JPH04212740A - 光磁気媒体 - Google Patents
光磁気媒体Info
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- JPH04212740A JPH04212740A JP3005013A JP501391A JPH04212740A JP H04212740 A JPH04212740 A JP H04212740A JP 3005013 A JP3005013 A JP 3005013A JP 501391 A JP501391 A JP 501391A JP H04212740 A JPH04212740 A JP H04212740A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は重ね書きが可能な光磁気
媒体に関する。
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】膜面に対し垂直な方向に磁化容易軸を有
する光磁気記録層に記録レーザ光を照射して加熱し、加
熱部の保磁力を低下して、保磁力が低下した部分の磁化
を記録磁界の向きに向けて記録を行い、画像偏光の再生
レーザ光を照射し磁気光学効果を利用して再生を行い、
消去レーザを照射して加熱し、加熱部の保磁力を低下し
て保磁力が低下した部分の磁化を消去磁界の向きに向け
て消去を行う光磁気記録技術は書換え可能型光メモリ技
術として実用化もしくは研究開発されている。従来の光
磁気記録技術においては記録磁界と消去磁界の向きは逆
であるか同向きでも少くも値が異なっていなければ記録
消去動作を行い得なかったので、外部磁界を高速に変調
する磁界変調方式以外にはデータの重ね書き機能が得ら
れなかった。
する光磁気記録層に記録レーザ光を照射して加熱し、加
熱部の保磁力を低下して、保磁力が低下した部分の磁化
を記録磁界の向きに向けて記録を行い、画像偏光の再生
レーザ光を照射し磁気光学効果を利用して再生を行い、
消去レーザを照射して加熱し、加熱部の保磁力を低下し
て保磁力が低下した部分の磁化を消去磁界の向きに向け
て消去を行う光磁気記録技術は書換え可能型光メモリ技
術として実用化もしくは研究開発されている。従来の光
磁気記録技術においては記録磁界と消去磁界の向きは逆
であるか同向きでも少くも値が異なっていなければ記録
消去動作を行い得なかったので、外部磁界を高速に変調
する磁界変調方式以外にはデータの重ね書き機能が得ら
れなかった。
【０００３】近年、記録磁界と外部磁界を同向きで大き
さを同じに設定した条件（この外部磁界をＨｅｘとおく
）下でも、記録レーザパワー（ＰＷ ）と消去レーザパ
ワー（ＰＥ）を変える事によって重ね書きができる光変
調オーバーライト技術が幾つか提案されている。これら
光変調オーバーライト技術の中で本発明に直接関連する
技術について、その技術課題を明らかにする目的で概略
説明を以下に加える。図５は従来技術に基づく光変調オ
ーバーライト可能な光磁気媒体の断面構成図であり、図
５において、１は記録層、２はバイアス層、３は中間層
、４は干渉層、５は保護層、６は基板、７は外部磁界（
Ｈｅｘ）供給源、８はレーザビームである。図６は記録
層の磁化（ＭＳＲ）の膜温度（Ｔ）特性、バイアス層２
の磁化（ＭＳＢ）のＴ特性、及びＭＳＢ−Ｔ特性とレー
ザ照射時のバイアス層の熱分布に起因してバイアス層外
部に発生するバイアス磁界（ＨＢ ）のＴ特性の一実施
例の特性図であり、Ｔａはメモリ保持温度、ＴＣＲは記
録層のキューリー点、ＴＣＢはバイアス層のキューリー
点である。図５及び図６の媒体を用いて光変調オーバー
ライトは例えば次の様にして実施される。第７図はオー
バーライト動作を行なう時の光パワーレベル（Ｐ）と時
刻（ｔ）との関係の一実施例であり、記録パワーレベル
