JP2000215534A

JP2000215534A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2000215534A
Application number: JP1899499A
Authority: JP
Inventors: Yoshinobu Ishii; 義伸石井
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-01-27
Filing date: 1999-01-27
Publication date: 2000-08-04

Abstract

(57)【要約】【課題】低外部バイアス磁界とすることができ、また記
録及び消去時に確実な転写を実現することでＣ／Ｎ比等
の記録再生特性が向上する。【解決手段】ポリカーボネートから成る３．５インチ径
のディスク状の基板１の主面上に、マグネトロンスパッ
タリング法により、ａ−ＳｉＮの誘電体層、Ｒ層（図示
せず）、Ｍ層２、ｉｎｔ層（図示せず）、Ｗ層３、Ｓ層
４、Ｉ層５、厚さ５０Åのａ−ＳｉＮから成る交換結合
力遮断層６、ＴＭリッチ，膜厚約２００〜６００Å，保
磁力約２ｋＯｅ（室温），キュリー温度約２６０℃のＴ
ｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ又はＧｄＴｂＦｅＣｏから成
るバイアス磁界補助層７を順次積層した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光強度変調方式等
の熱磁気記録により２値情報をオーバーライト可能で、
カー効果等の磁気光学効果により再生を行う光磁気記録
媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光変調ダイレクトオーバーライト
（以下、オーバーライトという）が可能な光磁気記録媒
体（以下、媒体と略す）Ｍ１の磁性層構成を図２に示
す。

【０００３】同図は、媒体Ｍ１の部分断面図であり、上
向き磁化か下向き磁化とすることにより２値情報（０，
１）を記録する記録層（Memory layerで、以下、Ｍ層と
略す）１２と、Ｍ層１２よりも高いキュリー温度と室温
超の所定温度以上でＭ層１２よりも大きな保磁力を有
し、外部のバイアス磁界（記録磁界）により昇温時に磁
化方向が反転可能な記録補助層（Writing layer で、以
下、Ｗ層と略す）１３と、キュリー温度が最も低く高温
で磁化が消失してＷ層１３と初期化層１５間の交換結合
力を遮断する制御層（Switching layer で、以下、Ｓ層
と略す）１４と、これらの磁性層の中で最もキュリー温
度が高く降温時にＳ層１４を通じてＷ層１３の磁化方向
を初期化する初期化層（Initializing layerで、以下、
Ｉ層と略す）１５とを、基板１１上に順次積層して、オ
ーバーライト可能としたものが提案されている。

【０００４】このような、Ｍ層１２，Ｗ層１３，Ｓ層１
４，Ｉ層１５を有するタイプの光強度変調方式によるオ
ーバーライトの基本的なメカニズムを図３により説明す
ると、各磁性層の正味の磁化方向は遷移金属元素（Tran
sition Metal elementで、以下、ＴＭという）副格子磁
化と希土類元素（Rare Earth elementで、以下、ＲＥと
いう）副格子磁化の合成ベクトルで表され、カー効果に
よる情報の読出（再生）にはＴＭ副格子磁化が関与する
（日本応用磁気学会誌 Vol.14,p165-170,NO.2,1990 参
照）。磁気的組成は、Ｍ層１２がＴＭリッチ（ＴＭ副格
子磁化が磁気的に優勢）、Ｗ層１３がＲＥリッチ（ＲＥ
副格子磁化が磁気的に優勢）、Ｓ層１４がＴＭリッチ、
Ｉ層１５がＲＥリッチで、Ｗ層１３とＩ層１５が室温Ｔ
roomよりも高温で補償温度を有する。

【０００５】Ｍ層１２のキュリー温度をＴc1、Ｗ層１３
のキュリー温度をＴc2及び補償温度をＴcomp2 、Ｓ層１
４のキュリー温度をＴc3、Ｉ層１５のキュリー温度をＴ
c4及び補償温度をＴcomp4 とすると、Ｔroom＜Ｔc3＜Ｔ
comp2 ＜Ｔc1＜Ｔcomp4 ＜Ｔc2＜Ｔc4である。また、低
温プロセスによるローパワー記録（以下、ロー記録とい
う）時の最高温度をＴL 、高温プロセスによるハイパワ
ー記録（以下、ハイ記録という）時の最高温度をＴH と
すると、ＴL ≒Ｔc1でＴH ≒Ｔc2である。尚、ロー記録
及びハイ記録は、高低の２値にパルス変調されたレーザ
ビーム等を媒体に照射することにより行われ、低レベル
のレーザビームの照射部（ピット）でロー記録、高レベ
ルのレーザビームの照射部（ピット）でハイ記録とな
る。また、Ｔroomは約２０℃〜約３０℃の室温である。

