状態を保持するための第２バイアス層、３は中間
層、４は干渉層、５は保護層、６は基板、７は外部磁界
供給源、８はレーザビームを示している。
の断面構成図である。図１において、１は記録層、２１
は主バイアス層の第１バイアス層、２２は主バイアス層
の磁化状態を保持するための第２バイアス層、３は中間
層、４は干渉層、５は保護層、６は基板、７は外部磁界
供給源、８はレーザビームを示している。
【００１９】図２は図１の光磁気媒体に用いられる記録
層１の磁化（ＭSR）の膜温度（Ｔ）特性、第１バイアス
層２１の磁化（ＭSB1 ）のＴ特性、第１バイアス層２１
のＭSB1 ―Ｔ特性とレーザ照射時の第１バイアス層２１
の温度分布に起因して第１バイアス層２１外部へ発生す
るバイアス磁界（ＨB ）のＴ特性、第２バイアス層２２
の磁化（ＭSB2 ）のＴ特性を示す特性図であり、Ｔａは
メモリ保持温度、ＴCRは記録層１のキューリー点、Ｔ
CB1 は第１バイアス層２１のキューリー点、ＴCB2 は第
２バイアス層２２のキューリー点、ＴcompB2は第２バイ
アス層２２の補償点である。尚、ＴcompB2がない材料を
選んでも良い。
層１の磁化（ＭSR）の膜温度（Ｔ）特性、第１バイアス
層２１の磁化（ＭSB1 ）のＴ特性、第１バイアス層２１
のＭSB1 ―Ｔ特性とレーザ照射時の第１バイアス層２１
の温度分布に起因して第１バイアス層２１外部へ発生す
るバイアス磁界（ＨB ）のＴ特性、第２バイアス層２２
の磁化（ＭSB2 ）のＴ特性を示す特性図であり、Ｔａは
メモリ保持温度、ＴCRは記録層１のキューリー点、Ｔ
CB1 は第１バイアス層２１のキューリー点、ＴCB2 は第
２バイアス層２２のキューリー点、ＴcompB2は第２バイ
アス層２２の補償点である。尚、ＴcompB2がない材料を
選んでも良い。
【００２０】図２に示した特性の膜は、例えば記録層１
として膜厚２０ｎｍのＴｂ28Ｆｅ72膜、第１バイアス層
２１として膜厚２００ｎｍのＴｂ16（Ｆｅ0.9 Ｃｏ
0.1 ）84膜、第２バイアス層として膜厚２００ｎｍの
（Ｇｄ0.5 Ｔｂ0.5 ）25（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1 ）75膜を用
いると実現でき、各層の形成には例えば多元同時スパッ
タ法を用いることができる。
として膜厚２０ｎｍのＴｂ28Ｆｅ72膜、第１バイアス層
２１として膜厚２００ｎｍのＴｂ16（Ｆｅ0.9 Ｃｏ
0.1 ）84膜、第２バイアス層として膜厚２００ｎｍの
（Ｇｄ0.5 Ｔｂ0.5 ）25（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1 ）75膜を用
いると実現でき、各層の形成には例えば多元同時スパッ
タ法を用いることができる。
【００２１】第１バイアス層２１として膜厚２００ｎｍ
のＴｂ16（Ｆｅ0.9 Ｃｏ0.1 ）84膜を用いた場合、レー
ザ加熱（ｅ-2径が１．３５μｍ）によって第１バイアス
層２１のレーザスポット中心における温度がＴCB1 に至
った時、スポット中心位置において約７００ＯｅのＨB
を発生することが計算によって明らかになっている。
のＴｂ16（Ｆｅ0.9 Ｃｏ0.1 ）84膜を用いた場合、レー
ザ加熱（ｅ-2径が１．３５μｍ）によって第１バイアス
層２１のレーザスポット中心における温度がＴCB1 に至
った時、スポット中心位置において約７００ＯｅのＨB
を発生することが計算によって明らかになっている。
【００２２】図３は、ＶＳＭによって測定した、第１バ
イアス層２１と第２バイアス層２２とを有する交換結合
２層膜のＴａにおける磁化曲線を示す図である。第１バ
イアス層２１、第２バイアス層２２共に下向きの状態Ａ
から外部磁界を低下させると、ＶＳＭ測定の外部磁界
が、第１バイアス層２１と第２バイアス層２２との間の
界面の界面磁壁エネルギーＥWBに起因して第１バイアス
層２１側に印加される交換力Ｈexg1
イアス層２１と第２バイアス層２２とを有する交換結合
２層膜のＴａにおける磁化曲線を示す図である。第１バ
イアス層２１、第２バイアス層２２共に下向きの状態Ａ
から外部磁界を低下させると、ＶＳＭ測定の外部磁界
が、第１バイアス層２１と第２バイアス層２２との間の
界面の界面磁壁エネルギーＥWBに起因して第１バイアス
層２１側に印加される交換力Ｈexg1