（ＰＷ ）、消去パワーレベル（ＰＥ ）、再生パワー
レベル（ＰＲ ）の３段階のパワーを設定する。図８は
各パワーレベルの光ビーム照射時の記録層１とバイアス
層２の磁化状態を示す図である。Ｈｅｘについては図８
中には示していないが膜の特性に応じて必要であればＨ
ｅｘは印加され、印加される場合その向きは膜の特性に
応じて上向きにも下向きにも設定される。適切なＨｅｘ
が印加された場合には、一定のＨｅｘ印加の元で図８中
に示した“０”状態と“１”状態の間の遷移が全て実現
される。
さを同じに設定した条件（この外部磁界をＨｅｘとおく
）下でも、記録レーザパワー（ＰＷ ）と消去レーザパ
ワー（ＰＥ）を変える事によって重ね書きができる光変
調オーバーライト技術が幾つか提案されている。これら
光変調オーバーライト技術の中で本発明に直接関連する
技術について、その技術課題を明らかにする目的で概略
説明を以下に加える。図５は従来技術に基づく光変調オ
ーバーライト可能な光磁気媒体の断面構成図であり、図
５において、１は記録層、２はバイアス層、３は中間層
、４は干渉層、５は保護層、６は基板、７は外部磁界（
Ｈｅｘ）供給源、８はレーザビームである。図６は記録
層の磁化（ＭＳＲ）の膜温度（Ｔ）特性、バイアス層２
の磁化（ＭＳＢ）のＴ特性、及びＭＳＢ−Ｔ特性とレー
ザ照射時のバイアス層の熱分布に起因してバイアス層外
部に発生するバイアス磁界（ＨＢ ）のＴ特性の一実施
例の特性図であり、Ｔａはメモリ保持温度、ＴＣＲは記
録層のキューリー点、ＴＣＢはバイアス層のキューリー
点である。図５及び図６の媒体を用いて光変調オーバー
ライトは例えば次の様にして実施される。第７図はオー
バーライト動作を行なう時の光パワーレベル（Ｐ）と時
刻（ｔ）との関係の一実施例であり、記録パワーレベル
（ＰＷ ）、消去パワーレベル（ＰＥ ）、再生パワー
レベル（ＰＲ ）の３段階のパワーを設定する。図８は
各パワーレベルの光ビーム照射時の記録層１とバイアス
層２の磁化状態を示す図である。Ｈｅｘについては図８
中には示していないが膜の特性に応じて必要であればＨ
ｅｘは印加され、印加される場合その向きは膜の特性に
応じて上向きにも下向きにも設定される。適切なＨｅｘ
が印加された場合には、一定のＨｅｘ印加の元で図８中
に示した“０”状態と“１”状態の間の遷移が全て実現
される。
【０００４】“０”→“１”遷移ＰＷ 光照射によって
記録層、バイアス層共にキューリー点以上に加熱する事
で達成でき、加熱状態で記録方向に大きなＨＢ が記録
層に対して供給されるので記録層中に反転磁区が形成さ
れ、“１”→“０”の遷移はＰＥ 光照射によって記録
層をキューリー点ＴＣＲ近傍に加熱、バイアス層はその
キューリー点ＴＣＢ未満でＭＳＢがＴに対して余り変化
していない温度に加熱し、加熱状態で殆んどＨＢ が記
録層に供給されないように、Ｈｅｘあるいは記録層の磁
区収縮力によって反転磁区が消滅する。“０”→“０”
の遷移は最初から反転磁区が存在しない状態にＰＥ 光
を照射するだけなので、図８では“１”→“０”遷移説
明の為にＰＥ の下に描いた図中の記録層に反転磁区が
あるように示されているが“０”→“０”の遷移の場合
には反転磁区はない。 “１”→“１”遷移は図示した通りである。上記した様
にＨＢ にパワーに対する選択性を付与する事で光変調
オーバーライトが可能となるが、掲記した従来技術では
Ｈｅｘの向きやバイアス層自身の自己反磁界ＨｄＢの向
きにもよるがメモリー保持温度もしくはＰＷ を高く設
定しすぎるとバイアス層自身が反転してしまい、一回反
転すると、ＰＥ ，ＰＲ 光照射時にも下向きに比較的
大きなＨＢ が供給されてしまうので２回目からはオー
バーライトができなくなるという技術課題があった。
記録層、バイアス層共にキューリー点以上に加熱する事