【０００６】各磁性層の保磁力と温度の関係は、室温で
はＭ層１２の保磁力が最も大きく、次いでＷ層１３，Ｉ
層１５，Ｓ層１４の順である。Ｓ層１４は最も保磁力及
びキュリー温度が低く、１００〜１３０℃程度で磁化が
消失する。Ｗ層１３とＩ層１５は補償温度付近で保磁力
が発散し、非常に大きくなる。また、Ｍ層１２とＷ層１
３を比較すると、Ｍ層１２は相対的に低いキュリー温度
Ｔc1と室温で高い保磁力を有し、Ｗ層１３はＭ層１２に
比べて相対的に高いキュリー温度Ｔc2と室温で低い保磁
力を有する。

【０００７】同図において、オーバーライト前の状態は
室温Ｔroomの状態であり、Ｍ層１２のＴＭ副格子磁化が
下向き（最上段左から１番目の状態で、仮に２値情報
の”１”とする）か、若しくはＭ層１２のＴＭ副格子磁
化が上向き（最下段左から１番目の状態で、仮に２値情
報の”０”とする）の２状態のいずれかである。低温プ
ロセスでは、高低の２レベルにパルス変調されたレーザ
ビームの低レベルビームが照射されることにより、前記
２状態のいずれかから出発して昇温され、室温Ｔroomに
戻ったときには”１”状態に統一される。このとき、”
０”状態から出発した場合は、Ｗ層１３がＴcomp2 の前
後でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の大小関係が反転
し、Ｔcomp2 よりも高温で正味の磁化方向が下向きに変
化するため、その交換結合力によりＭ層２の磁化方向を
反転させ、”１”状態に変化する。

【０００８】また、高温プロセスでは、レーザビームの
高レベルビームが照射されることにより、前記２状態の
いずれかから出発して昇温され、Ｔroomに戻ったときに
は”０”状態に統一される。この場合、いずれの状態か
ら出発しても、Ｍ層１２とＳ層１４の磁化が消失しＷ層
１３の磁化も消失するかきわめて小さい状態（最下段右
から１又は２番目の状態）まで昇温される。このとき、
バイアス磁界によりＷ層１３の正味の磁化方向が反転
し、Ｔc1付近で交換結合力によりＭ層１２の磁化方向を
揃わせ、”０”状態とする。降温するにつれ、Ｗ層１３
はＴcomp2 付近でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の大
小関係が反転し、室温ＴroomでＳ層１４を通してＩ層１
５の交換結合力により初期化される。そして、高温プロ
セス後の”０”状態では、Ｍ層１２とＷ層１３の各々の
ＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の方向が異なるため、
その界面に界面磁壁が生じる。

【０００９】このようなオーバーライト動作が可能な媒
体において、垂直磁気異方性を有し且つ室温以下で補償
温度を有するＲＥ−ＴＭ薄膜よりなるメモリ層と、垂直
磁気異方性を有し且つ室温以下で補償温度を有するＲＥ
−ＴＭ薄膜よりなり、メモリ層と交換結合しており記録
用の浮遊磁場を発生するバイアス層と、垂直磁気異方性
を有し、且つ記録消去の際に磁化が反転しないＲＥ−Ｔ
Ｍ薄膜よりなり、バイアス層と交換結合してバイアス層
を初期化する初期化層とよりなることにより、完全無磁
場光変調オーバーライトを可能とするものが提案されて
いる（特開平６−２６７１２５号公報参照）。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例において、メモリ層とバイアス層を室温以下で補償
温度を有するＴＭリッチ組成とすることで、バイアス層
の浮遊磁場を２５０Ｏｅ程度と大きくしているが、同じ
ＴＭリッチ組成のメモリ層とバイアス層を積層すると、
両層の磁気的性質が類似しているため、バイアス層から
メモリ層への磁化方向の転写が不十分になったり、本来
転写する方の磁性層（バイアス層）に転写される方の磁
性層（メモリ層）の磁化方向が転写されるという問題点
があった。

【００１１】このような問題を防ぐには、転写温度領域
で転写のベースになる磁性層の保磁力、即ち交換結合力
を十分大きくすることが良く、具体的には昇温過程にお
いて補償温度を有するＲＥリッチの磁性層が、Ｗ層１
３，Ｉ層１５に用いられている。しかし、ＲＥリッチの
磁性層は高温域（２００〜３００℃程度）でＴＭリッチ
のものに比べて飽和磁化が小さく、そのため十分なバイ
アス磁界を発生することができず、自ずとバイアス磁界
用の大きな外部磁界が必要となる。このように、転写の
ベースになる磁性層の交換結合力を強めようとすると、
バイアス磁界が小さくなり、大きな外部磁界が必要にな
るという矛盾が生じていた。

【００１２】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、外部のバイアス磁界を補
助するバイアス磁界補助層を設けることで、外部のバイ
アス磁界を小さくし、また記録及び消去時に確実な転写
を実現することでＣ／Ｎ比等の記録再生特性を向上さ
せ、更には従来、転写のベースになる磁性層の交換結合
力とバイアス磁界とのバランスがとれるように、磁性層
の組成及び磁気的特性を細かに制御する必要があったの
を不要とし、その結果製造のマージンが広がり歩留りが
向上して低コストに製造できるものとすることにある。

【００１３】

【課題を解決するための手投】本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に、記録層、記録補助層、制御層及び初期化
層の４つの磁性層が順次積層され、これらの磁性層は垂
直磁気異方性を有し希土類元素と遷移金属元素の非晶質
合金から成り、かつ少なくとも記録補助層、制御層及び
初期化層が室温で交換結合している光磁気記録媒体であ
って、前記初期化層の基板と反対側に交換結合力遮断層
を介して、遷移金属元素の副格子磁化が優勢であり且つ
保磁力が５ｋＯｅ以下のバイアス磁界補助層を設けたこ
とを特徴とする。

【００１４】本発明は、このような構成により、外部の
バイアス磁界を補助することで小さな外部のバイアス磁
界とすることができ、バイアス磁界を補助することによ
り記録及び消去時に確実な転写を実現することでＣ／Ｎ
比等の記録再生特性が向上し、また転写のベースになる
磁性層の保磁力とバイアス磁界とのバランスがとれるよ
うに、磁性層の組成及び磁気的特性の細かな制御をする
必要がなくなるので、製造のマージンが広がる。また、
従来、記録層に対するロー記録時の磁化方向の転写と、
ハイ記録時に記録層の磁化方向をバイアス磁界方向に揃
えることの両方を記録補助層単独で行っていたが、記録
層に対するロー記録時の磁化方向の転写を記録補助層
に、ハイ記録時に記録層の磁化方向をバイアス磁界方向
に揃えることをバイアス磁界補助層に担わせることによ
り、それぞれを最適な特性となるように構成できる。

【００１５】また、初期化層とバイアス磁界補助層との
間に、両層の交換結合力を遮断する交換結合力遮断層を
設けることにより、初期化層とバイアス磁界補助層が交
換結合するのを防ぐと共に、バイアス磁界特性のみを向
上し得る。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の媒体Ｍ２の基本的な磁性
層構成を図１に示す。同図において、１はポリカーボネ
ート等のプラスチック，ガラス等の透明材料から成り、
プリグルーブが形成されたディスク状の基板、２はＭ
層、３はＷ層、４はＳ層、５はＩ層、６は交換結合力遮
断層、７はバイアス磁界補助層である。

【００１７】前記基板１とＭ層２との間に、サイアロン
（Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶質膜），イットリウムサイ
アロン（Ｙ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶質膜），Ｓｉ₃
Ｎ₄，ＳｉＯ₂等から成る保護層を設けてもよく、更に
バイアス磁界補助層７の上に、サイアロン，イットリウ
ムサイアロン，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＡｌＴｉ，ＳｉＯ₂等から
成る保護層を形成してもよい。このような保護層は、磁
性層の損傷、酸化を防止するために設けられる。

【００１８】そして、各磁性層は全動作温度範囲（室温
〜約３００℃）内で垂直磁気異方性を示し、Ｗ層３、Ｓ
層４及びＩ層５は室温で交換結合している。場合によっ
ては、即ち”０”又は”１”のいずれかの状態で、Ｍ層
２とＷ層３も室温で交換結合している。

【００１９】上記各磁性層は、基本的にＣｒ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等のＴＭと、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｈｏ等のＲＥとの非晶質合金から成る。例えば、
各磁性層はＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ等から成る。また、これらの磁性層はス
パッタリング法等の薄膜形成法により形成する。

