JPH04146543A - 光磁気記録方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光磁気記録方式に関する。

［従来技術］ 基板上の垂直磁化膜の磁区方向を外部磁場中でレーザー
照射により加熱反転させ情報の記録を行ない、検出をカ
ー回転角の変化により行なう光磁気記録方式は多くの研
究がなされ既に実用に至っている。

その記録時には、１反転磁区を形成するにあたり１パル
スを照射し、反転磁区のトラック方向の長さである反転
磁区長は、パルス幅を変化させ行なっている。従って反
転磁区のトラックと垂直な方向への長さである反転磁区
幅は反転磁区長と独立に制御されておらず、一般に長い
反転磁区はど反転磁区幅は広くなる傾向がある。

反転磁区幅はまた、基板の形状からも束縛され、その形
状はトラッキング制御方式により異なる。

トラッキング制御方式には主に２種類ある。一つは案内
溝による制御方式でトラックの境界につけられた溝をレ
ーザー光によりトレースする方法である。この方式の利
点はトラッキング制御を比較的容易にまた随時性なえる
こと、隣り合ったトラックの反転磁区が溝によって隣の
トラックに侵入しないこと等がある。欠点は読み取り時
に溝による反射光の乱れからノイズが発生すること、反
転磁区の形状が溝の影響を受はノイズや消去不良の原因
となることがある。一方トラックウオブリング方式では
ディスク表面上にピットと呼ばれる「窪み」をトラック
の中心線に非対称に作っである。そのピットの位置から
トラッキング制御を行なう。このディスクはトラッキン
グ制御を行なう領域（サーボ領域）と反転磁区を形成す
る領域（データ領域）が分離している。このことから直
ちにこの方式の利点として読み取り時のノイズがないこ
とが上げられる。また反転磁区の形状が溝に束縛されな
いのでノイズが低く押さえられ消去不良も減少する。

［発明が解決しようとする課題］ トラックウオブリング方式のディスクでは、データ領域
の隣り合ったトラックとの間に溝がないために隣のトラ
ックの反転磁区の影響を受けやすい。特にディスクの円
周方向に長い反転磁区を形成させるためにパルス幅を長
くし照射したとき、熱の蓄積が生じトラックに垂直方向
の温度分布が緩やかになるのでさらに反転磁区幅が広が
り、情報を再生する際、隣接トラックの反転磁区による
ノイズが多くなる。このことをクロストークと呼んでい
る。クロストークを減少させるためには反転磁区の長さ
と幅を制御し、反転磁区長を大きくする時の反転磁区幅
の増大を防ぐ必要がある。

本発明の目的は、案内溝のない光磁気ディスクで一定磁
界中で記録を行なうものにおいて、反転磁区の長さと幅
を独立に制御し、特に長い反転磁区を形成したときその
磁区幅の拡大を抑制することにより、クロストークを減
少させる記録方式を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 反転磁区の形状は一定磁界中では光照射による磁性膜の
温度上昇に伴う磁性の変化（キュリー温度、補償温度、
磁壁のエネルギー等）によって決まるので、光照射時の
温度分布に強く依存する。

そこで、前記の目的は案内溝のない光磁気ディスクで一
定磁界中で記録を行なうものにおいて、記録する反転磁
区の長さに応じ照射パルスの数を変える光磁気記録方式
により解決される。

［作用］ 第１図に本発明の光磁気記録方式における記録光の時間
に対する記録パワーとそれに応じて形成される反転磁区
形状の模式図を示した。

ここで、反転磁区長に応じパルス個数を変化させている
ため、反転磁区長の増大にともない単位長さあたりの照
射エネルギーを減少させており、熱の蓄積が防がれ反転
磁区幅を小さくできる。

また連続した短いパルスにしていることからトラック方
向に緩やかでトラックに直交する方向に急峻な温度分布
になると推測される。この時、反転磁区の磁壁に加わる
力は、次式のように近似できる。

Ｆ（ｒ）：磁壁に加わる力　σ（ｒ）：磁壁のエネルギ
ーｒ二反転磁区の半径　Ｍ（ｒ）：磁化 Ｈ１：外部磁場　　　　Ｈｄ（ｒ）：反磁場第２項の温
度勾配による磁壁の収縮力により、トラックに直交する
方向に反転磁区は形成しにくくなると推定され反転磁区
幅を小さくでき、一方反転磁区長はパルス数によって制
御可能である。

［実施例］ 実施例：１ 反転磁区形状を偏光顕微鏡を用い観察した。基板はガラ
ス平板ディスクを用いた。その外径は直径９０ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍである。成膜はスパッタ法により、誘電体
のＳｉＮを厚さ６０　ｎ　ｍ　、磁性膜Ｔｂ２５Ｆｅ７
．（ａｔ、％）を厚さ３５ｎｍ、　ＳｉＮを厚さ６０ｎ
ｍ、反射膜のＡ１を厚さ６０　ｎ　ｍ　、　Ｓ　ｉ　Ｎ
を７５ｎｍ積層した。

成膜終了後に成膜面から逆の面方向に磁区の向きを揃え
て消去の状態にした。反転磁区形成時の諸条件は、回転
速度２４００ｒ、ｐ、ｍ、、レーザー波長８３０　ｎ　
ｍ　、書き込みのレーザーパワー９ｍＷ、記録した位置
は半径３０　ｍ　ｍでその線速は７．５４ｍ／ｓ、外部
磁場は消去のための磁場と逆方向に３０００ｅである。

まず比較のために、従来の方法による１反転磁区を１パ
ルスで形成させ観察した。記録パルスは２ＭＨｚで反転
磁区長の制御はパルスのｄｕｔｙ比を変化させることに
より行った。ここで形成された反転磁区形状を偏光顕微
鏡により観察した。その時のｄｕｔｙ比を変化させるこ
とにより行った。ここで形成された反転磁区形状を偏光
顕微鏡により観察した。その時の反転磁区長と反転磁区
幅の関係を第２図の線１に示す。

次に本発明によるパルスで記録を行った。使用したパル
スは前に用いた２　Ｍ　Ｈｚのパルスと１０ＭＨｚｄｕ
　ｔｙ　５０％のパルスとの論理積をとったものであり
、２ＭＨｚのパルスのｄｕｔｙ比を変えて、反転磁区長
を制御した。その時の反転磁区長と反転磁区幅の関係を
第２図の線２に示す。

線１と比較し、反転磁区幅が反転磁区長の増大に対し、
大きくならないことが確認できる。

実施例：２ 次にＤＢＦ基板を用いてクロストークの評価を行った。

ＤＢＦ基板は前述のトラックウオブリング方式を用いて
おり、サーボ領域とデータ領域とが別れている。その直
径は９０　ｍ　ｍ厚さ１．２ｍｍトラック幅１．５μｍ
である。成膜及び記録の条件は記録をディスク全体に行
なうこと以外は、実施例：１に同じである。

測定は消去、記録、再生を繰り返して同一ディスクで行
ない、４／Ｉ　１変調コードのパ０°゛または°゛５°
゛を１トラツクずつ交互に記録した後、°°０°°を書
き込んだトラックを再生パワー１ｍＷで読み出し、バイ
トエラーレイト（Ｂ、Ｅ、Ｒ）を調べた。従来技術の記
録パルスは第３図に、本発明のものを第４図に示した。

その結果、従来のものはＢ、Ｅ、Ｒ＝２．３Ｘ１０　’
であり、本発明のものはＢ、Ｅ、Ｒ＝７．２Ｘ１０−５
（いずれも５回の平均）とクロストークの減少にともな
う信号特性の向上が見られた。

［発明の効果］ 以上に述べたように本発明の光磁気記録方式によれば案
内溝のない光磁気ディスクで一定磁界中で記録を行なう
ものにおいて、反転磁区長の増大にともなう反転磁区幅
の増大の抑制を行ない、クロストークを抑えることが達
成された。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の記録パワーの時間変化と、それに応
じた反転磁区形状の模式図。 第２図は、実施例：１における本発明の実施例（線２）
と従来例（線ｌ）の反転磁区長にたいする反転磁区幅の
変化を示す図。 第３図は、実施例：２の従来の方法による記録パワーの
時間変化を示す図。 第４図は、実施例：２の本発明による記録パワーの時間
変化を示す図。 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人弁理土鈴木喜三部（他１名） 第１図 反転磁区長（μｍ） クロック ド

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 案内溝のない光磁気ディスクで一定磁界中で記録を行な
   うものにおいて、記録する反転磁区の長さに応じ照射パ
   ルスの数を変える光磁気記録方式。