JPH10334527A

JPH10334527A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH10334527A
Application number: JP14063197A
Authority: JP
Inventors: Hirotaka Tanaka; 浩貴田中
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-05-29
Filing date: 1997-05-29
Publication date: 1998-12-18

Abstract

(57)【要約】【課題】記録補助層のバイアス磁界依存性を向上させ、
良好なオーバーライト特性が得られるものとする。【解決手段】基板１上に、垂直磁気異方性を持ったＭ層
３と、該Ｍ層３上にＭ層３よりも高いキュリー温度を有
する垂直磁気異方性のＷ層４ａ，４ｂと、前記Ｍ層３と
Ｗ層４ａ，４ｂとの間に積層され両層の交換結合力を調
整するｉｎｔ層８とが設けられ、前記Ｗ層４ａ，４ｂが
２層構造をなし、かつ該Ｍ層３側に高保磁力層（Ｗ層４
ａ）が配されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光強度変調方式等
の熱磁気記録により２値情報をオーバーライト可能で、
カー効果等の磁気光学効果により光磁気的に再生を行う
光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、上向き磁化か下向き磁化とするこ
とにより２値情報（０，１）を記録する記録層（Memory
layerで、以下、Ｍ層と略す）と、Ｍ層よりも高いキュ
リー温度と室温超の所定温度以上で記録層よりも大きな
保磁力を有し、外部のバイアス磁界（記録磁界）により
昇温時に磁化方向が反転可能な記録補助層（Writing la
yer で、以下、Ｗ層と略す）とを基板上に積層して、ダ
イレクトオーバーライト（以下、オーバーライトとい
う）を可能とした光磁気記録媒体（以下、媒体と略す）
が提案されている。

【０００３】例えば、Ｍ層としての第１磁性層と、Ｗ層
としての第２磁性層と、制御層（Switching layer で、
以下、Ｓ層と略す）としての第３磁性層と、初期化層
（Initializing layerで、以下、Ｉ層と略す）としての
第４磁性層とを備え、これらが特定のキュリー温度の高
低関係と保磁力の大小関係を有し、オーバーライト可能
なものが知られている（特許第２５０５６０２号公報参
照）。

【０００４】このような、Ｍ層，Ｗ層，Ｓ層，Ｉ層を有
するタイプのオーバーライト動作を図４に示す。同図
は、光強度変調方式によるオーバーライトの基本的なメ
カニズムを説明する磁化の状態図である（日本応用磁気
学会誌 Vol.14,p165-170,NO.2,1990 参照）。同図にお
いて、各磁性層の正味の磁化方向はＴＭ（遷移金属元
素）副格子磁化とＲＥ（希土類元素）副格子磁化の合成
ベクトルで表され、カー効果による情報の読出（再生）
にはＴＭ副格子磁化が関与する。磁気的組成は、Ｍ層が
ＴＭリッチ（ＴＭが磁気的に優勢）、Ｗ層がＲＥリッチ
（ＲＥが磁気的に優勢）、Ｓ層がＴＭリッチ、Ｉ層がＲ
Ｅリッチで、Ｗ層とＩ層が室温Ｔ_roomよりも高温で補償
温度を有する。

【０００５】Ｍ層のキュリー温度をＴ_c1、Ｗ層のキュリ
ー温度をＴ_c2及び補償温度をＴ_comp2、Ｓ層のキュリー
温度をＴ_c3、Ｉ層のキュリー温度をＴ_c4及び補償温度を
Ｔ_comp4とすると、Ｔ_room＜Ｔ_c3＜Ｔ_comp2＜Ｔ_c1＜Ｔ
_comp4＜Ｔ_c2＜Ｔ_c4である。また、低温プロセスによる
ローパワー記録（以下、ロー記録という）時の最高温度
をＴ_L、高温プロセスによるハイパワー記録（以下、ハ
イ記録という）時の最高温度をＴ_Hとすると、Ｔ_L≒Ｔ
_c1でＴ_H≒Ｔ_c2である。尚、ロー記録及びハイ記録は、
高低の２値にパルス変調されたレーザビーム等を媒体に
照射することにより行われ、低レベルのレーザビームの
照射部（ビット）でロー記録、高レベルのレーザビーム
の照射部（ビット）でハイ記録となる。

【０００６】各磁性層の保磁力と温度の関係は、室温で
はＭ層の保磁力が最も大きく、次いでＷ層，Ｉ層，Ｓ層
の順である。Ｓ層は最も保磁力及びキュリー温度が低
く、１３０℃程度で磁化が消失する。Ｗ層とＩ層は補償
温度付近で保磁力が発散する。また、Ｍ層とＷ層を比較
すると、Ｍ層は相対的に低いキュリー温度Ｔ_C1と高い保
磁力を有し、Ｗ層はＭ層に比べて相対的に高いキュリー
温度Ｔ_C2と低い保磁力を有する。

【０００７】図４において、オーバーライト前の状態
は、Ｔ_roomの状態であり、Ｍ層のＴＭ副格子磁化が下向
き（最上段左から１番目の状態で、仮に２値情報の”
１”とする）か、若しくはＭ層のＴＭ副格子磁化が上向
き（最下段左から１番目の状態で、仮に２値情報の”
０”とする）の２状態である。低温プロセスでは、高低
の２レベルにパルス変調されたレーザビームの低レベル
ビームが照射されることにより、前記２状態のいずれか
から出発して昇温され、Ｔ_roomに戻ったときには”１”
状態に統一される。このとき、”０”状態から出発した
場合は、Ｗ層がＴ_comp2の前後でＴＭ副格子磁化とＲＥ
副格子磁化の大小関係が反転し、Ｔ_comp2よりも高温で
正味の磁化方向が下向きに変化するため、その交換結合
力によりＭ層の磁化方向を反転させ、”１”状態に変化
する。

【０００８】また、高温プロセスでは、レーザビームの
高レベルビームが照射されることにより、前記２状態の
いずれかから出発して昇温され、Ｔ_roomに戻ったときに
は”０”状態に統一される。この場合、いずれの状態か
ら出発しても、Ｍ層とＳ層の磁化が消失しＷ層の磁化も
消失するかきわめて小さい状態（最下段右から１又は２
番目の状態）まで昇温される。このとき、バイアス磁界
によりＷ層の正味の磁化方向が反転し、Ｔ_c1付近で交換
結合力によりＭ層の磁化方向を揃わせ、”０”状態とす
る。降温するにつれ、Ｗ層はＴ_comp2付近でＴＭ副格子
磁化とＲＥ副格子磁化の大小関係が反転し、Ｔ_roomでＳ
層を通してＩ層の交換結合力により初期化される。そし
て、高温プロセス後の”０”状態では、Ｍ層とＷ層の各
々のＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の方向が異なるた
め、その界面に界面磁壁が生じる。

【０００９】更に、他の従来例として、光磁気記録層
（Ｍ層），非磁性層，バイアス磁性層（Ｗ層）が積層さ
れ、外部磁界を用いることなくバイアス磁性層の磁化に
よってオーバーライト可能とすることが提案されている
（特開昭６０−２９４８５８号公報参照）。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のように、Ｍ層，Ｗ層，Ｓ層，Ｉ層の４層構成及び
光磁気記録層，非磁性層，バイアス磁性層の３層構成の
いずれの場合であっても、Ｗ層のバイアス磁界依存性
（バイアス磁界追従性）、及び、Ｗ層とＭ層の交換結合
を利用してＭ層の磁化方向を反転させることによる記録
・消去（”１”，”０”の反転）のＣ／Ｎ比が必ずしも
良好なものではなく、そのためオーバーライト動作も不
安定であった。例えば、１０⁶回オーバーライトを行っ
た後では、ＢＥＲ（Bit Error Rate：ビットの記録誤り
率）が１×１０^-2以上で、Ｃ／Ｎが４０ｄＢ以下若しく
は測定不可能となるというものであった。

【００１１】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、Ｗ層のバイアス磁界依存
性を改善し、安定したオーバーライト動作を実現するこ
とにある。

【００１２】

【課題を解決するための手投】本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に、垂直磁気異方性を持った記録層と、該記
録層上に記録層よりも高いキュリー温度を有する垂直磁
気異方性の記録補助層と、前記記録層と記録補助層との
間に積層され両層の交換結合力を調整する交換結合力調
整層とが設けられ、前記記録補助層が多層構造をなし、
かつ該記録層側に高保磁力層が配されてなることを特徴
とし、記録補助層のハイ記録時の磁界依存性（磁界追従
性）及び磁化の安定性を高め、オーバーライト動作を良
好なものとする。

【００１３】また、好ましくは、記録補助層をそれぞれ
補償温度を有する２層構造とし、記録層と反対側のもの
の補償温度が、記録層側のものの補償温度よりも高く且
つ記録層のキュリー温度よりも高いようにする。これに
より、記録層のキュリー温度以下で、記録層に記録補助
層の磁化方向を転写する際に、記録層側の記録補助層の
磁化方向がバイアス磁界の方向と一致しているため、記
録層への磁化の転写が容易になる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の媒体の基本的な磁性層構
成の断面図を図１に示す。同図において、１はポリカー
ボネート等のプラスチック，ガラス等の材料から成り、
プリグルーブが形成されたディスク状の基板、２はサイ
アロン（Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶質膜），イットリウ
ムサイアロン（Ｙ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶質膜），
Ｓｉ₃Ｎ₄，ＳｉＯ₂等から成る保護層、３は垂直磁化
が上向きか下向きかにより２値情報（０，１）を記録再
生するためのＭ層、４ａ，４ｂは高温でバイアス磁界に
よって磁化方向が反転可能とされた２層構造のＷ層、５
は低キュリー温度であり、高温でその上下の磁性層の交
換結合を遮断するＳ層、６は最もキュリー温度が高く、
Ｓ層５とＷ層４ａ，４ｂの磁化方向を降温時に初期化す
るＩ層、７はＡｌＴｉ，ＳｉＯ₂等から成る保護層、８
はＭ層３とＷ層４ａ，４ｂとの間の交換結合力を調整す
る交換結合力調整層（Interface wall energy controll
ing layerで、以下、ｉｎｔ層という）であり、例えば
室温で面内に磁化容易軸を有し、昇温するにつれ室温と
Ｍ層３のキュリー温度間で垂直磁気異方性になる温度域
を有するものである。

【００１５】前記保護層２，７は磁性層の損傷、酸化を
防止し、更に必要に応じカー回転角をエンハンスするた
めに設けられる。そして、上記ｉｎｔ層８を除く各磁性
層は全動作温度範囲で垂直磁気異方性である。

【００１６】上記各磁性層は、基本的にＣｒ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等のＴＭ（遷移金属元素：Transition M
etal elementで、以下、ＴＭとする）と、Ｎｄ，Ｓｍ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ等のＲＥ（希土類元素：Rare E
arth elementで、以下、ＲＥとする）との非晶質合金か
ら成る。例えば、各磁性層はＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，
ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等から成る。

【００１７】本発明において、Ｗ層４ａの保磁力をＨ
_c2a、Ｗ層４ｂの保磁力をＨ_c2bとすると、Ｈ_c2a＞Ｈ
_c2bである。好ましくは、０＜Ｈ_c2a−Ｈ_c2b≦５ｋＯ
ｅとするのがよく、５ｋＯｅを超えるとＷ層４ａが面内
方向、特にディスクの周方向でＨ_c2aのムラを発生し、
Ｈ_c2aの分布が大きくなるという点で不都合である。

【００１８】また、８ｋＯｅ≦Ｈ_c2a≦１２ｋＯｅとす
るのがよく、８ｋＯｅ未満では、Ｗ層４ａの補償温度
が、バイアス磁界によるＷ層４ａ，４ｂへの記録（磁化
方向の転写・反転）が行われるＴ_c1よりも高くなり、Ｗ
層４ａの正味の磁化方向がバイアス磁界の方向と反対に
なり、Ｗ層４ａへのバイアス磁界による記録がし難くな
る。１２ｋＯｅ超では、Ｗ層４ａが面内方向、特にディ
スクの周方向でＨ_c2aのムラを発生し、Ｈ_c2aの分布が
大きくなる。

【００１９】一方、２ｋＯｅ≦Ｈ_c2b≦８ｋＯｅとする
のがよく、２ｋＯｅ未満では、Ｗ層４ａとＷ層４ｂとで
記録ビットの大きさが違ってくるため、バイアス磁界に
よる記録が２段になり、またＣ／Ｎが低下する。８ｋＯ
ｅ超では、１０⁶回のオーバーライト後のＢＥＲが１×
１０^-4以上になる。このようなＷ層４ａ，４ｂとしての
磁性層は、Ｇｄ_aＤｙ_bＴｂ_cＦｅ_dＣｏ_e（ａ〜ｅは
ａｔ％）という組成で、Ｗ層４ａの場合、０≦ａ≦５，
０＜ｂ≦３０，０≦ｃ≦１０，４５＜ｄ≦７５，０＜ｅ
≦３０とし、Ｗ層４ｂの場合、０≦ａ≦１５，０＜ｂ≦
３５，０≦ｃ≦１５，４５＜ｄ≦７５，０＜ｅ≦３０と
するのが好適であり、前記組成比からはずれると保磁
力，補償温度，キュリー温度が下記の条件からはずれて
しまう。

【００２０】即ち、前記組成及び組成比の磁性層は、Ｍ
層のキュリー温度とＩ層のキュリー温度との間にキュリ
ー温度を有し、補償温度を有するＲＥリッチの磁性層と
なる。この場合、Ｗ層４ａ，４ｂのキュリー温度はほぼ
同じである。図３に、これらの保磁力−温度特性及びキ
ュリー温度、補償温度（破線部）を示す。Ｗ層４ｂの補
償温度Ｔ_comp2b（≒Ｔ_comp4）がＷ層４ａの補償温度Ｔ
_comp2aよりも高くかつＴ_c1よりも高くなっており、Ｗ層
４ａの補償温度Ｔ_comp2aはＷ層４ｂの補償温度Ｔ_comp2b
よりも低くかつＴ_c1よりも低くなっている。これは、Ｔ
_c1以下の温度でＭ層にＷ層４ａの磁化方向を転写する際
に、Ｗ層４ａの磁化方向がバイアス磁界の方向と一致し
ているため、Ｍ層への記録が容易になるからである。

【００２１】また、Ｗ層４ａの厚みは１００Å以上３０
０Å以下とするのがよく、１００Å未満では磁界依存性
が劣化し、３００Å超では１０⁶回のオーバーライト後
にＢＥＲが１×１０^-4以上になってしまう。Ｗ層４ｂの
厚みは１００Å以上２００Å以下とするのがよく、１０
０Å未満では１０⁶回のオーバーライト後にＢＥＲが１
×１０^-4以上になり、２００Å超では磁界依存性が劣化
する。

【００２２】また、Ｗ層は上記のような２層構造に限ら
ず、３層以上の多層構造であってもよく、その場合、Ｍ
層側から順次高保磁力層とする。このような多層構造の
Ｗ層の低保磁力層、例えば上記Ｗ層４ｂは降温時の初期
化過程で、まずＩ層の交換結合力により磁化方向が反転
し、次いで高保磁力層のＷａ層を反転させるという作用
を有する。よって、本発明は初期化がスムーズに行える
という効果も有する。

【００２３】更に、Ｍ層３とＷ層４ａ，４ｂとの間に
は、室温で面内方向に磁化容易軸を有し、室温とＭ層３
のキュリー温度（約２５０℃）との間で垂直磁気異方性
を示すｉｎｔ層８が存在しており、そのため降温時の初
期化過程では、Ｍ層３とＷ層４ａ間の交換結合力よりも
Ｉ層６からＷ層４ａに働く交換結合力の方が大きくな
り、初期化がスムーズになる。

【００２４】図２は、本発明において、光強度変調方式
によるオーバーライトの基本的なメカニズムを説明する
磁化の状態図である。尚、同図において、図４と同じ箇
所には同一の符号を付している。各磁性層の磁気的組成
は、Ｍ層３がＴＭリッチ、Ｗ層４ａ，４ｂがＲＥリッ
チ、Ｓ層５がＴＭリッチ、Ｉ層６がＲＥリッチで、Ｗ層
４ａ，４ｂとＩ層６が室温Ｔ_roomよりも高温で補償温度
を有し、ｉｎｔ層８はＲＥリッチである。また、各磁性
層のキュリー温度と補償温度の関係は、Ｔ_room＜Ｔ_c3＜
Ｔ_comp2a＜Ｔ_c1≒Ｔ_C8＜Ｔ_comp2b≒Ｔ_comp4＜Ｔ_c2＜Ｔ
_c4である。また、低温プロセスによるロー記録時の最高
温度をＴ_L、高温プロセスによるハイ記録時の最高温度
をＴ_Hとすると、Ｔ_L≒Ｔ_c1でＴ_H≒Ｔ_c2である。

【００２５】各磁性層の保磁力と温度の関係は、室温で
はＭ層３の保磁力が最も大きく、次いでＷ層４，Ｉ層
６，Ｓ層５の順である。Ｓ層５は最も保磁力及びキュリ
ー温度が低く、１００〜１５０℃程度で磁化が消失す
る。Ｗ層４ａ，４ｂとＩ層６は補償温度付近で保磁力が
発散する。

【００２６】図２において、各ビットのオーバーライト
前の状態は、Ｔ_roomの状態であり、Ｍ層３のＴＭ副格子
磁化が下向き（２値情報の”１”）か、若しくはＭ層３
のＴＭ副格子磁化が上向き（２値情報の”０”）の２状
態である。低温プロセスでは、高低の２レベルにパルス
変調されたレーザビームの低レベルビームが照射される
ことにより、前記２状態のいずれかから出発して昇温さ
れ、Ｔ_roomに戻ったときには”１”状態に統一される。
このとき、”０”状態から出発した場合は、Ｗ層４ａが
Ｔ_comp2aの前後でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の大
小関係が反転し、Ｔ_comp2aよりも高温で正味の磁化方向
が下向きに変化し、その交換結合力によりＭ層３の磁化
方向を反転させ、”１”状態に変化する。

【００２７】また、高温プロセスでは、レーザビームの
高レベルビームが照射されることにより、前記２状態の
いずれかから出発して昇温され、Ｔ_roomに戻ったときに
は”０”状態に統一される。この場合、いずれの状態か
ら出発しても、Ｍ層３とＳ層５の磁化が消失しＷ層４
ａ，４ｂの磁化も消失するかきわめて小さい状態（最下
段右から１又は２番目の状態）まで昇温される。このと
き、バイアス磁界によりＷ層４ａ，４ｂの正味の磁化方
向が反転し、Ｔ_c1付近で交換結合力によりＭ層３の磁化
方向を揃わせ、”０”状態とする。降温するにつれ、Ｗ
層４ａはＴ_comp2a付近でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁
化の大小関係が反転し、更に降温すると、Ｗ層４ｂ，４
ａが順次Ｓ層５を通してＩ層６の交換結合力により初期
化される。そして、高温プロセス後の”０”状態では、
Ｍ層３とＷ層４ａの各々のＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子
磁化の方向が異なるが、ｉｎｔ層８があるためＭ層３と
Ｗ層４ａの交換結合は遮断されている。

【００２８】上記実施形態においては、Ｍ層，Ｗ層，Ｓ
層，Ｉ層の基本４層にｉｎｔ層を付加したものについて
説明したが、Ｓ層とＩ層は必ずしも必要ではなく、Ｗ層
の初期化を外部磁界等により行うものの場合はＳ層とＩ
層はなくてもよい。しかしながら、Ｓ層とＩ層がある方
が、余計な初期化磁石等が不要となり好ましい。

【００２９】かくして、本発明の光磁気記録媒体は、Ｗ
層のバイアス磁界依存性が向上するためＭ層への２値情
報の記録・消去が確実に行え、その結果、再生時のＣ／
Ｎ比が向上し、またオーバーライト特性も安定するとい
う作用効果を有する。

【００３０】本発明において、各磁性層を基板１の両面
に積層するか、片面に各磁性層を積層した２枚の基板１
を貼り付けることにより、２倍の記録密度としてもよ
い。また、レーザビームをパルス変調する光強度変調方
式によるオーバーライトに限らず、熱磁気記録によるも
のであれば他の手段によってもオーバーライトできる。

【００３１】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。

【００３２】

【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。まず、図
１に示すような、ポリカーボネートから成るディスク状
の基板１上に、アモルファスＳｉＮ（９００Å）から成
る保護層２を成膜した。

【００３３】次いで、ＴＭリッチ，膜厚約４００Å，保
磁力約１０ｋＯｅ，キュリー温度約２３０℃のＴｂ₂₁Ｆ
ｅ₇₂Ｃｏ₇からなるＭ層３、ＲＥリッチ，膜厚約２００
Å，保磁力約１０ｋＯｅ，キュリー温度約２８０℃，補
償温度約２００℃のＤｙ₁₅Ｆｅ₅₅Ｃｏ₂₀からなるＷ層４
ａ、ＲＥリッチ，膜厚約２００Å，保磁力約６ｋＯｅ，
キュリー温度約２８０℃，補償温度約２６０℃のＤｙ₂₀
Ｆｅ₅₅Ｃｏ₂₅からなるＷ層４ｂ、ＴＭリッチ，膜厚約２
００Å，保磁力約３ｋＯｅ，キュリー温度約１５０℃の
Ｔｂ₂₁Ｆｅ₇₉からなるＳ層５、ＲＥリッチ，膜厚約８０
０Å，保磁力約２ｋＯｅ，キュリー温度約３５０℃，補
償温度約２６０℃のＴｂ₂₅Ｆｅ₅Ｃｏ₇₀のＩ層６を積層
した。

【００３４】また、Ｍ層３とＷ層４ａとの間には、ＲＥ
リッチ，膜厚約２００Å，キュリー温度約２５０℃のＧ
ｄ₃₀Ｆｅ₆₅Ｃｏ₅からなり、室温（約２０〜３０℃）で
面内に磁化容易軸を有し、昇温するにつれ２００℃付近
で垂直磁気異方性に変化するｉｎｔ層８を設けた。

【００３５】更に、アモルファスＳｉＮ（３００Å）と
Ａｌ（６００Å）から成るの保護層７を順次スパッタリ
ング法により成膜し、保護層７の上に紫外線防止用の樹
脂層をコートして光磁気ディスクを作製した。

【００３６】上記構成において、各磁性層の膜厚を上記
値から種々の値に変化させた場合の、Ｃ／Ｎ比とオーバ
ーライト動作（ＯＷ動作）の合否判定の結果を表１に示
す。表１中の比較例１〜４はＷ層が１層の例である。表
１中のＣ／Ｎ比は、回転数３０００ｒｐｍ，初期化磁界
５ＫＯｅで１２ｍＷのレーザビームを照射して初期化
し、その後、バイアス磁界３００Ｏｅの下でピークパワ
ーレベル１０ｍＷ，ベースパワーレベル３ｍＷにパルス
変調されたレーザビームを照射して、５．８ＭＨｚの信
号をオーバーライトし、１．５ｍＷの再生用レーザで再
生したときのものである。また、オーバーライト動作の
合否判定は、１０⁶回のオーバーライト後にＢＥＲ＜１
×１０^-4でＣ／Ｎ比≧４９ｄＢのものを合格（○印）と
し、前記条件を満たさないものを不合格（×印）として
行った。

【００３７】

【表１】

【００３８】表１に示すように、実施例１〜５のものは
いずれもＣ／Ｎ比が５０．０ｄＢ以上で、オーバーライ
ト動作も良好で安定している。

【００３９】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、Ｗ層を多層
構造とし、かつＷ層のＭ層側に高保磁力層を配すること
により、Ｗ層のバイアス磁界依存性が向上するためＭ層
への２値情報の記録・消去が確実に行え、その結果、再
生時のＣ／Ｎ比が向上し、またオーバーライト特性も安
定するという優れた効果を有する。

【００４０】また、本発明の光磁気記録媒体はオーバー
ライト可能な媒体であればよく、光磁気ディスク、光磁
気カード、光磁気テープ等に応用可能なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の磁性層の基本構成の
断面図である。

【図２】本発明の光磁気記録媒体のオーバーライト動作
のメカニズムを説明する磁化の状態図である。

【図３】本発明の２層構造のＷ層の保磁力−温度特性を
示すグラフである。

【図４】従来の光磁気記録媒体のオーバーライト動作の
メカニズムを説明する磁化の状態図である。

【符号の説明】

１：基板２：保護層３：Ｍ層４ａ：Ｗ層４ｂ：Ｗ層５：Ｓ層６：Ｉ層７：保護層８：ｉｎｔ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、垂直磁気異方性を持った記録層
と、該記録層上に記録層よりも高いキュリー温度を有す
る垂直磁気異方性の記録補助層と、前記記録層と記録補
助層との間に積層され両層の交換結合力を調整する交換
結合力調整層とが設けられ、前記記録補助層が多層構造
をなし、かつ該記録層側に高保磁力層が配されてなるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。