JPH10162439A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH10162439A JPH10162439A JP31807696A JP31807696A JPH10162439A JP H10162439 A JPH10162439 A JP H10162439A JP 31807696 A JP31807696 A JP 31807696A JP 31807696 A JP31807696 A JP 31807696A JP H10162439 A JPH10162439 A JP H10162439A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】書込み層への記録に必要とする外部磁界を低減
させるとともに、転写が十分におこなわれるようにした
オーバーライト可能な光磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】基板１上に第１磁性層２としてのＴｂＦｅ
Ｃｏ層（キュリー温度：２００℃）と、第２の層領域７
としての厚み５０ÅのＴｂ30（Ｆｅ100-X ＣｏX ）層
（キュリー温度：１６０〜３７０℃）と、第１の層領域
６としての厚み５０ÅのＧｄ39Ｄｙ4 Ｆｅ40Ｃｏ17層
（キュリー温度：３６０℃）と、第３磁性層４としての
ＧｄＴｂＦｅＣｏ層（キュリー温度：２６０℃）とを順
次積層してなる垂直磁気異方性の２層領域により構成し
た光磁気記録媒体。
させるとともに、転写が十分におこなわれるようにした
オーバーライト可能な光磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】基板１上に第１磁性層２としてのＴｂＦｅ
Ｃｏ層（キュリー温度：２００℃）と、第２の層領域７
としての厚み５０ÅのＴｂ30（Ｆｅ100-X ＣｏX ）層
（キュリー温度：１６０〜３７０℃）と、第１の層領域
６としての厚み５０ÅのＧｄ39Ｄｙ4 Ｆｅ40Ｃｏ17層
（キュリー温度：３６０℃）と、第３磁性層４としての
ＧｄＴｂＦｅＣｏ層（キュリー温度：２６０℃）とを順
次積層してなる垂直磁気異方性の２層領域により構成し
た光磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザビームをパ
ルス変調して照射する光強度変調方式等の熱磁気記録に
よってオーバーライト（重ね書き）ができ、そして、カ
ー効果等の磁気光学効果によって情報の再生がおこなわ
れる光磁気記録媒体に関するものである。
ルス変調して照射する光強度変調方式等の熱磁気記録に
よってオーバーライト（重ね書き）ができ、そして、カ
ー効果等の磁気光学効果によって情報の再生がおこなわ
れる光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気記録媒体を図２の部分断面
図でもって示す。同図において、１はプリグルーブ（ト
ラッキング用の溝）が設けられた透光性の基板、２〜４
はそれぞれ第１〜第３磁性層である。これら各層２〜４
は、希土類金属元素（Rare Earth Metal; 以下ＲＥとい
う）と遷移金属元素（TransitionMetal; 以下ＴＭとい
う）との非晶質合金からなり、たとえばＧｄＣｏ、Ｇｄ
Ｆｅ、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦ
ｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ等
である。
図でもって示す。同図において、１はプリグルーブ（ト
ラッキング用の溝）が設けられた透光性の基板、２〜４
はそれぞれ第１〜第３磁性層である。これら各層２〜４
は、希土類金属元素（Rare Earth Metal; 以下ＲＥとい
う）と遷移金属元素（TransitionMetal; 以下ＴＭとい
う）との非晶質合金からなり、たとえばＧｄＣｏ、Ｇｄ
Ｆｅ、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦ
ｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ等
である。
【０００３】また、第１磁性層２は第３磁性層４と比較
して低いキュリー点であって、さらに高い保磁力を有