【００２３】 Ｈexg1＝ＥWB／（２ＭSB1 ｈB1） ……（２） から第１バイアス層２１の保持力を差し引いた値Ｈexg1
―ＨCB1 に至った時に、第１バイアス層２１のみが反転
して状態Ｓに変化した。次に、外部磁界を正方向に切換
えて増加させると、外部磁界が、ＥWBに起因して第２バ
イアス層２２側に印加される交換力Ｈexg2
―ＨCB1 に至った時に、第１バイアス層２１のみが反転
して状態Ｓに変化した。次に、外部磁界を正方向に切換
えて増加させると、外部磁界が、ＥWBに起因して第２バ
イアス層２２側に印加される交換力Ｈexg2
【００２４】 Ｈexg2＝ＥWB／（２ＭSB2 ｈB2） ……（３） （但し、ＭSB2 、ｈB2はそれぞれ第２バイアス層を構成
する膜の磁化、膜厚を表す）と第２バイアス層２２の保
持力ＨCB2 との和Ｈexg2＋ＨCB2 に至った時、第２バイ
アス層２２が反転して状態Ｂに変化した。更に、磁界を
Ｂから低下させると、外部磁界がＨexg1―ＨCB1 に低下
した時、第１バイアス層２１が反転してＳ´状態に変化
した。
する膜の磁化、膜厚を表す）と第２バイアス層２２の保
持力ＨCB2 との和Ｈexg2＋ＨCB2 に至った時、第２バイ
アス層２２が反転して状態Ｂに変化した。更に、磁界を
Ｂから低下させると、外部磁界がＨexg1―ＨCB1 に低下
した時、第１バイアス層２１が反転してＳ´状態に変化
した。
【００２５】すなわち、Ｈexg1＞ＨCB1 の条件を満たし
ていると、ＴａではＳ又はＳ´状態が安定点となる。こ
の媒体に対して図７に示すＰW 、ＰE ，ＰR を設定して
重ね書き動作を行った。
ていると、ＴａではＳ又はＳ´状態が安定点となる。こ
の媒体に対して図７に示すＰW 、ＰE ，ＰR を設定して
重ね書き動作を行った。
【００２６】図４は各パワーレベル光照射時の各層の磁
化分布を模式的に示した図である。図４において、
“０”は未記録状態、“１”は記録状態を示している。
ＰR 照射時には“０”は“０”、“１”は“１”のまま
保存される。ＰE 光照射時には“０”は“０”に保持さ
れ、“１”は“０”に遷移し、ＰW 光照射時には“０”
は“１”に遷移し、“１”は“１”に保持される。
化分布を模式的に示した図である。図４において、
“０”は未記録状態、“１”は記録状態を示している。
ＰR 照射時には“０”は“０”、“１”は“１”のまま
保存される。ＰE 光照射時には“０”は“０”に保持さ
れ、“１”は“０”に遷移し、ＰW 光照射時には“０”
は“１”に遷移し、“１”は“１”に保持される。
【００２７】図８に示した従来の光磁気媒体における各
状態間の遷移と比べると、本実施例は図４中段の下の図
で示す“０”→“１”及び“１”→“１”の遷移におけ
る冷却状態に特徴がある。すなわち、ＰW 光照射時に記
録層１と第１バイアス層２１とをそのキューリー点
ＴCR、ＴCB1 以上に加熱し、第１バイアス層２１がＴ
CB1以上に加熱されることに起因して記録層１の記録方
向へＨB を供給し、ＰE 光照射時に記録層１をキューリ
ー点ＴCR未満に加熱し、バイアス層２１はそのキューリ
ー点ＴCB1 未満でＭSB1 がＴに対して余り変化していな
い温度に加熱して、加熱状態で殆どＨB が記録層１に供
給されないようにするのは図８と同様であるが、ＰW 光
照射時に第２バイアス層２２はそのキューリー点ＴCB2
未満に保持され、第２バイアス層２２自身はＨexもしく
はＨB もしくは第２バイアス層２２自身の自己漏洩磁界
によっては反転しない。ＰW 光照射後の冷却過程におい
て、高温における第１バイアス層２１、第２バイアス層
２２両層間の交換力が第１バイアス層２１の自己漏洩磁
界よりも小さく、このため、ＴCB1 未満に冷却されるに
伴って第１バイアス層２１の磁化が立ち上がってくる際
に反転してしまって界面磁壁が形成されたとしても、よ
り冷却が進んでＴａ近傍に至った場合、Ｔａの近傍では
状態間の遷移と比べると、本実施例は図４中段の下の図
で示す“０”→“１”及び“１”→“１”の遷移におけ
る冷却状態に特徴がある。すなわち、ＰW 光照射時に記
録層１と第１バイアス層２１とをそのキューリー点
ＴCR、ＴCB1 以上に加熱し、第１バイアス層２１がＴ
CB1以上に加熱されることに起因して記録層１の記録方
向へＨB を供給し、ＰE 光照射時に記録層１をキューリ
ー点ＴCR未満に加熱し、バイアス層２１はそのキューリ
