JPH05298757A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH05298757A JPH05298757A JP10152792A JP10152792A JPH05298757A JP H05298757 A JPH05298757 A JP H05298757A JP 10152792 A JP10152792 A JP 10152792A JP 10152792 A JP10152792 A JP 10152792A JP H05298757 A JPH05298757 A JP H05298757A
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- Y10T428/31678—Of metal
Abstract
(57)【要約】
【構成】 図１は本発明の光磁気記録媒体を示した図
で、基板１、透明誘電体膜２、第１磁性層３、第２磁性
層４、第３磁性層５、第４磁性層６、透明誘電体膜７、
オーバーコート膜８がこの順に積層された構成となって
いる。また、各磁性層間には交換結合が働き、第２磁性
層にはＧｄx（Ｆｅ0・78Ｃｏ0・18）1-x（０．２＜ｘ＜
０．３５）を用いている。 【効果】 情報記録後の、状態「０」、「１」に対応す
る各磁性層の副格子磁化の向きが両者比較してもエネル
ギー的に差がなく、各磁性層の間にも界面磁壁が介在す
ることもなく、安定な状態で情報を記憶できる光変調ダ
イレクトオーバーライトを可能とした。
で、基板１、透明誘電体膜２、第１磁性層３、第２磁性
層４、第３磁性層５、第４磁性層６、透明誘電体膜７、
オーバーコート膜８がこの順に積層された構成となって
いる。また、各磁性層間には交換結合が働き、第２磁性
層にはＧｄx（Ｆｅ0・78Ｃｏ0・18）1-x（０．２＜ｘ＜
０．３５）を用いている。 【効果】 情報記録後の、状態「０」、「１」に対応す
る各磁性層の副格子磁化の向きが両者比較してもエネル
ギー的に差がなく、各磁性層の間にも界面磁壁が介在す
ることもなく、安定な状態で情報を記憶できる光変調ダ
イレクトオーバーライトを可能とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光変調オーバーライト
が可能な光磁気記録媒体に関するものである。
が可能な光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁性層間の交換結合相互作用を利用し
た、光変調ダイレクトオーバーライト可能な光磁気記録
媒体が高速データ転送の観点から最近注目され、盛んに
研究されている。これは、垂直磁気異方性を有する希土
類・遷移金属非晶質合金の多層膜を利用するものである
が、なかでも図２に示す４層構造の記録媒体は、初期化
磁石が不要で装置の小型化に向き現在実用化が進んでい
るという点で最も注目される媒体構造である。図２にお
いて、２０は光磁気記録媒体、２１は透明基板、２２は
第１磁性層、２３は第２磁性層、２４は第３磁性層、２
５は第４磁性層を示す。第１から第４の磁性層はこの順
に透明基板２１の上に順に成膜されている。ここで、隣
接する各磁性層の間には、交換結合が働いており、各層
のキュリー温度Ｔｃi（ｉ＝１、２、３、４）の間で
は、次の関係が成り立っている。
た、光変調ダイレクトオーバーライト可能な光磁気記録
媒体が高速データ転送の観点から最近注目され、盛んに
研究されている。これは、垂直磁気異方性を有する希土
類・遷移金属非晶質合金の多層膜を利用するものである
が、なかでも図２に示す４層構造の記録媒体は、初期化
磁石が不要で装置の小型化に向き現在実用化が進んでい
るという点で最も注目される媒体構造である。図２にお
いて、２０は光磁気記録媒体、２１は透明基板、２２は
第１磁性層、２３は第２磁性層、２４は第３磁性層、２
５は第４磁性層を示す。第１から第４の磁性層はこの順
に透明基板２１の上に順に成膜されている。ここで、隣
接する各磁性層の間には、交換結合が働いており、各層
のキュリー温度Ｔｃi（ｉ＝１、２、３、４）の間で
は、次の関係が成り立っている。
【０００３】Ｔｃ3＜Ｔｃ1＜Ｔｃ2、Ｔｃ4 上記のような構成において、第１磁性層２２が、情報の
記憶を行う記録層であり、第２磁性層２３、第３磁性層
２４、及び第４磁性層２５は情報の担体としての機能は
なく、光変調ダイレクトオーバーライトを可能にするた
めに付加された層である。第２磁性層２３は後述する高
温プロセス、低温プロセスでの動作に従って、それぞれ
記録過程、消去過程を示す。第３磁性層は、第４磁性層
からの交換力を高温プロセスで遮断するためのスイッチ
ング層である。
記憶を行う記録層であり、第２磁性層２３、第３磁性層
２４、及び第４磁性層２５は情報の担体としての機能は
なく、光変調ダイレクトオーバーライトを可能にするた
めに付加された層である。第２磁性層２３は後述する高
温プロセス、低温プロセスでの動作に従って、それぞれ
記録過程、消去過程を示す。第３磁性層は、第４磁性層
からの交換力を高温プロセスで遮断するためのスイッチ
ング層である。
【０００４】第４磁性層は動作範囲内のレーザ照射によ
る温度上昇によっては、その副格子磁化の反転が生じな
いようにキュリー温度を高く設定されており、室温下で
は第３磁性層を介した交換相互作用でもって第２磁性層
の副格子磁化を揃えるための初期化を行う層である。オ
ーバーライトの動作は、まず、光磁気記録媒体の成膜
後、初期化層である第４磁性層の磁化を一方向に配向さ
せる。最もキュリー点が高い初期化層は、これ以降動作
時のレーザ照射による温度上昇においても副格子磁化の
向きが反転することはない。従って、記録層は高温プロ
セスにより記録されても、低温プロセスにおける交換結
合により初期化状態にある第４磁性体層に副格子磁化が
揃うことで記録を消去され、オーバーライトが実現され
ている。
る温度上昇によっては、その副格子磁化の反転が生じな
いようにキュリー温度を高く設定されており、室温下で
は第３磁性層を介した交換相互作用でもって第２磁性層
の副格子磁化を揃えるための初期化を行う層である。オ
ーバーライトの動作は、まず、光磁気記録媒体の成膜
後、初期化層である第４磁性層の磁化を一方向に配向さ
せる。最もキュリー点が高い初期化層は、これ以降動作
時のレーザ照射による温度上昇においても副格子磁化の
向きが反転することはない。従って、記録層は高温プロ
セスにより記録されても、低温プロセスにおける交換結
合により初期化状態にある第４磁性体層に副格子磁化が
揃うことで記録を消去され、オーバーライトが実現され
ている。
【０００５】高温プロセスではその磁化は外部印加磁界
の向きに揃い、Ｔｃ1以上Ｔｃ2以下の転写温度で第１磁
性層に磁化が転写され、記録過程となる。図４に高温プ
ロセスにおける各磁性層の副格子磁化の向きの変化を示
す。レーザパワーをあげて、第２磁性層のキュリー温度
近傍にまで昇温すると、第４磁性層ではキュリー温度以
下なので副格子磁化の変化は起こらないが、第１磁性
層、第３磁性層ではキュリー温度以上にまで昇温してし
まうことになるので磁化は消失する。従って、第２磁性
層の磁化は、第１磁性層、第３磁性層からの交換結合力
を受けることなく、記録用外部磁界に従った方向に反転
する。
の向きに揃い、Ｔｃ1以上Ｔｃ2以下の転写温度で第１磁
性層に磁化が転写され、記録過程となる。図４に高温プ
ロセスにおける各磁性層の副格子磁化の向きの変化を示
す。レーザパワーをあげて、第２磁性層のキュリー温度
近傍にまで昇温すると、第４磁性層ではキュリー温度以
下なので副格子磁化の変化は起こらないが、第１磁性
層、第３磁性層ではキュリー温度以上にまで昇温してし
まうことになるので磁化は消失する。従って、第２磁性
層の磁化は、第１磁性層、第３磁性層からの交換結合力
を受けることなく、記録用外部磁界に従った方向に反転
する。
【０００６】このあと、第１磁性層のキュリー温度まで
降温したところで、第２磁性層の磁化が第１磁性層に転
写される。さらに、第３磁性層のキュリー温度まで降温
してくると、まず第３磁性層の副格子磁化が交換結合に
よって第４磁性層に揃い、さらに温度が下がってくると
第２磁性層の副格子磁化は交換結合によって第３磁性層
を介して第４磁性層に揃い反転する。このとき、第１磁
性層の磁化は保磁力が既に大きくなっているために、第
２磁性層の磁化反転に追随することなく、結局この場合
は第１磁性層の副格子磁化は第４磁性層とは反対に配向
したままとなる。そして、これが状態「１」となって記
憶される。
降温したところで、第２磁性層の磁化が第１磁性層に転
写される。さらに、第３磁性層のキュリー温度まで降温
してくると、まず第３磁性層の副格子磁化が交換結合に
よって第４磁性層に揃い、さらに温度が下がってくると
第２磁性層の副格子磁化は交換結合によって第３磁性層
を介して第４磁性層に揃い反転する。このとき、第１磁
性層の磁化は保磁力が既に大きくなっているために、第
２磁性層の磁化反転に追随することなく、結局この場合
は第１磁性層の副格子磁化は第４磁性層とは反対に配向
したままとなる。そして、これが状態「１」となって記
憶される。
【０００７】一方、低温プロセスでは、第３磁性層を介
した第４磁性層からの交換結合によって、副格子磁化が
揃い、磁化としては外部磁界と逆向きになっていたもの
が、同じく転写温度下で、第１磁性層に転写されること
によって消去過程することにより、オーバーライトを実
現している。図３に低温プロセスにおける各磁性層の副
格子磁化の向きの変化を示す。第２磁性層の副格子磁化
方向は、再生時よりレーザパワーをあげて第１磁性層の
キュリー温度近傍まで昇温しても、第２磁性層のキュリ
ー温度Ｔｃ2より低いため保磁力が未だ大きく、記録用
外部磁界の影響を受けて反転することはない。したがっ
て、第２磁性層の磁化が交換結合によって第１磁性層に
転写されて、結局第１磁性層の副格子磁化は第４磁性層
に揃った向きになる。この場合、第３磁性層及び第４磁
性層は特に動作への寄与はなく、第３磁性層の磁化は、
消失しても第４磁性層との交換結合でもって降温時に再
度同じ方向に磁化されることになる。この状態が状態
「０」として記憶される。
した第４磁性層からの交換結合によって、副格子磁化が
揃い、磁化としては外部磁界と逆向きになっていたもの
が、同じく転写温度下で、第１磁性層に転写されること
によって消去過程することにより、オーバーライトを実
現している。図３に低温プロセスにおける各磁性層の副
格子磁化の向きの変化を示す。第２磁性層の副格子磁化
方向は、再生時よりレーザパワーをあげて第１磁性層の
キュリー温度近傍まで昇温しても、第２磁性層のキュリ
ー温度Ｔｃ2より低いため保磁力が未だ大きく、記録用
外部磁界の影響を受けて反転することはない。したがっ
て、第２磁性層の磁化が交換結合によって第１磁性層に
転写されて、結局第１磁性層の副格子磁化は第４磁性層
に揃った向きになる。この場合、第３磁性層及び第４磁
性層は特に動作への寄与はなく、第３磁性層の磁化は、
消失しても第４磁性層との交換結合でもって降温時に再
度同じ方向に磁化されることになる。この状態が状態
「０」として記憶される。
【０００８】以上のような低温プロセス、高温プロセス
の２つの動作によって、レーザ光強度のみの変調でもっ
て、光変調ダイレクトオーバーライトが可能となってい
るのである。
の２つの動作によって、レーザ光強度のみの変調でもっ
て、光変調ダイレクトオーバーライトが可能となってい
るのである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明してきたよう
に、従来の光磁気記録媒体は、光変調ダイレクトオーバ
ーライトを可能にするものであるが、記録後の状態
「０」、「１」を比べてみると、両者の各磁性体層にお
ける磁化の状態を示した図５に見るごとく、両者の磁気
エネルギーには、アンバランスが存在することがわか
る。図中、白抜き矢印は磁化を、その中に表記された矢
印は遷移金属あるいは希土類金属の副格子磁化の向きを
表しており、点線は磁性層間に生じた界面磁壁を表す。
即ち、本図においては第１磁性層と第２磁性層との間に
界面磁壁が介在する状態「１」の方が界面磁壁エネルギ
ーσωの分だけエネルギー的に見て高くなっている。こ
のため、例えばデータ再生時の環境温度や保存温度が変
わったり、外部からの不要な磁界によって状態「１」が
「０」に反転してしまう不安定性が残り、信頼性に欠く
という問題点を内在していた。本発明は以上のような問
題点を解決することを目的としている。
に、従来の光磁気記録媒体は、光変調ダイレクトオーバ
ーライトを可能にするものであるが、記録後の状態
「０」、「１」を比べてみると、両者の各磁性体層にお
ける磁化の状態を示した図５に見るごとく、両者の磁気
エネルギーには、アンバランスが存在することがわか
る。図中、白抜き矢印は磁化を、その中に表記された矢
印は遷移金属あるいは希土類金属の副格子磁化の向きを
表しており、点線は磁性層間に生じた界面磁壁を表す。
即ち、本図においては第１磁性層と第２磁性層との間に
界面磁壁が介在する状態「１」の方が界面磁壁エネルギ
ーσωの分だけエネルギー的に見て高くなっている。こ
のため、例えばデータ再生時の環境温度や保存温度が変
わったり、外部からの不要な磁界によって状態「１」が
「０」に反転してしまう不安定性が残り、信頼性に欠く
という問題点を内在していた。本発明は以上のような問
題点を解決することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、垂直磁気異方
性を有する希土類・遷移金属非晶質合金からなる第１か
ら第４の磁性層を各層間の交換結合が働くようにして積
層し、各層のキュリー温度は、Ｔｃ3＜Ｔｃ1＜Ｔｃ2、
Ｔｃ4なる関係を満たした光磁気記録媒体において、第
２の磁性層は、室温で面内磁化を示す一方、Ｔｃ3より
低い温度Ｔｕ以上で垂直磁化を示すことを特徴とした光
磁気記録媒体である。
性を有する希土類・遷移金属非晶質合金からなる第１か
ら第４の磁性層を各層間の交換結合が働くようにして積
層し、各層のキュリー温度は、Ｔｃ3＜Ｔｃ1＜Ｔｃ2、
Ｔｃ4なる関係を満たした光磁気記録媒体において、第
２の磁性層は、室温で面内磁化を示す一方、Ｔｃ3より
低い温度Ｔｕ以上で垂直磁化を示すことを特徴とした光
磁気記録媒体である。
【００１１】
【作用】上記構成によって、記録後の状態「０」及び
「１」は、図６に示すごとく室温下では第２磁性層の磁
化の向きはいずれも面内を向くため、両者のエネルギー
状態は等価となり、従来例のごとくいずれかの状態で磁
性層間に界面磁壁が介在してエネルギー的に不安定にな
ることもなく、再生時の環境変化や、保存環境の変化に
も極めて耐性の高い高信頼性の光変調ダイレクトオーバ
ーライトが可能な光磁気記録媒体を提供することができ
る。
「１」は、図６に示すごとく室温下では第２磁性層の磁
化の向きはいずれも面内を向くため、両者のエネルギー
状態は等価となり、従来例のごとくいずれかの状態で磁
性層間に界面磁壁が介在してエネルギー的に不安定にな
ることもなく、再生時の環境変化や、保存環境の変化に
も極めて耐性の高い高信頼性の光変調ダイレクトオーバ
ーライトが可能な光磁気記録媒体を提供することができ
る。
【００１２】
【実施例】本発明の１実施例について図１、図７及び図
８に基づいて説明する。図１は本発明の光磁気記録媒体
を示した図で、基板１、透明誘電体膜２、第１磁性層
３、第２磁性層４、第３磁性層５、第４磁性層６、透明
誘電体膜７、オーバーコート膜８がこの順に積層された
構成となっている。また、各磁性層間には交換結合が働
く。
８に基づいて説明する。図１は本発明の光磁気記録媒体
を示した図で、基板１、透明誘電体膜２、第１磁性層
３、第２磁性層４、第３磁性層５、第４磁性層６、透明
誘電体膜７、オーバーコート膜８がこの順に積層された
構成となっている。また、各磁性層間には交換結合が働
く。
【００１３】図７に第２磁性層として使用される希土類
遷移金属非晶質合金の磁気状態図を示す。図７中でＴ
CURIEは希土類金属の含有量に対するキュリー温度を示
している。また、ＴAは垂直磁化を示し始める温度、Ｔ
COMPは補償温度、ＴBは垂直磁化を示さなくなる温度を
表している。これからわかるように、光磁気記録媒体が
垂直磁化を示す範囲Ａは極めて狭い。このため、希土類
金属と遷移金属の磁気モーメントがつりあう補償組成Ｐ
の近傍でしか垂直磁化が現れないようになっている。
遷移金属非晶質合金の磁気状態図を示す。図７中でＴ
CURIEは希土類金属の含有量に対するキュリー温度を示
している。また、ＴAは垂直磁化を示し始める温度、Ｔ
COMPは補償温度、ＴBは垂直磁化を示さなくなる温度を
表している。これからわかるように、光磁気記録媒体が
垂直磁化を示す範囲Ａは極めて狭い。このため、希土類
金属と遷移金属の磁気モーメントがつりあう補償組成Ｐ
の近傍でしか垂直磁化が現れないようになっている。
【００１４】ところで、希土類金属と遷移金属の磁気モ
ーメントは、それぞれの温度特性が異なり、高温では遷
移金属の磁気モーメントが希土類金属のそれに比べて大
きくなる。このため、第２磁性層としては、室温の補償
組成より希土類金属の含有量を多くしておき、室温では
垂直磁化を示さずに面内磁化を示し、温度の上昇によっ
て垂直磁化が発現してくるようにその組成、例えば図７
中Ｐを選定する。即ち、図７中の温度Ｔ1から温度Ｔ3ま
での範囲では垂直磁化が誘起されて立ち上がりの急峻な
ヒステリシス特性を示すが、室温から温度Ｔ1及び温度
Ｔ3からキュリー温度Ｔｃの範囲では磁化は面内を向
き、ヒステリシス特性を示さないような組成のもので
る。
ーメントは、それぞれの温度特性が異なり、高温では遷
移金属の磁気モーメントが希土類金属のそれに比べて大
きくなる。このため、第２磁性層としては、室温の補償
組成より希土類金属の含有量を多くしておき、室温では
垂直磁化を示さずに面内磁化を示し、温度の上昇によっ
て垂直磁化が発現してくるようにその組成、例えば図７
中Ｐを選定する。即ち、図７中の温度Ｔ1から温度Ｔ3ま
での範囲では垂直磁化が誘起されて立ち上がりの急峻な
ヒステリシス特性を示すが、室温から温度Ｔ1及び温度
Ｔ3からキュリー温度Ｔｃの範囲では磁化は面内を向
き、ヒステリシス特性を示さないような組成のもので
る。
【００１５】この場合、低温プロセス並びに高温プロセ
ス下で再生パワーより高いレーザパワーで照射されて媒
体の温度が上昇すると、遷移金属の磁気モーメントが相
対的に大きくなって希土類金属の磁気モーメントとつり
あうようになり、全体として垂直磁化を示すようにな
る。このように温度がＴ1以上に上昇して垂直磁化を示
すようになって以降は低温プロセス及び高温プロセスで
の各層の副格子磁化の向きは既に従来例のところで説明
したのと同様に変化し、照射レーザ強度の変調のみで、
ダイレクトオーバーライトが実現することとなる。本実
施例では上記の特性を満足するために以下のような材料
を用いている。
ス下で再生パワーより高いレーザパワーで照射されて媒
体の温度が上昇すると、遷移金属の磁気モーメントが相
対的に大きくなって希土類金属の磁気モーメントとつり
あうようになり、全体として垂直磁化を示すようにな
る。このように温度がＴ1以上に上昇して垂直磁化を示
すようになって以降は低温プロセス及び高温プロセスで
の各層の副格子磁化の向きは既に従来例のところで説明
したのと同様に変化し、照射レーザ強度の変調のみで、
ダイレクトオーバーライトが実現することとなる。本実
施例では上記の特性を満足するために以下のような材料
を用いている。
【００１６】第１磁性層は、ＴｂＦｅＣｏを用いてＴｃ
1＝１８０〜２３０℃、ｔ＝３０〜６０ｎｍに設定す
る。
1＝１８０〜２３０℃、ｔ＝３０〜６０ｎｍに設定す
る。
【００１７】第３磁性層は、ＴｂＦｅを用いてＴｃ3＝
１００〜１５０℃、ｔ＝１０〜３０ｎｍに設定する。
１００〜１５０℃、ｔ＝１０〜３０ｎｍに設定する。
【００１８】第４磁性層は、ＴｂＣｏを用いてＴｃ4＞
２５０℃、ｔ＝３０〜１００ｎｍに設定する。
２５０℃、ｔ＝３０〜１００ｎｍに設定する。
【００１９】第２磁性層には、Ｇｄx（Ｆｅ0・78Ｃｏ
0・18）1-x（０．２＜ｘ＜０．３５）を用いるとＴｃ2＝
３００〜４００℃となり、また、ｔ＝４０〜７０ｎｍに
設定する。図９に本発明による光磁気記録媒体の保磁力
の温度依存性を示す。図から明らかなように、Ｔｃ3よ
り低い温度ＴU＝６０℃〜７０℃程度に温度が上昇する
と垂直磁化を示し始め、２７０℃近傍まで垂直磁化を示
しており、キュリー温度は３００〜４００℃程度であ
る。
0・18）1-x（０．２＜ｘ＜０．３５）を用いるとＴｃ2＝
３００〜４００℃となり、また、ｔ＝４０〜７０ｎｍに
設定する。図９に本発明による光磁気記録媒体の保磁力
の温度依存性を示す。図から明らかなように、Ｔｃ3よ
り低い温度ＴU＝６０℃〜７０℃程度に温度が上昇する
と垂直磁化を示し始め、２７０℃近傍まで垂直磁化を示
しており、キュリー温度は３００〜４００℃程度であ
る。
【００２０】透明誘電体膜はＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉ
Ｎなどであり、この層の膜厚は再生波長の１／４をその
屈折率で除した程度の値である。例えば再生光の波長を
８００ｎｍとすると透明誘電体膜の膜厚は５０から９０
ｎｍとなる。
Ｎなどであり、この層の膜厚は再生波長の１／４をその
屈折率で除した程度の値である。例えば再生光の波長を
８００ｎｍとすると透明誘電体膜の膜厚は５０から９０
ｎｍとなる。
【００２１】図８は本実施例における低温プロセス並び
に高温プロセスにおける各磁性層の副格子磁化の向きを
示している。第２磁性層の垂直磁化が現れる温度Ｔｕ
は、第３磁性層の磁化が定まるキュリー温度Ｔｃ3より
低く設定されねばならない。Ｔｕ以上の温度では従来通
りの磁気転写によるオーバーライト動作が行われる。
に高温プロセスにおける各磁性層の副格子磁化の向きを
示している。第２磁性層の垂直磁化が現れる温度Ｔｕ
は、第３磁性層の磁化が定まるキュリー温度Ｔｃ3より
低く設定されねばならない。Ｔｕ以上の温度では従来通
りの磁気転写によるオーバーライト動作が行われる。
【００２２】上記構成の記録媒体によれば、結局記録さ
れた後の状態「０」、「１」に対応する各磁性層での磁
化の向きは図中ａ）及びｂ）で示すような状態になり、
エネルギー的にみても両状態は全く等価となって、かつ
磁性層間に界面磁壁が介在することもなく、安定な状態
で存在することが可能となり、高信頼性の媒体が実現す
る。
れた後の状態「０」、「１」に対応する各磁性層での磁
化の向きは図中ａ）及びｂ）で示すような状態になり、
エネルギー的にみても両状態は全く等価となって、かつ
磁性層間に界面磁壁が介在することもなく、安定な状態
で存在することが可能となり、高信頼性の媒体が実現す
る。
【００２３】ここで、第２磁性層は、ＧｄＦｅＣｏに限
られるものでもなく、同様の特性を示すＧｄＣｏを使用
してもよい。また、第１磁性層としても、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏで構成してもよく、第３磁性層としてもＧｄＦｅ、Ｄ
ｙＦｅＣｏで構成してもよいし、第４磁性層もＧｄＴｂ
Ｃｏを用いてもよい。
られるものでもなく、同様の特性を示すＧｄＣｏを使用
してもよい。また、第１磁性層としても、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏで構成してもよく、第３磁性層としてもＧｄＦｅ、Ｄ
ｙＦｅＣｏで構成してもよいし、第４磁性層もＧｄＴｂ
Ｃｏを用いてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明では交換結合した
４層磁性多層膜光磁気記録媒体で、第２磁性層が室温で
は面内磁化を示し、第３磁性層のキュリー温度より低い
温度Ｔｕ以上で垂直磁化が誘起されるため、記録後の
「０」、「１」の状態に対する各磁性層間においても界
面磁壁が介在することもなく、安定な状態を発現でき、
ピット安定性の優れた光変調ダイレクトオーバーライト
が、可能となった。
４層磁性多層膜光磁気記録媒体で、第２磁性層が室温で
は面内磁化を示し、第３磁性層のキュリー温度より低い
温度Ｔｕ以上で垂直磁化が誘起されるため、記録後の
「０」、「１」の状態に対する各磁性層間においても界
面磁壁が介在することもなく、安定な状態を発現でき、
ピット安定性の優れた光変調ダイレクトオーバーライト
が、可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体の構成を示す図であ
る。
る。
【図２】従来の光変調オーバーライト可能な光磁気記録
媒体の構成を説明した図である。
媒体の構成を説明した図である。
【図３】光変調オーバーライトの低温プロセスの動作を
説明した図である。
説明した図である。
【図４】光変調オーバーライトの高温プロセスの動作を
説明した図である。
説明した図である。
【図５】従来の光変調オーバーライト可能な光磁気記録
媒体における記録後の各磁性層の副格子磁化の状態を説
明した図である。
媒体における記録後の各磁性層の副格子磁化の状態を説
明した図である。
【図６】本発明の光磁気記録媒体における記録後の各磁
性層の副格子磁化の状態を説明した図である。
性層の副格子磁化の状態を説明した図である。
【図７】本発明の第２磁性層の磁気状態図である。
【図８】本発明の光磁気記録媒体の低温プロセス及び高
温プロセスでの各磁性層の副格子磁化の変化を表す図で
ある。
温プロセスでの各磁性層の副格子磁化の変化を表す図で
ある。
【図９】実施例の第２磁性層であるＧｄＦｅＣｏ層の保
持力の温度変化を表した図である。
持力の温度変化を表した図である。
１ 透明基板 ２ 透明誘電体膜 ３ 第１磁性層 ４ 第２磁性層 ５ 第３磁性層 ６ 第４磁性層 ７ 透明誘電体膜 ８ オーバーコート膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】垂直磁気異方性を有する希土類・遷移金属
非晶質合金からなる第１から第４の磁性層を各層間の交
換結合が働くようにして順に積層し、各層のキュリー温
度は、Ｔｃ3＜Ｔｃ1＜Ｔｃ2、Ｔｃ4なる関係を満たした
光磁気記録媒体において、第２の磁性層は、室温で面内
磁化を示す一方、Ｔｃ3より低い温度Ｔｕ以上で垂直磁
化を示すことを特徴とした光磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10152792A JP2810586B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 光磁気記録媒体 |
| CA 2090366 CA2090366C (en) | 1992-04-22 | 1993-02-25 | Magneto-optical recording medium |
| DE1993619652 DE69319652T2 (de) | 1992-04-22 | 1993-04-22 | Magneto-optischer Aufzeichungsträger |
| EP19930303150 EP0567335B1 (en) | 1992-04-22 | 1993-04-22 | Magneto-optical recording medium |
| US08/341,310 US5554436A (en) | 1992-04-22 | 1994-11-16 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10152792A JP2810586B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05298757A true JPH05298757A (ja) | 1993-11-12 |
| JP2810586B2 JP2810586B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=14302948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10152792A Expired - Fee Related JP2810586B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5554436A (ja) |
| EP (1) | EP0567335B1 (ja) |
| JP (1) | JP2810586B2 (ja) |
| CA (1) | CA2090366C (ja) |
| DE (1) | DE69319652T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714231A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Sharp Corp | 光磁気ディスク、光ピックアップ及び光磁気ディスク装置 |
| JPH07244876A (ja) * | 1994-03-01 | 1995-09-19 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体及び光磁気記録再生方法 |
| JP3215311B2 (ja) * | 1995-12-19 | 2001-10-02 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
| JP3359804B2 (ja) * | 1996-01-22 | 2002-12-24 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録方法 |
| JPH09231630A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2002170291A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0258978B1 (en) * | 1986-07-08 | 1998-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| JP2812817B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP10152792A patent/JP2810586B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-25 CA CA 2090366 patent/CA2090366C/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-22 DE DE1993619652 patent/DE69319652T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-22 EP EP19930303150 patent/EP0567335B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-11-16 US US08/341,310 patent/US5554436A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2810586B2 (ja) | 1998-10-15 |
| EP0567335A3 (en) | 1994-07-20 |
| US5554436A (en) | 1996-09-10 |
| CA2090366A1 (en) | 1993-10-23 |
| EP0567335B1 (en) | 1998-07-15 |
| EP0567335A2 (en) | 1993-10-27 |
| CA2090366C (en) | 1996-12-03 |
| DE69319652T2 (de) | 1999-02-11 |
| DE69319652D1 (de) | 1998-08-20 |
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Legal Events
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