し、室温においてＴＭ副格子磁化が主勢（ＴＭリッチ）
である。第３磁性層４は第１磁性層２と比較して高いキ
ュリー点であり、さらに低い保磁力を有し、室温におい
てＲＥ副格子磁化が主勢（ＲＥリッチ）である。そし
て、第１磁性層２と第３磁性層４は、ともに磁化容易軸
が基板面に垂直であるが、第２磁性層３は室温において
面内磁気異方性で、温度が上昇すると垂直磁気異方性を
示す。
して低いキュリー点であって、さらに高い保磁力を有
し、室温においてＴＭ副格子磁化が主勢（ＴＭリッチ）
である。第３磁性層４は第１磁性層２と比較して高いキ
ュリー点であり、さらに低い保磁力を有し、室温におい
てＲＥ副格子磁化が主勢（ＲＥリッチ）である。そし
て、第１磁性層２と第３磁性層４は、ともに磁化容易軸
が基板面に垂直であるが、第２磁性層３は室温において
面内磁気異方性で、温度が上昇すると垂直磁気異方性を
示す。
【０００４】上記第２磁性層３は、室温において第１磁
性層２と第３磁性層４間の交換結合を妨げる作用、すな
わち第１磁性層２と第３磁性層４が第２磁性層３を介し
て交換力により結合されていることに起因する実効的な
バイアス磁界（記録磁界）の大きさが、室温に比べて昇
温時に大きくなるように変化するという作用がある。し
たがって、小さなバイアス磁界でオーバーライトが可能
になり、また、記録ビットの安定性が向上するというも
のである（特公平５−２２３０３号参照）。
性層２と第３磁性層４間の交換結合を妨げる作用、すな
わち第１磁性層２と第３磁性層４が第２磁性層３を介し
て交換力により結合されていることに起因する実効的な
バイアス磁界（記録磁界）の大きさが、室温に比べて昇
温時に大きくなるように変化するという作用がある。し
たがって、小さなバイアス磁界でオーバーライトが可能
になり、また、記録ビットの安定性が向上するというも
のである（特公平５−２２３０３号参照）。
【０００５】かかる第２磁性層３は、一般的に交換結合
力調整層（Interface wall energylayer;以下ｉｎｔ．
層という）と呼ばれ、室温付近の比較的低温では面内磁
気異方性で、第１磁性層２と第３磁性層４間の交換結合
を妨げ、室温よりも高温では垂直磁気異方性を示し、第
１磁性層２と第３磁性層４の交換結合をサポートする。
力調整層（Interface wall energylayer;以下ｉｎｔ．
層という）と呼ばれ、室温付近の比較的低温では面内磁
気異方性で、第１磁性層２と第３磁性層４間の交換結合
を妨げ、室温よりも高温では垂直磁気異方性を示し、第
１磁性層２と第３磁性層４の交換結合をサポートする。
【０００６】また、他の従来例として、低いキュリー点
と高い保磁力を有する第１磁性層と、第１磁性層に比べ
て高いキュリー点と低い保磁力を有する第２磁性層とが
交換結合した２層構造の垂直磁化膜を基板上に形成し、
そして、両層の間に、これらの磁性層に比べて小さな磁
壁エネルギーを有する垂直磁化膜である第３磁性層を設
けた技術も提案されている（特開平１−２１１３４３号
参照）。
と高い保磁力を有する第１磁性層と、第１磁性層に比べ
て高いキュリー点と低い保磁力を有する第２磁性層とが
交換結合した２層構造の垂直磁化膜を基板上に形成し、
そして、両層の間に、これらの磁性層に比べて小さな磁
壁エネルギーを有する垂直磁化膜である第３磁性層を設
けた技術も提案されている（特開平１−２１１３４３号
参照）。
【０００７】このような技術においては、外部磁界なし
で第１磁性層と第２磁性層間の界面磁壁が安定に保持さ
れ、かつ外部磁界によって第２磁性層の磁化が容易に反
転されるように、第３磁性層が所望の小さな磁壁エネル
ギーを有する構成にしている。
で第１磁性層と第２磁性層間の界面磁壁が安定に保持さ
れ、かつ外部磁界によって第２磁性層の磁化が容易に反
転されるように、第３磁性層が所望の小さな磁壁エネル
ギーを有する構成にしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そして、かかる従来技
術においては、上記のような第２磁性層３にキュリー温
度が３００℃以上のＧｄＤｙＦｅ合金等が使用され、こ
れによって第３磁性層４から第１磁性層２への高温での
転写が十分となり、オーバーライト動作が安定化する。
術においては、上記のような第２磁性層３にキュリー温