で達成でき、加熱状態で記録方向に大きなＨＢ が記録
層に対して供給されるので記録層中に反転磁区が形成さ
れ、“１”→“０”の遷移はＰＥ 光照射によって記録
層をキューリー点ＴＣＲ近傍に加熱、バイアス層はその
キューリー点ＴＣＢ未満でＭＳＢがＴに対して余り変化
していない温度に加熱し、加熱状態で殆んどＨＢ が記
録層に供給されないように、Ｈｅｘあるいは記録層の磁
区収縮力によって反転磁区が消滅する。“０”→“０”
の遷移は最初から反転磁区が存在しない状態にＰＥ 光
を照射するだけなので、図８では“１”→“０”遷移説
明の為にＰＥ の下に描いた図中の記録層に反転磁区が
あるように示されているが“０”→“０”の遷移の場合
には反転磁区はない。 “１”→“１”遷移は図示した通りである。上記した様
にＨＢ にパワーに対する選択性を付与する事で光変調
オーバーライトが可能となるが、掲記した従来技術では
Ｈｅｘの向きやバイアス層自身の自己反磁界ＨｄＢの向
きにもよるがメモリー保持温度もしくはＰＷ を高く設
定しすぎるとバイアス層自身が反転してしまい、一回反
転すると、ＰＥ ，ＰＲ 光照射時にも下向きに比較的
大きなＨＢ が供給されてしまうので２回目からはオー
バーライトができなくなるという技術課題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は掲記した従来
の光変調オーバーライト光磁気媒体の有する課題に鑑み
てなされたものであり、ＨＢ を供給するバイアス層が
オーバーライト動作後も初期磁化方向を保持する条件を
明確にした光磁気媒体を提供する事をその目的としてい
る。 ［発明の構成］
の光変調オーバーライト光磁気媒体の有する課題に鑑み
てなされたものであり、ＨＢ を供給するバイアス層が
オーバーライト動作後も初期磁化方向を保持する条件を
明確にした光磁気媒体を提供する事をその目的としてい
る。 ［発明の構成］
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録層と、こ
の記録層に静磁的に結合されたバイアス層から成る光磁
気媒体において、前記バイアス層は交換結合多層膜であ
り、該交換結合多層膜の少くも１つの界面における界面
磁壁エネルギー密度をＥＷＢ，この界面に隣接し、バイ
アス層を構成する膜の磁化をＭＳＢ１ ，膜厚をｈＢ１
とおき、バイアス層の保磁力をＨＣＢとおく時、メモリ
保持温度Ｔａにおいて、下記（１） 式を満足する事を
特徴とする光磁気媒体である。
の記録層に静磁的に結合されたバイアス層から成る光磁
気媒体において、前記バイアス層は交換結合多層膜であ
り、該交換結合多層膜の少くも１つの界面における界面
磁壁エネルギー密度をＥＷＢ，この界面に隣接し、バイ
アス層を構成する膜の磁化をＭＳＢ１ ，膜厚をｈＢ１
とおき、バイアス層の保磁力をＨＣＢとおく時、メモリ
保持温度Ｔａにおいて、下記（１） 式を満足する事を
特徴とする光磁気媒体である。
【０００７】
【数２】
この様な条件を設定する事によって、もしもＰＷ 照射
後の冷却過程においてバイアス層の磁化がＴＣＢ以下と
なって立上げる時に反転してしまったとしても少なくと
も常温においては下記（２） 式で表わされる交換力
後の冷却過程においてバイアス層の磁化がＴＣＢ以下と
なって立上げる時に反転してしまったとしても少なくと
も常温においては下記（２） 式で表わされる交換力
【
０００８】
０００８】
【数３】
によって反転し初期状態に復帰する。
【０００９】前記条件をするバイアス層をバイアス層２
１とし、バイアス層２１に交換結合されてなるバイアス
層を２２とすると、バイアス層２２は好ましくはバイア
ス層２１よりも記録層から見て遠くに配置され、レーザ
光は好ましくは記録層側から入射されるのでバイアス層
２２はバイアス層２１に比べれば昇温しにくいがバイア
