JPH1173696A

JPH1173696A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH1173696A
Application number: JP23355397A
Authority: JP
Inventors: Yoshinobu Ishii; 義伸石井
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-08-29
Filing date: 1997-08-29
Publication date: 1999-03-16

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｒ層とＭ層との間の交換結合力を制御すること
で記録時のＲ層からＭ層への影響を小さくし、その結果
記録ノイズが小さくなり、Ｃ／Ｎ比が改善される。【解決手段】基板１上に、Ｒ層３、Ｍ層４、Ｗ層５、Ｓ
層６及びＩ層７の少なくとも５つの磁性層が順次積層さ
れ、これらの磁性層は垂直磁気異方性を有しＲＥとＴＭ
の非晶質合金から成り、Ｒ層３にＰｔ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒの少なくとも１種を含有させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光強度変調方式等
の熱磁気記録により２値情報をオーバーライト可能で、
カー効果等の磁気光学効果により再生を行う光磁気記録
媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光変調ダイレクトオーバーライト
（以下、オーバーライトという）が可能な光磁気記録媒
体（以下、媒体と略す）Ｍ1 の磁性層構成を図２に示
す。同図は、媒体Ｍ1 の部分断面図であり、上向き磁化
か下向き磁化とすることにより２値情報（０，１）を記
録する記録層（Memory layerで、以下、Ｍ層と略す）１
２と、Ｍ層１２よりも高いキュリー温度と室温より高い
所定温度以上でＭ層１２よりも大きな保磁力を有し、外
部のバイアス磁界（記録磁界）により昇温時に磁化方向
が反転可能な記録補助層（Writing layer で、以下、Ｗ
層と略す）１３と、キュリー温度が最も低く高温で磁化
が消失してＷ層１３と初期化層１５間の交換結合力を遮
断する制御層（Switching layer で、以下、Ｓ層と略
す）１４と、これらの磁性層の中で最もキュリー温度が
高く降温時にＳ層１４を通じてＷ層１３の磁化方向を初
期化する初期化層（Initializing layerで、以下、Ｉ層
と略す）１５とを、基板１１上に順次積層して、オーバ
ーライト可能としたものが提案されている。

【０００３】このような、Ｍ層１２，Ｗ層１３，Ｓ層１
４，Ｉ層１５を有するタイプの光強度変調方式によるオ
ーバーライトの基本的なメカニズムを図３により説明す
ると、各磁性層の正味の磁化方向は遷移金属元素（Tran
sition Metal elementで、以下、ＴＭという）副格子磁
化と希土類元素（Rare Earth elementで、以下、ＲＥと
いう）副格子磁化の合成ベクトルで表され、カー効果に
よる情報の読出（再生）にはＴＭ副格子磁化が関与する
（日本応用磁気学会誌 Vol.14,p165-170,NO.2,1990 参
照）。磁気的組成は、Ｍ層１２がＴＭリッチ（ＴＭ副格
子磁化が磁気的に優勢）、Ｗ層１３がＲＥリッチ（ＲＥ
副格子磁化が磁気的に優勢）、Ｓ層１４がＴＭリッチ、
Ｉ層１５がＲＥリッチで、Ｗ層１３とＩ層１５が室温Ｔ
roomよりも高温で補償温度を有する。

【０００４】Ｍ層１２のキュリー温度をＴc1、Ｗ層１３
のキュリー温度をＴc2及び補償温度をＴcomp2 、Ｓ層１
４のキュリー温度をＴc3、Ｉ層１５のキュリー温度をＴ
c4及び補償温度をＴcomp4 とすると、Ｔroom＜Ｔc3＜Ｔ
comp2 ＜Ｔc1＜Ｔcomp4 ＜Ｔc2＜Ｔc4である。また、低
温プロセスによるローパワー記録（以下、ロー記録とい
う）時の最高温度をＴL 、高温プロセスによるハイパワ
ー記録（以下、ハイ記録という）時の最高温度をＴH と
すると、ＴL ≒Ｔc1でＴH ≒Ｔc2である。尚、ロー記録
及びハイ記録は、高低の２値にパルス変調されたレーザ
ビーム等を媒体に照射することにより行われ、低レベル
のレーザビームの照射部（ピット）でロー記録、高レベ
ルのレーザビームの照射部（ピット）でハイ記録とな
る。また、Ｔroomは約２０℃〜約３０℃の室温である。