度が３００℃以上のＧｄＤｙＦｅ合金等が使用され、こ
れによって第３磁性層４から第１磁性層２への高温での
転写が十分となり、オーバーライト動作が安定化する。
【０００９】しかしながら、このように高いキュリー温
度の第２磁性層３を使用すると、高温域での転写が十分
におこなわれるが、その反面、第３磁性層４のキュリー
温度（２５０〜２６０℃）付近においても第２磁性層３
の磁気モーメントが残っているために、第３磁性層４の
磁気特性に影響を及ぼし、たとえば、第３磁性層４に記
録ビットを形成しようとすると、それに要する外部磁界
が大きくなるという問題点がある。
度の第２磁性層３を使用すると、高温域での転写が十分
におこなわれるが、その反面、第３磁性層４のキュリー
温度（２５０〜２６０℃）付近においても第２磁性層３
の磁気モーメントが残っているために、第３磁性層４の
磁気特性に影響を及ぼし、たとえば、第３磁性層４に記
録ビットを形成しようとすると、それに要する外部磁界
が大きくなるという問題点がある。
【００１０】したがって本発明は上記事情に鑑みて完成
されたものであり、その目的は書込み層への記録に必要
とする外部磁界を低減させるとともに、転写が十分にお
こなわれるようにしたオーバーライト可能な光磁気記録
媒体を提供することにある。
されたものであり、その目的は書込み層への記録に必要
とする外部磁界を低減させるとともに、転写が十分にお
こなわれるようにしたオーバーライト可能な光磁気記録
媒体を提供することにある。
【００１１】また、本発明の他の目的は組成に対するマ
ージンを多くして製造効率を高めた光磁気記録媒体を提
供することにある。
ージンを多くして製造効率を高めた光磁気記録媒体を提
供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に、記録層と、交換結合力調整層と、書込み
層とを順次積層し、記録層は室温で遷移金属の副格子磁
化が主勢の垂直磁化で、書込み層は記録層との交換結合
時に遷移金属の副格子磁化が主勢の垂直磁化であり、そ
して、交換結合力調整層はキュリー温度が書込み層のキ
ュリー温度以上である層領域と、キュリー温度が書込み
層のキュリー温度以下である層領域とを順次設けてなる
ことを特徴とする。
は、基板上に、記録層と、交換結合力調整層と、書込み
層とを順次積層し、記録層は室温で遷移金属の副格子磁
化が主勢の垂直磁化で、書込み層は記録層との交換結合
時に遷移金属の副格子磁化が主勢の垂直磁化であり、そ
して、交換結合力調整層はキュリー温度が書込み層のキ
ュリー温度以上である層領域と、キュリー温度が書込み
層のキュリー温度以下である層領域とを順次設けてなる
ことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の光磁気記録媒体の
層構成を示す部分断面図である。なお、図２と同一箇所
には同一符号を付す。この光磁気記録媒体において、ガ
ラス、プラスチック等の透光性の材料からなりトラッキ
ング用およびピット（磁区）記録用のランド・グルーブ
（プリグルーブ）が形成された基板１の上に前記記録層
としての第１磁性層２、前記交換結合力調整層としての
第２磁性層５、前記書込み層としての第３磁性層４とを
順次積層し、第２磁性層５においては第１の層領域６と
第２の層領域７とが順次積層された垂直磁気異方性の２
層領域構成である。そして、いずれの層もＲＥとＴＭと
の非晶質合金からなり、たとえばＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、
ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ等であ
る。これらの磁性層はＮｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ等
のＲＥと、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ等のＴＭとを
含む非晶質のＲＥ−ＴＭ合金から成り、たとえば第１磁
性層２はＴｂＦｅＣｏ等、第３磁性層４はＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏ等、第２磁性層５はＧｄＤｙＦｅＣｏやＴｂＦｅＣ
ｏ等のフェリ磁性体から成る。
層構成を示す部分断面図である。なお、図２と同一箇所
には同一符号を付す。この光磁気記録媒体において、ガ
ラス、プラスチック等の透光性の材料からなりトラッキ
ング用およびピット（磁区）記録用のランド・グルーブ
（プリグルーブ）が形成された基板１の上に前記記録層
としての第１磁性層２、前記交換結合力調整層としての
第２磁性層５、前記書込み層としての第３磁性層４とを
順次積層し、第２磁性層５においては第１の層領域６と
第２の層領域７とが順次積層された垂直磁気異方性の２
層領域構成である。そして、いずれの層もＲＥとＴＭと
の非晶質合金からなり、たとえばＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、
ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ等であ
る。これらの磁性層はＮｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ等
のＲＥと、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ等のＴＭとを
含む非晶質のＲＥ−ＴＭ合金から成り、たとえば第１磁
性層２はＴｂＦｅＣｏ等、第３磁性層４はＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏ等、第２磁性層５はＧｄＤｙＦｅＣｏやＴｂＦｅＣ
ｏ等のフェリ磁性体から成る。
【００１４】また、第１磁性層２は第３磁性層４と比較
して低いキュリー点であり、さらに高い保磁力を有し、
室温においてＴＭリッチである。第３磁性層４は第１磁
性層２と比較して高いキュリー点であり、さらに低い保
磁力を有し、室温においてＲＥリッチである。
して低いキュリー点であり、さらに高い保磁力を有し、
室温においてＴＭリッチである。第３磁性層４は第１磁
性層２と比較して高いキュリー点であり、さらに低い保
磁力を有し、室温においてＲＥリッチである。
【００１５】上記第２磁性層５の２層領域については、
第１の層領域６ではそのキュリー温度が第３磁性層４の
キュリー温度以上であり、そして、第２の層領域７では
そのキュリー温度が第３磁性層４のキュリー温度以下に
なるように材料組成を決定する。
第１の層領域６ではそのキュリー温度が第３磁性層４の
キュリー温度以上であり、そして、第２の層領域７では
そのキュリー温度が第３磁性層４のキュリー温度以下に
なるように材料組成を決定する。
【００１６】また、第３磁性層４の上に制御層またはス
イッチング層を、そして、この層の上に初期化層（Init
ializing layer）を積層してもよい。さらに基板１と第
１磁性層２との間、あるいは初期化層の上にアモルファ
ス状態の窒化ケイ素や酸化ケイ素等から成る保護層を形
成して、酸化防止用に供してもよい。
イッチング層を、そして、この層の上に初期化層（Init
ializing layer）を積層してもよい。さらに基板１と第
１磁性層２との間、あるいは初期化層の上にアモルファ
ス状態の窒化ケイ素や酸化ケイ素等から成る保護層を形
成して、酸化防止用に供してもよい。
【００１７】かくして上記構成の本発明光磁気記録媒体
によれば、十分にキュリー点の高い第１の層領域６を設
けても、記録ビットの形成時に第２の層領域７が第１の
層領域６の影響を遮断することから、良好な記録ビット
を低バイアス磁界のもとで形成することができる。
によれば、十分にキュリー点の高い第１の層領域６を設
けても、記録ビットの形成時に第２の層領域７が第１の
層領域６の影響を遮断することから、良好な記録ビット
を低バイアス磁界のもとで形成することができる。
【００１８】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。たとえば、各磁性層を基
板両面に積層したり、あるいはそれぞれの片面に各磁性
層を積層してなる２枚の基板を貼り付けた高記録密度の
光磁気記録媒体としてもよい。また、レーザビームをパ
ルス変調する光強度変調方式によるオーバーライト以外
に、熱磁気記録によるオーバーライトであってもよい。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。たとえば、各磁性層を基
板両面に積層したり、あるいはそれぞれの片面に各磁性
層を積層してなる２枚の基板を貼り付けた高記録密度の
光磁気記録媒体としてもよい。また、レーザビームをパ
ルス変調する光強度変調方式によるオーバーライト以外
に、熱磁気記録によるオーバーライトであってもよい。
【００１９】
【実施例】本発明の実施例を以下に示す。プラスチック
からなるディスク状の基板１の上に、ＲＦスパッタリン
グ装置を用いて第１磁性層２としてのＴｂＦｅＣｏ層
（キュリー温度：２００℃）と、第２の層領域７として
の厚み５０ÅのＴｂ30（Ｆｅ100-X ＣｏX ）層（キュリ
ー温度：１６０〜３７０℃）と、第１の層領域６として
の厚み５０ÅのＧｄ39Ｄｙ4Ｆｅ40Ｃｏ17層（キュリー
温度：３６０℃）と、第３磁性層４としてのＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ層（キュリー温度：２６０℃）とを順次積層し、
さらに基板１と第１磁性層２との間、ならびに第３磁性
層４の上にはアモルファスのＳｉＮからなる保護層を同
様にＲＦスパッタリング装置を用いて積層し、光磁気デ
ィスクを作製した。
からなるディスク状の基板１の上に、ＲＦスパッタリン
グ装置を用いて第１磁性層２としてのＴｂＦｅＣｏ層
（キュリー温度：２００℃）と、第２の層領域７として
の厚み５０ÅのＴｂ30（Ｆｅ100-X ＣｏX ）層（キュリ
ー温度：１６０〜３７０℃）と、第１の層領域６として
の厚み５０ÅのＧｄ39Ｄｙ4Ｆｅ40Ｃｏ17層（キュリー
温度：３６０℃）と、第３磁性層４としてのＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ層（キュリー温度：２６０℃）とを順次積層し、
さらに基板１と第１磁性層２との間、ならびに第３磁性
層４の上にはアモルファスのＳｉＮからなる保護層を同
様にＲＦスパッタリング装置を用いて積層し、光磁気デ
ィスクを作製した。
【００２０】かくして得られた各光磁気ディスクにおい
て、第２の層領域７のＸ値を変えて、記録に要する外部
磁界の強さを測定し、さらに第１磁性層２への第３磁性
層４の転写の強さを測定したところ、表１に示すような
結果が得られた。
て、第２の層領域７のＸ値を変えて、記録に要する外部
磁界の強さを測定し、さらに第１磁性層２への第３磁性
層４の転写の強さを測定したところ、表１に示すような
結果が得られた。
【００２１】
【表１】
【００２２】外部磁界の強さは、記録した光磁気ディス
クにＣ／Ｎ比が飽和する磁界の強さでもっておこない、
その測定条件は光磁気ディスク回転数３６００ｒｐｍ、
記録周波数６．９８ＭＨｚである。また、転写の強さ
は、転写する方向とは逆方向に磁界をかけた状態で転写
する磁界を回転数３６００ｒｐｍ、レーザーパワー１〜
３ｍＷという測定条件下でもっておこない、その評価を
３種類に区分し、○印は逆磁界１０００（Ｏｅ）でも転
写できたものであり、△印は逆磁界６００（Ｏｅ）では
転写したが、１０００（Ｏｅ）では転写しなかった場合
であり、×印は逆磁界３００（Ｏｅ）でも転写しなかっ
た場合である。
クにＣ／Ｎ比が飽和する磁界の強さでもっておこない、
その測定条件は光磁気ディスク回転数３６００ｒｐｍ、
記録周波数６．９８ＭＨｚである。また、転写の強さ
は、転写する方向とは逆方向に磁界をかけた状態で転写
する磁界を回転数３６００ｒｐｍ、レーザーパワー１〜
３ｍＷという測定条件下でもっておこない、その評価を
３種類に区分し、○印は逆磁界１０００（Ｏｅ）でも転
写できたものであり、△印は逆磁界６００（Ｏｅ）では
転写したが、１０００（Ｏｅ）では転写しなかった場合
であり、×印は逆磁界３００（Ｏｅ）でも転写しなかっ
た場合である。
【００２３】上記結果から明らかな通り、３６０℃とい
う高いキュリー温度の第１の層領域６を設けても、試料
Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．４のように第２の層領域７のキュ
リー温度が２６０℃以下であれば、２００（Ｏｅ）以下
の外部磁界で十分な記録がおこなわれた。しかるに試料
Ｎｏ．１と試料Ｎｏ．２では転写が不十分となり、ま
た、試料Ｎｏ．５、６では記録に必要な外部磁界が３０
０（Ｏｅ）以上必要であった。また、試料Ｎｏ．７で
は、外部磁界が６００（Ｏｅ）かけないと十分な記録が
できなかった。
う高いキュリー温度の第１の層領域６を設けても、試料
Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．４のように第２の層領域７のキュ
リー温度が２６０℃以下であれば、２００（Ｏｅ）以下
の外部磁界で十分な記録がおこなわれた。しかるに試料
Ｎｏ．１と試料Ｎｏ．２では転写が不十分となり、ま
た、試料Ｎｏ．５、６では記録に必要な外部磁界が３０
０（Ｏｅ）以上必要であった。また、試料Ｎｏ．７で
は、外部磁界が６００（Ｏｅ）かけないと十分な記録が
できなかった。
【００２４】
【発明の効果】以上の通り、本発明の光磁気記録媒体に
よれば、交換結合力調整層をキュリー温度が書込み層の
キュリー温度以上である層領域と、キュリー温度が書込
み層のキュリー温度以下である層領域とを順次積層して
なる垂直磁気異方性の２層領域により構成したことによ
り、書込み層への記録に必要とする外部磁界を低減させ
るとともに、転写が十分におこなわれ、その結果、オー
バーライト可能な光磁気記録媒体が提供できた。
よれば、交換結合力調整層をキュリー温度が書込み層の
キュリー温度以上である層領域と、キュリー温度が書込
み層のキュリー温度以下である層領域とを順次積層して
なる垂直磁気異方性の２層領域により構成したことによ
り、書込み層への記録に必要とする外部磁界を低減させ
るとともに、転写が十分におこなわれ、その結果、オー
バーライト可能な光磁気記録媒体が提供できた。
【００２５】また、本発明の光磁気記録媒体によれば、
組成に対するマージンを多くして製造効率を高め、これ
によって製造コストを低減させた光磁気記録媒体が提供
できた。
組成に対するマージンを多くして製造効率を高め、これ
によって製造コストを低減させた光磁気記録媒体が提供
できた。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の部分断面図である。
【図２】従来の光磁気記録媒体の部分断面図である。
１ 基板 ２ 第１磁性層 ３、５ 第２磁性層 ４ 第３磁性層 ６ 第１の層領域 ７ 第２の層領域
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、記録層と、交換結合力調整層
と、書込み層とを順次積層して成る光磁気記録媒体であ
って、前記記録層は室温で遷移金属の副格子磁化が主勢
の垂直磁化で、前記書込み層は記録層との交換結合時に
遷移金属の副格子磁化が主勢の垂直磁化であり、かつ前
記交換結合力調整層はキュリー温度が書込み層のキュリ
ー温度以上である層領域と、キュリー温度が書込み層の
キュリー温度以下である層領域とを順次設けてなること
を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31807696A JPH10162439A (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31807696A JPH10162439A (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162439A true JPH10162439A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18095211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31807696A Pending JPH10162439A (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10162439A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6808823B2 (en) | 2001-02-15 | 2004-10-26 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and manufacturing method therefor |
-
1996
- 1996-11-28 JP JP31807696A patent/JPH10162439A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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