ス層２２が反転してしまっては意味がないので好ましく
はバイアス層２２のキューリー点ＴＣＢ２ はバイアス
層１のキューリー点ＴＣＢ１ よりも高い方が好い。バ
イアス層は最低限２層あれば良く、本発明の主旨を逸脱
しない範囲において３層以上の多層でもかまわない。
１とし、バイアス層２１に交換結合されてなるバイアス
層を２２とすると、バイアス層２２は好ましくはバイア
ス層２１よりも記録層から見て遠くに配置され、レーザ
光は好ましくは記録層側から入射されるのでバイアス層
２２はバイアス層２１に比べれば昇温しにくいがバイア
ス層２２が反転してしまっては意味がないので好ましく
はバイアス層２２のキューリー点ＴＣＢ２ はバイアス
層１のキューリー点ＴＣＢ１ よりも高い方が好い。バ
イアス層は最低限２層あれば良く、本発明の主旨を逸脱
しない範囲において３層以上の多層でもかまわない。
【００１０】
【作用】本発明の光磁気媒体によれば、オーバーライト
動作、特に記録動作時にＰＷ を大きくしてもＨｅｘの
向き、バイアス層自身の自己漏洩磁界ＨｄＢの向きにか
かわらずバイアス層が反転しないかもしくは一時的に反
転してもメモリ保持温度においては初期磁化状態に復帰
するので、安定して繰り返しオーバーライトができる。
動作、特に記録動作時にＰＷ を大きくしてもＨｅｘの
向き、バイアス層自身の自己漏洩磁界ＨｄＢの向きにか
かわらずバイアス層が反転しないかもしくは一時的に反
転してもメモリ保持温度においては初期磁化状態に復帰
するので、安定して繰り返しオーバーライトができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の光磁気媒体を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明の光磁気媒体の一実施例の構
成図で図１において１は記録層、２１は第１バイアス層
、２２は主バイアス層の磁化状態を保有する為の第２バ
イアス層、３は中間層、４は干渉層、５は保護層、６は
基板、７はＨｅｘ供給源、８はレーザビームである。図
面中の構成要素の番号については同じ機能を有するもの
については図１，図５で共通してある。
成図で図１において１は記録層、２１は第１バイアス層
、２２は主バイアス層の磁化状態を保有する為の第２バ
イアス層、３は中間層、４は干渉層、５は保護層、６は
基板、７はＨｅｘ供給源、８はレーザビームである。図
面中の構成要素の番号については同じ機能を有するもの
については図１，図５で共通してある。
【００１３】図２は本発明の光磁気媒体に用いられる記
録層１の磁化（ＭＳＲ）の膜温度（Ｔ）特性、第１バイ
アス層２１の磁化（ＭＳＢ１ ）のＴ特性、第１バイア
ス層のＭＳＢ１−Ｔ特性とレーザ照射時の第１バイアス
層の温度分布に起因して第１バイアス層外部へ発生する
バイアス磁界（ＨＢ ）のＴ特性、第２バイアス層２２
の磁化（ＭＳＢ２ ）のＴ特性を示す図で第２図中、Ｔ
ａはメモリ保持温度、ＴＣＲは記録層１のキューリー点
、ＴＣＢ１ は第１バイアス層２１のキューリー点、Ｔ
ＣＢ２ は第２バイアス層２２のキューリー点、Ｒｃｏ
ｍｐＢ２は第２バイアス層２２の補償点である。Ｔｃｏ
ｍｐＢ２はあってもなくてもかまわない。 図２に示した特性の膜は、例えば記録層として膜厚２０
ｎｍのＴｂ２８Ｆｅ７２膜、第１バイアス層として膜厚
２００ｎｍ のＴｂ１６（Ｆｅ０．９ＣＤ０．１ ）８
４膜、第２バイアス層として膜厚２００ｎｍの（Ｇｄ０
．５ Ｔｂ０．５ ）２５（Ｆｅ０．９ Ｃｏ０．１
）７５膜を用いた場合に実現できて各層の形成には例え
ば多元同時スパッタ法を用いる事ができる。第１バイア
ス層として膜厚２００ｎｍ のＴｂ１６（Ｆｅ０．９
Ｃｏ０．１ ）８４膜を用いた場合、レーザ加熱（ｅ−
２径が１．３５μｍ）によって第１バイアス層のレーザ
スポット中心における温度がＴＣＢ１ に至った時スポ
ット中心位置において約７００ ０ｅのＨＢ を発生す
る事ができる事が計算によって明らかになっている。
録層１の磁化（ＭＳＲ）の膜温度（Ｔ）特性、第１バイ
アス層２１の磁化（ＭＳＢ１ ）のＴ特性、第１バイア
ス層のＭＳＢ１−Ｔ特性とレーザ照射時の第１バイアス
層の温度分布に起因して第１バイアス層外部へ発生する
バイアス磁界（ＨＢ ）のＴ特性、第２バイアス層２２
の磁化（ＭＳＢ２ ）のＴ特性を示す図で第２図中、Ｔ
ａはメモリ保持温度、ＴＣＲは記録層１のキューリー点
、ＴＣＢ１ は第１バイアス層２１のキューリー点、Ｔ
ＣＢ２ は第２バイアス層２２のキューリー点、Ｒｃｏ
ｍｐＢ２は第２バイアス層２２の補償点である。Ｔｃｏ
ｍｐＢ２はあってもなくてもかまわない。 図２に示した特性の膜は、例えば記録層として膜厚２０
ｎｍのＴｂ２８Ｆｅ７２膜、第１バイアス層として膜厚
２００ｎｍ のＴｂ１６（Ｆｅ０．９ＣＤ０．１ ）８
４膜、第２バイアス層として膜厚２００ｎｍの（Ｇｄ０
．５ Ｔｂ０．５ ）２５（Ｆｅ０．９ Ｃｏ０．１
）７５膜を用いた場合に実現できて各層の形成には例え
ば多元同時スパッタ法を用いる事ができる。第１バイア
ス層として膜厚２００ｎｍ のＴｂ１６（Ｆｅ０．９
Ｃｏ０．１ ）８４膜を用いた場合、レーザ加熱（ｅ−
２径が１．３５μｍ）によって第１バイアス層のレーザ
スポット中心における温度がＴＣＢ１ に至った時スポ
ット中心位置において約７００ ０ｅのＨＢ を発生す
る事ができる事が計算によって明らかになっている。
【００１４】図３は、第１バイアス層と第２バイアス層
との交換結合２層膜のＴａにおける磁化曲線であり、Ｖ
ＳＭによって測定した。第１バイアス層，第２バイアス
層共に下向きの状態（Ａ） から外部磁界を低下すると
、外部磁界が第１バイアス層と第２バイアス層の界面磁
壁エネルギーＥＷＢに起因して第１バイアス層側へ印加
する交換力Ｈｅｘｇ１
との交換結合２層膜のＴａにおける磁化曲線であり、Ｖ
ＳＭによって測定した。第１バイアス層，第２バイアス
層共に下向きの状態（Ａ） から外部磁界を低下すると
、外部磁界が第１バイアス層と第２バイアス層の界面磁
壁エネルギーＥＷＢに起因して第１バイアス層側へ印加
する交換力Ｈｅｘｇ１
【００１５】
【数４】
から第１バイアス層の保磁力を差し引いた値Ｈｅｘｇ１
−ＨＣＢ１にＶＳＭ測定時の外部磁界が至った時に第１
バイアス層のみが反転し、状態Ｓに変化し、磁界を正方
向に切換えて増加すると、磁界がＥＷＢに起因して第２
バイアス層側へ印加する交換力Ｈｅｘｇ２
−ＨＣＢ１にＶＳＭ測定時の外部磁界が至った時に第１
バイアス層のみが反転し、状態Ｓに変化し、磁界を正方
向に切換えて増加すると、磁界がＥＷＢに起因して第２
バイアス層側へ印加する交換力Ｈｅｘｇ２
【００１６】
【数５】
と第２バイアス層の保磁力ＨＣＢ２ の和Ｈｅｘｇ２
＋ＨＣＢ２ に至った時、状態Ｂに変化し磁界をＢから
低下すると外部磁界がＨｅｘｇ１−ＨＣ１に低下した時
Ｓ′状態に変化した。すなわち残留磁化状態ではＨｅｘ
ｇ１＞ＨＣ１なる為にＴａではＳ又はＳ′が安定点とな
り本発明の光磁気媒体の必須条件を第１バイアス層と第
２バイアス層が満している事が明らかとなった。この媒
体に対して図７に示すＰＷ ，ＰＥ ，ＰＲ を設定し
て重ね書き動作を行なった。
＋ＨＣＢ２ に至った時、状態Ｂに変化し磁界をＢから
低下すると外部磁界がＨｅｘｇ１−ＨＣ１に低下した時
Ｓ′状態に変化した。すなわち残留磁化状態ではＨｅｘ
ｇ１＞ＨＣ１なる為にＴａではＳ又はＳ′が安定点とな
り本発明の光磁気媒体の必須条件を第１バイアス層と第
２バイアス層が満している事が明らかとなった。この媒
体に対して図７に示すＰＷ ，ＰＥ ，ＰＲ を設定し
て重ね書き動作を行なった。
【００１７】図４に各パワーレベル光照射時の各層の磁
化分布について模式的に示す。図４において、“０”は
未記録状態、“１”は記録状態を示し、ＰＲ光照射時に
は“０”は“０”，“１”は“１”のまま保存される。 ＰＥ光照射時には“０”は“０”に保有され、“１”は
“０”に遷移し、ＰＷ 光照射時には“０”は“１”に
遷移し、“１”は“１”に保存される。将来技術で述べ
た各状態間の遷移（図８）に比べて、本発明は“０”→
“１”及び“１”→“１”の遷移における冷却状態（図
４中段の下の図）に特徴づけられる。すなわち、ＰＷ
光照射時に記録層１と第１バイアス層２１はそのキュー
リー点ＴＣＲＴＣＢ１ 以上に加熱され、第１バイアス
層２１がＴＣＢ１ 以上に加熱された事に起因して記録
層の記録方向へＨＢ を供給するのは従来技術と類似で
あるが、ＰＷ 光照射時に第２バイアス層はそのキュー
リー点ＴＣＢ２ 未満に好ましくは保存され第２バイア
ス層自身はＨｅｘもしくは第１バイアス層の漏洩磁界も
しくは第２バイアス層の自身の自己漏洩磁界によっては
反転しない。ＰＷ 光照射後の冷却過程において、高温
における第１バイアス層−第２バイアス層両層間の交換
力が、第１バイアス層自己漏洩磁界Ｈｅｘ（Ｈｅｘにつ
いては記録方向に印加した場合にのみ考える必要がある
が）よりも小さくて、第１バイアス層の磁化がキューリ
ー点未満に冷却されるに伴って立上ってくる際に、反転
し（図４では下向き）てしまい、界面磁壁が形成された
としても、より冷却が進んでＴａ近傍に至った場合、本
発明の主旨に従って、Ｔａ近傍では
化分布について模式的に示す。図４において、“０”は
未記録状態、“１”は記録状態を示し、ＰＲ光照射時に
は“０”は“０”，“１”は“１”のまま保存される。 ＰＥ光照射時には“０”は“０”に保有され、“１”は
“０”に遷移し、ＰＷ 光照射時には“０”は“１”に
遷移し、“１”は“１”に保存される。将来技術で述べ
た各状態間の遷移（図８）に比べて、本発明は“０”→
“１”及び“１”→“１”の遷移における冷却状態（図
４中段の下の図）に特徴づけられる。すなわち、ＰＷ
光照射時に記録層１と第１バイアス層２１はそのキュー
リー点ＴＣＲＴＣＢ１ 以上に加熱され、第１バイアス
層２１がＴＣＢ１ 以上に加熱された事に起因して記録
層の記録方向へＨＢ を供給するのは従来技術と類似で
あるが、ＰＷ 光照射時に第２バイアス層はそのキュー
リー点ＴＣＢ２ 未満に好ましくは保存され第２バイア
ス層自身はＨｅｘもしくは第１バイアス層の漏洩磁界も
しくは第２バイアス層の自身の自己漏洩磁界によっては
反転しない。ＰＷ 光照射後の冷却過程において、高温
における第１バイアス層−第２バイアス層両層間の交換
力が、第１バイアス層自己漏洩磁界Ｈｅｘ（Ｈｅｘにつ
いては記録方向に印加した場合にのみ考える必要がある
が）よりも小さくて、第１バイアス層の磁化がキューリ
ー点未満に冷却されるに伴って立上ってくる際に、反転
し（図４では下向き）てしまい、界面磁壁が形成された
としても、より冷却が進んでＴａ近傍に至った場合、本
発明の主旨に従って、Ｔａ近傍では
【００１８】
【数６】
を満足するので、反転してしまった第１バイアス層の磁
化は再び第２バイアス層からの交換力によって元の状態
（上向き）に復帰する。すなわち本発明に従ってバイア
ス層を交換結合多層化すれば、記録方向に大きなＨｅｘ
を印加した場合でも、ＰＷ を高く設定した場合でも、
又、第１バイアス層として自己漏洩磁界の大きな膜材料
を用いた場合でも、オーバーライト動作後第１バイアス
層の磁化状態は、自動的に初期状態に復元するので繰り
返して安全なオーバーライトが可能となり、又オーバー
ライト動作条件、媒体（特に第１バイアス層及び記録層
）の材料選択範囲を拡張する事が可能となる。
化は再び第２バイアス層からの交換力によって元の状態
（上向き）に復帰する。すなわち本発明に従ってバイア
ス層を交換結合多層化すれば、記録方向に大きなＨｅｘ
を印加した場合でも、ＰＷ を高く設定した場合でも、
又、第１バイアス層として自己漏洩磁界の大きな膜材料
を用いた場合でも、オーバーライト動作後第１バイアス
層の磁化状態は、自動的に初期状態に復元するので繰り
返して安全なオーバーライトが可能となり、又オーバー
ライト動作条件、媒体（特に第１バイアス層及び記録層
）の材料選択範囲を拡張する事が可能となる。
【００１９】上記実施例では第１バイアス層が補償点が
なくキューリー点が低い場合、第２バイアス層が補償点
がありキューリー点が高い場合、記録層がキューリー点
が低く補償点がない場合でかつＨＢ が記録を助長する
方向に印加される実施態様について述べたが、本発明は
、上記以外に第１バイアス層第２バイアス層もしくは記
録層に補償点がある場合、キューリー点がレーザ光照射
によって得られる膜温度よりも高い場合又は、ＨＢ が
消去を助長する方向に印加される様な実施態様において
も有効である事は自明である。
なくキューリー点が低い場合、第２バイアス層が補償点
がありキューリー点が高い場合、記録層がキューリー点
が低く補償点がない場合でかつＨＢ が記録を助長する
方向に印加される実施態様について述べたが、本発明は
、上記以外に第１バイアス層第２バイアス層もしくは記
録層に補償点がある場合、キューリー点がレーザ光照射
によって得られる膜温度よりも高い場合又は、ＨＢ が
消去を助長する方向に印加される様な実施態様において
も有効である事は自明である。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、静磁結合多層媒体を用
いた光変調オーバーライト動作における動作パワー、外
部磁界のマージンが拡がり、繰り返して安定したオーバ
ーライト動作が可能となる。
いた光変調オーバーライト動作における動作パワー、外
部磁界のマージンが拡がり、繰り返して安定したオーバ
ーライト動作が可能となる。
【図１】 本発明の光磁気媒体の一実施例の断面構成
図。
図。
【図２】 本発明の光磁気媒体各層の熱磁気特性の一
例を示す図。
例を示す図。
【図３】 本発明の光磁気媒体のメモリー保持温度に
おける磁化曲線の一例を示す図。
おける磁化曲線の一例を示す図。
【図４】 本発明の光磁気媒体のオーバーライト過程
の一例を示す図。
の一例を示す図。
【図５】 従来の光磁気媒体の一実施例の断面構成図
。
。
【図６】 従来の光磁気媒体の熱磁気特性の一例を示
す図。
す図。
【図７】 オーバーライト時の光照射タイムスケジュ
ールの一例を示す図。
ールの一例を示す図。
【図８】 従来の光磁気媒体のオーバーライト過程の
一例を示す図。
一例を示す図。
１…記録層、
２…バイアス層、
２１…第１バイアス層、
２２…第２バイアス層、
３…中間層
４…干渉層
５…保護層
６…基板
７…外部磁界供給源
８…レーザ光
Ｈｅｘ：外部磁界
ＭＳ ：磁化
ＨＢ ：バイアス磁界
Ｔａ：メモリ保持温度
ＴＣ ：キューリー点
Ｔｃ：ｏｍｐ ：補償点
ＨＣ ：保磁力
Ｈｅｘｇ ：交換力
Ｐｒ：再生パワー
ＰＥ ：消去パワー
ＰＷ ：記録パワー（Ｓｕｂｓｃｒｉｐｔ）Ｒ ：記
録層 Ｂ１：第１バイアス層 Ｂ２：第２バイアス層
録層 Ｂ１：第１バイアス層 Ｂ２：第２バイアス層
Claims (1)
- 【請求項１】 記録層と、この記録層に静磁的に結合
されたバイアス層から成る光磁気媒体において、前記バ
イアス層は交換結合多層膜であり、該交換結合多層膜の
少なくも１つの界面における界面磁壁エネルギー密度を
ＥＷＢ，この界面に隣接し、バイアス層を構成する膜の
磁化をＭＳＢ１ ，膜厚をｈＢ１とおき、バイアス層の
保磁力をＨＣＢとおく時、メモリ保持温度Ｔａにおいて
、下記（１） 式を満足する事を特徴とする光磁気媒体
。 【数１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3005013A JP3055807B2 (ja) | 1990-01-31 | 1991-01-21 | 光磁気媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1927990 | 1990-01-31 | ||
| JP2-19279 | 1990-01-31 | ||
| JP3005013A JP3055807B2 (ja) | 1990-01-31 | 1991-01-21 | 光磁気媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212740A true JPH04212740A (ja) | 1992-08-04 |
| JP3055807B2 JP3055807B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=26338889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3005013A Expired - Fee Related JP3055807B2 (ja) | 1990-01-31 | 1991-01-21 | 光磁気媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055807B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493555Y1 (ja) * | 1967-07-11 | 1974-01-28 | ||
| JPS5950157A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Nippon Steel Corp | 溶接熱影響部の耐メツキわれ性にすぐれた高強度低合金鋼 |
| JPS6171732A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Nec Corp | 速度変換回路 |
| JPS6347574A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-29 | Miura Co Ltd | ボ−ルバルブ装置 |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP3005013A patent/JP3055807B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493555Y1 (ja) * | 1967-07-11 | 1974-01-28 | ||
| JPS5950157A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Nippon Steel Corp | 溶接熱影響部の耐メツキわれ性にすぐれた高強度低合金鋼 |
| JPS6171732A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Nec Corp | 速度変換回路 |
| JPS6347574A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-29 | Miura Co Ltd | ボ−ルバルブ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3055807B2 (ja) | 2000-06-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |