JPH10214442A

JPH10214442A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH10214442A
Application number: JP1644697A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Kajiwara; 光広梶原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-01-30
Filing date: 1997-01-30
Publication date: 1998-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】リード耐久性と広いロー記録可能領域を有し、
良好なオーバーライト特性が得られるものとする。【解決手段】Ｍ層２とＷ層４間に設けられ、両層の交換
結合力を調整するｉｎｔ層３とを有する光磁気記録媒体
であって、前記ｉｎｔ層３が、室温でＲＥリッチで、Ｍ
層２のキュリー温度付近でＲＥリッチの垂直磁気異方性
を示す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光強度変調方式等
の熱磁気記録により２値情報をオーバーライト可能で、
カー効果等の磁気光学効果により光磁気的に再生を行う
光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、上向き磁化か下向き磁化とするこ
とにより２値情報（０，１）を記録する記録層（Memory
layerで、以下、Ｍ層と略す）と、Ｍ層よりも高いキュ
リー温度と室温超の所定温度以上で記録層よりも大きな
保磁力を有し、外部のバイアス磁界（記録磁界）により
昇温時に磁化方向が反転可能な記録補助層（Writing la
yer で、以下、Ｗ層と略す）とを基板上に積層して、ダ
イレクトオーバーライト（以下、オーバーライトとい
う）を可能とした光磁気記録媒体（以下、媒体と略す）
が知られている。そして、Ｍ層とＷ層間に、それらの交
換結合力を調整する中間層（交換結合力調整層：Interf
ace wall energy controlling layer で、以下、ｉｎｔ
層という）を設けることで、交換結合力の大きさを所望
の範囲に調整したり、室温よりも昇温時に交換結合力を
大きくするといった構成が提案されている。

【０００３】例えば、低いキュリー温度と高い保磁力を
有し垂直磁気異方性を示す第１磁性層と、これに比べて
相対的に高いキュリー温度と低い保磁力を有し垂直磁気
異方性を示す第３磁性層と、両磁性層間に設けられ、室
温で面内磁気異方性で昇温時に垂直磁気異方性を示す第
２磁性層（中間層）とから成るよう構成することによ
り、第１，第３磁性層間に働く交換力を調整し、室温よ
りも記録が行われる高温でより大きな交換結合力が働く
ようにしたものが提案されている（特開昭６３−３１６
３４３号参照）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のように、室温で面内磁気異方性で昇温時に垂直磁
気異方性であるという特性のｉｎｔ層を用いた場合、そ
の副格子磁化の磁化方向の温度依存性により、オーバー
ライト特性が劣化するという問題があった。すなわち、
前記ｉｎｔ層としてよく使用されるＧｄＦｅＣｏ膜の場
合、その組成比によっては、磁気の異方性が小さくキュ
リー温度直前に垂直磁化膜化する温度幅が狭いために、
Ｍ層とＷ層とが交換結合可能な温度幅が狭く、その交換
結合力も小さくなり、その結果、Ｗ層の磁化方向をＭ層
に十分に転写できなかった。

【０００５】また、ＧｄＦｅＣｏ膜に発現した垂直磁化
による交換結合力も小さすぎ、Ｍ層の磁化方向をｉｎｔ
層を通じてＷ層の交換結合力により反転させるのが難し
くなり、従って、ローパワー記録（以下、ロー記録とい
う）が不可能か、可能であっても再生感度が不十分とな
る。これを回避するために、より希土類元素（Rare Ear
th elementで、以下、ＲＥとする）リッチな組成とし、
補償温度を２００℃付近にして、補償温度前後の磁化に
よる交換結合力を大きくすることもできる。しかし、そ
のキュリー温度が３５０℃以上と高いため、Ｗ層のキュ
リー温度付近でもｉｎｔ層の磁化が十分に残存してい
る。その結果、Ｗ層のみならずＭ層にまでｉｎｔ層を通
して実効的なバイアス磁界が印加されることになり、ハ
イパワー記録（以下、ハイ記録という）時のバイアス磁
界特性が著しく劣化することとなる。

