JPH1145468A

JPH1145468A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH1145468A
Application number: JP20501597A
Authority: JP
Inventors: Makoto Sugawara; 信菅原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-07-30
Filing date: 1997-07-30
Publication date: 1999-02-16

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｗ層の漏洩磁界を大きくし、ＢＥＲ、Ｃ／Ｎ
比、バイアス磁界依存性等を改善する。【解決手段】Ｍ層３の保磁力ＨcmがＨcm＞σw ／（２Ｍ
sw×ｔw ）（σw ：界面磁壁エネルギー，Ｍsw：Ｗ層４
の磁化，ｔw ：Ｗ層４の膜厚）の関係を満たし、Ｗ層４
がＲＥの含有量が２２ａｔ％以下であり、かつ保磁力が
１０ｋＯｅ以上である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光強度変調方式等
の熱磁気記録により２値情報をオーバーライト可能で、
カー効果等の磁気光学効果により再生を行う光磁気記録
媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光変調ダイレクトオーバーライト
（以下、オーバーライトという）が可能な光磁気記録媒
体（以下、媒体と略す）Ｍ1 の磁性層構成を図２に示
す。同図は、媒体Ｍ1 の部分断面図であり、上向き磁化
か下向き磁化とすることにより２値情報（０，１）を記
録する記録層（Memory layerで、以下、Ｍ層と略す）１
２と、Ｍ層１２よりも高いキュリー温度と室温超の所定
温度以上でＭ層１２よりも大きな保磁力を有し、外部の
バイアス磁界（記録磁界）により昇温時に磁化方向が反
転可能な記録補助層（Writing layer で、以下、Ｗ層と
略す）１３と、キュリー温度が最も低く高温で磁化が消
失してＷ層１３と初期化層１５間の交換結合力を遮断す
る制御層（Switching layer で、以下、Ｓ層と略す）１
４と、これらの磁性層の中で最もキュリー温度が高く降
温時にＳ層１４を通じてＷ層１３の磁化方向を初期化す
る初期化層（Initializing layerで、以下、Ｉ層と略
す）１５とを、基板１１上に順次積層して、オーバーラ
イト可能としたものが提案されている。

【０００３】このような、Ｍ層１２，Ｗ層１３，Ｓ層１
４，Ｉ層１５を有するタイプの光強度変調方式によるオ
ーバーライトの基本的なメカニズムを図６により説明す
ると、各磁性層の正味の磁化方向は遷移金属元素（Tran
sition Metal elementで、以下、ＴＭという）副格子磁
化と希土類元素（Rare Earth elementで、以下、ＲＥと
いう）副格子磁化の合成ベクトルで表され、カー効果に
よる情報の読出（再生）にはＴＭ副格子磁化が関与する
（日本応用磁気学会誌 Vol.14,p165-170,NO.2,1990 参
照）。磁気的組成は、Ｍ層１２がＴＭリッチ（ＴＭ副格
子磁化が磁気的に優勢）、Ｗ層１３がＲＥリッチ（ＲＥ
副格子磁化が磁気的に優勢）、Ｓ層１４がＴＭリッチ、
Ｉ層１５がＲＥリッチで、Ｗ層１３とＩ層１５が室温Ｔ
roomよりも高温で補償温度を有する。

【０００４】Ｍ層１２のキュリー温度をＴc1、Ｗ層１３
のキュリー温度をＴc2及び補償温度をＴcomp2 、Ｓ層１
４のキュリー温度をＴc3、Ｉ層１５のキュリー温度をＴ
c4及び補償温度をＴcomp4 とすると、Ｔroom＜Ｔc3＜Ｔ
comp2 ＜Ｔc1＜Ｔcomp4 ＜Ｔc2＜Ｔc4である。また、低
温プロセスによるローパワー記録（以下、ロー記録とい
う）時の最高温度をＴL 、高温プロセスによるハイパワ
ー記録（以下、ハイ記録という）時の最高温度をＴH と
すると、ＴL ≒Ｔc1でＴH ≒Ｔc2である。尚、ロー記録
及びハイ記録は、高低の２値にパルス変調されたレーザ
ビーム等を媒体に照射することにより行われ、低レベル
のレーザビームの照射部（ピット）でロー記録、高レベ
ルのレーザビームの照射部（ピット）でハイ記録とな
る。また、Ｔroomは約２０℃〜約３０℃の室温である。

【０００５】各磁性層の保磁力と温度の関係は、室温で
はＭ層１２の保磁力が最も大きく、次いでＷ層１３，Ｉ
層１５，Ｓ層１４の順である。Ｓ層１４は最も保磁力及
びキュリー温度が低く、１００〜１３０℃程度で磁化が
消失する。Ｗ層１３とＩ層１５は補償温度付近で保磁力
が発散する。また、Ｍ層１２とＷ層１３を比較すると、
Ｍ層１２は相対的に低いキュリー温度Ｔc1と高い保磁力
を有し、Ｗ層１３はＭ層１２に比べて相対的に高いキュ
リー温度Ｔc2と低い保磁力を有する。

【０００６】同図において、オーバーライト前の状態は
室温Ｔroomの状態であり、Ｍ層１２のＴＭ副格子磁化が
下向き（最上段左から１番目の状態で、仮に２値情報
の”１”とする）か、若しくはＭ層１２のＴＭ副格子磁
化が上向き（最下段左から１番目の状態で、仮に２値情
報の”０”とする）の２状態のいずれかである。低温プ
ロセスでは、高低の２レベルにパルス変調されたレーザ
ビームの低レベルビームが照射されることにより、前記
２状態のいずれかから出発して昇温され、室温Ｔroomに
戻ったときには”１”状態に統一される。このとき、”
０”状態から出発した場合は、Ｗ層１３がＴcomp2 の前
後でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の大小関係が反転
し、Ｔcomp2 よりも高温で正味の磁化方向が下向きに変
化するため、その交換結合力によりＭ層１２の磁化方向
を反転させ、”１”状態に変化する。

【０００７】また、高温プロセスでは、レーザビームの
高レベルビームが照射されることにより、前記２状態の
いずれかから出発して昇温され、Ｔroomに戻ったときに
は”０”状態に統一される。この場合、いずれの状態か
ら出発しても、Ｍ層１２とＳ層１４の磁化が消失しＷ層
１３の磁化も消失するかきわめて小さい状態（最下段右
から１又は２番目の状態）まで昇温される。このとき、
バイアス磁界によりＷ層１３の正味の磁化方向が反転
し、Ｔc1付近で交換結合力によりＭ層１２の磁化方向を
揃わせ、”０”状態とする。降温するにつれ、Ｗ層１３
はＴcomp2 付近でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の大
小関係が反転し、室温ＴroomでＳ層１４を通してＩ層１
５の交換結合力により初期化される。そして、高温プロ
セス後の”０”状態では、Ｍ層１２とＷ層１３の各々の
ＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の方向が異なるため、
その界面に界面磁壁が生じる。

【０００８】このようなオーバーライト動作が可能な媒
体において、一般的にはＷ層１３は室温でＲＥリッチで
ある。また、垂直磁気異方性を有し室温以下に補償温度
を有するメモリ層（Ｍ層）と、垂直磁気異方性を有し室
温以下に補償温度を有し、ＴＭリッチのバイアス層（Ｗ
層）と、垂直磁気異方性を有しバイアス層を初期化する
初期化層（Ｉ層）とからなり、レーザ光によって加熱さ
れたバイアス層の部分に作用する浮遊磁場の方向が、メ
モリ層の磁化方向と逆向きになるようにし、冷却過程で
前記浮遊磁場の方向にメモリ層の磁化方向を揃えさせ
て、結果的にレーザ光によって加熱された部分のメモリ
層の磁化方向を反転若しくは非反転させる光磁気記録媒
体であって、完全無磁場オーバーライトが可能なものが
提案されている（特開平６−２６７１２５号公報参
照）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、バイアス層を１５００Åと厚くする必要があ
り、そのためバイアス層の交換結合力が小さくなり、ま
たレーザ光の加熱に対する感度も低下するため、オーバ
ーライト動作が不安定になり、ビットエラーレート（Bi
t Error Rateで、以下、ＢＥＲとする）等が劣化すると
いう問題があった。

【００１０】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、Ｗ層の漏洩磁界を大きく
し、その結果ＢＥＲ、Ｃ／Ｎ比、バイアス磁界依存性等
を改善することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手投】本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に、記録層、記録補助層、制御層及び初期化
層の少なくとも４つの磁性層が順次積層され、これらの
磁性層は垂直磁気異方性を有し希土類元素と遷移金属元
素の非晶質合金から成り、前記記録補助層、制御層及び
初期化層は室温で互いに交換結合している光磁気記録媒
体であって、前記記録層の保磁力ＨcmがＨcm＞σw ／
（２Ｍsw×ｔw ）（σw ：界面磁壁エネルギー，Ｍsw：
記録補助層の磁化，ｔw ：記録補助層の膜厚）の関係を
満たし、前記記録補助層は希土類元素の含有量が２２原
子％以下であり、かつ保磁力が１０ｋＯｅ以上であるこ
とを特徴とし、上記構成により記録補助層の漏洩磁界を
大きくし、その結果、記録補助層の記録磁界（バイアス
磁界）依存性（追従性）が良好になり、小さな記録磁界
でも記録補助層の磁化方向の制御が可能となり、また記
録層への磁化方向の転写もスムーズにでき、ＢＥＲ、Ｃ
／Ｎ比等を大幅に改善できる。

【００１２】また、好ましくは、前記記録補助層は希土
類元素の含有量が補償組成の組成比〜２２原子％（ａｔ
％）であり、前記補償組成の組成比としては１５ａｔ％
程度である。このような組成比は、記録補助層が単層状
態ではＲＥリッチ又は補償組成であるのに対し、積層状
態ではＴＭリッチになるような組成比である。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の媒体Ｍの基本的な磁性層
構成の部分断面図を図１に示す。同図において、１はポ
リカーボネート等のプラスチック，ガラス等の透明材料
から成り、プリグルーブが形成されたディスク状の基
板、２はサイアロン（Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶質
膜），イットリウムサイアロン（Ｙ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，
Ｎの非晶質膜），Ｓｉ₃Ｎ₄，ＳｉＯ₂等から成る保護
層である。

【００１４】また、３は垂直磁化が上向きか下向きかに
より２値情報（０，１）を記録再生するためのＭ層、４
は高温でバイアス磁界によって磁化方向が反転可能とさ
れたＷ層、５は低キュリー温度であり、高温でその上下
の磁性層の交換結合を遮断するＳ層、６はこれらの磁性
層の中で最もキュリー温度が高く、Ｓ層５とＷ層４の磁
化方向を降温時に初期化するＩ層である。

【００１５】そして、７はサイアロン，イットリウムサ
イアロン，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＡｌＴｉ，ＳｉＯ₂等から成る
保護層である。前記保護層２，７は磁性層の損傷、酸化
を防止するために設けられる。そして、上記各磁性層は
全動作温度範囲（室温〜約３００℃）内で垂直磁気異方
性を示す。

【００１６】上記各磁性層は、基本的にＣｒ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等のＴＭと、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｈｏ等のＲＥとの非晶質合金から成る。例えば、
各磁性層はＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ等から成る。

【００１７】本発明のＷ層４は、ＲＥの含有量が２２ａ
ｔ％以下であり、２２ａｔ％を超えると積層後にＲＥリ
ッチになり、昇温時に実質的に外部に磁化が現れない補
償組成に変化するため、漏洩磁界が小さくなる。また、
Ｗ層４の保磁力は１０ｋＯｅ以上であるが、１０ｋＯｅ
未満では積層後にＲＥリッチになり、漏洩磁界が小さく
なる。

【００１８】上記のような特性のＷ層４とするには、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，Ｄ
ｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の組成の磁性層が良
く、その組成比は０ａｔ％≦Ｇｄ≦２２ａｔ％，０ａｔ
％≦Ｔｂ≦２２ａｔ％，０ａｔ％≦Ｄｙ≦２２ａｔ％，
６５ａｔ％≦Ｆｅ≦７２ａｔ％，６ａｔ％≦Ｃｏ≦２０
ａｔ％の範囲内とするのがよい。

【００１９】また、Ｗ層４の厚みは１００〜８００Åが
良く、１００Å未満では漏洩磁界が小さすぎ、８００Å
超ではレーザ光の加熱に対する感度が低下しオーバーラ
イト動作が不安定になる。

【００２０】一方、Ｍ層３については、ＴＭリッチ、キ
ュリー温度約１７０℃〜約２００℃、保磁力約７ｋＯｅ
〜約９ｋＯｅのものが良く、この条件からはずれるとＣ
／Ｎ比が低下したり、再生時の信号のジッターが劣化し
易い。

【００２１】また、Ｍ層３の組成はＴｂＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等がよく、その厚みは１００〜４００Åが
良い。１００Å未満ではＣ／Ｎ比が低下し、４００Å超
では保磁力が強くなりＷ層４からの磁化方向が転写され
難くなる。

【００２２】本発明のＭ層３の一つの特徴は、Ｍ層３が
降温時の初期化過程でＩ層６によって初期化されないこ
とである。それは、全動作温度範囲でＭ層３の保磁力Ｈ
cmがＷ層４の交換結合力よりも大きいためであり、Ｈcm
＞σw ／（２Ｍsw×ｔw ）（σw ：界面磁壁エネルギ
ー，Ｍsw：Ｗ層４の磁化，ｔw ：Ｗ層４の膜厚）という
関係が成り立つ。この関係は、例えばｔw をある程度厚
くする、例えば約２００Å以上にすることによって実現
できる。

【００２３】Ｓ層５については、ＴＭリッチ、キュリー
温度約１００℃〜約１３０℃、保磁力約７ｋＯｅ〜約９
ｋＯｅのものが良く、この条件からはずれるとオーバー
ライト動作が不安定になる。

【００２４】上記の特性を得る上で、Ｓ層５の組成はＴ
ｂＦｅ等が良く、その組成比は１５ａｔ％≦Ｔｂ≦２５
ａｔ％，７５ａｔ％≦Ｆｅ≦８５ａｔ％がよい。また、
Ｓ層５の厚みは約５０Å〜約２００Åが良く、５０Å未
満では昇温時にＷ層４とＩ層６間の交換結合力を遮断で
きず、２００Å超ではＷ層４とＩ層６間の交換結合力が
小さすぎてＷ層４の初期化が困難となる。

【００２５】Ｉ層６については、ＲＥリッチ、キュリー
温度約３３０℃〜約３６０℃、保磁力約１ｋＯｅ〜約３
ｋＯｅのものが良く、この条件からはずれるとオーバー
ライト動作が不安定になる。

【００２６】上記の特性を得る上で、Ｉ層６の組成はＴ
ｂＦｅＣｏ，ＴｂＣｏ等が良く、その組成比は１５ａｔ
％≦Ｔｂ≦２５ａｔ％，０ａｔ％≦Ｆｅ≦４０ａｔ％，
４５ａｔ％≦Ｃｏ≦８５ａｔ％がよい。また、Ｉ層６の
厚みは約１００Å〜約８００Åが良く、１００Å未満で
はＷ層４の初期化が困難となり、８００Å超ではレーザ
光の加熱に対する感度が低下する。

【００２７】本発明では、基本的にＭ層３，Ｗ層４，Ｓ
層５，Ｉ層６の少なくとも４層を有しており、Ｍ層３と
Ｗ層４との間に交換結合力調整層（Interface wall ene
rgycontrolling layer で、以下、ｉｎｔ層という）を
設けてもよく、その場合、Ｍ層３とＷ層４間に働く交換
結合力を少なくとも室温で遮断することにより、Ｗ層４
の初期化及び昇温時におけるＷ層４からＭ層３への磁化
方向の転写をスムーズにできる。また、Ｍ層３と保護層
２との間に、Ｃ／Ｎ比を向上させるための再生層（Reco
rding layer で、以下、Ｒ層という）を設けても良い。

【００２８】ここで、本発明によるオーバーライトの基
本的なメカニズムを図５により説明する。各磁性層の磁
気的組成は、Ｍ層３がＴＭリッチ、Ｗ層４がＴＭリッ
チ、Ｓ層５がＴＭリッチ、Ｉ層６がＲＥリッチで室温Ｔ
roomよりも高温で補償温度を有する。

【００２９】Ｍ層３のキュリー温度をＴc1、Ｗ層４のキ
ュリー温度をＴc2、Ｓ層５のキュリー温度をＴc3、Ｉ層
６のキュリー温度をＴc4及び補償温度をＴcomp4 とする
と、Ｔroom＜Ｔc3＜Ｔc1＜Ｔcomp4 ＜Ｔc2＜Ｔc4であ
る。また、ロー記録時の最高温度をＴL 、ハイ記録時の
最高温度をＴH とすると、ＴL ≒Ｔc1でＴH ≒Ｔc2であ
る。尚、ロー記録及びハイ記録は、高低の２値にパルス
変調されたレーザビーム等を媒体に照射することにより
行われ、低レベルのレーザビームの照射部（ピット）で
ロー記録、高レベルのレーザビームの照射部（ピット）
でハイ記録となる。また、Ｔroomは約２０℃〜約３０℃
の室温である。

【００３０】各磁性層の保磁力と温度の関係は、室温で
はＷ層４の保磁力が最も大きく、次いでＭ層３，Ｉ層
６，Ｓ層５の順である。Ｓ層５は最も保磁力及びキュリ
ー温度が低く、１００〜１３０℃程度で磁化が消失す
る。Ｉ層６は補償温度付近で保磁力が発散する。

【００３１】同図において、オーバーライト前の状態は
室温Ｔroomの状態であり、Ｍ層３のＴＭ副格子磁化が下
向き（最上段左から１番目の状態で、仮に２値情報の”
１”とする）か、若しくはＭ層３のＴＭ副格子磁化が上
向き（最下段左から１番目の状態で、仮に２値情報の”
０”とする）の２状態のいずれかである。低温プロセス
では、レーザビームの低レベルビームが照射されること
により、前記２状態のいずれかから出発して昇温され、
室温Ｔroomに戻ったときには”１”状態に統一される。
このとき、”０”状態から出発した場合は、Ｔc1付近で
Ｍ層３の磁化が極めて小さくなるか消失するため、Ｗ層
４の交換結合力によりＭ層３の磁化方向が反転し、”
１”状態に変化する。

【００３２】また、高温プロセスでは、レーザビームの
高レベルビームが照射されることにより、前記２状態の
いずれかから出発して昇温され、Ｔroomに戻ったときに
は”０”状態に統一される。この場合、いずれの状態か
ら出発しても、Ｍ層３とＳ層５の磁化が消失しＷ層４の
磁化も消失するかきわめて小さい状態（最下段右から１
又は２番目の状態）まで昇温される。このとき、バイア
ス磁界によりＷ層４の正味の磁化方向が反転し、Ｔc1付
近で交換結合力によりＭ層３の磁化方向を揃わせ、”
０”状態とする。Ｗ層４は室温Ｔroom付近でＳ層５を通
してＩ層６の交換結合力により初期化される。そして、
高温プロセス後の”０”状態では、Ｍ層３とＷ層４の各
々のＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の方向が異なるた
め、その界面に界面磁壁が生じる。

【００３３】また、Ｗ層４の漏洩磁界が大きくなると、
図３に示すように、室温ではＷ層４の磁化は一方向（同
図では上方向）に初期化されているが、ハイ記録時に磁
化方向を反転させようとする磁界がバイアス磁界以外に
も存在することになり、オーバーライト時のＷ層４の磁
化方向の反転がスムーズに行われることになる。尚、同
図はＷ層４以外の磁性層は省略してある。

【００３４】かくして、本発明の光磁気記録媒体は、Ｗ
層４，Ｓ層５及びＩ層６の漏洩磁界、特にＷ層４の漏洩
磁界を大きくし、その結果ＢＥＲ、Ｃ／Ｎ比、バイアス
磁界依存性等を改善できるという作用効果を有する。

【００３５】本発明において、各磁性層を基板の両面に
積層するか、片面に各磁性層を積層した２枚の基板を貼
り付けることにより、２倍の記録密度としてもよい。ま
た、レーザビームをパルス変調する光強度変調方式によ
るオーバーライトに限らず、熱磁気記録によるものであ
れば他の手段によってもオーバーライトできる。

【００３６】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。

【００３７】

【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。

【００３８】（実施例１）まず、図１に示すように、ポ
リカーボネートから成るディスク状の基板１上に、アモ
ルファスＳｉＮ（８００Å）から成る保護層２を成膜し
た。

【００３９】次いで、ＴＭリッチ，膜厚約２００Å，保
磁力約８ｋＯｅ，キュリー温度約１８０℃のＴｂ₂₂Ｆｅ
₇₃Ｃｏ₅からなるＭ層３、ＴＭリッチ，膜厚約２００
Å，キュリー温度約２４０℃のＧｄＴｂＦｅＣｏからな
るＷ層４、ＴＭリッチ，膜厚約１００Å，保磁力８ｋＯ
ｅ，キュリー温度約１３０℃のＴｂ₂₂Ｆｅ₇₈からなるＳ
層５、ＲＥリッチ，膜厚約２００Å，キュリー温度約３
５０℃，補償温度約２２０℃のＴｂ₂₂Ｆｅ₁₀Ｃｏ₆₈から
なるＩ層６を積層した。

【００４０】更に、アモルファスＳｉＮ（８００Å）か
ら成る保護層７を順次スパッタリング法により成膜し、
保護層７の上に紫外線防止用の樹脂層をコートして光磁
気ディスクを作製した。

【００４１】上記構成において、Ｗ層４の組成比を種々
の値に調整した場合の単層時の磁気的組成、積層時の磁
気的組成、保磁力、バイアス磁界−Ｃ／Ｎ比特性におけ
る立上り磁界及び飽和磁界、ＢＥＲの平均値を表１に示
す。尚、表１において、単層は単層時の磁気的組成、積
層は積層時の磁気的組成を表す。

【００４２】また、オーバーライトは以下のようにして
行った。最初に回転数３０００ｒｐｍ、初期化磁界５ｋ
Ｏｅで１２ｍＷのレーザビームを照射して初期化し、そ
の後、バイアス磁界３００Ｏｅの下で１０ｍＷと３ｍＷ
にパルス変調されたレーザビームを照射して、６．９６
ＭＨｚ，デューティー２０％の信号を２回オーバーライ
トし、１．５ｍＷの再生用レーザで再生した。

【００４３】

【表１】

【００４４】表１に示すように、実施例（ＮＯ．１〜
５）のものはいずれも積層時にはＴＭリッチ、保磁力１
０ｋＯｅ以上であり、ＢＥＲも良好な値を示した。これ
に対して、比較例（ＮＯ．６〜１１）では積層時にＲＥ
リッチ、保磁力１０ｋＯｅ未満であり、ＢＥＲが劣化し
た。

【００４５】また、立上り磁界及び飽和磁界の特性につ
いて、表１のＮＯ．２（丸印のデータ）、表１のＮＯ．
４（三角印のデータ）、表１のＮＯ．９（四角印のデー
タ）を図４に示した。同図より明らかなように、本発明
品（表１のＮＯ．２，ＮＯ．４）はバイアス磁界に対す
る依存性（追従性）がきわめて良好であった。

【００４６】ここで、ＮＯ．１〜５のものは、Ｍ層３の
保磁力ＨcmがＨcm＞σw ／（２Ｍsw×ｔw ）の関係を満
たしており、ＮＯ．６〜１１のものはＷ層４の積層後の
磁気的組成がＲＥであることから、保磁力が低下してお
り、その結果保磁力に反比例するＭswが大きくなりＨcm
≦σw ／（２Ｍsw×ｔw ）であった。従って、ＮＯ．６
〜１１のものはオーバーライトが不安定又は困難となっ
た。

【００４７】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、Ｗ層がＲＥ
の含有量が２２ａｔ％以下であり、かつ保磁力が１０ｋ
Ｏｅ以上であることにより、Ｗ層の漏洩磁界を大きく
し、その結果ＢＥＲ、Ｃ／Ｎ比、バイアス磁界依存性等
を改善できるという優れた効果を有する。

【００４８】また、本発明の光磁気記録媒体はオーバー
ライト可能な媒体であればよく、光磁気ディスク、光磁
気カード、光磁気テープ等に応用可能なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体Ｍの磁性層構成の部分
断面図である。

【図２】従来の光磁気記録媒体Ｍ１の磁性層構成の部分
断面図である。

【図３】本発明のＷ層の漏洩磁界の働きを説明するもの
で、Ｗ層の磁化状態の部分断面図である。

【図４】本発明のＷ層のバイアス磁界依存性を示し、バ
イアス磁界−Ｃ／Ｎ比特性のグラフである。

【図５】本発明の光磁気記録媒体Ｍのオーバーライト動
作のメカニズムを説明する磁化の状態図である。

【図６】従来の光磁気記録媒体Ｍ１のオーバーライト動
作のメカニズムを説明する磁化の状態図である。

【符号の説明】

１：基板２：保護層３：Ｍ層４：Ｗ層５：Ｓ層６：Ｉ層７：保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、記録層、記録補助層、制御層及
び初期化層の少なくとも４つの磁性層が順次積層され、
これらの磁性層は垂直磁気異方性を有し希土類元素と遷
移金属元素の非晶質合金から成り、前記記録補助層、制
御層及び初期化層は室温で互いに交換結合している光磁
気記録媒体であって、前記記録層の保磁力ＨcmがＨcm＞
σw ／（２Ｍsw×ｔw ）（σw ：界面磁壁エネルギー，
Ｍsw：記録補助層の磁化，ｔw ：記録補助層の膜厚）の
関係を満たし、前記記録補助層は希土類元素の含有量が
２２原子％以下であり、かつ保磁力が１０ｋＯｅ以上で
あることを特徴とする光磁気記録媒体。