【００２０】本発明において、バイアス磁界補助層７の
キュリー温度は約２５０℃〜約３００℃が好適であり、
２５０℃未満では、Ｗ層３を記録時に加熱する際にバイ
アス磁界補助層７の磁化が小さ過ぎ、バイアス磁界の大
きさが不十分になる。また、記録時の加熱によりバイア
ス磁界補助層７の磁化が反転し易くなる。３００℃を超
えると、記録ビット周辺での飽和磁化の増大が抑えら
れ、レーザスポット中心部に強い磁化が残留してしまい
これが逆方向バイアス磁界を発生させる。

【００２１】バイアス磁界補助層７の保磁力は５ｋＯｅ
以下が良く、５ｋＯｅを超えると飽和磁化が小さくなる
ためバイアス磁界の発生が不十分となる。また、前記保
磁力は１Ｏｅ以上とするのが良く、１Ｏｅ未満では２０
０℃程度以上の高温域で垂直磁化を保持できなくなり、
バイアス磁界の発生が不十分となる。この保磁力はカー
効果測定装置で測定できる。

【００２２】バイアス磁界補助層７の厚みは約２００Å
〜約６００Åが良く、２００Å未満ではバイアス磁界の
発生が不十分となり、６００Åを超えると全体の記録感
度が低下し高出力のレーザ光が必要になる。

【００２３】上記のような特性のバイアス磁界補助層７
としては、ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ等の組成の磁性層が良く、その組成比は（Ｔｂ，Ｄ
ｙ，ＧｄＴｂ）_x（Ｆｅ_1-yＣｏ_y）_1-x（０．１５＜
ｘ＜０．３５，０．１０＜ｙ＜０．１５）の範囲にする
のが好ましい。

【００２４】本発明の交換結合力遮断層６は、アモルフ
ァスＳｉＮ（ａ−ＳｉＮと表記する），ＳｉＯ₂，Ｚｎ
Ｓ，ＡｌＮ等の誘電体層、又はＴｉ，Ａｌ，Ｃｒ等の非
磁性金属層が良く、これらは磁気特性に悪影響を与え
ず、耐久性に優れ、磁性金属元素との密着性も良好であ
る。

【００２５】交換結合力遮断層６の厚さは、１０〜２０
０Åが良く、１０Å未満ではＩ層５とバイアス磁界補助
層７との間に作用する交換結合力を完全に遮断できず、
２００Åを超えるとバイアス磁界補助層７に対する加熱
が不十分になり、レーザビーム中心での磁化が残留す
る。

【００２６】一方、Ｍ層２については、そのキュリー温
度は約１８０℃〜約２４０℃が好適であり、１８０℃未
満ではＣ／Ｎ比が低下し、２４０℃超ではＷ層３のキュ
リー温度と同等以上となるため、Ｗ層３からＭ層２への
磁化を転写する際の転写可能な温度幅が狭くなり、記録
パワーの設定が困難になる。

【００２７】また、Ｍ層２の組成はＴｂＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等が良く、その組成比は２０ａｔ％≦Ｔｂ
≦３０ａｔ％，０ａｔ％≦Ｄｙ≦１０ａｔ％，５０ａｔ
％≦Ｆｅ≦７５ａｔ％，０ａｔ％＜Ｃｏ≦１５ａｔ％
が、キュリー温度が約１８０℃〜約２４０℃となる。

【００２８】Ｍ層２の厚みは約１００Å〜約３００Åが
よく、１００Å未満ではＭ層２の交換結合力が強すぎ、
３００Å超ではＷ層３からＭ層２への交換結合力による
磁化の転写が困難になる。

【００２９】そして、Ｗ層３，Ｓ層４，Ｉ層５について
は基本的に従来のものと同様であるが、Ｗ層３をＴＭリ
ッチとして補償温度のないものとし、かつ室温でＷ層３
の保磁力が最も大きく、次いでＭ層２，Ｉ層５，Ｓ層４
の順となるように構成することもできる。この場合、バ
イアス磁界依存性が改善され、オーバーライトを確実に
安定的に行うことができる。

【００３０】また、Ｗ層３が室温でＴＭリッチの場合、
磁性層組成としてＧｄＴｂＦｅＣｏ等があり、ＧｄとＴ
ｂの原子比がＧｄ：Ｔｂ＝４：１〜３：２であるものが
好ましい。Ｔｂ／Ｇｄ＜１／４の場合、Ｗ層３はＲＥリ
ッチで補償温度がないものとなり、Ｍ層２のキュリー温
度付近でＭ層２との温度及び保磁力のマージンが小さく
なり、またＷ層３のバイアス磁界に対する磁界依存性も
劣化する。Ｔｂ／Ｇｄ＞２／３の場合、ＲＥリッチで補
償温度が存在するものとなるが、補償温度が低くなりす
ぎて、Ｍ層２のキュリー温度付近でＭ層２との温度及び
保磁力のマージンが小さくなる。

【００３１】Ｉ層５については、ＧｄＴｂＦｅＣｏが良
く、０ａｔ％≦Ｇｄ≦２０ａｔ％，２０ａｔ％≦Ｔｂ≦
４０ａｔ％，０ａｔ％≦Ｆｅ≦３０ａｔ％，０ａｔ％≦
Ｃｏ≦６０ａｔ％，１／４＜（Ｇｄ＋Ｔｂ）／（Ｆｅ＋
Ｃｏ）＜２／３，Ｇｄ＜Ｔｂ，Ｆｅ＜Ｃｏの組成比のも
のが、キュリー温度が約３００℃以上で比較的大きな所
望の保磁力を有するものとなる。

【００３２】本発明は、基本的にＭ層２，Ｗ層３，Ｓ層
４，Ｉ層５，交換結合力遮断層６，バイアス磁界補助層
７の少なくとも６層を有しており、Ｍ層２とＷ層３との
間に交換結合力調整層（Interface wall energy layer
で、以下、ｉｎｔ層という）を設けてもよく、その場
合、Ｍ層２とＷ層３間に働く交換結合力を少なくとも室
温で遮断することにより、Ｗ層３の初期化及び昇温時に
おけるＷ層３からＭ層２への磁化方向の転写をスムーズ
にできる。また、基板１とＭ層２との間に読出専用の読
出層（Reading layer で、以下、Ｒ層という）を設ける
ことで、Ｃ／Ｎ比を改善することもできる。また、本発
明によるオーバーライトの基本的なメカニズムは図３と
同様である。

【００３３】かくして、本発明の光磁気記録媒体は、外
部のバイアス磁界を補助することで小さな外部のバイア
ス磁界とすることができ、バイアス磁界を補助すること
により記録及び消去時に確実な転写を実現することでＣ
／Ｎ比等の記録再生特性が向上するという作用効果を有
する。

【００３４】本発明において、各磁性層を基板の両面に
積層するか、片面に各磁性層を積層した２枚の基板を貼
り付けることにより、２倍の記録密度としてもよい。ま
た、レーザビームをパルス変調する光強度変調方式によ
るオーバーライトに限らず、熱磁気記録によるものであ
れば他の手段によってもオーバーライトできる。

【００３５】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。

【００３６】

【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。

【００３７】（実施例）図１に示す磁性層構成の光磁気
ディスクを以下のようにして構成した。ポリカーボネー
トから成る３．５インチ径のディスク状の基板１の主面
上に、マグネトロンスパッタリング法により、ａ−Ｓｉ
Ｎの誘電体層（図示せず）を５００Å成膜した。

【００３８】次いで、マグネトロンスパッタリング法に
より、〔１〕ＲＥリッチ，補償温度約１２０℃，膜厚約３００
Å，キュリー温度約３２０℃でＧｄ₂₈Ｆｅ₆₀Ｃｏ₂₂から
成るＲ層（図示せず）〔２〕ＴＭリッチ，膜厚約２５０Å，保磁力約１３ｋＯ
ｅ（室温），キュリー温度約１９０℃のＴｂ₂₅Ｆｅ₆₀Ｃ
ｏ₁₅から成るＭ層２〔３〕ＲＥリッチ，膜厚約１００Å，保磁力約０．５ｋ
Ｏｅ（室温），キュリー温度約２３０℃のｉｎｔ層（図
示せず）〔４〕ＲＥリッチ，膜厚約３００Å，保磁力約７ｋＯｅ
（室温），キュリー温度約２４０℃のＧｄ₁₀Ｔｂ₂₀Ｆｅ
₆₅Ｃｏ₅から成るＷ層３〔５〕ＴＭリッチ，膜厚約１００Å，キュリー温度約１
３０℃のＴｂ₂₅Ｆｅ₇₅から成るＳ層４〔６〕ＲＥリッチ，キュリー温度約３５０℃，補償温度
約２８０℃のＴｂ₃₀Ｆｅ₁₀Ｃｏ₆₀から成るＩ層５〔７〕厚さ５０Åのａ−ＳｉＮから成る交換結合力遮断
層６〔８〕ＴＭリッチ，膜厚約２００〜６００Å，保磁力約
２ｋＯｅ（室温），キュリー温度約２６０℃のＴｂＦｅ
Ｃｏ，ＤｙＦｅＣｏ又はＧｄＴｂＦｅＣｏから成るバイ
アス磁界補助層７を順次積層した。

【００３９】更に、バイアス磁界補助層７上にａ−Ｓｉ
Ｎの誘電体層（図示せず）をマグネトロンスパッタリン
グ法で３００Å積層し、その上に紫外線防止用の樹脂層
をコートして光磁気ディスクを作製した。また、比較例
として、交換結合力遮断層６及びバイアス磁界補助層７
がないもの、バイアス磁界補助層７を１００Å，８００
ＯÅ，１０００Åとした以外は本実施例と同様に作製し
たものを用いた。

【００４０】そして、バイアス磁界補助層７の組成比及
び厚さを種々に変化させた場合について、１００Ｏｅの
低外部バイアス磁界下で測定した再生時のＣ／Ｎ比を表
１に示す。また、オーバーライトの条件は以下のような
ものであった。最初に回転数３０００ｒｐｍ、初期化磁
界５ｋＯｅで１２ｍＷのレーザビームを基板１側から照
射して初期化し、その後、バイアス磁界１００Ｏｅの下
で１０ｍＷと３ｍＷにパルス変調されたレーザビームを
基板１側から照射して、６．９６ＭＨｚ，デューティー
２０％の信号を２回オーバーライトし、１．５ｍＷの再
生用レーザで再生した。これついて、光波長６８０ｎ
ｍ，３６００ｒｐｍの評価機を用いて、再生時のＣ／Ｎ
比を測定した。

【００４１】

【表１】

【００４２】表１に示すように、本実施例では、低い外
部バイアス磁界下においてもバイアス磁界補助層７によ
りＭ層２への磁化方向の転写が確実に行えたと推定さ
れ、いずれのものも４８．５ｄＢ以上の高いＣ／Ｎ比を
示した。これに対し、比較例では４７．５ｄＢ以下とＣ
／Ｎ比が劣化した。

【００４３】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、初期化層の
基板と反対側に交換結合力遮断層を介して、遷移金属元
素の副格子磁化が優勢であり且つ保磁力が５ｋＯｅ以下
のバイアス磁界補助層を設けたことにより、外部のバイ
アス磁界を補助することで小さな外部のバイアス磁界と
することができ、記録及び消去時に確実な転写を実現す
ることでＣ／Ｎ比等の記録再生特性が向上し、また転写
のベースになる磁性層の保磁力とバイアス磁界とのバラ
ンスがとれるように、磁性層の組成及び磁気的特性の細
かな制御をする必要がなくなるので、製造のマージンが
広がり歩留りが向上する。

【００４４】また、従来、記録層に対するロー記録時の
磁化方向の転写と、ハイ記録時に記録層の磁化方向をバ
イアス磁界方向に揃えることの両方を記録補助層単独で
行っていたが、記録層に対するロー記録時の磁化方向の
転写を記録補助層に、ハイ記録時に記録層の磁化方向を
バイアス磁界方向に揃えることをバイアス磁界補助層に
担わせることにより、それぞれを最適な特性となるよう
に構成できる本発明の光磁気記録媒体はオーバーライト
可能な媒体であればよく、光磁気ディスク、光磁気カー
ド、光磁気テープ等に応用可能なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体Ｍ２の磁性層構成を示
す部分断面図である。

【図２】従来の光磁気記録媒体Ｍ１の磁性層構成を示す
部分断面図である。

【図３】従来の光磁気記録媒体のオーバーライトのメカ
ニズムを説明する磁化の状態図である。

【符号の説明】

１：基板２：Ｍ層３：Ｗ層４：Ｓ層５：Ｉ層６：交換結合力遮断層７：バイアス磁界補助層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、記録層、記録補助層、制御層及
び初期化層の４つの磁性層が順次積層され、これらの磁
性層は垂直磁気異方性を有し希土類元素と遷移金属元素
の非晶質合金から成り、かつ少なくとも記録補助層、制
御層及び初期化層が室温で交換結合している光磁気記録
媒体であって、前記初期化層の基板と反対側に交換結合
力遮断層を介して、遷移金属元素の副格子磁化が優勢で
あり且つ保磁力が５ｋＯｅ以下のバイアス磁界補助層を
設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。