【０００６】ここで、前記ロー記録とハイ記録は、高低
の２レベルにパルス変調されたレーザビームを記録ビッ
トに照射する等の熱磁気的手段により、記録ビット毎に
低温プロセスか高温プロセスのいずれかを設定し、これ
らのプロセスの違いにより異なる２値情報を記録するこ
とを意味する。そして、ロー記録は低温プロセスによ
り、ハイ記録は高温プロセスによる記録に相当する。例
えば、低レベルのレーザビームが照射されたＭ層の記録
ビットは、低温プロセスにより２値情報のいずれかの情
報（例えば”１”）に相当する磁化方向に統一され、高
レベルのレーザビームが照射されたＭ層の記録ビット
は、高温プロセスにより低温プロセスと異なる２値情報
（例えば”０”）に相当する磁化方向に統一される。こ
の場合、一般的に、ハイ記録時にＷ層の磁化方向がバイ
アス磁界により反転し、その反転した磁化方向をＭ層に
転写する。

【０００７】更には、ＧｄＦｅＣｏ膜の場合、キュリー
温度直前に垂直磁化膜化することの再現性がきわめて不
安定である。また、成膜条件のばらつきに起因するｉｎ
ｔ層，Ｍ層及びＷ層の内部応力変動、あるいはこれらの
磁性層の組成のばらつきによって、磁気の異方性やキュ
リー温度は変動するが、特にＧｄＦｅＣｏ膜の場合はこ
れらの特性を均一にかつ再現性良く発現させることは困
難である。

【０００８】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、ｉｎｔ層の副格子磁化の
磁化方向の温度依存性を改善し、良好なオーバーライト
特性を得ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手投】本発明の光磁気記録媒体
は、熱磁気的に磁化方向を制御することにより情報を記
録し光磁気的に再生する垂直磁気異方性の記録層と、該
記録層と交換結合し記録層より高いキュリー温度を有す
る垂直磁気異方性の記録補助層と、前記記録層と記録補
助層との間に設けられ、両層の交換結合力を調整する中
間層とを有する光磁気記録媒体であって、前記中間層
が、室温域で希土類元素の副格子磁化が優勢な面内磁気
異方性を示し、記録層のキュリー温度付近の温度域で希
土類元素の副格子磁化が優勢な垂直磁気異方性を示すこ
とを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の媒体の基本的な磁性層構
成の断面図を図１に示す。同図において、１はポリカー
ボネート等のプラスチック，ガラス等の材料から成り、
プリグルーブが形成されたディスク状の基板、２は垂直
磁化が上向きか下向きかにより２値情報（０，１）を記
録再生するためのＭ層、３は室温域（約２０〜３０℃）
で希土類元素の副格子磁化が優勢（ＲＥリッチ）な面内
磁気異方性を示し、Ｍ層２のキュリー温度付近の温度域
でＲＥリッチな垂直磁気異方性を示すｉｎｔ層、４は高
温でバイアス磁界によって磁化方向が反転可能とされた
Ｗ層、５は低キュリー温度であり、高温でその上下の磁
性層の交換結合を遮断する制御層（Switching Layer
で、以下、Ｓ層と略す）、６は最もキュリー温度が高
く、Ｓ層５とＷ層４の磁化方向を降温時に初期化する初
期化層（Initializing Layerで、以下、Ｉ層と略す）で
ある。そして、上記ｉｎｔ層３以外の磁性層は全動作温
度範囲で垂直磁化膜である。

【００１１】上記各磁性層は、基本的にＣｒ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等の遷移金属元素（Transition Metal e
lementで、以下、ＴＭと略す）と、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ等のＲＥとの非晶質合金から成る。上
記層構成において、基板１とＭ層２との間に、Ｓｉ₃Ｎ
₄，アモルファスＳｉＮ等から成る保護層及びカー回転
角エンハンス層を積層したり、Ｉ層６に更に前記のよう
な保護層を積層してもよい。

【００１２】本発明のｉｎｔ層３は、Ｇｄ_xＦｅ_yＣｏ
_z（３０≦ｘ≦４０，３５≦ｙ≦６５，０≦ｚ≦３０）
とするのが好ましく、ｘが３０未満では保磁力，補償温
度，キュリー温度が膜厚に依存して大きく変化するよう
になり、４０超では全動作温度範囲で垂直磁気異方性を
示さなくなる。また、ｙが３５未満では全動作温度範囲
で垂直磁気異方性を示さなくなり、６５超では保磁力，
補償温度，キュリー温度が膜厚に依存して大きく変化す
るようになる。Ｃｏはなくてもよいが、存在した場合補
償温度とキュリー温度の調節が可能になるという効果が
あり好ましく、ｚが３０超ではバイアス磁界特性、すな
わちＷ層４のバイアス磁界追従性（バイアス磁界依存
性）が劣化する。より好ましくは、３０≦ｘ≦４０，４
０≦ｙ≦６０，５≦ｚ≦２０とするのがよい。

【００１３】また、ｉｎｔ層３のキュリー温度Ｔ_cintは
Ｍ層２のキュリー温度Ｔ_c1よりも小さいことが、ｉｎｔ
層３に起因するＷ層４のバイアス磁界特性を向上させる
という点で好適である。より好ましくは、０℃＜Ｔ_c1−
Ｔ_cint≦４０℃とするのがよく、Ｔ_c1−Ｔ_cintが４０℃
を越えると、ロー記録時にＷ層４からＭ層２への磁化の
転写が可能になる温度（Ｍ層２の保磁力が十分小さくな
る温度）でｉｎｔ層３がキュリー温度に達するため、磁
化の転写ができなくなる。

【００１４】図６は、基本４層（Ｍ層２，Ｗ層４，Ｓ層
５，Ｉ層６）において、光強度変調方式によるオーバー
ライトの基本的なメカニズムを説明する磁化の状態図で
ある（日本応用磁気学会誌 Vol.14,p165-170,NO.2,199
0 参照）。同図において、各磁性層の正味の磁化方向は
ＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の合成ベクトルで表さ
れ、カー効果による情報の読出（再生）にはＴＭ副格子
磁化が関与する。磁気的組成は、Ｍ層２がＴＭリッチ、
Ｗ層４がＲＥリッチ、Ｓ層５がＴＭリッチ、Ｉ層６がＲ
Ｅリッチで、Ｗ層４とＩ層６が室温Ｔ_roomよりも高温で
補償温度を有する。

【００１５】Ｍ層２のキュリー温度をＴ_c1、Ｗ層４のキ
ュリー温度をＴ_c2及び補償温度をＴ_comp2、Ｓ層５のキ
ュリー温度をＴ_c3、Ｉ層６のキュリー温度をＴ_c4及び補
償温度をＴ_comp4とすると、Ｔ_room＜Ｔ_c3＜Ｔ_comp2＜
Ｔ_c1＜Ｔ_comp4＜Ｔ_c2＜Ｔ_c4である。また、低温プロセ
スによるロー記録時の最高温度をＴ_L、高温プロセスに
よるハイ記録時の最高温度をＴ_Hとすると、Ｔ_L≒Ｔ_c1
でＴ_H≒Ｔ_c2である。

【００１６】各磁性層の保磁力と温度の関係は、室温で
はＭ層２の保磁力が最も大きく、次いでＷ層４，Ｉ層
６，Ｓ層５の順である。Ｓ層５は最も保磁力及びキュリ
ー温度が低く、１３０℃程度で磁化が消失する。Ｗ層４
とＩ層６は補償温度付近で保磁力が発散する。また、Ｍ
層２とＷ層４を比較すると、Ｍ層２は相対的に低いキュ
リー温度Ｔ_C1と低い保磁力を有し、Ｗ層４はＭ層２に比
べて相対的に高いキュリー温度Ｔ_C2と高い保磁力を有す
る。これは、両層間に室温で面内磁気異方性のｉｎｔ層
３が存在するため、室温で両層は交換結合せず、その結
果、室温でＷ層４の保磁力をＭ層２よりも低くしてＭ層
２の磁化を安定化させる必要がないことによる。

【００１７】図６において、オーバーライト前の状態
は、Ｔ_roomの状態であり、Ｍ層２のＴＭ副格子磁化が下
向き（最上段左から１番目の状態で、仮に２値情報の”
１”とする）か、若しくはＭ層２のＴＭ副格子磁化が上
向き（最下段左から１番目の状態で、仮に２値情報の”
０”とする）の２状態である。低温プロセスでは、高低
の２レベルにパルス変調されたレーザビームの低レベル
ビームが照射されることにより、前記２状態のいずれか
から出発して昇温され、Ｔ_roomに戻ったときには”１”
状態に統一される。このとき、”０”状態から出発した
場合は、Ｗ層４がＴ_comp2の前後でＴＭ副格子磁化とＲ
Ｅ副格子磁化の大小関係が反転し、Ｔ_comp2よりも高温
で正味の磁化方向が下向きに変化するため、その交換結
合力によりＭ層２の磁化方向を反転させ、”１”状態に
変化する。

【００１８】また、高温プロセスでは、レーザビームの
高レベルビームが照射されることにより、前記２状態の
いずれかから出発して昇温され、Ｔ_roomに戻ったときに
は”０”状態に統一される。この場合、いずれの状態か
ら出発しても、Ｍ層２とＳ層５の磁化が消失しＷ層４の
磁化も消失するかきわめて小さい状態（最下段右から１
又は２番目の状態）まで昇温される。このとき、バイア
ス磁界によりＷ層４の正味の磁化方向が反転し、Ｔ_c1付
近で交換結合力によりＭ層２の磁化方向を揃わせ、”
０”状態とする。降温するにつれ、Ｗ層４はＴ_comp2付
近でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の大小関係が反転
し、Ｔ_roomでＳ層５を通してＩ層６の交換結合力により
初期化される。そして、高温プロセス後の”０”状態で
は、Ｍ層２とＷ層４の各々のＴＭ副格子磁化とＲＥ副格
子磁化の方向が異なるため、その界面に界面磁壁が生じ
る。

【００１９】上記Ｍ層２の記録ビットの状態（”０”又
は”１”）が安定に存在するためには、Ｍ層２の磁化を
Ｍ_SM、厚みをｈ_M、Ｗ層４の磁化をＭ_SW、厚みをｈ_Wと
し、Ｍ層２とＷ層４の磁壁エネルギーをσ_Wで表すと、
Ｈ_CM＞σ_W／（２Ｍ_SMｈ_M），Ｈ_CW＞σ_W／（２Ｍ_SWｈ
_W）という関係が成立すればよい。ただし、Ｈ_CMはＭ層
２の保磁力で、Ｈ_CWはＷ層４の保磁力であり、前記σ_W
／（２Ｍ_SMｈ_M）及びσ_W／（２Ｍ_SWｈ_W）は、Ｍ層２
とＷ層４のそれぞれに働く交換結合力である。この交換
結合力を抑制して、記録ビットの安定性を維持するため
に、中間層（ｉｎｔ層３）を設ける。

【００２０】一方、低温プロセスでは、昇温時にＭ層２
の保磁力が小さくなった際に、交換結合力によってＭ層
２の記録ビットの磁化方向を反転させるために、Ｈ_CM＜
σ_W／（２Ｍ_SMｈ_M）となる必要がある。また、良好な
オーバーライト記録とリード耐久性の点で、以下の３つ
の温度が独立に存在することが重要である。

【００２１】（ａ）Ｍ層２のキュリー温度付近であっ
て、Ｗ層４からＭ層２への磁気転写動作が生じる温度
（ロー記録温度）。

【００２２】（ｂ）Ｗ層４のキュリー温度付近であっ
て、バイアス磁界によるＷ層４への書込み動作が生じる
温度（ハイ記録温度）。

【００２３】（ｃ）Ｓ層５のキュリー温度以下であっ
て、Ｗ層４の初期化動作が生じる温度（初期化温度）。

【００２４】特に、（ａ）のロー記録温度については、
Ｍ層２の磁化反転方向（図６で下向き）とは逆向き（図
６で上向き）のバイアス磁界がかかっていること、再生
時にはバイアス磁界はかかっていないものの、ロー記録
開始温度（ローパワー最小値）と、記録ビットが安定に
維持された状態にある再生時の再生パワー最大値での媒
体温度とは、実際上重要な温度でありながらその差が微
妙である。

【００２５】図２は、それを説明するものであり、Ｍ層
２のレーザパワーに対する磁化の変化を示す。同図中縦
軸のDiff（Differential：微分）出力は、レーザを光磁
気記録媒体に照射した時の反射光の偏光角θ_K、すなわ
ちＭ層２の磁化の大きさ及び方向に相当し、偏光角測定
装置（ナカミチ株式会社製の「ＯＭＳ−２０００」）で
測定したものである。このとき、Ｍ層２，ｉｎｔ層３，
Ｗ層４，Ｓ層５，Ｉ層６の５層を積層した光磁気ディス
クを、回転数３６００ｒｐｍ、記録レーザパワー８ｍ
Ｗ、−３００Ｏｅのバイアス磁界で一旦ハイ記録し、次
いで−３００Ｏｅのバイアス磁界を印加しつつ消去用の
レーザを照射し、そのパワーを上げていったときの、Ｍ
層２の磁化の変化を示す。Diff出力が＋から−に移行し
た領域がロー記録可能領域である。

【００２６】消去レーザパワーが０〜２ｍＷ程度の範囲
が再生時の特性で、５ｍＷ程度以上の範囲がハイ記録時
の特性である。一般的に、ｉｎｔ層３を設けて交換結合
力の大きさのみを調整した場合、交換結合力を小さくす
るとリード耐久性はある、つまり再生可能領域が大きく
なるが、ロー記録可能領域が狭くなりロー記録感度が低
下する。反対に交換結合力を大きくすると、ロー記録可
能領域が拡がるため記録感度は向上するものの、リード
耐久性が劣化してしまう。

【００２７】このような問題を解決するために、本発明
のような、室温で面内磁気異方性であり高温で垂直磁気
異方性を示すという磁気転移温度を有するｉｎｔ層３を
適用することが好適である。図２において、曲線ａが本
発明、曲線ｂが比較例１、曲線ｃが比較例２を示し、本
発明のものは消去レーザパワーに対して急峻な変化を示
し、そのためリード耐久性がありかつロー記録可能領域
も拡大している。

【００２８】また、図３は本発明のｉｎｔ層３の磁核発
生磁界Ｈ_Nの温度による変化を示し、図４は比較例１、
図５は比較例２に相当する。本発明のものはＨ_Nが正
（垂直磁気異方性）の領域が広く（４０℃〜５０℃
幅）、Ｈ_Nの値も大きい。従って、Ｔ₁≒Ｔ_L以下でロ
ー記録する際に、Ｍ層２とＷ層４の交換結合力が大きく
なるとともに交換結合可能な範囲が拡がるため、確実な
ロー記録ができオーバーライト特性が向上する。

【００２９】それに対して、比較例１ではＨ_Nが正の領
域が２０℃幅程度しかないため、ロー記録可能な領域が
狭く、比較例２では室温から常にＨ_Nが正になっている
ため、Ｍ層２とＷ層４の交換結合力がそれらの動作温度
範囲で常に働いており、リード耐久性が劣化する。

【００３０】尚、磁核発生磁界Ｈ_Nとは、磁性体に外部
磁界を印加した場合に、磁性体中に磁区の核が発生した
２状態（磁化方向が反対の状態）の外部磁界の幅であ
り、それが正で値が大きい場合に、大きな垂直磁気異方
性の磁区が発生することになる。

【００３１】かくして、本発明の光磁気記録媒体は、リ
ード耐久性に優れ、かつ広いロー記録可能領域を有し、
その結果、良好なオーバーライト特性が得られるという
作用効果を有する。

【００３２】本発明において、各磁性層を基板１の両面
に積層するか、片面に各磁性層を積層した２枚の基板１
を貼り付けることにより、２倍の記録密度としてもよ
い。また、レーザビームをパルス変調する光強度変調方
式によるオーバーライトに限らず、熱磁気記録によるも
のであれば他の手段によってもオーバーライトできる。

【００３３】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。

【００３４】

【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。まず、図
１に示すような、ポリカーボネートから成るディスク状
の基板１上に、Ｍ層２，ｉｎｔ層３，Ｗ層４，Ｓ層５，
Ｉ層６を積層した光磁気ディスクを作成した。基板１と
Ｍ層２間には、保護層として、Ｙ，ＳｉＮ及びＡｌ₂Ｏ
₃のアモルファスから成るイットリウムサイアロン（Ｙ
ＳｉＡｌＯＮ）層を形成し、Ｉ層６上の最上層には保護
層及び断熱層としてのＡｌ合金（ＡｌＴｉ）層を設け
た。そして、前記各磁性層の諸特性を表１に示す。

【００３５】

【表１】

【００３６】前記光磁気ディスクについて、図２のよう
なロー記録可能領域について測定したところ、約２．５
〜４．５ｍＷで２ｍＷ幅となり、比較例１及び比較例２
の約２．５〜４ｍＷで１．５ｍＷ幅に対し、約３３％拡
大した。同時に、再生可能なレーザパワー最大値も約
２．２ｍＷと２ｍＷを越え、リード耐久性も向上した。
ここで、比較例１はＧｄ₂₈Ｆｅ₅₀Ｃｏ₂₂で、室温で面内
磁気異方性でＴＭリッチ、昇温時に垂直磁気異方性でＴ
Ｍリッチである。比較例２はＧｄ₂₄Ｆｅ₅₄Ｃｏ₂₂で、室
温及び昇温時ともに垂直磁気異方性でＴＭリッチであ
る。

【００３７】そして、前記光磁気ディスクを用い、回転
数３６００ｒｐｍ，ロー記録パワー４．２ｍＷ，ハイ記
録パワー１２ｍＷで、６．９８ＭＨｚの２値情報をバイ
アス磁界−３００Ｏｅでオーバーライトを行った場合、
ロー記録可能領域が拡がったため、記録ビットのエラー
レートは、比較例１，２が約６．２２×１０^-3であった
のに対し、実施例では３．２７×１０^-5というようにオ
ーバーライト特性が向上した。

【００３８】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、ｉｎｔ層３
が室温でＲＥリッチの面内磁気異方性で、Ｍ層２のキュ
リー温度付近でＲＥリッチの垂直磁気異方性を示すこと
により、昇温時に垂直磁気異方性となる領域が広くな
り、その結果、ロー記録可能領域が広がり、またリード
耐久性が向上する。従って、良好なオーバーライト特性
が得られるという優れた効果を有する。

【００３９】また、本発明の光磁気記録媒体は、熱磁気
記録によりオーバーライト可能な媒体であればよく、光
磁気ディスク、光磁気カード、光磁気テープ等に応用可
能なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の磁性層の基本構成の
断面図である。

【図２】ロー記録可能領域を説明するためのグラフであ
る。

【図３】本発明の光磁気記録媒体の磁核発生磁界Ｈ_Nと
温度との関係を示すグラフである。

【図４】比較例１の磁核発生磁界Ｈ_Nと温度との関係を
示すグラフである。

【図５】比較例２の磁核発生磁界Ｈ_Nと温度との関係を
示すグラフである。

【図６】オーバーライトの基本的なメカニズムを説明す
る磁化の状態図である。

【符号の説明】

１：基板２：Ｍ層３：ｉｎｔ層４：Ｗ層５：Ｓ層６：Ｉ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】熱磁気的に磁化方向を制御することにより
情報を記録し光磁気的に再生する垂直磁気異方性の記録
層と、該記録層と交換結合し記録層より高いキュリー温
度を有する垂直磁気異方性の記録補助層と、前記記録層
と記録補助層との間に設けられ、両層の交換結合力を調
整する中間層とを有する光磁気記録媒体であって、前記
中間層が、室温域で希土類元素の副格子磁化が優勢な面
内磁気異方性を示し、記録層のキュリー温度付近の温度
域で希土類元素の副格子磁化が優勢な垂直磁気異方性を
示すことを特徴とする光磁気記録媒体。