【０００５】各磁性層の保磁力と温度の関係は、室温で
はＭ層１２の保磁力が最も大きく、次いでＷ層１３，Ｉ
層１５，Ｓ層１４の順である。Ｓ層１４は最も保磁力及
びキュリー温度が低く、１００〜１３０℃程度で磁化が
消失する。Ｗ層１３とＩ層１５は補償温度付近で保磁力
が発散し、非常に大きくなる。また、Ｍ層１２とＷ層１
３を比較すると、Ｍ層１２は相対的に低いキュリー温度
Ｔc1と室温で高い保磁力を有し、Ｗ層１３はＭ層１２に
比べて相対的に高いキュリー温度Ｔc2と室温で低い保磁
力を有する。

【０００６】同図において、オーバーライト前の状態は
室温Ｔroomの状態であり、Ｍ層１２のＴＭ副格子磁化が
下向き（最上段左から１番目の状態で、仮に２値情報
の”１”とする）か、若しくはＭ層１２のＴＭ副格子磁
化が上向き（最下段左から１番目の状態で、仮に２値情
報の”０”とする）の２状態のいずれかである。低温プ
ロセスでは、高低の２レベルにパルス変調されたレーザ
ビームの低レベルビームが照射されることにより、前記
２状態のいずれかから出発して昇温され、室温Ｔroomに
戻ったときには”１”状態に統一される。このとき、”
０”状態から出発した場合は、Ｗ層１３がＴcomp2 の前
後でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の大小関係が反転
し、Ｔcomp2 よりも高温で正味の磁化方向が下向きに変
化するため、その交換結合力によりＭ層１２の磁化方向
を反転させ、”１”状態に変化する。

【０００７】また、高温プロセスでは、レーザビームの
高レベルビームが照射されることにより、前記２状態の
いずれかから出発して昇温され、Ｔroomに戻ったときに
は”０”状態に統一される。この場合、いずれの状態か
ら出発しても、Ｍ層１２とＳ層１４の磁化が消失しＷ層
１３の磁化も消失するかきわめて小さい状態（最下段右
から１又は２番目の状態）まで昇温される。このとき、
バイアス磁界によりＷ層１３の正味の磁化方向が反転
し、Ｔc1付近で交換結合力によりＭ層１２の磁化方向を
揃わせ、”０”状態とする。降温するにつれ、Ｗ層１３
はＴcomp2 付近でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の大
小関係が反転し、室温ＴroomでＳ層１４を通してＩ層１
５の交換結合力により初期化される。そして、高温プロ
セス後の”０”状態では、Ｍ層１２とＷ層１３の各々の
ＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の方向が異なるため、
その界面に界面磁壁が生じる。

【０００８】このようなオーバーライト動作が可能な媒
体において、垂直磁気異方性を有する少なくとも２つの
磁性層（Ｍ層，Ｗ層）が積層されてなり、これらの磁性
層のいずれか一方又は両方に、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ，Ｃｕ又はＩｎからなる非磁性元素を０．５ａｔｍ％
以上添加することにより、両磁性層間に働く交換結合力
を制御することが提案されている（特開昭６４−７６５
４９号公報参照）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、非磁性元素の含有量が多くなると、非磁性元
素の反射率が４０〜５０％と低いため反射光量が低下
し、かつＭ層のカー回転角が小さくなり、その結果、Ｍ
層のＣ／Ｎ比等の読出特性が劣化するという問題点があ
った。