ー点ＴCB1 未満でＭSB1 がＴに対して余り変化していな
い温度に加熱して、加熱状態で殆どＨB が記録層１に供
給されないようにするのは図８と同様であるが、ＰW 光
照射時に第２バイアス層２２はそのキューリー点ＴCB2
未満に保持され、第２バイアス層２２自身はＨexもしく
はＨB もしくは第２バイアス層２２自身の自己漏洩磁界
によっては反転しない。ＰW 光照射後の冷却過程におい
て、高温における第１バイアス層２１、第２バイアス層
２２両層間の交換力が第１バイアス層２１の自己漏洩磁
界よりも小さく、このため、ＴCB1 未満に冷却されるに
伴って第１バイアス層２１の磁化が立ち上がってくる際
に反転してしまって界面磁壁が形成されたとしても、よ
り冷却が進んでＴａ近傍に至った場合、Ｔａの近傍では
【００２８】 ＨCB1 ＜Ｈexg1＝ＥWB／（２ＭSB1 ｈB1） ……（４） を満足するので、反転してしまった第１バイアス層２１
の磁化は再び第２バイアス層２２からの交換力によって
元の状態に復帰する。
の磁化は再び第２バイアス層２２からの交換力によって
元の状態に復帰する。
【００２９】すなわち、（１）式を満たすようなバイア
ス層を設けることにより、記録方向に大きなＨexを印加
した場合やＰW を高く設定した場合でも、又、第１バイ
アス層２１としてバイアス磁界の大きな膜材料を用いた
場合でも、オーバーライト動作後の第１バイアス層２１
の磁化状態は自動的に初期状態に復元するので繰り返し
て安定なオーバーライトが可能となり、又、オーバーラ
イト動作条件や、媒体の特に第１バイアス層２１、記録
層１の材料選択範囲を拡張することが可能となる。
ス層を設けることにより、記録方向に大きなＨexを印加
した場合やＰW を高く設定した場合でも、又、第１バイ
アス層２１としてバイアス磁界の大きな膜材料を用いた
場合でも、オーバーライト動作後の第１バイアス層２１
の磁化状態は自動的に初期状態に復元するので繰り返し
て安定なオーバーライトが可能となり、又、オーバーラ
イト動作条件や、媒体の特に第１バイアス層２１、記録
層１の材料選択範囲を拡張することが可能となる。
【００３０】上記実施例では、第１バイアス層は補償点
がなくキューリー点が低く、第２バイアス層は補償点が
ありキューリー点が高く、記録層は補償点がなくキュー
リー点が低い場合で、かつＨB が記録を助長する方向に
印加される実施態様について述べたが、本発明は上記実
施例以外にも、第２バイアス層ではなく第１バイアス
層、記録層に補償点がある場合や、これらの複数の層に
補償点がある場合、あるいは、キューリー点がレーザ光
照射によって得られる膜温度よりも高い場合、ＨB が消
去を助長する方向に印加される場合等の様々な実施態様
においても有効であることは自明である。
がなくキューリー点が低く、第２バイアス層は補償点が
ありキューリー点が高く、記録層は補償点がなくキュー
リー点が低い場合で、かつＨB が記録を助長する方向に
印加される実施態様について述べたが、本発明は上記実
施例以外にも、第２バイアス層ではなく第１バイアス
層、記録層に補償点がある場合や、これらの複数の層に
補償点がある場合、あるいは、キューリー点がレーザ光
照射によって得られる膜温度よりも高い場合、ＨB が消
去を助長する方向に印加される場合等の様々な実施態様
においても有効であることは自明である。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、バイアス層がオーバー
ライト後も初期磁化方向を保持でき、繰り返して安定し
たオーバーライト動作が可能な光磁気媒体を提供するこ
とができる。
ライト後も初期磁化方向を保持でき、繰り返して安定し
たオーバーライト動作が可能な光磁気媒体を提供するこ
とができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る光磁気媒体の断面構
成図。
成図。
【図２】 本発明の一実施例に係る光磁気媒体各層の熱
磁気特性を示す特性図。
磁気特性を示す特性図。
【図３】 本発明の一実施例に係る光磁気媒体のメモリ
保持温度における磁化曲線を示す特性図。
保持温度における磁化曲線を示す特性図。
【図４】 本発明の一実施例に係る光磁気媒体のオーバ
ーライト過程を示す模式図。
ーライト過程を示す模式図。
【図５】 従来の光磁気媒体の断面構成図。
【図６】 従来の光磁気媒体の熱磁気特性を示す特性
