JPH1021595A - 光磁気情報記憶媒体およびその再生方法 - Google Patents
光磁気情報記憶媒体およびその再生方法Info
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- JPH1021595A JPH1021595A JP17675696A JP17675696A JPH1021595A JP H1021595 A JPH1021595 A JP H1021595A JP 17675696 A JP17675696 A JP 17675696A JP 17675696 A JP17675696 A JP 17675696A JP H1021595 A JPH1021595 A JP H1021595A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の磁気的超解像技術の問題点である、長
い記録マーク再生時の変調度の低下を極力低く抑え、短
い記録マーク再生時の変調度を従来の磁気的超解像技術
による変調度よりも大きくする。 【解決手段】 基板上に垂直磁気異方性を有する第１の
磁性膜と、室温において面内異方性を有し、室温より高
い所定の温度で上記磁気異方性が面内方向から垂直方向
へ変化する第２の磁性膜と、垂直あるいは面内磁気異方
性を有する第３の磁性膜を用い、上記第２の磁性膜と第
３の磁性膜の間に、非磁性膜あるいはキュリー点の低い
磁性膜を設ける。これにより、第１の磁性膜に記録され
た微小な磁区は、第２の磁性膜に単磁区構造の磁区とし
て転写され、第２の磁性膜と静磁的に結合させる第３の
磁性膜に大きさが拡大されて転写される。
い記録マーク再生時の変調度の低下を極力低く抑え、短
い記録マーク再生時の変調度を従来の磁気的超解像技術
による変調度よりも大きくする。 【解決手段】 基板上に垂直磁気異方性を有する第１の
磁性膜と、室温において面内異方性を有し、室温より高
い所定の温度で上記磁気異方性が面内方向から垂直方向
へ変化する第２の磁性膜と、垂直あるいは面内磁気異方
性を有する第３の磁性膜を用い、上記第２の磁性膜と第
３の磁性膜の間に、非磁性膜あるいはキュリー点の低い
磁性膜を設ける。これにより、第１の磁性膜に記録され
た微小な磁区は、第２の磁性膜に単磁区構造の磁区とし
て転写され、第２の磁性膜と静磁的に結合させる第３の
磁性膜に大きさが拡大されて転写される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光と外部
磁界により磁区を形成することによって情報を記録し、
磁気光学効果により上記磁区を読み出す光磁気情報記憶
媒体、およびその再生方法に係り、特に、再生用レーザ
ー光波長と対物レンズ開口数によって決まる解像度より
も小さい記録マークの変調度を大きくし、なおかつ、上
記解像度より大きな記録マークの変調度の低下を小さく
抑えることができる、光磁気情報記憶媒体およびその再
生方法に関するものである。
磁界により磁区を形成することによって情報を記録し、
磁気光学効果により上記磁区を読み出す光磁気情報記憶
媒体、およびその再生方法に係り、特に、再生用レーザ
ー光波長と対物レンズ開口数によって決まる解像度より
も小さい記録マークの変調度を大きくし、なおかつ、上
記解像度より大きな記録マークの変調度の低下を小さく
抑えることができる、光磁気情報記憶媒体およびその再
生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気情報記憶媒体として代表的な光磁
気ディスクは、垂直磁気異方性を有する磁性膜を持ち、
この光磁気ディスクにおける記録は、レーザー光をディ
スク上に集光することにより上記磁性膜を局部的に加熱
すると同時に、外部より磁界を与え、情報に応じて磁化
の向きを変調させた磁区を形成することにより行う。
気ディスクは、垂直磁気異方性を有する磁性膜を持ち、
この光磁気ディスクにおける記録は、レーザー光をディ
スク上に集光することにより上記磁性膜を局部的に加熱
すると同時に、外部より磁界を与え、情報に応じて磁化
の向きを変調させた磁区を形成することにより行う。
【０００３】一方、再生時は、記録時よりも小さいパワ
ーを持つ直線偏光レーザー光を、光磁気ディスクに照射
する。光磁気ディスクの磁性膜には、情報に応じた向き
を持つ磁化が残留しているので、光磁気ディスクにより
反射されるレーザービームの偏光面は回転する。これを
カー回転効果といい、偏光面の回転角はカー回転角と呼
ばれる。カー回転角は磁化の向き、および大きさにより
変化するので、このカー回転角を検出することにより情
報を再生する。
ーを持つ直線偏光レーザー光を、光磁気ディスクに照射
する。光磁気ディスクの磁性膜には、情報に応じた向き
を持つ磁化が残留しているので、光磁気ディスクにより
反射されるレーザービームの偏光面は回転する。これを
カー回転効果といい、偏光面の回転角はカー回転角と呼
ばれる。カー回転角は磁化の向き、および大きさにより
変化するので、このカー回転角を検出することにより情
報を再生する。
【０００４】上記のような方式により記録密度を向上さ
せるには、記録マークを小さくし、トラックピッチを狭
くすることが必要となる。ところが、光磁気ディスクに
限らずレーザービームにより信号を再生する光ディスク
では、光ディスク上に集光されるレーザー光のスポット
径、すなわち再生時の解像度が、再生用レーザービーム
の波長、および対物レンズの開口数によって決定され、
これが記録マークの狭小化を図る上での制限要因となっ
ていた。
せるには、記録マークを小さくし、トラックピッチを狭
くすることが必要となる。ところが、光磁気ディスクに
限らずレーザービームにより信号を再生する光ディスク
では、光ディスク上に集光されるレーザー光のスポット
径、すなわち再生時の解像度が、再生用レーザービーム
の波長、および対物レンズの開口数によって決定され、
これが記録マークの狭小化を図る上での制限要因となっ
ていた。
【０００５】光磁気ディスクでは近年、上述の問題を解
決する方式として、再生レーザー光スポット径よりもは
るかに小さい記録マークを再生する、磁気的超解像と呼
ばれる技術が多数提案されている。この技術は、光磁気
ディスクに少なくとも記録磁性膜と再生磁性膜を設け、
レーザー光によるディスク上の温度がスポット内の位置
により異なることを利用して、限定された温度領域での
み記録磁性膜の磁化が再生層に転写され、該温度領域に
相当しない温度領域では記録磁性膜の磁化によらず再生
層の磁化が一方向を向く磁気的なマスクを形成するよう
に工夫し、解像度を上げたものである。
決する方式として、再生レーザー光スポット径よりもは
るかに小さい記録マークを再生する、磁気的超解像と呼
ばれる技術が多数提案されている。この技術は、光磁気
ディスクに少なくとも記録磁性膜と再生磁性膜を設け、
レーザー光によるディスク上の温度がスポット内の位置
により異なることを利用して、限定された温度領域での
み記録磁性膜の磁化が再生層に転写され、該温度領域に
相当しない温度領域では記録磁性膜の磁化によらず再生
層の磁化が一方向を向く磁気的なマスクを形成するよう
に工夫し、解像度を上げたものである。
【０００６】磁気的超解像の代表的な例として、特開平
３−９３０５６号公報に記載されている技術を、図５に
より簡単に説明する。図５において、２２は再生用磁性
膜、２４は中間層磁性膜、２５は記録用磁性膜である。
記録用磁性膜２５には、再生用レーザー光スポット径よ
りも小さい記録マークが形成されているとする。再生用
磁性膜２２、中間層磁性膜２４、記録用磁性膜２５は室
温で例えば交換結合力により磁気的に結合している。
３−９３０５６号公報に記載されている技術を、図５に
より簡単に説明する。図５において、２２は再生用磁性
膜、２４は中間層磁性膜、２５は記録用磁性膜である。
記録用磁性膜２５には、再生用レーザー光スポット径よ
りも小さい記録マークが形成されているとする。再生用
磁性膜２２、中間層磁性膜２４、記録用磁性膜２５は室
温で例えば交換結合力により磁気的に結合している。
【０００７】ここで、再生用レーザー光スポットによっ
て上記記録マークを読み出すとき、スポット内に温度分
布が生じ、媒体走行方向でみて、前方部分の温度が高く
なる。このとき、前方部分の温度が中間層磁性膜２４の
キュリー点よりも大きいとき、この前方部分で再生用磁
性膜２２と記録用磁性膜２５の結合が切断される。この
状態で、再生用磁性膜２２の前方の温度上昇領域の保磁
力よりも大きな外部磁界を印加すると、図５に示すよう
に前方の温度上昇領域の磁化は外部磁界の向きになら
い、後方の低温領域は記録磁性膜２５の磁化の方向にな
らう。従って、前方の温度上昇領域はあたかもマスクさ
れたようになり、この部分に記録された磁化は見かけ上
消失し、解像度が上がる。
て上記記録マークを読み出すとき、スポット内に温度分
布が生じ、媒体走行方向でみて、前方部分の温度が高く
なる。このとき、前方部分の温度が中間層磁性膜２４の
キュリー点よりも大きいとき、この前方部分で再生用磁
性膜２２と記録用磁性膜２５の結合が切断される。この
状態で、再生用磁性膜２２の前方の温度上昇領域の保磁
力よりも大きな外部磁界を印加すると、図５に示すよう
に前方の温度上昇領域の磁化は外部磁界の向きになら
い、後方の低温領域は記録磁性膜２５の磁化の方向にな
らう。従って、前方の温度上昇領域はあたかもマスクさ
れたようになり、この部分に記録された磁化は見かけ上
消失し、解像度が上がる。
【０００８】上記した特開平３−９３０５６号公報に示
されている方法は、磁気的超解像技術の１例であり、他
にも多様な磁気的超解像技術が提案されているが、いず
れもビームスポット内の温度分布を利用し、所定の温度
領域のみで記録層の磁化を再生層に転写させて解像度を
上げ、再生を行うものである。
されている方法は、磁気的超解像技術の１例であり、他
にも多様な磁気的超解像技術が提案されているが、いず
れもビームスポット内の温度分布を利用し、所定の温度
領域のみで記録層の磁化を再生層に転写させて解像度を
上げ、再生を行うものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した様に磁気
的超解像は、光ピックアップ等の主要パラメータを変更
することなしに再生時の解像度を上げる優れた技術であ
るが、以下に挙げるような２つの問題がある。
的超解像は、光ピックアップ等の主要パラメータを変更
することなしに再生時の解像度を上げる優れた技術であ
るが、以下に挙げるような２つの問題がある。
【００１０】その１つは、記録マークの再生部分がレー
ザー光スポットの一部であるために、レーザー光スポッ
ト径以上の長い記録マークを再生する際、磁気的超解像
技術を用いない通常の光磁気ディスクに比べ変調度が下
がるという問題であり、もう１つは、短い記録マークを
再生する際、依然として大きなレーザー光スポット径に
より再生を行うため、マークが小さくなるにつれ変調度
が小さくなるのを避けられないという問題である。
ザー光スポットの一部であるために、レーザー光スポッ
ト径以上の長い記録マークを再生する際、磁気的超解像
技術を用いない通常の光磁気ディスクに比べ変調度が下
がるという問題であり、もう１つは、短い記録マークを
再生する際、依然として大きなレーザー光スポット径に
より再生を行うため、マークが小さくなるにつれ変調度
が小さくなるのを避けられないという問題である。
【００１１】本発明の目的は、上記磁気的超解像技術の
問題点である、長い記録マーク再生時の変調度の低下を
極力低く抑え、短い記録マーク再生時の変調度を従来の
磁気的超解像技術による変調度よりも大きくすることに
ある。
問題点である、長い記録マーク再生時の変調度の低下を
極力低く抑え、短い記録マーク再生時の変調度を従来の
磁気的超解像技術による変調度よりも大きくすることに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明では、光磁気情報記憶媒体として、基板上に垂直
磁気異方性を有する第１の磁性膜と、室温において面内
異方性を有する第２の磁性膜と、垂直磁気異方性を有す
る第３の磁性膜を用い、上記第２の磁性膜と第３の磁性
膜の間に非磁性層を設ける。または、基板上に、垂直磁
気異方性を有する第１の磁性膜と、室温において面内異
方性を有する第２および第３の磁性膜を用い、上記第２
の磁性膜と第３の磁性膜の間に非磁性層を設ける。な
お、上記光磁気情報記憶媒体には、上記第１の磁性膜に
光磁気情報が記録されている。
本発明では、光磁気情報記憶媒体として、基板上に垂直
磁気異方性を有する第１の磁性膜と、室温において面内
異方性を有する第２の磁性膜と、垂直磁気異方性を有す
る第３の磁性膜を用い、上記第２の磁性膜と第３の磁性
膜の間に非磁性層を設ける。または、基板上に、垂直磁
気異方性を有する第１の磁性膜と、室温において面内異
方性を有する第２および第３の磁性膜を用い、上記第２
の磁性膜と第３の磁性膜の間に非磁性層を設ける。な
お、上記光磁気情報記憶媒体には、上記第１の磁性膜に
光磁気情報が記録されている。
【００１３】以下、信号再生方法について説明する。上
記のように第２の磁性膜は室温で面内磁気異方性を有し
ているが、例えば温度上昇と共に磁気異方性が面内から
垂直に変化する性質を持たせる。磁気異方性が面内から
垂直に変化する温度をＴｃｒとする。
記のように第２の磁性膜は室温で面内磁気異方性を有し
ているが、例えば温度上昇と共に磁気異方性が面内から
垂直に変化する性質を持たせる。磁気異方性が面内から
垂直に変化する温度をＴｃｒとする。
【００１４】これにより、再生用レーザー光が上記光磁
気情報記憶媒体に照射されると、スポット内における温
度がＴｃｒ以上である領域で、上記第２の磁性膜の磁気
異方性が面内から垂直へ変化し、同時に第１の磁性膜の
磁化が例えば交換結合力により第２の磁性膜へ転写され
る。このとき、Ｔｃｒ以上となる領域の媒体走行方向の
径が、第１の磁性膜に記録されている磁区の媒体走行方
向の径と同等又はそれ以下となるようにＴｃｒを調節す
る。これにより、第２の磁性膜に生じる磁区は一方向磁
化を持つ単磁区構造となる。第２の磁性膜に転写された
磁化からは磁界が発生する。第２の磁性膜と第３の磁性
膜の間には非磁性層を設けてあるので、第３の磁性膜は
第２の磁性膜からの漏洩磁界のみを受ける。これにより
第２の磁性膜と第３の磁性膜は静磁的に結合するが、前
述のように第２の磁性膜と第３の磁性膜の間には非磁性
層を設けてあり、しかも第２の磁性膜に存在する磁区は
単磁区構造であるので、第２の磁性膜からの漏洩磁界
は、第１の磁性膜より第２の磁性膜に転写された磁区の
径より広い範囲にわたる。すなわち、第１の磁性膜に記
録されている微小な磁区は、その大きさが拡大されて第
３の磁性膜に転写されることになる。この結果、変調度
の記録マーク長依存性がフラットな再生特性が得られ
る。
気情報記憶媒体に照射されると、スポット内における温
度がＴｃｒ以上である領域で、上記第２の磁性膜の磁気
異方性が面内から垂直へ変化し、同時に第１の磁性膜の
磁化が例えば交換結合力により第２の磁性膜へ転写され
る。このとき、Ｔｃｒ以上となる領域の媒体走行方向の
径が、第１の磁性膜に記録されている磁区の媒体走行方
向の径と同等又はそれ以下となるようにＴｃｒを調節す
る。これにより、第２の磁性膜に生じる磁区は一方向磁
化を持つ単磁区構造となる。第２の磁性膜に転写された
磁化からは磁界が発生する。第２の磁性膜と第３の磁性
膜の間には非磁性層を設けてあるので、第３の磁性膜は
第２の磁性膜からの漏洩磁界のみを受ける。これにより
第２の磁性膜と第３の磁性膜は静磁的に結合するが、前
述のように第２の磁性膜と第３の磁性膜の間には非磁性
層を設けてあり、しかも第２の磁性膜に存在する磁区は
単磁区構造であるので、第２の磁性膜からの漏洩磁界
は、第１の磁性膜より第２の磁性膜に転写された磁区の
径より広い範囲にわたる。すなわち、第１の磁性膜に記
録されている微小な磁区は、その大きさが拡大されて第
３の磁性膜に転写されることになる。この結果、変調度
の記録マーク長依存性がフラットな再生特性が得られ
る。
【００１５】なお、レーザー光スポットにより上記第２
の磁性膜から磁化が第３の磁性膜に拡大されて転写され
る領域、磁化の方向は常に一定方向を向いていなければ
ならない。そこで、第３の磁性膜に垂直磁化膜を用いる
場合、あるいは第３の磁性膜の磁気異方性が面内から垂
直方向に変化するときの温度が低い場合、再生用レーザ
ー光を照射すると同時に、第２の磁性膜からの漏洩磁界
よりも小さいごく弱い外部磁界を与える。
の磁性膜から磁化が第３の磁性膜に拡大されて転写され
る領域、磁化の方向は常に一定方向を向いていなければ
ならない。そこで、第３の磁性膜に垂直磁化膜を用いる
場合、あるいは第３の磁性膜の磁気異方性が面内から垂
直方向に変化するときの温度が低い場合、再生用レーザ
ー光を照射すると同時に、第２の磁性膜からの漏洩磁界
よりも小さいごく弱い外部磁界を与える。
【００１６】なお、上記第２の磁性膜と第３の磁性膜の
間の非磁性膜の代わりに、Ｔｃｒより低い温度でキュリ
ー温度が存在する磁性膜を用いてもよい。
間の非磁性膜の代わりに、Ｔｃｒより低い温度でキュリ
ー温度が存在する磁性膜を用いてもよい。
【００１７】また、上記において第１の磁性膜と第２の
磁性膜の間にも非磁性層を設け、第１の磁性膜と第２の
磁性膜を交換結合させる代わりに静磁結合させても良
い。
磁性膜の間にも非磁性層を設け、第１の磁性膜と第２の
磁性膜を交換結合させる代わりに静磁結合させても良
い。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を、図を
用いて説明する。図２は、本発明の第１実施形態に係る
光磁気ディスクを、断面図により示したものである。図
２において、１は紫外線硬化樹脂からなる保護膜、２は
ＴｂＦｅＣｏからなる第１の磁性膜であり、該磁性膜２
は垂直磁気異方性を有し、かつ室温において十分保磁力
が大きく、光磁気情報を記録する記録膜である。３はＧ
ｄＦｅＣｏからなる第２の磁性膜であり、所定の温度Ｔ
ｃｒ以上で磁気異方性が面内から垂直へ変化する磁性膜
である。４は窒化シリコンからなる非磁性膜、５はＴｂ
ＦｅＣｏからなる第３の磁性膜であり、該磁性膜５は垂
直磁気異方性を有し、保磁力の小さい磁性膜である。６
はポリカーボネイトやアクリル、あるいはガラス等から
なる基板である。
用いて説明する。図２は、本発明の第１実施形態に係る
光磁気ディスクを、断面図により示したものである。図
２において、１は紫外線硬化樹脂からなる保護膜、２は
ＴｂＦｅＣｏからなる第１の磁性膜であり、該磁性膜２
は垂直磁気異方性を有し、かつ室温において十分保磁力
が大きく、光磁気情報を記録する記録膜である。３はＧ
ｄＦｅＣｏからなる第２の磁性膜であり、所定の温度Ｔ
ｃｒ以上で磁気異方性が面内から垂直へ変化する磁性膜
である。４は窒化シリコンからなる非磁性膜、５はＴｂ
ＦｅＣｏからなる第３の磁性膜であり、該磁性膜５は垂
直磁気異方性を有し、保磁力の小さい磁性膜である。６
はポリカーボネイトやアクリル、あるいはガラス等から
なる基板である。
【００１９】図１は、図２に示した光磁気ディスクより
情報を再生する方法を説明するものである。再生用レー
ザー光６を上記光磁気ディスクに照射すると、該光磁気
ディスクの温度分布は光強度分布とほぼ同様な分布を示
す。すなわち、レーザー光スポットの中心付近では温度
が高く、周辺部では低くなる。該レーザー光スポットに
よりＴｃｒ以上の温度となる部分で、第２の磁性膜３の
磁気異方性は前記のように面内から垂直に変化し、この
部分で第１の磁性膜２と第２の磁性膜３は交換結合する
ので、第２の磁性膜３に円筒形の単磁区が形成される。
該単磁区から発生する垂直方向の磁界強度分布を、図３
に示す。
情報を再生する方法を説明するものである。再生用レー
ザー光６を上記光磁気ディスクに照射すると、該光磁気
ディスクの温度分布は光強度分布とほぼ同様な分布を示
す。すなわち、レーザー光スポットの中心付近では温度
が高く、周辺部では低くなる。該レーザー光スポットに
よりＴｃｒ以上の温度となる部分で、第２の磁性膜３の
磁気異方性は前記のように面内から垂直に変化し、この
部分で第１の磁性膜２と第２の磁性膜３は交換結合する
ので、第２の磁性膜３に円筒形の単磁区が形成される。
該単磁区から発生する垂直方向の磁界強度分布を、図３
に示す。
【００２０】第２の磁性膜３と第３の磁性膜５の間には
非磁性膜４が存在するので、第３の磁性膜５は第２の磁
性膜３からの漏洩磁界のみを受けるが、図３からわかる
様に、垂直方向磁界強度分布は上記単磁区の面積より広
い範囲にわたっているので、第３の磁性膜５には、第２
の磁性膜３に生ずる単磁区よりも大きな範囲で第１の磁
性膜２の磁化が転写されることになる。本実施形態で
は、第３の磁性膜５に垂直磁気異方性を有する磁性膜を
用いているので、磁化が転写される部分以外は磁化の方
向は常に一定方向を向いていなければならない。そこ
で、再生用レーザー光を照射すると同時に、第２の磁性
膜３からの漏洩磁界よりも小さいごく弱い外部磁界１２
を、図示せぬ磁気ヘッドにより与える。
非磁性膜４が存在するので、第３の磁性膜５は第２の磁
性膜３からの漏洩磁界のみを受けるが、図３からわかる
様に、垂直方向磁界強度分布は上記単磁区の面積より広
い範囲にわたっているので、第３の磁性膜５には、第２
の磁性膜３に生ずる単磁区よりも大きな範囲で第１の磁
性膜２の磁化が転写されることになる。本実施形態で
は、第３の磁性膜５に垂直磁気異方性を有する磁性膜を
用いているので、磁化が転写される部分以外は磁化の方
向は常に一定方向を向いていなければならない。そこ
で、再生用レーザー光を照射すると同時に、第２の磁性
膜３からの漏洩磁界よりも小さいごく弱い外部磁界１２
を、図示せぬ磁気ヘッドにより与える。
【００２１】以上説明したように、第１の磁性膜２に記
録されている微小な磁区は、その大きさが拡大されて第
３の磁性膜５に転写されることになる。この結果、変調
度の記録マーク長依存性がフラットな再生特性が得られ
る。
録されている微小な磁区は、その大きさが拡大されて第
３の磁性膜５に転写されることになる。この結果、変調
度の記録マーク長依存性がフラットな再生特性が得られ
る。
【００２２】次に、本発明の第２実施形態を説明する。
図４は、本発明の第２実施形態に係る光磁気ディスクを
再生する方法を説明する図である。
図４は、本発明の第２実施形態に係る光磁気ディスクを
再生する方法を説明する図である。
【００２３】本実施形態の光磁気ディスクは、先の第１
実施形態の第３の磁性膜を、室温で面内磁気異方性を持
ち、この磁気異方性が垂直方向へ変化する温度Ｔｃｒ２
が、第２の磁性膜３の磁気異方性が面内から垂直へ変化
する温度Ｔｃｒより小さいものに置き換えたものであ
る。本実施形態の第３の磁性膜５としては、例えばＧｄ
ＦｅＣｏ等の合金膜を用いる。
実施形態の第３の磁性膜を、室温で面内磁気異方性を持
ち、この磁気異方性が垂直方向へ変化する温度Ｔｃｒ２
が、第２の磁性膜３の磁気異方性が面内から垂直へ変化
する温度Ｔｃｒより小さいものに置き換えたものであ
る。本実施形態の第３の磁性膜５としては、例えばＧｄ
ＦｅＣｏ等の合金膜を用いる。
【００２４】本実施形態でも第１実施形態と同様に、第
２の磁性膜３と第３の磁性膜５の間には非磁性膜４が存
在するので、第３の磁性膜５は第２の磁性膜３からの漏
洩磁界のみを受けるが、図３からわかる様に、垂直方向
磁界強度分布は上記単磁区の面積より広い範囲にわたっ
ているので、第３の磁性膜５には、第２の磁性膜３に生
ずる単磁区よりも大きな範囲で、第１の磁性膜２の磁化
が転写されることになる。
２の磁性膜３と第３の磁性膜５の間には非磁性膜４が存
在するので、第３の磁性膜５は第２の磁性膜３からの漏
洩磁界のみを受けるが、図３からわかる様に、垂直方向
磁界強度分布は上記単磁区の面積より広い範囲にわたっ
ているので、第３の磁性膜５には、第２の磁性膜３に生
ずる単磁区よりも大きな範囲で、第１の磁性膜２の磁化
が転写されることになる。
【００２５】本形態例では、第３の磁性膜５に、室温で
面内磁気異方性を持ち、磁気異方性が垂直方向へ変化す
る温度Ｔｃｒ２が、第２の磁性膜３の磁気異方性が面内
から垂直へ変化する温度Ｔｃｒより小さい磁性膜を用い
ているが、このＴｃｒ２を以下のように設定する。
面内磁気異方性を持ち、磁気異方性が垂直方向へ変化す
る温度Ｔｃｒ２が、第２の磁性膜３の磁気異方性が面内
から垂直へ変化する温度Ｔｃｒより小さい磁性膜を用い
ているが、このＴｃｒ２を以下のように設定する。
【００２６】第２の磁性膜３に生ずる単磁区から発生す
る垂直方向磁界強度が、該単磁区の磁化方向と同方向で
ある範囲は、温度分布において第２の磁性膜３の磁気異
方性が面内から垂直へ変化する温度Ｔｃｒ以上となる範
囲よりも大きい。そこで、第３の磁性膜５の磁気異方性
が面内から垂直へ変化する温度Ｔｃｒ２を、図４に示し
たように、Ｔｃｒより小さく、かつ第２の磁性膜３に生
ずる単磁区から発生する垂直方向磁界強度が該単磁区の
磁化方向と同方向である範囲を満たす温度以上とする。
これにより、磁化が転写される部分以外は磁化の方向は
面内方向であり、常に一定方向である。すなわち、前記
第１実施形態とは異なり、再生用レーザー光を照射する
と同時に外部磁界を与える必要はない。
る垂直方向磁界強度が、該単磁区の磁化方向と同方向で
ある範囲は、温度分布において第２の磁性膜３の磁気異
方性が面内から垂直へ変化する温度Ｔｃｒ以上となる範
囲よりも大きい。そこで、第３の磁性膜５の磁気異方性
が面内から垂直へ変化する温度Ｔｃｒ２を、図４に示し
たように、Ｔｃｒより小さく、かつ第２の磁性膜３に生
ずる単磁区から発生する垂直方向磁界強度が該単磁区の
磁化方向と同方向である範囲を満たす温度以上とする。
これにより、磁化が転写される部分以外は磁化の方向は
面内方向であり、常に一定方向である。すなわち、前記
第１実施形態とは異なり、再生用レーザー光を照射する
と同時に外部磁界を与える必要はない。
【００２７】以上説明したように、第１の磁性膜２に記
録されている微小な磁区は、その大きさが拡大されて第
３の磁性膜５に転写されることになる。この結果、変調
度の記録マーク長依存性がフラットな再生特性が得られ
る。
録されている微小な磁区は、その大きさが拡大されて第
３の磁性膜５に転写されることになる。この結果、変調
度の記録マーク長依存性がフラットな再生特性が得られ
る。
【００２８】なお、上記Ｔｃｒ２を更に低い温度に設定
した場合は、第１実施形態と同様に、再生用レーザー光
を照射すると同時に外部磁界を与えればよい。また、Ｔ
ｃｒ及びＴｃｒ２の設定は、合金膜の組成を調整するこ
とにより達成できる。
した場合は、第１実施形態と同様に、再生用レーザー光
を照射すると同時に外部磁界を与えればよい。また、Ｔ
ｃｒ及びＴｃｒ２の設定は、合金膜の組成を調整するこ
とにより達成できる。
【００２９】また、第１，第２実施形態において、第２
の磁性膜３と第３の磁性膜５の間に設ける非磁性層４の
代わりに、キュリー点が前記Ｔｃｒより小さい磁性膜を
設けてもよい。これにより、第１の磁性膜２により第２
の磁性膜３に単磁区が形成されるとき、第２の磁性膜３
と第３の磁性膜５は、第１，第２実施形態と同様に、静
磁的に結合することになるので、第１および第２実施形
態と同様の効果が得られる。
の磁性膜３と第３の磁性膜５の間に設ける非磁性層４の
代わりに、キュリー点が前記Ｔｃｒより小さい磁性膜を
設けてもよい。これにより、第１の磁性膜２により第２
の磁性膜３に単磁区が形成されるとき、第２の磁性膜３
と第３の磁性膜５は、第１，第２実施形態と同様に、静
磁的に結合することになるので、第１および第２実施形
態と同様の効果が得られる。
【００３０】また、第１の磁性膜２と第２の磁性膜３の
間にも非磁性層を設け、第１の磁性膜２と第２の磁性膜
３を静磁的に結合させてもよい。このとき、例えば第１
の磁性膜２を室温において補償組成となるように構成す
る。これにより、第２の磁性膜３に、より安定な単磁区
が生成され、第１および第２実施形態と同様の効果が得
られる。
間にも非磁性層を設け、第１の磁性膜２と第２の磁性膜
３を静磁的に結合させてもよい。このとき、例えば第１
の磁性膜２を室温において補償組成となるように構成す
る。これにより、第２の磁性膜３に、より安定な単磁区
が生成され、第１および第２実施形態と同様の効果が得
られる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、記
録層となる第１の磁性膜上に、室温において面内磁気異
方性を有し、一定の温度で磁気異方性が面内方向から垂
直方向へ変化する第２の磁性膜と、再生層となる第３の
磁性膜を形成し、第２の磁性膜と第３の磁性膜の間に非
磁性層、あるいはキュリー点の低い磁性層を設けること
により、第１の磁性膜に記録されている微小な磁区は、
その大きさが拡大されて第３の磁性膜に転写される。す
なわち、微小記録マーク再生時の変調度の低下、および
従来の磁気超解像技術における長マーク再生時の変調度
の低下を小さくすることができる。すなわち、変調度の
記録マーク長依存性がフラットな再生特性が得られる。
録層となる第１の磁性膜上に、室温において面内磁気異
方性を有し、一定の温度で磁気異方性が面内方向から垂
直方向へ変化する第２の磁性膜と、再生層となる第３の
磁性膜を形成し、第２の磁性膜と第３の磁性膜の間に非
磁性層、あるいはキュリー点の低い磁性層を設けること
により、第１の磁性膜に記録されている微小な磁区は、
その大きさが拡大されて第３の磁性膜に転写される。す
なわち、微小記録マーク再生時の変調度の低下、および
従来の磁気超解像技術における長マーク再生時の変調度
の低下を小さくすることができる。すなわち、変調度の
記録マーク長依存性がフラットな再生特性が得られる。
【図１】本発明の第１実施形態による光磁気ディスクを
用い、微小マークを再生する方法を示す説明図である。
用い、微小マークを再生する方法を示す説明図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る光磁気ディスクの
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明による光磁気ディスクにおける、第２の
磁性膜に形成された磁区から発生する磁界強度分布を示
す説明図である。
磁性膜に形成された磁区から発生する磁界強度分布を示
す説明図である。
【図４】本発明の第２実施形態による光磁気ディスクを
用い、微小マークを再生する方法を示す説明図である。
用い、微小マークを再生する方法を示す説明図である。
【図５】従来技術による光磁気記録媒体を用い、微小マ
ークを再生する方法を示す説明図である。
ークを再生する方法を示す説明図である。
１ 保護膜 ２ 第１の磁性膜 ３ 第２の磁性膜 ４ 非磁性膜 ５ 第３の磁性膜 ６，２６ レーザー光ビーム ２２ 再生用磁性膜 ２４ 中間層磁性膜 ２５ 記録用磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榑林 正明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所マルチメディアシステム 開発本部内 (72)発明者 米澤 成二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所マルチメディアシステム 開発本部内 (72)発明者 太田 憲雄 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 鈴木 順美 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所マルチメディアシステム 開発本部内
Claims (8)
- 【請求項１】 垂直磁気異方性を有する第１の磁性膜
と、室温において面内磁気異方性を有し、室温より高い
所定の温度で上記磁気異方性が面内方向から垂直方向へ
変化する第２の磁性膜と、垂直磁気異方性を有する第３
の磁性膜とを有し、基板上に、上記第３の磁性膜，上記
第２の磁性膜，上記第１の磁性膜の順で各磁性膜が形成
された光磁気情報記憶媒体であって、 上記第２の磁性膜と上記第３の磁性膜との間に非磁性層
を有することを特徴とする光磁気情報記憶媒体。 - 【請求項２】 垂直磁気異方性を有する第１の磁性膜
と、室温において面内磁気異方性を有し、室温より高い
所定の温度で上記磁気異方性が面内方向から垂直方向へ
変化する第２の磁性膜と、面内磁気異方性を有する第３
の磁性膜とを有し、基板上に、上記第３の磁性膜，上記
第２の磁性膜，上記第１の磁性膜の順で各磁性膜が形成
された光磁気情報記憶媒体であって、 上記第２の磁性膜と上記第３の磁性膜との間に非磁性層
を有することを特徴とする光磁気情報記憶媒体。 - 【請求項３】 垂直磁気異方性を有する第１の磁性膜
と、室温において面内磁気異方性を有し、室温より高い
所定の温度で上記磁気異方性が面内方向から垂直方向へ
変化する第２の磁性膜と、上記所定の温度をＴｃｒとす
るとき、室温において面内磁気異方性を有し、室温より
高くＴｃｒより低い所定の温度で上記磁気異方性が面内
方向から垂直方向へ変化する第３の磁性膜とを有し、基
板上に、上記第３の磁性膜，上記第２の磁性膜，上記第
１の磁性膜の順で各磁性膜が形成された光磁気情報記憶
媒体であって、 上記第２の磁性膜と上記第３の磁性膜との間に非磁性層
を有することを特徴とする光磁気情報記憶媒体。 - 【請求項４】 垂直磁気異方性を有する第１の磁性膜
と、室温において面内磁気異方性を有し、室温より高い
所定の温度で上記磁気異方性が面内方向から垂直方向へ
変化する第２の磁性膜と、垂直磁気異方性を有する第３
の磁性膜とを有し、基板上に、上記第３の磁性膜，上記
第２の磁性膜，上記第１の磁性膜の順で各磁性膜が形成
された光磁気情報記憶媒体であって、 上記所定の温度をＴｃｒとするとき、上記第２の磁性膜
と上記第３の磁性膜との間に、Ｔｃｒより小さいキュリ
ー点をもつ磁性膜を有することを特徴とする光磁気情報
記憶媒体。 - 【請求項５】 垂直磁気異方性を有する第１の磁性膜
と、室温において面内磁気異方性を有し、室温より高い
所定の温度で上記磁気異方性が面内方向から垂直方向へ
変化する第２の磁性膜と、面内磁気異方性を有する第３
の磁性膜とを有し、基板上に、上記第３の磁性膜，上記
第２の磁性膜，上記第１の磁性膜の順で各磁性膜が形成
された光磁気情報記憶媒体であって、 上記所定の温度をＴｃｒとするとき、上記第２の磁性膜
と上記第３の磁性膜との間に、Ｔｃｒより小さいキュリ
ー点をもつ磁性膜を有することを特徴とする光磁気情報
記憶媒体。 - 【請求項６】 垂直磁気異方性を有する第１の磁性膜
と、室温において面内磁気異方性を有し、室温より高い
所定の温度で上記磁気異方性が面内方向から垂直方向へ
変化する第２の磁性膜と、上記温度をＴｃｒとすると
き、室温で面内磁気異方性を有し、室温より高くＴｃｒ
より低い所定の温度Ｔｃｒ２で上記磁気異方性が面内方
向から垂直方向へ変化する第３の磁性膜とを有し、基板
上に、上記第３の磁性膜，上記第２の磁性膜，上記第１
の磁性膜の順で各磁性膜が形成された光磁気情報記憶媒
体であって、 上記第２の磁性膜と上記第３の磁性膜との間に、Ｔｃｒ
２より小さいキュリー点をもつ磁性膜を有することを特
徴とする光磁気情報記憶媒体。 - 【請求項７】 請求項１乃至６の何れか１つの記載にお
いて、 前記第１の磁性膜と前記第２の磁性膜との間に非磁性層
を設けることを特徴とする光磁気情報記憶媒体。 - 【請求項８】 光磁気情報が記録されている光磁気情報
記憶媒体にレーザー光を照射し、反射レーザー光の偏光
状態の差を信号として再生する光磁気情報記憶媒体の再
生法方において、 請求項１〜７に記載の光磁気情報記憶媒体のいずれかを
用い、上記レーザー光照射時に、前記第３の磁性膜が前
記第２の磁性膜から受ける漏洩磁界より小さい、ごく弱
い外部磁界を与えることを特徴とする光磁気情報記憶媒
体の再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17675696A JP3333389B2 (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | 光磁気情報記憶媒体およびその再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17675696A JP3333389B2 (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | 光磁気情報記憶媒体およびその再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1021595A true JPH1021595A (ja) | 1998-01-23 |
| JP3333389B2 JP3333389B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=16019272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17675696A Expired - Fee Related JP3333389B2 (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | 光磁気情報記憶媒体およびその再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3333389B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999039341A1 (fr) * | 1998-01-30 | 1999-08-05 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support d'enregistrement optomagnetique, procede de reproduction associe et dispositif de reproduction associe |
| WO2000013177A1 (fr) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Support d'enregistrement magneto-optique |
| EP1006520A2 (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
-
1996
- 1996-07-05 JP JP17675696A patent/JP3333389B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999039341A1 (fr) * | 1998-01-30 | 1999-08-05 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support d'enregistrement optomagnetique, procede de reproduction associe et dispositif de reproduction associe |
| US6633514B1 (en) | 1998-01-30 | 2003-10-14 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magneto-optical reproducing method using a plural of different reproducing beams |
| WO2000013177A1 (fr) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Support d'enregistrement magneto-optique |
| US6492035B1 (en) | 1998-08-31 | 2002-12-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium with intermediate layer having a controlled saturation magnetization |
| EP1006520A2 (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
| EP1006520A3 (en) * | 1998-11-30 | 2001-11-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
| US6477120B1 (en) | 1998-11-30 | 2002-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3333389B2 (ja) | 2002-10-15 |
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