【００１０】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、読出層（Reading layer
で、以下、Ｒ層という）とＭ層との間の交換結合力を制
御することにより、Ｃ／Ｎ比、記録ノイズ等の読出特性
を向上させ、良好なオーバーライト特性を得ることにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手投】本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に、読出層、記録層、記録補助層、制御層及
び初期化層の少なくとも５つの磁性層が順次積層され、
これらの磁性層は垂直磁気異方性を有し希土類元素と遷
移金属元素の非晶質合金から成り、前記読出層にＰｔ，
Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒの少なくとも１種
を含むことを特徴とし、上記構成によりＲ層とＭ層との
間の交換結合力を制御するとともに、Ｃ／Ｎ比、記録ノ
イズ等の読出特性の劣化を防止し、良好なオーバーライ
ト特性が得られる。また、Ｒ層の膜厚を厚くすることに
より、Ｒ層とＭ層との間の交換結合力を所望の程度に弱
めることでき、記録信号のキャリアレベルが増大し、Ｃ
／Ｎ比が改善される。

【００１２】好ましくは、Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ａｇ，Ｉｒの含有量は１〜１０ａｔ％（原子％）で
あり、またＲ層の組成は（Ｇｄ_aＦｅ_bＣｏ_c）_100-X
Ｍ_X（Ｍ＝Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒ
で、２０≦ａ≦４０，２０≦ｂ≦６０，２０≦ｃ≦４
５，Ｘ＝１〜１０）である。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の媒体Ｍの基本的な磁性層
構成の部分断面図を図１に示す。同図において、１はポ
リカーボネート等のプラスチック，ガラス等の透明材料
から成り、プリグルーブが形成されたディスク状の基
板、２はサイアロン（Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶質
膜），イットリウムサイアロン（Ｙ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，
Ｎの非晶質膜），Ｓｉ₃Ｎ₄，ＳｉＯ₂等から成る保護
層である。

【００１４】また、３はＭ層４からの磁化を転写して読
取り専用とされたＲ層、４は垂直磁化が上向きか下向き
かにより２値情報（０，１）を記録するためのＭ層、５
は高温でバイアス磁界によって磁化方向が反転可能とさ
れたＷ層、６は低キュリー温度であり、高温でその磁化
が消失して上下の磁性層の交換結合を遮断するＳ層、７
はＳ層６とＷ層５の磁化方向を降温時に初期化するＩ層
である。

【００１５】そして、８はサイアロン，イットリウムサ
イアロン，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＡｌＴｉ，ＳｉＯ₂等から成る
保護層である。前記保護層２，８は磁性層の損傷、酸化
を防止するために設けられる。そして、上記各磁性層は
全動作温度範囲（室温〜約３００℃）内で垂直磁気異方
性を示す。

【００１６】上記各磁性層は、基本的にＣｒ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等のＴＭと、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｈｏ等のＲＥとの非晶質合金から成る。例えば、
各磁性層はＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ等から成る。そして、これらの磁性層及
び上記保護層２，８はスパッタリング法等の薄膜形成法
により成膜される。

【００１７】本発明のＲ層３に含まれるＰｔ，Ａｕ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒは、光の反射率が８５〜９
５％と高く、そのため含有量が多くなっても読出特性が
ほとんど劣化しない。また、Ｐｔ等を含有させることに
より、Ｒ層３とＭ層４との間の交換結合力を弱くするこ
とができ、そのためＷ層５からＭ層４へ情報を記録する
際にＲ層３からの影響が小さくなり、記録ノイズが小さ
くなる。その結果Ｃ／Ｎ比が改善され読出特性が向上す
る。更に、前記交換結合力を弱めることでＲ層３の膜厚
を厚くすることができ、記録信号のキャリアレベルが増
大し、Ｃ／Ｎ比を更に改善できる。

【００１８】また、上記Ｐｔ等は、Ｒ層をスパッタリン
グ法により成膜する際に、Ｒ層用のターゲットに予め合
金として含有させて一元スパッタ成膜を行う、又はＲ層
用のターゲットと別個のターゲットを併用して二元スパ
ッタ成膜を行うことにより、Ｒ層中に非晶質（アモルフ
ァス）状態で含まれることになる。

【００１９】そして、Ｒ層３はＰｔ等の少なくとも１種
を１〜１０ａｔ％（原子％）含有するのがよく、１ａｔ
％未満ではＲ層３とＭ層４との間の交換結合力を制御す
ることができず、１０ａｔ％を超えるとＲ層３のキャリ
アレベルが低下してＣ／Ｎ比が劣化する。勿論、Ｐｔ，
Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒの２種以上を混合
してＲ層３に含ませてもよい。

【００２０】ここで、Ｒ層に含まれるＰｔ等の検出分析
方法としては、オージェ電子分光分析（Auger Electron
Spectroscopy ：ＡＥＳ）法、Ｘ線光電子分光分析（X-
RayPhotoelectron Spectroscopy：ＸＰＳ）法がある。
ＡＥＳ法では、薄膜の深さ方向の元素の分布状態が測定
でき、また試料表面上で照射電子線を走査することによ
り元素の分布状態が判る。ＸＰＳ法では元素の化学結合
状態も解析可能である。これらの分析方法により測定さ
れた各元素の分光スペクトルを解析すること、例えば各
スペクトルの全積分値に対する検出対象元素のスペクト
ルの積分値から、容易に検出対象元素の組成比を算出す
ることができる。

【００２１】本発明のＲ層３は補償温度が約８０℃〜約
１２０℃であるのが好ましく、この範囲からはずれると
再生時の垂直磁化が弱くなり、Ｃ／Ｎ比等が劣化する。
Ｒ層３のキュリー温度は約３００℃〜約４００℃が好適
であり、３００℃未満ではカー回転角不足でＣ／Ｎ比が
低下し、４００℃超では垂直磁化が困難になる。

【００２２】上記のようなＲ層３の組成としては、（Ｇ
ｄ_aＦｅ_bＣｏ_c）_100-XＭ_X（Ｍ＝Ｐｔ，Ａｕ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒで、２０≦ａ≦４０，２０
≦ｂ≦６０，２０≦ｃ≦４５，Ｘ＝１〜１０）が好まし
く、この場合上記のような本発明の効果を有し、かつ約
８０℃〜約１２０℃の補償温度と約３００℃〜約４００
℃のキュリー温度を実現できる。

【００２３】また、Ｒ層３の厚みは約１００Å〜約４０
０Åが良く、１００Å未満ではＣ／Ｎ比が低下し、４０
０Å超ではオーバーライトが困難になる。より好ましく
は、約１００Å〜約３００Åであり、３００Å以下では
記録ノイズの増加なしでＣ／Ｎ比を改善できる。

【００２４】上記のようにＲ層３の厚さを比較的厚くで
きるのは、厚くするとＲ層３とＭ層４間の交換結合力が
低下し、Ｍ層４への影響を小さくできることによる。即
ち、Ｒ層３はキュリー温度がかなり高いので記録時に磁
気モーメントが十分に存在しており、またＲ層３は保磁
力が非常に小さいため、磁区の形成範囲が広く、これが
Ｗ層５からＭ層４へ磁化を転写する際に影響を与え、磁
化の転写が忠実に行われ難くくなる。つまり、記録ノイ
ズの増加及びＣ／Ｎ比の劣化に繋がり、これを改善させ
る上でＲ層３を厚くすることは好適である。

【００２５】一方、Ｍ層４については、室温でＲ層３よ
りも高い保磁力及びＲ層３の補償温度でＲ層３よりも低
い保磁力を有するものであり、そのキュリー温度は約１
８０℃〜約２４０℃が好適であり、１８０℃未満ではＣ
／Ｎ比が低下し、２４０℃超ではＷ層５のキュリー温度
と同等以上となるため、Ｗ層５からＭ層４へ磁化を転写
する際の転写可能な温度幅が狭くなり、記録パワーの設
定が困難になる。

【００２６】また、Ｍ層４の組成はＴｂＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等が良く、その組成比は２０ａｔ％≦Ｔｂ
≦３０ａｔ％，０ａｔ％≦Ｄｙ≦１０ａｔ％，５０ａｔ
％≦Ｆｅ≦７５ａｔ％，０ａｔ％＜Ｃｏ≦１５ａｔ％
が、キュリー温度が約１８０℃〜約２４０℃となる。

【００２７】Ｍ層４の厚みは約１００Å〜約３００Åが
よく、１００Å未満ではＭ層４の交換結合力が強すぎＲ
層３を厚くすることが困難になり、３００Å超ではＷ層
５からＭ層４への交換結合力による磁化の転写が困難に
なる。

【００２８】そして、Ｗ層５，Ｓ層６，Ｉ層７について
は基本的に従来のものと同様であるが、Ｗ層５をＴＭリ
ッチとして補償温度のないものとし、かつ室温でＷ層５
の保磁力が最も大きく、次いでＭ層４，Ｉ層７，Ｓ層
６，Ｒ層３の順となるように構成することもできる。こ
の場合、バイアス磁界依存性が改善され、オーバーライ
トを確実に安定的に行うことができる。

【００２９】本発明は、基本的にＲ層３，Ｍ層４，Ｗ層
５，Ｓ層６，Ｉ層７の少なくとも５層を有しており、Ｍ
層４とＷ層５との間に交換結合力調整層（Interface wa
ll energy controlling layer で、以下、ｉｎｔ層とい
う）を設けてもよく、その場合、Ｍ層４とＷ層５間に働
く交換結合力を少なくとも室温で遮断することにより、
Ｗ層５の初期化及び昇温時におけるＷ層５からＭ層４へ
の磁化方向の転写をスムーズにできる。

【００３０】本発明によるオーバーライトの基本的なメ
カニズムは図３と同様であり、本発明の場合同図ではＭ
層４上にＲ層３が存在し、降温時にＭ層４の磁化がＲ層
３に転写される点が異なる。

【００３１】かくして、本発明の光磁気記録媒体は、Ｒ
層３とＭ層４との間の交換結合力を弱くすることで、Ｍ
層４へＷ層５から情報を記録する際にＲ層３からの影響
が小さくなり、記録ビットの形状が良好になり記録ノイ
ズが小さくなる。その結果Ｃ／Ｎ比が改善され読出特性
が向上する。更に、Ｒ層３の膜厚を厚くすることで、前
記交換結合力を弱めることができ、記録信号のキャリア
レベルが増大し、Ｃ／Ｎ比を更に改善できるという作用
効果を有する。

【００３２】本発明において、各磁性層を基板の両面に
積層するか、片面に各磁性層を積層した２枚の基板を貼
り付けることにより、２倍の記録密度としてもよい。ま
た、レーザビームをパルス変調する光強度変調方式によ
るオーバーライトに限らず、熱磁気記録によるものであ
れば他の手段によってもオーバーライトできる。

【００３３】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。

【００３４】

【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。

【００３５】（実施例１）まず、図１に示すように、ポ
リカーボネートから成るディスク状の基板１上に、アモ
ルファスＳｉＮ（８００Å）から成る保護層２を成膜し
た。

【００３６】次いで、ＲＥリッチ，膜厚約２００Å，保
磁力１ｋＯｅ，キュリー温度約３５０℃，補償温度約１
００℃の（Ｇｄ₃₃Ｆｅ₂₂Ｃｏ₄₅）_100-XaＰｔ_Xa又は（Ｇ
ｄ₃₃Ｆｅ₂₂Ｃｏ₄₅）_100-XbＡｕ_XbからなるＲ層３、ＴＭ
リッチ，膜厚約２００Å，保磁力約８ｋＯｅ，キュリー
温度約１８０℃のＴｂ₂₂Ｆｅ₇₃Ｃｏ₅からなるＭ層４、
ＲＥリッチ，膜厚約２００Å，保磁力約７ｋＯｅ，キュ
リー温度約２４０℃，補償温度約１５０℃のＤｙ₂₇Ｆｅ
₄₀Ｃｏ₃₃からなるＷ層５、ＴＭリッチ，膜厚約１００
Å，保磁力約４ｋＯｅ，キュリー温度約１３０℃のＴｂ
₂₂Ｆｅ₇₈からなるＳ層６、ＲＥリッチ，膜厚約２００
Å，キュリー温度約３１０℃，補償温度約２２０℃のＴ
ｂ₂₂Ｆｅ₁₀Ｃｏ₆₈からなるＩ層７を積層した。

【００３７】更に、アモルファスＳｉＮ（８００Å）か
ら成る保護層８を順次スパッタリング法により成膜し、
保護層８の上に紫外線防止用の樹脂層をコートして光磁
気ディスクを作製した。

【００３８】上記構成において、Ｒ層３のＰｔの含有量
Ｘ＝Ｘａ（ａｔ％）とＡｕの含有量Ｘ＝Ｘｂ（ａｔ％）
を種々の値としたときの記録ノイズ（ｄＢ）、Ｃ／Ｎ比
（ｄＢ）を表１と表２に示す。尚、記録ノイズとは、記
録情報の消去時（イレース時）と単一周波数で情報を記
録したときのＲ層３のノイズレベルの差であり、一般的
に情報を記録したときのノイズレベルが大きくなる。

【００３９】また、オーバーライトは以下のようにして
行った。最初に回転数３０００ｒｐｍ、初期化磁界５ｋ
Ｏｅで１２ｍＷのレーザビームを基板１側から照射して
初期化し、その後、バイアス磁界３００Ｏｅの下で１０
ｍＷと３ｍＷにパルス変調されたレーザビームを基板１
側から照射して、６．９６ＭＨｚ，デューティー２０％
の信号を２回オーバーライトし、１．５ｍＷの再生用レ
ーザで再生した。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】表１に示すように、実施例（ＮＯ．１〜
５）のものはいずれもＣ／Ｎ比が実用的に十分な４８．
５ｄＢを超えており、記録ノイズも小さい。これに対し
て、比較例（ＮＯ．６）ではＰｔが含まれていないため
記録ノイズが大きく、Ｃ／Ｎ比が劣化した。また、他の
比較例（ＮＯ．７）では記録ノイズは小さいが、キャリ
アレベルが低下しているためＣ／Ｎ比が劣化した。表２
においても、同様の結果が得られた。

【００４３】また、ＰＴ，Ａｕの代わりにＲｕ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒを使用した場合も同様の結果が得られ
た。

【００４４】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、Ｒ層にＰ
ｔ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒの少なくとも
１種を含有させることにより、光の反射率が８５〜９５
％と高いＰｔ等は含有量が多くなっても読出特性がほと
んど劣化せず、また、Ｐｔ等を含有させることにより、
Ｒ層とＭ層との間の交換結合力を弱くすることができ、
そのため記録時のＲ層からＭ層への影響が小さくなり、
記録ノイズが小さくなり、その結果Ｃ／Ｎ比が改善され
読出特性が向上する。

【００４５】更に、前記交換結合力を弱めることでＲ層
からＭ層への影響が小さくなり、またＲ層の膜厚を厚く
することで交換結合力を弱めることができる。そもそも
Ｒ層はＭ層よりもキュリー温度が高くθk （カー回転
角）も大きいので、厚くすることにより記録信号のキャ
リアレベルが増大しＣ／Ｎ比が向上する。従来、Ｒ層の
厚みが１００Å程度以下だったのが、本発明により記録
ノイズを増加させずに３００Å程度まで厚くすることが
できた。

【００４６】また、本発明の光磁気記録媒体はオーバー
ライト可能な媒体であればよく、光磁気ディスク、光磁
気カード、光磁気テープ等に応用可能なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体Ｍの磁性層構成の部分
断面図である。

【図２】従来の光磁気記録媒体Ｍ１の磁性層構成の部分
断面図である。

【図３】従来の光磁気記録媒体Ｍ１のオーバーライト動
作のメカニズムを説明する磁化の状態図である。

【符号の説明】

１：基板２：保護層３：Ｒ層４：Ｍ層５：Ｗ層６：Ｓ層７：Ｉ層８：保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、読出層、記録層、記録補助層、
制御層及び初期化層の少なくとも５つの磁性層が順次積
層され、これらの磁性層は垂直磁気異方性を有し希土類
元素と遷移金属元素の非晶質合金から成り、前記読出層
にＰｔ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒの少なく
とも１種を含むことを特徴とする光磁気記録媒体。