図。
図。
【図７】 オーバーライト時の光照射タイムスケジュー
ルを示す図。
ルを示す図。
【図８】 従来の光磁気媒体のオーバーライト過程を示
す模式図。
す模式図。
１ …記録層 ２ …バイアス層 ２１…第１バイアス層 ２２…第２バイアス層 ３ …中間層 ４ …干渉層 ５ …保護層 ６ …基板 ７ …外部磁界供給源 ８ …レーザ光
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105 516
Claims (3)
- 【請求項１】 記録層と、この記録層に静磁的に結合さ
れたバイアス層とを有する光磁気媒体であって、前記バ
イアス層は主バイアス層の第１バイアス層とこの第１バ
イアス層の磁化状態を保持するための第２バイアス層と
を有する交換結合多層膜であり、前記バイアス層内の界
面磁壁エネルギー密度をＥWB、前記第１バイアス層を構
成する膜の磁化をＭSB1 、膜厚をｈB1、前記第１バイア
ス層の保持力をＨCB1 としたとき、メモリ保持温度Ｔａ
で、下記（１）式を満足することを特徴とする光磁気媒
体。 ＨCB1 ＜ＥWB／（２ＭSB1 ｈB1） ……（１） - 【請求項２】 前記記録層側から見て前記第２バイアス
層が前記第１バイアス層よりも遠くに配置されている請
求項１記載の光磁気媒体。 - 【請求項３】 前記第２バイアス層のキューリー点Ｔ
CB2 が前記第１バイアス層のキューリー点ＴCB1 よりも
高い請求項１〜２記載の光磁気媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3005013A JP3055807B2 (ja) | 1990-01-31 | 1991-01-21 | 光磁気媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1927990 | 1990-01-31 | ||
| JP2-19279 | 1990-01-31 | ||
| JP3005013A JP3055807B2 (ja) | 1990-01-31 | 1991-01-21 | 光磁気媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212740A JPH04212740A (ja) | 1992-08-04 |
| JP3055807B2 true JP3055807B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=26338889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3005013A Expired - Fee Related JP3055807B2 (ja) | 1990-01-31 | 1991-01-21 | 光磁気媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055807B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493555Y1 (ja) * | 1967-07-11 | 1974-01-28 | ||
| JPS5950157A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Nippon Steel Corp | 溶接熱影響部の耐メツキわれ性にすぐれた高強度低合金鋼 |
| JPH0783334B2 (ja) * | 1984-09-17 | 1995-09-06 | 日本電気株式会社 | 速度変換回路 |
| JPS6347574A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-29 | Miura Co Ltd | ボ−ルバルブ装置 |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP3005013A patent/JP3055807B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04212740A (ja) | 1992-08-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |