JPH05258374A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH05258374A JPH05258374A JP9022092A JP9022092A JPH05258374A JP H05258374 A JPH05258374 A JP H05258374A JP 9022092 A JP9022092 A JP 9022092A JP 9022092 A JP9022092 A JP 9022092A JP H05258374 A JPH05258374 A JP H05258374A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- layer
- recording
- magneto
- information recording
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、オーバライトが可能な簡単な構
造の記録再生装置および該装置を使用した記録方法の提
供を目的とする。 【構成】 基板上に、カー効果を有する記録層を設け、
さらにその上に超伝導によりマイスナー効果を有する磁
場反転層を積層してなることを特徴とする光磁気情報記
録媒体。
造の記録再生装置および該装置を使用した記録方法の提
供を目的とする。 【構成】 基板上に、カー効果を有する記録層を設け、
さらにその上に超伝導によりマイスナー効果を有する磁
場反転層を積層してなることを特徴とする光磁気情報記
録媒体。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明はオーバライトが可能な光磁気ディ
スクおよびそれを使用した記録方法に関する。
スクおよびそれを使用した記録方法に関する。
【０００２】
【従来技術】光磁気ディスク装置はハードディスク装置
に比べ、記録密度が高く、媒体交換が可能という特徴が
あるが、データの転送速度が遅いという欠点がある。こ
れは、消去せずにデータを書き換えることのできる、つ
まりダイレクトにオーバーライト可能であるハードディ
スク装置に比べ、光磁気ディスク装置では、データの書
き換えに一旦古いデータを消去した後あらためて新しい
データを記録するためである。そこで、光磁気ディスク
装置のデータの転送速度を高速化するためには、ダイレ
クトオーバーライトの実現が必要であり、現在までに大
きく別けて２つの方式が提案されている。一つは磁界変
調記録方式である。これは記録情報に応じて外部磁界を
反転させる記録方式である。このため、記録速度は磁気
ヘッドの磁場反転速度で決定され、高速の磁界変調記録
を行なうため磁気ヘッド先端部分のコイルを小形化しイ
ンダクタンスを下げる必要がある。しかし、磁気ヘッド
と光スポットの位置合わせの観点からは、印加磁界領域
すなわちコイルの大きさは大きい方が好ましい。従っ
て、この矛盾する２つの点を磁界変調方式では解決しな
ければならない。また、浮上形磁気ヘッドにおいては、
磁気ヘッドとディスクが接触する危険性がある。このよ
うに磁界変調記録方式では、装置側に多くの課題があ
る。もう一つの方式として光変調記録方式がある。これ
は従来の光磁気装置と同様で情報記録に応じてレーザ強
度を変化させる記録方式である。該記録方式としては、
例えば２ビームｏｎ２トラック、２層記録媒体あるいは
４層記録媒体方式がある。しかしながら、前記の２ビー
ムｏｎ２トラックおよび２層記録媒体方式では装置が複
雑になり、また、４層記録媒体では成膜が難しいという
問題点があった。
に比べ、記録密度が高く、媒体交換が可能という特徴が
あるが、データの転送速度が遅いという欠点がある。こ
れは、消去せずにデータを書き換えることのできる、つ
まりダイレクトにオーバーライト可能であるハードディ
スク装置に比べ、光磁気ディスク装置では、データの書
き換えに一旦古いデータを消去した後あらためて新しい
データを記録するためである。そこで、光磁気ディスク
装置のデータの転送速度を高速化するためには、ダイレ
クトオーバーライトの実現が必要であり、現在までに大
きく別けて２つの方式が提案されている。一つは磁界変
調記録方式である。これは記録情報に応じて外部磁界を
反転させる記録方式である。このため、記録速度は磁気
ヘッドの磁場反転速度で決定され、高速の磁界変調記録
を行なうため磁気ヘッド先端部分のコイルを小形化しイ
ンダクタンスを下げる必要がある。しかし、磁気ヘッド
と光スポットの位置合わせの観点からは、印加磁界領域
すなわちコイルの大きさは大きい方が好ましい。従っ
て、この矛盾する２つの点を磁界変調方式では解決しな
ければならない。また、浮上形磁気ヘッドにおいては、
磁気ヘッドとディスクが接触する危険性がある。このよ
うに磁界変調記録方式では、装置側に多くの課題があ
る。もう一つの方式として光変調記録方式がある。これ
は従来の光磁気装置と同様で情報記録に応じてレーザ強
度を変化させる記録方式である。該記録方式としては、
例えば２ビームｏｎ２トラック、２層記録媒体あるいは
４層記録媒体方式がある。しかしながら、前記の２ビー
ムｏｎ２トラックおよび２層記録媒体方式では装置が複
雑になり、また、４層記録媒体では成膜が難しいという
問題点があった。
【０００３】
【目的】本発明は、前記のような問題点を解消し、オー
バライトが可能な簡単な構造の記録再生装置および該装
置を使用した記録方法の提供を目的とする。
バライトが可能な簡単な構造の記録再生装置および該装
置を使用した記録方法の提供を目的とする。
【０００４】
【構成】本発明の光磁気記録媒体基本構成は図１に示す
ように基板上に順次記録層および磁場反転層を有するも
のである。従来の光磁気記録方式と同様に該記録媒体の
基板側にレーザアレイ、その反対側に外部磁界発生装置
を設ける。前記磁場反転層は超伝導物質から成りマイス
ナー効果を有してなければならない。また、超伝導物質
は図２に示すように第１種と第２種の超伝導体に区別で
き、第２種超伝導体には上部臨界磁場（Ｈc2）と下部臨
界磁場（Ｈc1）がある。磁場反転層を構成する物質とし
ては、例えばＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ10が挙げられる。
ように基板上に順次記録層および磁場反転層を有するも
のである。従来の光磁気記録方式と同様に該記録媒体の
基板側にレーザアレイ、その反対側に外部磁界発生装置
を設ける。前記磁場反転層は超伝導物質から成りマイス
ナー効果を有してなければならない。また、超伝導物質
は図２に示すように第１種と第２種の超伝導体に区別で
き、第２種超伝導体には上部臨界磁場（Ｈc2）と下部臨
界磁場（Ｈc1）がある。磁場反転層を構成する物質とし
ては、例えばＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ10が挙げられる。
【０００５】記録層としては、カー効果を有するもので
あって、そのキュリー温度（Ｔc1）あるいは補償温度
（Ｔcomp）が磁場反転層の転移温度（Ｔc2）より小さい
ことが必要である。このような記録層を構成する材料と
しては、例えば（Ｃｄｘ2Ｃｏｘ1）ｙ2Ｍｏｙ1〔ｘ2＝
１−ｘ1、ｙ2＝１−ｙ1、（ｘ1＝０．８７５、ｙ1＝
０．１７５）〕が挙げられる（注：磁場反転層の転移温
度とは、超伝導状態から常伝導状態へ転移を起こし、マ
イスナー効果を示さなくなる温度のことをいう）。前記
の記録層、磁場反転層とも１０００Å以上が好ましい。
基板としては、ガラス、ＰＶ、ＰＭＭＡ等があげられ
る。
あって、そのキュリー温度（Ｔc1）あるいは補償温度
（Ｔcomp）が磁場反転層の転移温度（Ｔc2）より小さい
ことが必要である。このような記録層を構成する材料と
しては、例えば（Ｃｄｘ2Ｃｏｘ1）ｙ2Ｍｏｙ1〔ｘ2＝
１−ｘ1、ｙ2＝１−ｙ1、（ｘ1＝０．８７５、ｙ1＝
０．１７５）〕が挙げられる（注：磁場反転層の転移温
度とは、超伝導状態から常伝導状態へ転移を起こし、マ
イスナー効果を示さなくなる温度のことをいう）。前記
の記録層、磁場反転層とも１０００Å以上が好ましい。
基板としては、ガラス、ＰＶ、ＰＭＭＡ等があげられ
る。
【０００６】本発明の光情報記録装置は、前記光磁気記
録媒体（例えばディスク状のもの）を挾んで、外部磁界
（Ｈ）を構成する磁気ヘッドとレーザ光源および対物レ
ンズ等で構成する光ヘッドが対向配置されたものであ
る。
録媒体（例えばディスク状のもの）を挾んで、外部磁界
（Ｈ）を構成する磁気ヘッドとレーザ光源および対物レ
ンズ等で構成する光ヘッドが対向配置されたものであ
る。
【０００７】情報記録は、以下のようにして行われる。
記録層のキュリー温度（Ｔc1）あるいは補償温度（Ｔco
mp）以上で磁場反転層の転移温度（Ｔc2）以下になるよ
うに基板側から消去パワー（Ｐｅ）でレーザを入射さ
せ、外部磁界（Ｈ）の磁界方向に対し反対方向に記録層
を磁化させ、また磁場反転層の転移温度（Ｔc2）以上に
なるように基板側から記録パワー（Ｐw）でレーザ光を
入射させ、外部磁界（Ｈ）の磁界方向と同方向に記録層
を磁化させ情報を記録する。その記録方法の１例を図３
に示す。図３において、状態変化を→で示す。上向きの
↑は消去後、下向きの↓は記録後、および軸を１本とし
て上下方向の矢印を有する記号は、記録前の相状態をそ
れぞれ示す。こように、消去／記録パワーにより、磁界
反転層の磁化の向きをコントロールすることにより、記
録層に情報を記録する。外部から印加するバイアス磁界
は、超伝導状態を崩す程強い磁場であってはいけないた
め、外部磁界（Ｈ）は、磁場反転層の臨界磁場（Ｈc）
あるいは下部臨界磁場（Ｈc1）より小さくなければなら
ない（注：第２種超伝導体は、磁場がＨc1〜Ｈc2の範囲
では、超伝導状態と常伝導状態の混合状態である。）。
なお、前記のように記録層として（Ｃｄｘ2Ｃｏｘ1）ｙ
2Ｍｏｙ1（ｘ2＝１−ｘ1、ｙ2＝１−ｙ1、）を使用した
場合の補償温度は、大体１２ＯＫ、磁界反転層としてＴ
ｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ10を使用した場合の磁場反転層の
転移温度（Ｔc2）は大体１２５Ｋ位である。
記録層のキュリー温度（Ｔc1）あるいは補償温度（Ｔco
mp）以上で磁場反転層の転移温度（Ｔc2）以下になるよ
うに基板側から消去パワー（Ｐｅ）でレーザを入射さ
せ、外部磁界（Ｈ）の磁界方向に対し反対方向に記録層
を磁化させ、また磁場反転層の転移温度（Ｔc2）以上に
なるように基板側から記録パワー（Ｐw）でレーザ光を
入射させ、外部磁界（Ｈ）の磁界方向と同方向に記録層
を磁化させ情報を記録する。その記録方法の１例を図３
に示す。図３において、状態変化を→で示す。上向きの
↑は消去後、下向きの↓は記録後、および軸を１本とし
て上下方向の矢印を有する記号は、記録前の相状態をそ
れぞれ示す。こように、消去／記録パワーにより、磁界
反転層の磁化の向きをコントロールすることにより、記
録層に情報を記録する。外部から印加するバイアス磁界
は、超伝導状態を崩す程強い磁場であってはいけないた
め、外部磁界（Ｈ）は、磁場反転層の臨界磁場（Ｈc）
あるいは下部臨界磁場（Ｈc1）より小さくなければなら
ない（注：第２種超伝導体は、磁場がＨc1〜Ｈc2の範囲
では、超伝導状態と常伝導状態の混合状態である。）。
なお、前記のように記録層として（Ｃｄｘ2Ｃｏｘ1）ｙ
2Ｍｏｙ1（ｘ2＝１−ｘ1、ｙ2＝１−ｙ1、）を使用した
場合の補償温度は、大体１２ＯＫ、磁界反転層としてＴ
ｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ10を使用した場合の磁場反転層の
転移温度（Ｔc2）は大体１２５Ｋ位である。
【０００８】
【効果】本発明により、外部磁界発生装置として電磁石
でなく永久磁石で十分であり、膜構成も２層でよく、か
つオーバーライトが可能な、簡単な構造の光変調記録方
式の情報記録媒体が提供された。
でなく永久磁石で十分であり、膜構成も２層でよく、か
つオーバーライトが可能な、簡単な構造の光変調記録方
式の情報記録媒体が提供された。
【図１】本発明の光磁気情報記録装置の基本構成をモデ
ル的に示した図である。
ル的に示した図である。
【図２】超伝導体の磁化曲線を示す。（ａ）は第１種超
伝導体の磁化曲線を示す。（ｂ）は第２種超伝導体の磁
化曲線を示す。
伝導体の磁化曲線を示す。（ｂ）は第２種超伝導体の磁
化曲線を示す。
【図３】本発明の光磁気情報記録媒体の記録時の相状態
を概略的に示す図である。
を概略的に示す図である。
【図４】本発明で使用する記録パワー、消去パワーおよ
び再生パワーとして使用する、各レーザパワーの大きさ
およびオーバライト後の相状態を示す図である。
び再生パワーとして使用する、各レーザパワーの大きさ
およびオーバライト後の相状態を示す図である。
１ 磁場 ２ 記録層 ３ 基板 ４ 対物レンズ ５ レーザ Ｈ 磁場 Ｈc 臨界磁場 Ｈc1 下部臨界磁場 Ｈc2 上部臨界磁場
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、カー効果を有する記録層を設
け、さらにその上に超伝導によりマイスナー効果を有す
る磁場反転層を積層してなることを特徴とする光磁気情
報記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１の光磁気情報記録媒体におい
て、記録層のキュリー温度（Ｔc1）あるいは補償温度
（Ｔcomp）が、磁場反転層の転移温度（Ｔc2）より小さ
いことを特徴とする光磁気情報記録媒体。 - 【請求項３】 記録層として（Ｃｄｘ2Ｃｏｘ1）ｙ2Ｍ
ｏｙ1〔ｘ2＝１−ｘ1、ｙ2＝１−ｙ1、（ｘ1＝０．８７
５、ｙ1＝０．１７５）〕、磁界反転層としてＴｌ2Ｂａ
2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ10を使用する請求項１または２記載の光
磁気情報記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載の光磁気情報
記録媒体の磁場反転層の臨界磁場（Ｈc）あるいは下部
臨界磁場（Ｈc1）より小さい外部磁界（Ｈ）を構成する
磁気ヘッドを有することを特徴とする光磁気情報記録装
置。 - 【請求項５】 請求項４記載の光磁気情報記録装置を使
用し、記録層のキュリー温度（Ｔc1）あるいは補償温度
（Ｔcomp）以上で磁場反転層の転移温度（Ｔc2）以下に
なるように基板側から消去パワー（Ｐe）でレーザ光を
入射させ、外部磁界（Ｈ）の磁界方向に対し反対方向に
記録層を磁化させ、また磁場反転層の転移温度（Ｔc2）
以上になるように基板側から記録パワー（Ｐw）でレー
ザ光を入射させ、外部臨界（Ｈ）の磁界方向と同方向に
記録層を磁化させることを特徴とする情報の記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9022092A JPH05258374A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9022092A JPH05258374A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258374A true JPH05258374A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13992406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9022092A Pending JPH05258374A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258374A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889781A (en) * | 1985-09-27 | 1989-12-26 | Nokia Graetz | Process and apparatus for producing a black matrix layer |
| KR100793620B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2008-01-11 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 | 감광성 폴리실라잔 조성물 및 패턴화 층간 절연막의 형성방법 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP9022092A patent/JPH05258374A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889781A (en) * | 1985-09-27 | 1989-12-26 | Nokia Graetz | Process and apparatus for producing a black matrix layer |
| KR100793620B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2008-01-11 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 | 감광성 폴리실라잔 조성물 및 패턴화 층간 절연막의 형성방법 |
| KR100804444B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2008-02-20 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 | 패턴화된 폴리실라잔 막의 형성방법 및 감광성 폴리실라잔도막의 소성방법 |
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