JPH02177148A - 情報記録方法 - Google Patents

情報記録方法

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JPH02177148A
JPH02177148A JP33262488A JP33262488A JPH02177148A JP H02177148 A JPH02177148 A JP H02177148A JP 33262488 A JP33262488 A JP 33262488A JP 33262488 A JP33262488 A JP 33262488A JP H02177148 A JPH02177148 A JP H02177148A
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光洋 長谷川
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康之 宮岡
Yutaka Ogasawara
豊 小笠原
Makoto Hiramatsu
誠 平松
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光と磁気の相互作用を用いて情報を記録媒体
に記録する方法及びこのように記録された情報を更に再
生する方法に関する。
〔従来の技術〕
上記方法を用いたメモリとしては、例えば光磁気ディス
ク装置等がある。光磁気ディスク装置は、記憶容量が大
ぎいこと、消去書き換えが可能なことなどによりン主目
されている。そして、さらにデータ転送速度を高めるた
めの重ね書ぎ(オーバーライド)の検討や、記憶容量を
上げるための検討がなされている。
オーバーライドの方法には、一定のレーザパワーを照射
しながら記録情報に応じて外部磁界を変調し、媒体に印
加することにより、記録層の磁化を反転してビットを形
成する磁界変調方式と、一定の外部磁界を印加しながら
、記録と消去に対応した2値のレーザのパワーを記録情
報に応じて変調し、媒体に照射することにより、記録層
の磁化を反転してビットを形成する光変調方式とがある
しかしながら、上記磁界変調方式では、磁気ヘッドと記
録層との距離が大ぎいため、大きな磁界を高速に変調し
て媒体に印加するのが困難であった。また原理上、形成
されるビットの形は失態形状となり、このためエツジ変
動や消し残しの問題があり、ビット長記録が困難であっ
た。
光変調方式でも、消し残しやC/N比の低下の問題があ
り、ビット長記録も困難であった。また、記録、消去、
再生の3値のパワーを必要とするので、半導体レーザの
制御が複雑であった。
一方、IBMテクニカル・ディスクロージャー・ブルー
チン(Technical Disclosure B
ulletin)Vol、16.No、17   De
cember1973、P2365〜2366には、保
磁力の違う2層構成の酸化鉄系のディスクを用いて、ま
ず保6n力の低い記憶伝達層に従来の磁気トランスデユ
ーサにより、従来のパターンのトラックを記録し、その
狭い部分を保磁力の高い主記憶層にレーザ光源を用い、
従来のサーモマグネチックトランスファープロセスによ
り記録する方法が提案されている。この方法では情報の
読み出しは、主記憶層より記憶伝達層に情報を転写し、
従来の磁気トランスデユーサを用いて行っている。
また、特開昭63−276731号においては、Co−
Cr合金薄膜と、Tb−Fe薄膜の2層構成のディスク
に対して、情報の記録は磁気ヘッドで記録し、光ヘッド
で転写することで行い、情報の再生は、光ヘッドで行う
提案がなされている。
このような方法を用いれば、消し残しが減少し、ビット
長記録も容易になる。
〔発明が解決しようとしている課題〕
しかしながら、上記2層構成の媒体を用いる方法にも、
以下の・ような問題点があった。
1)高保磁力層からの交換結合力により、低保磁力層の
見かけ上の保磁力が増大し、記録にかなり強い磁界を必
要とする。その為、磁気ヘッドの負担が大きくなり、高
い周波数の信号を記録することが出来ない。
2)−数的にキュリー温度が高い材料の方が大きな磁気
光学効果を示すが、情報の再生をキュリー温度が低い層
から行っているので、大きな再生信号を得にくい。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、高い
周波数の18号まで安定にオーバーライドすることが可
能な情報記録方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、安定なオーバーライドが可
能で、且つ、大きな再生信号が得られる情報記録再生方
法を提供することにある。
(8題を解決する為の手段) 本発明の上記第1の目的は、第1の磁性層及び該第1の
磁性層より低いキュリー温度と室温における高い保磁力
とを有する第2の磁性層を積層して成る記録媒体を用い
、まず第1の磁性層に磁気ヘッドにより変調磁界を印加
して情報を記録し、その後、媒体を光ビームで走査する
ことによって第1の磁性層に記録された情報を第2の磁
性層に転写する情報記録方法において、前記第1の磁性
層を、前記第2の磁性層のキュリー温度よりも高い補償
温度を持つものとすることによって達成される。
また、磁気ヘッドによる記録を更に安定に行う為には、
前記第1の磁性層と第2の磁性層との間に、室温では面
内方向に磁化を有し、温度が上昇する磁化方向が膜面に
垂直となるか又は磁化が消滅する交換力調整層を設け、
この交換力調整層が第1及び第2の磁性層の交換結合力
を前記情報の転写時より第1の磁性層への記録時に弱め
る働きをするように構成するのが良い。
更に、磁気光学効果を用いて情報を読み出す場合に、大
きな信号出力を得る為には、前記第2の磁性層に対して
、第1の磁性層とは反対側に第2の磁性層よりも大きな
磁気光学効果を示す第3の磁性層を設け、前記情報を第
1の磁性層から第3の磁性層に更に転写した後、読み出
すようにすれば良い。
〔実施例〕
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は、本発明の一実施例を説明する図である。第1
図において、1は垂直磁気ヘッド、2は光ヘツド内の対
物レンズ、3は光磁気ディスク、4は基板、5は保護及
び干渉層、6は記録用磁性層、7は記録補助用磁性層、
8は保護層である。
第2図は、これらの磁性層の温度に対する保磁力の特性
を示すものである。曲線9は、記録補助用磁性層7の特
性を示す。つまり記録補助用磁性層7は、室温では保磁
力MCIは小さく、また、高いキュリー温度Tc+を有
するものである。一方、曲線10は記録用磁性F18の
特性を示すもので、記録補助層7よりも室温における保
磁力HC2は大きく、低いキュリー温度Tc2を有する
ものである。
また、曲線9のT Comeは磁性層7の補償点温度で
ある。
このような構成の光磁気ディスクが、第1図に示すよう
に、矢印六方向に移動しているとする。
光ヘッドによる光スポットは、基板側から入射する。1
Iii性層上での光スポツト径は1μm程度である。こ
の光スポットで所望のトラック上を走査させるサーボ系
は、従来よく知られている方法で行える。
一方、垂直磁気ヘッド1は、基板側とは逆側に密着浮上
していて、光スポットで走査しているトラック上で、光
スポットより少し先行した位置にある。これらのヘッド
間の距離は、少なくとも光スポットによる熱の影響をう
ける範囲と、垂直磁気ヘッドによる磁界の影響をうける
範囲が重ならない程度以上離れている必要がある。また
、垂直磁気ヘッドのトラッキングは、光ヘッドのトラッ
キングに従って行われる。
次に、第3図及び第4図を用いて、情報の記録方法につ
いて説明する。第3図及び第4図で、(a)は光磁気デ
ィスクの概略的な断面図、(b)は平面図である。第3
図(a)において、まず垂直磁気ヘッド1を用い、記録
情報に応じて磁界を変調させる。この時、磁性層上での
磁界の絶対値の最大の大きさが、室温における記録補助
用磁性層(以下、補助層と記す)7と記録用磁性層(以
下、記録層と記す)6のそれぞれの保磁力HCIとHC
2の間の適当な値をとるようにすると、磁界の変調に従
い、補助層7に上向き、下向きの違いによる、垂直磁区
列としてビットが形成される。しかしながら、記録層6
においては、印加される磁界の強度が保磁力以下なので
影響をうけず、前の状態が保たれる。
垂直磁気ヘッドによるビットの訃ラックに平行な方向の
長さは、サブミクロンのオーダーとすることが出来、光
ヘッドによって記録される従来のビットよりも線密度を
上げることができる。又、トラックに垂直な方向の幅は
数〜十数トラック分とし、垂直61気ヘツドに要求され
るトラッキングの精度を緩和することがで籾る。
第3図(b)において、11a〜11eは、各々トラッ
クを示し、その幅は1〜2μmである。垂直磁気ヘッド
で記録されるビットは、実線で示す磁区列となる。今、
記録しようとしているトラックをllcとすると、磁区
列はおよそ11cを中心として数〜十数トラックにまた
がって、前のデータ上に重ね書籾される。
このように垂直磁気ヘッドlで磁区列を記録した後、第
4図のように光ヘッド2のスポット12が、所望のトラ
ックllc上を走査する。そして、この時の磁性層での
上昇温度が、補助層7と記録FJ6のそれぞれのキュリ
ー温度TC3とTe3の間の適当な温度になるように、
光強度をディスク回転数に従って制御する。すると、光
スポット12により、キュリー温度TC2以上に熱9せ
られた記録層6の所望のトラック110では、磁化が消
失することにより、前に記録されていた情報が消される
。そして光スポットが通り過ぎ、キュリー温度TC2以
下に熱が下がると、補助層7の磁化に対応した磁化が現
われる。つまり、第4図(b)の記録層6の斜線の領域
に、補助層70磁区列に対応した磁区列が転写され、情
報が書き込まれる。
ここで、補助層7は前述したように室温以上で補償点を
持ち、転写時の温度では保磁力が大きくなるため、安定
した転写が行われる。
このように記録された最終のビット形状は、およそ四角
形となる。そしてビットのトラックに平行な方向の長さ
は、垂直磁気ヘッドにより決めるサブミクロンの大きさ
となり、トラックに垂直方向の幅は、光ヘッドの光スポ
ットにより決まる1μm前後となる。
一方、情報の再生は光ヘッドの光スポットにより、所望
のトラックを走査し、磁性層の温度が第2の層のキュリ
ー点温度Tc2より低くなるようにし、記録層の所望の
トラックの垂直磁化の方向を、カー効果、ファラデー効
果、円二色性の効果等の磁気光学効果により、反射光の
偏光状態の差異として検出することで行う。
また、第2図で示す、曲線9と10の交点の温度をTw
oとすると、記録時の6il性層の温度をTw。
とT、1の間とし、再生時の6fi性層の温度をTwo
以下になるようにしてもよい。
この方法での録再による半導体レーザのパワーは2値で
よい。
また、磁気ヘッドによる補助層への記録はここまで述べ
てきたように重ね書きでもよいし、消し残しの影響をと
るために、光スポットにより転写した後、同じ磁気ヘッ
ドもしくは第2の磁気ヘッドにより消去してもよい。
第5図及び第6図は、夫々本発明に用いる光磁気ディス
クの他の構成例を示し、第7図は、これらのディスクに
おける温度に対する各層の保磁力の特性を示す。
第5図は、第1図示の光磁気ディスクの構成の補助層7
と主記録層6の間に交換力調整層34を配したものであ
る。この層の室温での保磁力)+csとキュリー温度T
C3は、第7図の曲線36のような特性になっている。
この層は、室温では面内方向に磁化されていて、記録時
の光スポットのパワーで温度が上がると、補助層7の磁
化の方向と同じ垂直磁化を有するか又は磁化が消滅する
特徴がある。そして、室温での補助層7と主記録層6と
の交換結合力を弱める働きをする。そのため、記録時の
磁界の強さを、よりHCl側に下げることができる。
第6図においては、さらに第5図の構成の記録層6と保
護及び干渉層5との間に、再生層35を配したものであ
る。前述のように再生時のカー効果によるカー回転角は
、キュリー温度の大きい磁性層の方が大きい。その為、
再生層35の保磁力HC4とキュリー温度TC4は、第
7図の曲線37のような特性になっている。この再生層
35は、再生時の光スポットのパワーにより上昇した温
度において、記録層6との交換結合力により、記録層6
のビットの磁化に対応した垂直磁化が現われる。再生時
の光の反射はほとんど再生層35の影響を受けるので、
カー回転角は、記録層6での反射の時に比べ大きくなる
ここまで、補助層7、記録層6の特性として、第2図に
示したように室温以上で補助層7は補償点があり(曲線
9)、記録層6は補償点がない(曲線10)場合につい
て説明してきたが、第5図又は第6図のような構成では
、第8図〜第10図に示す特性を持つものとしても良い
、ここで第8図、第9図及び第10図は夫々、補助層フ
(曲線9′)も主記録層6(曲線10)も補償点を持た
ないもの、補助層7(曲線9′)は補償点を持たないが
、記録層6(曲線10′)は補償点を持つもの、及び補
助層7(曲線9)も記録層6(曲線10′)も補償点を
持つものを示す。
磁性層群の各層の具体的な材料としては、遷移金属と希
土類金属の各t fi類以上の組み合わせによる非晶質
合金を用いることが出来る0例えば、遷移金属としては
、主にFe、Co、Ni、希土類金属としては、主にG
d、Tb、Dy、Ho。
Nd、Smがある0代表的な組み合わせとしてはTbF
eCo、  GdTbFe、  GdFeCo。
GdTbFeCo、GdDyFeCo等が挙げられる。
また、補助層の材料は、Cvo −Cr系、Ba−Fe
rrite系、MnB1系、酸化鉄系、C。
ドープ酸化鉄系、Cry、系、Ni−Co系。
Fe−Ni−Co系等の磁性材料や、PtMn5bなと
のホイスラー合金であってもよいまた、補助層7は、第
11図に示すように面内磁化を有する磁性層としても良
い、この場合、記録には面内磁気ヘッドが用いられる。
基板4はガラス材やポリカーボネート(、P C)ポリ
メチルメタアクリレート(PMMA)などのプラスチッ
ク材であり、厚くハードなものであってもよいし、薄く
フレキシブルなものでもよい。
本発明は、以上説明した実施例の他にも種々の応用が考
えられる。例えば、実施例では光6Ii気ディスクにつ
いて説明してきたが、カード状、テープ状の媒体を用い
ることも出来る。
また、磁気ヘッドと光ヘッドとは、実施例で説明したよ
うに互いに反対側に配される構成に限定されるものでは
なく、例えば、第1図において光ヘッドが磁気ヘッドと
記録担体に対して同じ側にあってもよい、このような配
置においては、記録層6と補助層7の配置は、第1図の
ままでもよく、この2層が上下逆になった構成でも良い
〔発明の効果) 以上説明したように、本発明は従来の情報記録及び再生
方法において、より安定なオーバーライドを可能とし、
また、再生信号を増大させてC/N比を向上させる効果
を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明する概略図、第2図は
本発明に用いる光磁気ディスクの特性を示す図、第3図
及び第4図は夫々本発明による記録及び転写の過程を説
明する為の図、第5図及び第6図は本発明に用いる光磁
気ディスクの他の構成例を示す概略断面図、第7図乃至
第10図は夫々本発明に用いられる光磁気ディスクの特
性を示す図、第11図は補助層に面内磁化膜を用いたと
きの磁化の様子を示す概略図である。 1・・・磁気ヘッド、2・・・光ヘッド、3・・・光6
i1気ディスク、4・・・基板、5・・・保護及び干渉
層、6・・・記録層、7・・・補助層、8・・・保護層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1の磁性層及び該第1の磁性層より低いキュリ
    ー温度と室温における高い保磁力とを有する第2の磁性
    層を積層して成る記録媒体を用い、まず第1の磁性層に
    磁気ヘッドにより変調磁界を印加して情報を記録し、そ
    の後媒体を光ビームで走査することによって第1の磁性
    層に記録された情報を第2の磁性層に転写する情報記録
    方法において、 前記第1の磁性層が、前記2の磁性層のキュリー温度よ
    りも高い補償温度を持つことを特徴とする情報記録方法
  2. (2)第1の磁性層及び該第1の磁性層より低いキュリ
    ー温度と室温における高い保磁力とを有する第2の磁性
    層を積層して成る記録媒体を用い、まず第1の磁性層に
    磁気ヘッドにより変調磁界を印加して情報を記録し、そ
    の後媒体を光ビームで走査することによって第1の磁性
    層に記録された情報を第2の磁性層に転写する情報記録
    方法において、 前記第1の磁性層と第2の磁性層との間に、室温では面
    内方向に磁化を有し、温度が上昇すると磁化方向が膜面
    に垂直となるか又は磁化が消滅する第3の磁性層を設け
    、この第3の磁性層が第1及び第2の磁性層の交換結合
    力を前記情報の転写時より第1の磁性層への記録時に弱
    める働きをすることを特徴とする情報記録方法。
  3. (3)第1の磁性層及び該第1の磁性層より低いキュリ
    ー温度と室温におけや高い保磁力とを有する第2の磁性
    層を積層して成る記録媒体を用い、まず第1の磁性層に
    磁気ヘッドにより変調磁界を印加して情報を記録し、そ
    の後媒体を光ビームで走査することによって第1の磁性
    層に記録された情報を第2の磁性層に転写し、このよう
    に転写された情報を磁気光学効果を用いて読み出す情報
    記録再生方法において、 前記第2の磁性層に対して、第1の磁性層とは反対側に
    第2の磁性層よりも大きな磁気光学効果を示す第3の磁
    性層を設け、前記情報を第1の磁性層から第3の磁性層
    に更に転写した後、読み出すことを特徴とする情報記録
    再生方法。
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