JPS6364651A - 転写層を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気
記録媒体及び光磁気再生方法に関する。

特に本発明はオーバーライト（ａｖｅｒ　ｗｒｉｔｅ　
）可能な光（ｎ気記録方法、オーバーライト可能な光磁
気記録媒体及びその再生方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、高ぎ度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装で及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情幸９を使用した後、消去することができ、新た
な情報を記録することができるというユニークな利点の
ために、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　１
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ、、ＧｄＦｅＣｏ、　ＴｂＦ
ｅ、　ＴｂＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏなどからなる。記録層
は一般に同心円状又はらせん状のトラックを成しており
、このトラックの上に情報が記録される。ここで、本明
細書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒ４）　Ｊ又
は［下向き（ｄｏｗｎｌｌａｒｄ）　Ｊの何れか一方を
、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録す
べき情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向
き」の磁化を有するビット（Ｂ１）と、「逆Ａ向き」の
磁化を有するビット（Ｂｏ）の２つの信号で記録される
。これらのピッ）Ｂ＋、ｎｏは、デジタル信号の１．０
の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、−ｉ
には記録されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部
磁場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる
。この処理は初期化（ｉｎｉ　ｔｉａｌｉｚｅ）と呼ば
れる。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するビ
ット（Ｂ、）を形成する。情報は、このビット（Ｂ、）
の有無及び／又はビット長によって記録される。

ざｄ口詔列顎凰： ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラ、り表面に照射され、
記録層に幅が１μｍ以下のビットを形成することにより
情報が記録される。

光学的記録においては、理論的に 約１０８ビフト／−までの記録密度を達成することがで
きる。何故ならば、レーザビームはその波長とほとんど
同じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（ｃｏ
ｎｃｅｎ　ｔｒａ　ｔｅ）することが出来るからである
。

第１図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。

そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ　（ｃ
ｏｅｒｓ　ｉ　ｖ　ｉ　ｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ
）より小さくなる。その結果、その部分の磁化は、記録
磁界（Ｈｔ＋）の向きに並ぶ。こうして逆に磁化された
ビットが形成される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｃの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリ一点付近
で減少するＨｃを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリ一点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリ一点より低い補償１県度
（ｃｏｍｐｅｒ＋５ａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ）を有しており、そこでは磁化（Ｍ）はゼロになる。

逆にこの温度付近でＨｃが非常に大きくなり、その温度
から外れるとＨｃが急激に低下する。この低下したＨｃ
は、比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち負かされ
る。つまり、記録が可能になる。この記録プロセスはＴ
　ｃｏ□、書込み（補償点書込み）と呼ばれる。

もっとも、キュリ一点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｅを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｃを打ち負かせる記ｉ３ｍ界（Ｈｂ　
）を印加すれば、記録は可能である。

再生食凰ユニ 第２図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す。

光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（１
）を透過する。

このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一〇に度傾けた面に垂直にセットしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたビット（８つ）から反射された
光はアナライザーを透過することができない。それに対
して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）から反射さ
れた光は、（ｓｉｎ２θｋ）ｚを乗じた分がアナライザ
ーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ１）
は「逆Ａ向き」に磁化されたビット　（Ｂｏ）よりも明
るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生さ
せる。このディテクターからの電気信号は、記録された
情報に従って変調されるので、情報が再生されるのであ
る。

ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）媒
体を再び初期化装置で初期化するか、又は（１１）記録
装置に記録へラドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（ｉｉｉ　）予め、前段処理として記録装置又は消去
装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。

従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情報
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライトは、不可能とされていた。

もっとも、もし記録磁界（Ｈｂ）の向きを必要に応じて
「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間に自由に変えることが
できれば、オーバーライトが可能になる。しかしながら
、記録磁界（Ｈｂ）の向きを、高速度で変えることは不
可能である。例えば、記録磁界（Ｈｂ）印加手段が永久
磁石である場合には、磁石の向きを機械的に反転させる
必要がある。しかし、磁石の向きを高速で反転させるこ
とは、無理である。記録磁界（Ｈｂ）印加手段が電磁石
である場合にも、大容量の電流の向きをそのように高速
で変えることは不可能である。

そこで、本発明者らは、先に、記録（Ｒ界（Ｈｂ）をＯ
Ｎ、ＯＦＦせずに又は記録磁界（Ｈｂ）の向きを変えず
に、光を変調することによりオーバーライト可能な光磁
気記録媒体と記！３装置と記録方法を発明し、特許出願
した（特願昭６０−１２６７７５号）。

この出願は、本願の出願日時点ではまだ公開されていな
い。以下、「先願」と引用する。

しかし、先願発明で使用される媒体の記録層（第１層）
は、現在のところ磁気光学効果の比較的小さい材料しか
入手できず、そのため再生し１こ場合Ｃ／Ｎ比が比較的
低いという問題点があった。

本発明の目的は、先願発明を改良してＣ／Ｎ比を高くす
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の特徴は、記録層（第１層）に接して、それより
磁気光学効果の高い転写層を第３層として設け、記録層
に記録された情報を転写層に転写させ、ここに直線偏光
を照射して情報を光磁気再生方式に従い再生するもので
ある。

つまり、本発明は第一に、光磁気記録媒体の記録層に対
して、情報を上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットで記録する光磁気記録方法において、 その方法が、 （ａ）前記媒体として、垂直磁気異方性を有する第１層
を記録層とし垂直磁気異方性を有する第２層を記録補助
層とし第１層に記録された情報を転写する第１層より磁
気光学効果の高い第３層を転写層とする多層光磁気記録
媒体を使用すること： （ｂ）前記媒体を移動させること： （ｃ）初期補助磁界を印力Ｕすることによって、記録す
る前までに、記録層の磁化はそのままにしておき、記録
補助層の磁化のみを、上向き又は下向きの何れか一方に
揃えてお（こと； （ｄ）　レーザービームを媒体に照射すること；（ｅ）
前記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従いパルス状
に変調すること； （ｆ）前記ビームを照射した時、照射部分に記録磁界を
印加すること； （ｇ）前記パルス状ビームの強度が高レベルの時に上向
き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビットの何
れか一方を形成させ、ビーム弾度が低レベルの時に、他
方のビットを形成させること； からなるオーバーライト可能な光磁気記録方法を提供す
る。

〔作用〕

本発明の方法では、レーザービームは、記録すべき情報
に従いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は
、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値
化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既
知の手段である。例えば、ＴＨＥ　　ＢＥＬＬ　　ＳＹ
ＳＴＥＭ　　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　　ＪＯＵＲＮＡＬ。

Ｖｏｌ、６２（１９８３）、１９２３−１９３６に詳し
く説明されている。

本発明に於いて詩学的なことの１つは、ビーム強度の高
レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レベル
の時に、記録磁界（ｌ（ｂ）により記録補助層の「Ａ向
きＪ磁化を「逆Ａ向き」に反転（ｒｅｖｅｒｓｅ）させ
、この記録補助層の「逆Ａ向き」磁化によって記録層に
「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビッ
トを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、記録補助
層の「Ａ向き」磁化によって記録層に「Ａ向きＪｉｆｆ
化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットを形成する
。

必要な高レベルと低レベルが与えられれば、前述の変調
手段を部分的に修正するだけで、ビーム強度を本発明に
従い変調することは、当業者にとって容易であろう。

なお、本明細書では、 ＯＯ〔はΔΔΔ〕という表現は、先に〔〕の外の○○Ｏ
を読んだときには、以下のΩΩΩ−しく見ＡばＸへ〕の
ときにも、〔〕の外の○○○を読むことにする。それに
対して先に０００を読まずに〔〕内のΔ△△の方を選択
して読んだときには、以下の０００　（又は△△Δ〕の
ときにもＯ○○を読まずに〔〕内の△ΔΔを読むものと
する。

すでに知られているように、記録をしない時にも、例え
ば媒体における所定の記録場所をアクセスするためにレ
ーザービームを非常な低レベル”で点灯することがある
。また、レーザービームを再生に兼用するときには、非
常な低レベル０の強度でレーザービームを点灯させるこ
とがある。本発明においても、レーザービームの強度を
この非常な低レベル“にすることもある。しかし、ビッ
トを形成するときの低レベルは、この非常な低レベル１
よりも高い。従って、例えば、本発明におけるレーザー
ビームの出力波形は、次の通りになる。

ビーム強度 値化情報の例　　　１１１００１１１１０００本発明で
は、記録するときには、 （ａ）光磁気記録媒体を移動させる手段；（ｂ）初期補
助磁界印加手段； （ｃ）　レーザービーム光源； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビ
ットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な温度
を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを形成
させるのに過当な温度を媒体に与える低レベルとにパル
ス状に変調する手段； （ｅ）前記初期補助磁界印加手段と兼用されることがあ
り得る記録磁界印加手段； からなるオーバーライト可能な光磁気記録袋ｆｆｌを使
用する。

ここで使用される変調手段は、ビーム強度の高レベルと
低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修正す
るだけで入手できる。当業者にとって、そのようなイサ
正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与えられれば
、容易であろう。

また、本発明は、垂直磁気異方性を有する第１層を記！
３層とし、垂直磁気異方性を有する第２層を記録補助層
とし、第１Ｎに記録されたｔ情報を転写する第１層より
磁気光学効果の高い第３層を転写層とするオーバーライ
ト可能な多層光磁気記録媒体を提供する。

本発明で使用される媒体は、第１実施態様と第２実施Ｌ
ｉ様とに大別される。いずれの実施態様においても、記
録媒体は、多層構造を有し、この構造は次のように分け
られる。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記録
層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保磁力
が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。第３層は
、第１層に接して設けられて第１層の情報を転写するも
ので、第１層より磁気光学効果が高く室温で保磁力が小
さい転写層である。いずれも垂直磁化膜からなる。なお
、第１層と７ＦＪ２層ともに、それ自体多層膜から構成
されていでもよい。場合により第１層と第２層との間に
第４の層が存在していてもよい。更に第１怨と第２Ｎと
の間に明確な境界がなく、一方から徐々に他方に変わっ
てもよい。

第１実施態様では、記録層１の保磁力をＨ６い記録補助
層２のそれをＨＣｌ、記録層１のキュリ一点をＴＣｌ、
記録補助層２のそれをＴ、２、室温をＴ１、低レベルの
レーザービームを晴ｑ射した時の記録媒体の温度をＴＬ
、高レベルのレーザービームを照射した時のそれをＴＨ
１記録層１が受ける結合磁界をＨ９い記録補助層２が受
ける結合磁界をＨＤよとした場合、記録媒体は、下記の
式１を満足し、そして室温で式２〜５を満足するもので
ある。

Ｔ　＊　＜　Ｔ　ｃ　＋　ｂ　Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　Ｃ２”
ｉ　Ｔ　ｘ　−−−−−一一−〜式ＩＨｃ＋　＞　ＨＣ
ｌ　＋　］Ｈｏｔ　＋　ＨＣｌ２−−−−−−−−一式
２Ｈｅ　＋　＞　Ｈｏ　＋　　−−−−−−−−・−−
一一一−−−−−−−・−・−−−一−−−・−−−−
−−−一式３’　ｃ　ｚ　＞ＨＤ２　・−−−−−−−
一−−−−−−，，，，，，，，−，、、−、、、−、
、、、、、、−、、、−、、、、、、、一式４Ｈｃｚ　
＋　Ｈ１１２＜　　ＩＨｉｎｉ、　　１＜　Ｈｃ＋±Ｈ
Ｄ　＋　’−”−”’式５上記式中、符号「ｚ」は、等
しいか又はほぼ等しいことを表す。また上記式中、複合
上、；については、上段が後述するＡ　（ａｎｔｉｐａ
ｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であり、下段は後述
するＰ（ｐａｒａｌｉｅ＋）タイプの媒体の場合である
。なお、フェロ磁性体及び静磁結合した媒体はＰタイプ
に属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次の
如くなる。細線は記録層１のそれを、太線は記録補助層
２のそれを表す。

Ｔ　Ｌ　　　　　　　　Ｔ　Ｍ 従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Ｈｉｎｉ
、）を印加すると、式５によれば、記録Ｎ１の磁化の向
きは反転せずに記録補助層２の磁化のみが反転する。そ
こで、記録前に媒体に初期補助磁界（Ｈｉｒ＋４．）を
印加すると、記録補助層２のみを「Ａ向き」□ここでは
「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙面において上向きの矢
？で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢８で示す□に磁化
させることができる。そして、旧ｎｉ、がゼロになつて
も、式４により、記録補助層２の磁化？は再反転せずに
そのまま保持される。

初期補助磁界（Ｈｉｎｉ、）により記録補助層２のみが
、記録直前まで「Ａ向き」？に磁化されている状態を概
念的に表すと、次のようになる。

尚、転写層３の磁化の向きは、ここに示すように記録層
１の磁化の向きとパラレルである場合と、逆になるアン
チパラレルになる場合とあるが、説明を簡単にするため
に、パラレルの場合を説明する。

ここで、記録層１における磁化の向き０は、それまでに
記録されていた情報を表わす。以下の説明においては、
向きに関係がないので、以下Ｘで示す。そして、上記の
イラストを簡単のために第３層を除外して次のように表
す。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴＭに上昇させる。すると、Ｔ８はキュリ一点
ＴＣＩより高温度なので記録Ｎ１の磁化は消失してしま
う。更にＴ８はキュリ一点ＴＣ２付近なので記録補助層
２の磁化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類
に応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ
）を印加する。記録磁界（Ｈｂ）は、媒体自身からの浮
遊磁界でもよい。説明を簡単にするために「逆Ａ向き」
の記録磁界（Ｈｂ）を印加したとする。媒体は移動して
いるので、照射された部分は、レーザービームから直ぐ
に遠ざかり、空気で冷却される。Ｈｂの存在下で、媒体
の温度が低下すると、記！３補助層２の磁化は、Ｈｂに
従い、反転されて「逆Ａ向き」の磁化となる（状Ｍ２８
）。

そして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴｅｌより少し
下がると、再び記録Ｎ１の磁化が現れる。

その場合、磁気的結合（交換結合ないし静磁結合）力の
ために、記！３層１の磁化の向きは、記録補助層２の磁
化の向きの影響を受ける。その結果、媒体に応じて＆　
（Ｐタイプの媒体の場合）又は？（Ａタイプの媒体の場
合）が住じる。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。ＴＬはキュリ一点ＴＣＩ付近なので
記録層１の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュ
リ一点ＴＣ２よりは低温であるので記！３補助曝２の磁
化は消失しない。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ）は、不要であるが、高速度
（短時間）でＨｂをＯＮ、ＯＦＦすることは不可能であ
る。従って、止むを得ず高温サイクルのときのままにな
っている。

しかし、ＨＣ８はまだ大きいままなので、Ｈｂによって
記録補助Ｎ２の磁化が反転することはない。

媒体は移動しているので、照射された部分は、レーザー
ビームから直ぐに遠ざかり、空気で冷却される。冷却が
進むと、再び記録層１の磁化が現れる。現れる磁化の向
きは、磁気的結合力のために記録補助層２の磁化の向き
の影響を受ける。その結果、媒体によって？　（Ｐタイ
プの場合）又は８（Ａタイプの場合）の磁化が出現する
。この磁化は室温でも変わらない。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、記録層１の磁化の向きがどうで
あれ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに
反対向きの磁化？又はａを存するビットが形成される。

つまり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サ
イクル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状
に変調することによりオーバーライトが可能となる。

Ｐタイプ媒　の５合 Ａタイプ媒体の場合 なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒
体は回転される。そのため、記録された部分（ビット）
は、１回転する間に再びＨｉ　ｎ　＋、の作用を受け、
その結果、記録補助Ｎ２の磁化は元の「Ａ向き」ｔに揃
えられる。しかし、室温では、記録補助層２の磁化の影
響が記録層１に及ぶことはなく、そのため記録された１
Ｎ報は保持される。

そこで、記録Ｎ１の磁化を転写できる転写層３に直線偏
光を照射すれば、その反射光には情報が含まれているの
で、従来の光磁気記録媒体と同様に情報が再生される。

このような記録層１及び記録補助層２、転写層３を構成
する垂直磁化膜は、■補償温度を有せずキュリ一点を有
するフェロ磁性体及びフェリ磁性体、並びに■補償温度
、キュリ一点の双方を有するフェリ磁性体の非晶質或い
は結晶質からなる群から選択される。

以上の説明は、磁化反転温度としてキュリ一点を利用し
た第１実施態様の説明である。それに対して第２実施態
様は室温より高い所定の温度に於いて低下したＨｃをを
利用するものである。第２実施懸峰は、第１実施態様に
於けるＴＣｌの代わりに記録層１が記録補助層２に磁気
結合される温度Ｔ３＋を使用し、”ｒｃｚＯ代わりに記
録補助層２がＨｂで反転する温度Ｔ。を使用すれば、第
１実施態様と同様に説明される。

第２実施態様では、記録層ｌの保磁力を）ＩＣ＋、記録
補助Ｒ２のそれをＨＣ２、記録層１が記録補助層２に磁
気的に結合される温度を”Ｌ＋とし、記録補助層２の磁
化がＨｂで反転する温度をＴ、２、室温をＴえ、低レベ
ルのレーザービームを照射した時の媒体の温度をＴＬ１
高レベルのレーザービームを照射した時のそれをＴＨ１
記録Ｎ１が受ける結合磁界をＨｏい記録補助Ｎ２が受け
る結合磁界をＨＤ２とした場合、記録媒体は、下記式６
を満足し、かつ室温で式７〜１０を満足するものである
。

Ｔ　ｘ　＜　Ｔ　ｓ　＋　郊Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｓ　ｚ　
”３　Ｔ　）Ｉ　”’−’−’−−−−−一式６％式％ ＨＣｌ＞　ＨＤ　ｌ　　・−・・・−・・−−−一−−
−・・−・−一一一・・・−・−一−−・・・・−・−
−〜−−・・・〜式８Ｈｃｚ　＞　Ｈｏｚ−・−−一−
−−−−−−−−−−−−−−−一−−−〜−−−−−
・−・・・−一−−−・−−−−−−−・・式９ＨＣＺ
＋ＨＩ＋２＜　１Ｈｉｎｉ、　ｌ＜Ｈｃｌ”−Ｎｏｖ−
−−−一式１０上記式中、複合子、；については、上段
が後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの
媒体の場合であり、下段は後述するＰ　（ｐａｒａｌｌ
ｅｌ）タイプの媒体の場合である。

第１、第２実施態様ともに、記ｔｉＮＬ記録補助層２、
転写層３が遷移金属（例えばＦｅ、Ｃｏ）−重希土類金
属（例えばｃｄ、ｒｂ、Ｄｙその他）合金組成から選択
された非晶質フｚ　’Ｊ　ＥＱ性体である記録媒体が好
ましい。転写層３は単に記録層１の磁化を転写するのみ
で、以下の記録原理には直接関係ないので省いて説明す
る。

記！３層１と記録補助層２の双方とも、遷移金属（ｔｒ
ａｈｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔａｌ）−重希土類金属（ｈｅ
ａｖｙ　ｒａｒｅｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａｌ）合金組成
から選択された場合には、各合金としての外部に現れる
磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原子（以
下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の向き及び大き
さと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す）のスピンの
向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴＭのスピン
の向き及び大きさを点線のベクトル↑で表わし、ＲＥの
スピンのそれを実線のベクトルＴで表し、合金全体の磁
化の向き及び大きさを二重実線のベクトル官で表す。こ
のとき、ベクトル会はベクトル仝とベクトルＴとの和と
して表わされる。ただし、合金の中では７ＭスピンとＲ
Ｅスピンとの相互作用のためにベクトルつとベクトル↑
とは、向きが必ず逆になっている。従って、↓と↑との
和或いは↓と′との和は、両者の強度が等しいとき、合
金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れる磁化の大き
さはゼロ）になる。このゼロになるときの合金組成は補
償組成（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｃｏｚｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ　）と呼ばれる。それ以外の組成のときには、合金
は両スピンの強度差に等しい強度を有し、いずれか大き
い方のベクトルの向きに等しい向きを有するベクトル（
９又は＆）を有する。

このベクトルの磁化が外部に現れる０例えば↑。は？と
なり、↑二は８となる。

ある合金組成のＴＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばＲ
Ｅリッチであると呼ばれる。

記録層１と記録補助層２の両方について、７Ｍリッチな
組成とＲＥリッチな組成とに分けら机る。

従って、縦軸座標に記録Ｎ１の組成を横軸座標に記録補
助層２の組成をとると、本発明の媒体全体としては、種
類を次の４象限に分類することができる。先に述べたＰ
タイプはＩ象限と■象限に属するものであり、Ａタイプ
は■象限と■象限に属するものである。

ＲＥリフチ（第１層） ＾ ■象限　Ｉ象限 ７Ｍリッチ　φ−−−旧一一一一◆　ＲＥリフチＴＭリ
ッチ（第１層） 〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕一方、
温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリ一点（
保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無限大に
増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成がある
。この無限大のときに相当する温度は補償温度（Ｔｃ０
．、、）　　と呼ばれる。

補償温度は、７Ｍリッチの合金組成において１ま、室温
からキュリ一点の間には存在しない。室温より下にある
補償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、
この明細書で補償温度とは室温からキュリ一点の間に存
在するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。第１象限の媒体は、
４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについて、
「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、次の
通りになる。なお、細線は記録Ｎ１のそれであり、太線
は記録補助層２のそれである。

タイプ１ 保磁力 タイプ２ 保磁力 タイプ３ 保磁力 タイプ４ 保磁力 令 ここで、記録層１と記録補助層２の両方についてＲＥリ
フチかＴＭリフチかで分け、かつ補償温度を持つか持た
ないかで分けると、記録媒体は次の９クラスに分類され
る。

第１表 第　１　表　　（続き） ここで第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ１）に属する特定の媒体磁１を例にとり
、本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体光１は、次式１１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。なお、細線は第１層のグラフを示し、太線は第２
層のグラフを示す。

Ｔ　ｃ６１１１１．　ｌ　Ｔ　Ｃ６ｍ９．２室温Ｔえて
記録層１の磁化が初期補助磁界器ｎｉ。

により反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、
式１２である。この媒体石１は式１２を満足する。弐１
２： ２Ｍ５ｌ　ｔ　１　　　２　ＭＳｚ　ｔ　まただし、Ｈ
６１：記１３Ｎ１の保磁力 Ｈｃｚ：記録補助Ｎ２の保磁力 Ｍｓ、：１の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　ＩＩｌａｇｎｅｔｉｚａｔ
ｉｏｎ）Ｍｓｚ：２の飽和磁気モーメント ｔ、：ｌの膜厚 ｔ、：２の膜厚 σｗ　：界面磁壁エネルギー （ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）
このとき、１（ｉｎｉ、の条件式は、式１５で示される
。

）ｌｉｎｔ、が無くなると、反転した記録補助Ｎ２の磁
化は交換結合力により記録層１の磁化の影響を受ける。

それでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は
、式１３〜１４で示される。この媒体光１は式１３〜１
４を満足する。

２　Ｍ、、　ｔ　。

σ一 式１４：　　Ｈ，２＞　− ２Ｍ３ｚｉ２ 式１５： ％式％ 室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式１５の条件を満足
する旧ｎｉ、により例えば［Ａ向きＪ？（↑↓）に揃え
られる。このとき、記録層１は記録状態のままで残る（
状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）　　は↑の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ、に上昇させると、Ｔ、は記録層１のキュリ一点Ｔ
ｃ、にほぼ等しいので、１の磁化はン肖失する（状態２
工）。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が記録補助層２のＴｃｏｅｐ、２より少し高い
温度になったとき、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わ
らないが、強度の大小関係が逆転する（↑、−↑こ）。

そのため１１層２の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の磁
化になる（状態３１．ｌ）。

しかし、この温度ではＨＣＺがまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって層２の磁化が反転されることはない、さらに温
度が上昇し、Ｔｌｌになると、層２の温度はほぼキュリ
一点Ｔ”ｃｚとなり、層２の磁化も消失する（状態４Ｍ
）。

この状態４８においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃｚより少し下がると、層２に！ｎ化が
生じる。この場合、↑Ｈｂによって？（□゛）の磁化が
生じる（状態５　Ｍ　）。しかし、温度はまだＴｃ１よ
り高いので層１には磁化は現れない。

そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔ　ｃ　ｏ□、！以
下になると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆転する（。°−↓↑）。

その結果、合金全体の磁化は反転し、？から「逆Ａ向き
」８になる（状態６゜）。

この状％　５　Ｍでは媒体の温度はＴｃｌより高いので
層１の磁化はまだ消失したままである。また、その温度
でのＨｃｔは大きいので層２の磁化↓は、↑Ｈｂで反転
することはない。

そして、更に温度が低下してＴＣｌより少し下がると、
Ｎ１に磁化が出現する。そのとき層２からの交換結合力
がＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑）を揃
えるように働（。そして、層１の温度はＴｅＯ＋ａＤ、
１以上なので７Ｍスピンの方が大きく、そのため層１に
は。゛つまり？の磁化が出現する。この状態が状態７．
である。

媒体の温度がこの状態７８のときの温度から更に低下し
て、Ｔ（＠ａ６．１以下になると、層１のＲＥスピンと
７Ｍスピンの強度の大小関係の逆転が起こる（、？−↓
−）。その結果、８の磁化が出現する（状態８、）。

そして、やがて媒体の温度は状態８８のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
層１の磁化は↑Ｈｂによって反転されることな（、状６
８Ｍが保持される。こうして、「逆Ａ向き」のビット形
成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は記録層１のキュ
リ一点Ｔｅｌにほぼ等しいので、層１の磁化は消失する
（状態状ＦＩ３２ｔ）。

どの状態２．に於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃｌより少し下がると、記ｉ３補助層２の
ＲＥ、７Ｍスピン（↑、）の影響が交換結合力により記
録層１の各スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（↑
）　、ＴＭスピン同士（↓）を揃える力が働く。その結
果、層１には、↑−即ち３の磁化が記録磁界↑Ｈｂに打
ち勝って出現する（状ｊｔＬ３Ｌ）。この状態の温度は
Ｔ　ｃｏ□、０以上なので７Ｍスピンの方が大きい。

媒体温度が更にＴｃｏｓｐ、を以下に冷えると高温サイ
クルと同様に層１のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小関
係が逆転する（　↑９−↑９　）。その結果、層ｌの磁
化は？となる（状態状Ｇ４Ｌ）。

この状態４．は媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」？のビットが形成が完了する
。

次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ２）に属する特定の媒体黒２を例にとり、
本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体隘２は、次式１６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如（
なる。

Ｔ　Ｌ　　Ｔ　ｃａｓｅ、　Ｚ　　Ｔ　Ｍ室温Ｔ、で記
録層１の磁化が初３ＩｌＩ補助磁界１（ｔｎｉ。

により反転せずに記録補助層２の磁化のみが反転する条
件は、弐１７である。この媒体寛２は式１７を満足する
。　式１７： ％式％ ただし、）（ｅｌ：記録層１の保磁力 Ｈｅ！：記録補助層２の保磁力 Ｍｓ＋：１の飽和磁気モーメント Ｍｓｚ：２の飽和磁気モーメント ｔｌ　：１の膜厚 ｔ２　：２の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、弐２０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した記録補助層２の磁化
は交換結合力により記録層１の磁化の影響を受ける。そ
れでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、
式１８〜１９で示される。この媒体石２は式１８〜１９
を満足する。

弐１８：　　　　　）ＩｃＩ＞□ ２Ｍｓ＋Ｌ＋ 式１９：　　　　ＨＣ２＞□ Ｍｓｚｔｚ 式２０： ％式％ 室温で式１７〜１９０条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式２０の条件を満足
する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑、）に揃え
られる。このとき、記録層１は記録状態のままで残る（
状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは記録層１のキュリ一点Ｔ
ｃＩにほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態２．
ｌ）。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が記録補助層２のＴ。。１９．２より少し高い
温度になったとき、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わ
らないが、強度の大小関係が逆転する（↑９−↑コ）、
そのため、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の
磁化になる（状８３．）。

しかし、この温度ではＨＣＮがまだ大きいので、７Ｈｂ
によって層２の磁化が反転されることはない、さらに温
度が上昇し、ＴＭになると、媒体特に層２の温度はほぼ
キュリ一点Ｔ　ｃ　ｚとなり、層２の磁化は消失する（
状Ｍ４Ｍ　）。

この状ａ４Ｘにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣｌより少し下がると、Ｎ２に磁化が生
じる。この場合、↑Ｈｂによって？（↓↑）の磁化が生
じる。しかし、温度はまだＴｃ＋より高いのでＮ１には
磁化は現れない。この状態が状Ｂ５　）１である。

そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔｃｏｅｐ、２以下
になると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが
、強度の大小関係が逆転する（□゛−↓−）。

その結果、合金全体の磁化は反転して？から「逆Ａ向き
」３になる（状態６４）。

この状態６やでは媒体の温度はＴｃ１より高いので層１
の磁化はまだ消失したままである。また、その温度での
Ｈｃ！は大きいのでＮ２の磁化が↑Ｈｂで反転すること
はない。

そして、更に温度が低下してＴｃ１より少し下がると、
層ｌに磁化が出現する。そのとき層２からの交換結合力
がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）を揃え
るように働（。そのため層１にはＬ↑つまり８の磁化が
出現する。この状態が状ｕ”ｒＨである。

そして、やがて媒体の温度は状Ｍ”ｔ、ｌのときの１度
から室温まで低下する。室温でのＭＣＩは十分に大きい
ので層１の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、
状態７８が保持される。こうして、「逆Ａ向き」のビッ
ト形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
Ｔ、に上昇させる。そうすると、ＴＬは記録層１のキュ
リ一点ＴＣＩにほぼ等しいので、層１の磁化は消失する
（状態状６２Ｌ＞。

この状態２．に於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣｌより少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、ＴＭスピン（↑。）の影響が交換結合力により記録
層１の各スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（７）
　、ＴＭスピン同士（３）を揃える力が働く。その結果
、層１には、↑−即ち？の磁化が出現する（状態３．）
。

この状ＦＬｉ　３　Ｌは媒体温度が更に低下しても変化
がない。その結果、記録層１には、「Ａ向き」のビット
が形成される。

次に第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ３）に属する特定の媒体光３を例にとり、
本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体光３は、次式２１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　Ｃ６１１＋１．　Ｉ　Ｔ　Ｌ　　　　　　　Ｔ　Ｍ
室温Ｔつで記録層１の磁化が初期補助磁界）１ｉｎｉ・
。

により反転せずに記録補助Ｎ２のみが反転する条件は、
式２２である。この媒体光３は弐２２を満足する０式２
２： ％式％ ただし、Ｈ８１：記録層１の保磁力 Ｈ（２：記録補助層２の保磁力 Ｍｓ＋：ｌの飽和磁気モーメント Ｍｓｚ：２の飽和磁気モーメント ｔｌ　：１の膜厚 ｔ２　：２の膜厚 σｗ　：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式２５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した記録補助層２の磁化
は交換結合力により記録Ｎ１の磁化の影響を受ける。そ
れでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、
式２３〜２４で示される。この媒体廼３は式２３〜２４
を満足する。

弐２４：　　　）Ｉｃｚ＞　− ２Ｍ、、　ｔ　。

式２５： ％式％ 室温で式２２〜２４の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式２５の条件を満足
するＨ４ｎ１．により例えば「Ａ向き」？（↑−）に揃
えられる。このとき、記録層１は記録状態のままで残る
（状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈ！１　＞　　は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、Ｔ、は記録層１のキュリ一点Ｔ
、１にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態２Ｍ
）。

さらにビームの照射が続き、媒体の温度がＴ、となると
、Ｔ８は記録補助層２のＴＣ２にほぼ等しいので、層２
の磁化も消失する（状態３゜）。

この状態３つにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体、・二度は低下を始める。

媒体の温度がＴ、２より少し下がると、層２に磁化が生
じる。この場合、↓Ｈｂによって３（↓へ）の磁化が生
じる。しかし、温度はまだＴｃ＋より高いので層１には
磁化は現れない。この状態が状態４８である。

更に、媒体温度が低下してＴｃ＋より少し下がると、層
１にも磁化が出現する。この場合、磨２の磁化が交換結
合力によりＮ１に及ぶ。その結果、ＲＥスピン同士（↓
）、ＴＭスピン同士（↑）を揃える力が働く。この場合
、媒体温度はまだＴｃｏａｐ、を以上にあるので、７Ｍ
スピンの方がＲＥスピンより大きくなる（、゛）。その
結果、Ｎ２には？の磁化が出現する（状態５Ｎ）。

この状態５翼の温度から、媒体温度が更に低下してＴｅ
１）１１＃、１以下になると、層１の７ＭスピンとＲＥ
スピンの強度の大小関係が逆転する（、−一↓へ）、そ
のため、層１の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の磁化に
なる（状態６．ｌ）。

そして、やがて媒体の温度は状態６．のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
層１の磁化は、安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
Ｔｔに上昇させる。そうすると、ＴＬは記録層１のキュ
リ一点Ｔｃｌにほぼ等しいので、層１の磁化は消失する
。しかし、この温度ではまだＦＪ２の１（ｃｚは大きい
ので、層２の磁化は↓Ｈｂによって反転されることはな
い（状態２Ｌ）。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴ、１より少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、７Ｍスピン（↑、）の影響が交換結合力により記ｔ
！Ｆｉｌの各スピンに及ぶ。っまりＲＥスピン同士（↑
）、ＴＭスピン同士（己）を揃える力が働（。その結果
、層１には、↑こ即ち↓の磁化が出現する。この場合、
温度はＴ９゜、、１以上なので７Ｍスピンの方が大きく
なる（状Ｇ３Ｌ）。

媒体温度が更にＴ　ｅ　ｌ＋１１　Ｉ　Ｈ１以下に冷え
ると高温サイクルと同様に層１のＲＥスピンと７Ｍスピ
ンとの大小関係が逆転する（　↑こ−↑９　）。その結
果、層１の磁化は↓Ｈｂに打ち勝って？となる（状態４
Ｌ）　　。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」？のビットが形成が完了する
。

次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ４）に属する特定の媒体光４を例にとり、
本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体光４は、次式２６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　Ｌ　　　　　　Ｔ　Ｍ 室温Ｔ８て記録層１の磁化が初期補助磁界器ｎｉ。

により反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、
式２７でｂる。この媒体光４は式２７を満足する。　式
２７； ％式％ ただし、Ｈｏ：記録層ｌの保磁力 Ｈ６２：記録補助層２の保磁力 Ｍｓ＋：１の飽和磁気モーメント Ｍｓｚ：２の飽和磁気モーメント ｔ、：１の膜厚 ｔ！　：２の膜厚 σ８　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式３０で示される。

旧ｎｉ、が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は
交換結合力により記録層１の磁化の影響を受ける。それ
でも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式
２８〜２９で示される。この媒体光４は式２８〜２９を
満足する。

σ１ 式２８：　　　）ｔｅｌ＞□ ２Ｍｓ＋ｊ＋ 式２９；°−０２〉□ ２Ｍ、ｔｔ２ 式３０： ％式％ 室温で式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式３０の条件を満足
するＭｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑、）に揃
えられる。このとき、記録層１は記録状態のままで残る
（状Ｌｉｎ　。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ ソシて、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ、に上昇させると、Ｔ、は記録層１のキュリ一点Ｔ
ｃＩにほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態２゜
）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ９にな
ると、層２の温度Ｔ８はキュリ一点Ｔｅ！にほぼ等しい
ので、層２の磁化も消失する。これが状態３．ｌである
。

この状態３８においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣＺより少し下がると、層２の磁化が出
現する。この場合、ｌＨｂのために８（↓−）の磁化が
出現する。しかし、温度はＴｃｌより高いので層１には
磁化が現れない。この状態が状態４８である。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下がる
と、層１に磁化が出現する。そのとき層２からの交換結
合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（暖を揃
えるように働＜、そのため層１には↓へつまり８の磁化
が出現する。この状態が状態５Ｎである。

そして、やがて媒体の温度は状態５．ｌのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨｅｌは十分に大きいの
でＮ１の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向
き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は記録層１のキュ
リ一点ＴＣＩを越えているので、層１の磁化は消失する
。この状態では、Ｈｅｌはまだ十分に大きいので、記録
補助層２の磁化？は↓Ｈｂで反転することはない。この
状態が状態２゜である。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、７Ｍスピン（↑−）の影響が交換結合力により記録
層１の各スピンに及ぶ。つまり交換結合力はＲＥスピン
同士（↑）、ＴＭスピン同士（３）を揃えるように働く
。その結果、Ｎ１には、↑−即ち？の磁化が↓Ｈｂに打
ち勝って出現する。

この状態が状態３．である。

この状Ｍ３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向きｊ？のビットが形成が完了する
。

次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ３）に属する特定の媒体量５を例にとり、
本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体量５は次式３１； ％式％ の関係を存する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔｃ、、、、、ＴＬ　　　　　　Ｔ。

室温ＴＲで記録層１の磁化が初期補助磁界Ｉｆ　ｉ　ｎ
　ｉ　。

により反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、
式３２である。この媒体隘５は式３２を満足する。式３
２： ただし、）ＩＣＩ：記ｉ３層１の保磁力Ｈ９２：記録補
助層２の保磁力 Ｍｓ＋：１の飽和磁気モーメント Ｍｓｚ：２の飽和磁気モーメント ｔ、；１の膜厚 ｔ２　：２の膜厚 σ１　：界面磁壁エネルギー このとき、Ｌｕ、の条件式は、式３５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した記録補助Ｎ２の磁化
は交換結合力により記録層１の磁化の影響を受ける。そ
れでもＮ２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、
式３３〜３４で示される。この媒体隘５は弐３３〜３４
を満足する。

２　ＭＳ＋　ｔ　１ 式３４：　　　Ｈｃｚ＞□ ２　ＭＳｔｔ　。

式３５： ％式％ 室温で弐３２〜３４の条件を満足する記録媒体の記ｉ３
補助層２の磁化は、記録の直前までに弐３５の条件を満
足する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↓二）に揃
えられる。このとき、記録層１は記録状態のままで残る
（状態１）。

この状６１は記録直前まで保持される。ここでは、記ｉ
３磁界（Ｈｂ　）　　は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、Ｔ、は記録層１のキュリ一点Ｔ
ｅｌにほぼ等しいので、盲の磁化は消失する（状態２Ｍ
）。

さらにビームの照射が続きと、媒体の温度がＴ８となる
と、Ｔ、はＴｅ２にほぼ等しいので、層２の磁化も消失
する（状態３Ｍ）。

この状態３、においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃｔより少し下がると、Ｎ２の磁化が出
現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑↓）の磁化が
出現する。しかし、温度はＴｃ＋より高いので層１には
磁化が現れない、この状態が状態４８である。

更に、媒体温度が低下してＴ　ｃ　＋より少し下がると
、層１にも磁化が出現する。この場合、層２の磁化が交
換結合力により層１に及ぶ。その結果、ＲＥスピン同士
（Ｔ）　、ＴＭスピン同士（↓）を揃える力が働く。こ
の場合、媒体温度はまだＴＣＯｍＤ、Ｉ以上にあるので
、７Ｍスピンの方がＲＥスピンより大きくなる（↑；）
、その結果、層２には８の磁化が出現する（状態５Ｈ）
。

この状態５．の温度から、媒体温度が更に低下してＴ　
ｃｏ。、Ｉ以下になると、層ｌの７ＭスピンとＲＥスピ
ンの強度の大小関係が逆転する（↑こ−↑９）、そのた
め、層１の磁化が反転し、「逆Ａ向き」？の磁化になる
（状態６．）。

そして、やがて媒体の温度は状Ｂ６ｍのときの温度から
室温まで低下する。室温での）（ｃ＋は十分に大きいの
で層１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き
」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔｔは記録Ｎ１のキエ
リ一点Ｔｃ、にほぼ等しいので、層１の磁化は消失する
。しかし、この温度ではまだ層２のＨｃ！は大きいので
、層２の磁化は↓Ｈｂによって反転されることはない（
状Ｂ　２　Ｌ　）。

この状Ｍ２Ｌでビームの照射が終了すると、媒体温度は
降下し始める。媒体温度がＴＣＩより少し下がると、記
録補助Ｎ２のＲＥ、７Ｍスピン（し゛）の影響が交換結
合力により記ｔｉ層１の各スピンに及ぶ、つまりＲＥス
ピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士り）を揃える力が働
く。その結果、層１には、↓ｆ即ち↑の磁化が↓Ｈｂに
打ち勝って出現する。この場合、温度はＴＣ（１１１９
，１以上なので７Ｍスピンの方が大きくなる（状Ｂ　３
　Ｌ　）。

媒体温度が更にＴＣＯｌｌｌｌ、１以下に冷えると高温
サイクルと同様に層１のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大
小関係が逆転する（　↓ヘー↓−）、その結果、層１の
磁化は８となる（状態状Ｌｉ４ｔ　）　。

この状態４．は媒体温度が室温まで下がりても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のビットが形成が完了す
る。

次に第１表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体猶６を例にとり、
本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体丸６は、次式３６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ臆　　　　　　’ｒｃ＋　　　　　ＴｃｚＴ、　　　
　　　Ｔ。

室温ＴＩで記！３層１の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに記録補助Ｎ２のみが反転する条件は、
弐３７である。この媒体患６は式３７を満足する０式３
７： ただし、ＨＣｌ：記録層１の保磁力 Ｈｃ！：記録補助Ｎ２の保磁力 Ｍｓ＋：１の飽和磁気モーメント Ｍｓｔ：２の飽和磁気モーメント ｔ、：ｌの膜厚 ｔ２　：２の膜厚 σＶ　：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式４０で示される。

１Ｉｉｎｉ、が無くなると、反転した記録補助層２の磁
化は交換結合力により記録層１の磁化の影響を受ける。

それでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は
、式３８〜３９で示される。この媒体光６は式３８〜３
９を満足する。

式３８：　　　ＨＣＩ＞□ ２Ｍ１１ｔ１ 式３９：　　Ｈｃａ＞□ ’ｌ　Ｍ、、　ｔ　２ 式４０： ％式％ 室温で弐３７〜３９の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式４ｏの条件を満足
する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↓酸に揃えら
れる。このとき、記録層１は記録状態のままで残る（状
態１）。

この状Ｂ１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、Ｔ、は記録層１のキュリ一点Ｔ
ｃｌにほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態２Ｎ
）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ８にな
ると、層２の温度Ｔ、ＩはＴｃｚにほぼ等しいので、層
２の磁化も消失する。これが状Ｆ３３　Ｎである。

この状態３８においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴｃ２より少し下がると、層２の磁化が出
現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑こ）の磁化が
出現する。しかし、温度はＴｃ＋より高いので層１には
磁化が現れない。この状態が状ＦＪ　４　）１である。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔｃ１より少し下がる
と、層ｌに磁化が出現する。そのとき層２からの交換結
合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士（己）を
揃えるように働く。そのため層１には↑一つまり？の磁
化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。この状態が状態５８
である。

そして、やがて媒体の温度は状Ｂ５Ｍのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
層１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」
のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は記録層１のキュ
リ一点Ｔｃｌにほぼ等しいので、層１の磁化は消失する
。この状態では、ＨＣｔはまだ十分に大きいので、記録
補助層２の磁化↑は↓Ｈｂで反転することはない、この
状態が状態２゜である。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃＩより少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、ＴＭスピン（、゛）の影響が交換結合力により記録
層１の各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（
↓）、ＴＭスピン同士（↑）ヲ揃えるように働（。その
結果、Ｎ１には、ト即ち８の磁化が出現する。この状態
が状態３Ｌである。

この状態３．は媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のビットが形成が完了す
る。

次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体磁７を例にとり、
本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体隅７は、次式４１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　ｔ　　　　　　Ｔ　＋を 室温Ｔ、で記録層１の磁化が初期補助磁界Ｍｉｎｉ。

により反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、
式４２である。この媒体隘７は式４２を満足する。弐４
２： ２　Ｍｓｒ　ｔ　＋　　　　２　Ｍｓｚ　ｉ　ｚただし
、Ｈｃ１’：記録層ｌの保磁力 Ｈｃｚ：記録補助層２の保磁力 Ｍｓ１７１の飽和磁気モーメント Ｍｓｚ：２の飽和磁気モーメント ｔｌ　：１の膜厚 ｔ２：２の膜厚 σＶ　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式４５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無（なると、反転した記録補助層２の磁化
は交換結合力により記録層１の磁化の影響を受ける。そ
れでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、
弐４３〜４４で示される。この媒体覧７は式４３〜４４
を満足する。

σ、 式４３：　　Ｈｃ、＞　− ２Ｍ５．ｔ。

式４４：　　　Ｈｅｚ＞□ ２Ｍｓ□ｔ２ 式４５： ％式％ 室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式４５の条件を満足
する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（−）に揃えら
れる。このとき、記録層１は記録状態のままで残る（状
態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは記録層１のキュリ一点Ｔ
Ｃ４にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態２゜
）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＨにな
ると、Ｎ２の温度Ｔ８はキュリ一点Ｔｃｚにほぼ等しい
ので、層２の磁化も消失する。これが状態３．ｌである
。

この状Ｌｉ５）ｌにおいてレーザービームのスポット領
域から外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴｅｌより少し下がると、層２の磁化が出
現する。この場合、↓ＨｂのためにＡ（↑↓）の磁化が
出現する。しかし、温度はまだＴＣＩより高いので層１
には磁化が現れない、この状態が状態４゜である。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔｅｌより少し下がる
と、層１に磁化が出現する。そのとき層２（礼）からの
交換結合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士（
↓）を揃えるように働＜、そのため層１には↑。つまり
８の磁化が出現する。この状態が状り、５　Ｍである。

そして、やがて媒体の温度は状ｆＬｉ５．のときの温度
から室温まで低下する。室温でのＨ６１は十分に大きい
ので層１の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ
向き」８のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は記録層１のキュ
リ一点Ｔｃ１にほぼ等しいので、層１の磁化は消失する
。この状態では、ＨＣ２はまだ十分に大きいので、記ｉ
Ｓ補助層２の磁化？は↓Ｈｂで反転することはない、こ
の状態が状ＦＬｉ　２　Ｌである。

この状態２ＬにおいてレーザービームのスポソＤＩ域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃＩより少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、ＴＭスピン（↓Ａ）の影響が交換結合力により記録
層１の各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（
↓）、ＴＭスピン同士（＋）を揃えるように働（。その
結果、層１には、↓７即ち↑の磁化が↓Ｈｂに打ち勝っ
て出現する。この状態が状態３Ｌである。

この状態３．は媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」？のビットが形成が完了する
。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する特定の媒体隘８を例にとり、
本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体隘８は、次式４６； ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如（
なる。

Ｔ　Ｌ　　Ｔ　ＣｌｌｌＩＤ、　Ｚ　Ｔ　Ｍ室温Ｔ、で
記録層ｌの磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転セずに記録補助層２のみが反転する条件は、
式４７である。この媒体Ｎ１８は室温で式４７を満足す
る０式４７： ただし、Ｈｃｒ：記録層１の保磁力 Ｈｃ、：記録補助Ｎ２の保磁力 Ｍｓ＋：１の飽和磁気モーメント Ｍｓｚ：２の飽和磁気モーメント ｔｌ　：１の膜厚 ｔ２　：２の膜厚 σｗ　：界面磁壁エネルギー このとき、１（ｉｎｉ、の条件式は、式５０で示される
。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した記録補助層２の磁化
は交換結合力により記！ｌｉｔの磁化の影響を受ける。

それでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は
、式４８〜４９で示される。この媒体魚８は式４８〜４
９を満足する。

σ賛 式４８：　　　）（ＣＩ＞□ ２Ｍ！＋ｊ＋ σ讐 式４９：　　ＨＣ２＞□ ２　Ｍ３！ｔ　。

式５０： ％式％ 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の記録補
助Ｎ２の磁化は、記録の直前までに式５０の条件を満足
する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（Ｔ−）に揃え
られる。このとき、記録層１は記録状態のままで残る（
状態１）。

この状態１１よ記録直前まで保持される。ここで２よ、
記録磁界（Ｈｃｒ　）は↑の開きに印加される。

□高温サイクル□ ソシて、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ、に上昇させろと、ＴＬは記録層１０キュリ一点Ｔ
ＣＩにほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態２．
）。

さらにビームの照射が続き、媒体温度がＴ　ｃｏ。、２
より少したかくなると、ＲＥスピン（↑）及び７Ｍスピ
ン（↓）の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転す
る（↑９−　↑−）、その結果、層２の磁化は反転して
「逆Ａ向き」８となる。この状態が状態３８である。

しかし、この温度ではＨＣｌがまだ大きいので、層２の
磁化８は↑Ｈｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、そのため媒体温度が更に上昇
してＴＮになったとする。すると、ＴｅｌはＴｃｚにほ
ぼ等しいので、層２の磁化も消失する（状態４Ｎ）。

この状ＬＦ４１１においてレーザービームのスポフＤＩ
域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃｚより少し下がると、Ｎ２に磁化が生し
る。この場合、↑Ｈｂによりｖ　（、ＬＴ）の磁化が出
現する。しかし、温度はまだＴｃ１より高いので、Ｎ１
には磁化が現れない、この状態が状態５Ｍである。

さらに媒体温度が低下してＴｃｏｓｐ、！より少し下が
ると、ＲＥスピン（↓）及び７Ｍスピン（↑）の向きは
変わらずに、強度の大小関係が逆転する（、゛　　−↓
へ）、その結果、Ｎ２の磁化は反転して「逆Ａ向き」８
となる。この状態では、）（ｃｚは既に相当大きくなっ
ているので層２の磁化８は↑Ｈｂにより反転されること
はない。そして、温度はまだＴｃ１より高いので層１の
磁化はまだ現れない。この状態が状態６□である。

更に、媒体温度が低下してＴ６．より少し下がると、Ｎ
１にも磁化が出現する。この場合、層２の磁化（↓−）
が交換結合力により層１に及ぶ、その結果、ＲＥスピン
同士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑）を揃える力が働く
、その結果、層１には↓↑（？）の磁化が出現する（状
態７．）。

そして、やがて媒体の温度は状態７Ｎのときの温度から
室温まで低下する。室温での）（ｃ＋は十分に大きいの
で層１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き
」嘗のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは記録Ｎ１のキュ
リ一点Ｔ、１にほぼ等しいので、１１の磁化は消失する
。しかし、この温度ではまだ層２のＨｃ！は大きいので
、Ｎ２の磁化は↑Ｈｂによって反転されることはない（
状態２Ｌ）。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃ１より少し下がると、記録補助Ｎ２のＲ
Ｅ、７Ｍスピン（↑、）の影響が交換結合力により記録
層１の各スピンに及ぶ。つまりＲＥスピン同士（↑）、
ＴＭスピン同士（↓）を揃える力が働く、その結果、層
１には、↑二部ち８の磁化が↑Ｈｂに打ち勝って出現す
る。この状態が状態３、である。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」呑のビットが形成が完了す
る。

次に第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体隅９を例にとり、
本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体石９は、次式５１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ＊ＴｃＩＴｃｚ Ｔ　Ｌ　　　　　　Ｔ　Ｎ 室温Ｔつで記録層１の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、
式５２である。この媒体石９は式５２を満足する０式５
２： ただし、Ｈｃ＋、：記録層１の保磁力 Ｈｃ、：記録補助層２の保磁力 Ｍｓ＋：１の飽和磁気モーメント Ｍｓｚ：２の飽和磁気モーメント ｔｌ　：１の膜厚 ｔ８　：２の膜厚 σｗ　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式５５で示される。

Ｒ１ｎ１．が無くなると、反転した記録補助層２の磁化
は交換結合力により記録層１の磁化の影響を受ける。そ
れでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、
式５３〜５４で示される。この媒体石９は式５３〜５４
を満足する。

式５３：　　ＨＣ，＞　− ２Ｍ３．　ｔ　。

弐５４：　　　ＨＣ２＞　− ＭｓｚＬｚ 式Ｓ５１ 室温で式５２〜５４の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式５５の条件を満足
する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑、）に揃え
られる。このとき、記録層１は記録状態のままで残る（
状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｔ＋　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは記録層１のキュリ一点Ｔ
ｃ１にほぼ等しいので、層１の磁化は消失する（状Ｍ２
．）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＨにな
ると、媒体特に層２の温度ＴＭはＴｃｚにほぼ等しいの
で、層２の磁化も消失する。これが状態３、である。

この状態３Ｎにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴｃｚより少し下がると、層２の磁化が出
現する。この場合、↓Ｈｂのために↓　（↓へ）の磁化
が出現する。しかし、この温度はまだＴＣ３より高いの
でＮ１には磁化は現れない。この状態が状態４Ｍである
。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔｃ＋より少し下がる
と、１ｉ１に磁化が出現する。そのとき層２（↓−）か
らの交換結合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同
士（↑）を揃えるように働（。そのため層１には一つま
り電の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。この状態が
状態５１１である。

そして、やがて媒体の温度は状態５８のときの温度から
室温まで低下する。室温での）Ｉｃ＋は十分に大きいの
でＮ１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き
」↑のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは記録層１のキュ
リ一点ＴＣＩにほぼ等しいので、層１の磁化は消失する
。この状態では、）ｌｅｔはまだ十分に大きいので、記
録補助Ｎ２の磁化？は↓Ｈｂで反転することはない、こ
の状態が状態２Ｌである。

この状態２．においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃ＋より少し下がると、記録補助治２のＲ
Ｅ、ＴＭスピン（↑−）の影響が交換結合力により記録
層１の各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士〈
↑）、ＴＭスピン同士（３）を揃えるように働く。その
結果、層１には、礼即ち８の磁化が出現する。この状態
が状態３．である。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のビットが形成が完了す
る。

以上の通り、本発明は、光磁気記録において、記録磁界
ＨｂをＯＮ、ＯＦＦすることなく、又はｆｉｂＯ向きを
変えることなく、オーバーライトを初めて可能にした。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

（実施例１−−−−−−・・・・−・・媒体患１のうち
の１つ）２元の電子ビーム加熱真空蒸着装置を用い、下
記第２表に示す１発源を２個所に置く。

厚さ　１．２ｍｍ　、直径２００ｍｍのガラス基板を該
装置のチャンバー内にセントする。該装置のチャンバー
内を一旦１×１０−″Ｔｏｒｒ、以下の真空度に排気す
る。その後、真空度を１〜２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、
に保持しながら、蒸着速度約３人／秒で、蒸着を行なう
、これにより基板上に、厚さ５００　人のＧｄｚＪｅｓ
ｚＣＯｚｚ（注：添字の数字は原子％）の第３層（転写
層）を形成する。更に厚さ１０００人のＧｄ＋ａＤｙ＋
ｚＦｅｔａの第１層（記録層）を形成する。続いて、真
空状態を保持したまま莫発源を取り替える。そして、ま
た基若を行ない、第１層の上に厚さ２０００人のＧｄｘ
ａＴｂ３Ｆｅ、ｓの第２層（記録補助層）を形成する。

第１及び第２層、第３Ｎともに垂直磁化膜である。

こうして、クラス１　　（Ｐタイプ・′ｌＡＩ象限・タ
イプ１）属する２Ｎ光磁気記録媒体阻１が製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第２表に示す。

第２表 弐１１： Ｔ　覧＜　Ｔｃｏ＊ｐ、　＋　＜　Ｔ　（１ｚＴＬ　ｚ
７　Ｃ０ＩＩ１１．２　＜　Ｔ　ｃｚ”３Ｔｘ及び式１
２： ％式％ を満足している。また、式１５に於いて、２　Ｍ、、　
ｔ　。

Ｈｃ＋　　　　　　　＝５１００　０ｅ２ＭＳＩＬ電 であるので、初期補助磁界Ｍｉｎｉ、を６０００ｅとす
れば、式１５を満足する。そうすれば、記録層１の磁化
は室温で旧ｎｉ、によって反転されずに、記録補助層２
の磁化のみが反転される。

更に、式１３： ％式％ 及び式１４： σ− Ｈｃｚ＝３５０　０ｅ　＞　　　　　　　＝１１８０ｅ
２Ｍｓ□ｔよ を満足しているので、ｆｌｉｎｔ、が取り去られても、
層１及び層２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、旧ｎｉ、　＝６０００ｅの初期補助磁界を例え
ば「Ａ向き」↑に印加し、Ｈｂ　＝６０００ｅの記録磁
界を「Ａ向き」↑に印加することによりオーバーライト
が可能になる。尚、Ｈｂと旧ｎ＋、の大きさ及び向きが
等しいので、この場合、それぞれの印加手段を１つに兼
用した記！３装置を使用することができる。

（実施例２・−・・・・−・−・−媒体磁２のうちの１
つ）実施例１と同様に、基板上に厚さ５００人のＧｄｚ
ＪｅｓｚＣＯｚｚの第３層（転写Ｎ）、及びその上に５
００　人のＴｂｚ７Ｆｅ７３の第１層（記録層）及びそ
の上に厚さ２０００人のＧｄ１ａＴｂ３Ｆｅ３　の第２
層（記録補助層）を形成する。これにより、クラス２　
（Ｐタイプ・第１象限・タイプ２）に属する媒体隘２が
製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第３表に示す。

第３表 この媒体は、Ｔｒ　＝　１７０℃、Ｔ、　＝　２３０℃
（実施例１４参照）とすれば、 式１６： ％式％ 及び式１７： ２　Ｍｓ＋　ｔ　＋　　　２　Ｍｇ２　ｔ　ｚ＝　１３
３０　０　ｅ を満足している。また、式２０に於いて、２Ｍ３２　ｔ
　２ σ― Ｈｃ＋　　　　　　　＝６１６７　０ｅ２　Ｍ３１　ｔ
　１ であるので、初期補助磁界旧ｎｉ、を６０００ｅとすれ
ば、式２０を満足する。そうすれば、記録層１の磁化は
室温で）Ｉｉｎｉ、によって反転されずに、記録補助層
２の磁化のみが反転される。

更に、弐１８： Ｈｃ　＋　＝　７０００　０　ｅ　＞　−＝　８３３０
ｅ２Ｍ１＋ｔ＋ 及び式１９： ％式％ を満足しているので、Ｌｉｉ、が取り去られても、Ｎ１
及び層２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、旧ｎｉ、　−６０００ｅの初期補助磁界を例え
ば「Ａ向き」↑に印加し、Ｈｂ　＝６０００ｅの記録磁
界を「Ａ向き」↑に印加することによりオーバーライト
が可能になる。尚、ＨｂとＨ４ｎ１．の大きさ及び向き
が等しいので、この場合、それぞれの印加手段を１つに
兼用した記録装置を使用することができる。

（実施例３−・−・〜・−・−・・媒体隘３のうちの１
つ）実施例１と同様に、基板上に厚さ５００人のＧｄｚ
ｚＦｅｓｓＣＯｚｘの第３層（転写層）更に厚さ５００
人のＧｄｚ３ＴｂＪｅｙ４の第１層（記録層））及びそ
の上に厚さ１０００人のＴｔｌｚ６Ｆｅ６５ＣＯｔの第
２ＪＷ（記録補助層）を形成する。これにより、クラス
３　　ＣＰタイプ・第１象限・タイプ３）に属する媒体
階３が製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第４表に示す。

第　　４　　表 この媒体は、Ｔ、　＝　１７０℃、ＴＭ　＝　２：、：
：１℃（実施例１５参照）とすれば、 式２１； ％式％ 及び式２２： ２　Ｍｓ＋　ｔ　＋　　　２　Ｍｓｔ　ｔ　ｚ＝　４３
８９　０　ｅ を満足している。また、式２５に於いて、Ｍｓｚｔｚ Ｈｃ＋　−＝６８８９　０ｅ Ｍ３１ｔｌ であるので、初期補助磁界Ｈｔｎｉ、を４０００　０ｅ
とすれば、式２５を満足する。そうすれば、記１３１１
の磁化は室温でＨｉｎｉ、によって反転されずに、記録
補助層２の磁化のみが反転される。

更に、式２３； ％式％ 及び式２４： Ｈｃｚ＝３０００　０ｅ　＞　−＝２７８０ｅ２　ＭＳ
２　ｔ　。

を満足しているので、Ｈｉｎｉ、が取り去られても、Ｎ
１及び層２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、）ｌｉｎｔ、　−４Ｏ０００ｅの初期補助磁界
を例えば「Ａ向き」↑に印加し、Ｈｂ　＝３０００ｅの
記録磁界を「逆Ａ向き」↓に印加することによりオーバ
ーライトが可能になる。

（実施例４−−−−−−−−・−・・媒体践４のうちの
１つ）実施例１と同様に、基板上に厚さ４００人のＧｄ
ｔｘＦｅｓｓＣｏｘｓのｍ３ｒＩ！４（転写層）、更に
１０００人のＴｂ１１Ｄｙ１３Ｆｅ、４の第１層（記録
Ｎ）を形成し、その上に厚さ１０００人のＧｄ＋ａＤＹ
＋ａＦｅｔｚの第２層（記録補助層）を形成する。これ
により、クラス４　（Ｐタイプ・第１象限・タイプ４）
に属する媒体漱４が製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第５表に示す。

第５表 この媒体は、Ｔ、　＝　１２０℃、”ｒ、　＝　１６０
℃（実施例１６参照）とすれば、 式２６； ％式％ 及び式２７； ２Ｍｓ＋ｔ＋　　　２Ｍ５ｚｊｚ ＝　３７５０　０　ｅ を満足している。また、式３０に於いて、σ− Ｍｓｉｔｚ ）（ｃ＋　　　　　　　　　　＝７５００　０ｅ２Ｍｓ
＋ｔ＋ であるので、初期補助磁界器ｎｉ、を４０００　０ｅと
すれば、式３０を満足する。そうすれば、記録層１の磁
化は室温で旧ｎｉ、によって反転されずに、記録補助層
２の磁化のみが反転される。

更に、式２８： ％式％ ： を満足しているので、旧ｎｉ、が取り去られても、層１
及び層２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、Ｈｉｎｉ、　＝４０００　０ｅの初期補助磁界
を例えば「Ａ向き」↑に印加し、Ｈｂ　−３０００ｅ　
）記録磁界を「逆Ａ向き」↓に印加することによりオー
バーライトが可能になる。

（実施例５・・−・−一−−−−−−−・媒体嵩５のう
ちの１つ）実施例１と同様に、基板上に厚さ５００人の
ＧｄｘＪｅｓｓＣＯｚｓの第３層（転写層）、更に厚さ
５００人のＧｄｌ＃１３Ｆｅｆｆ４の第１層（記録層）
及びソノ上に厚さ６００人のＴｂ１ＪｅｔｎＣｏｓの第
２層（記録補助層）を形成する。これにより、クラス５
　　（Ａタイプ・第■象限・タイプ３）に属する媒体隅
５が製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第６表に示す。

第６表 この媒体は、ＴＬ　＝　１６５℃、Ｔ、　＝　２１０℃
（実−３４４５０ｅ をぬ足している。また、式３５に於いて、２Ｍｓ□ｔ。

Ｈｃ＋　”　　　　　　＝６８８９　０ｅ２Ｍｓ＋を重 であるので、初期補助磁界１１ｉｎｉ、を４０００　０
ｅとすれば、弐３５を満足する。そうすれば、記ｓｉ層
ｔの磁化は室温で１（ｉｎｉ、によって反転されずに、
記録補助層２の磁化のみが反転される。

更に、式３３： ％式％ 及び式３４； σ− ＨＣ２＝５０００　０ｅ　＞　　　　　　　＝４４４０
ｅ２Ｍｓ冨１゜ を満足しているので、ｔｌ　ｉ　ｎ　ｉ　、が取り去ら
れても、層１及び層２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、旧ｎ　ｉ　、　−４００００ｅの初期補助磁界
を例えば「Ａ向き」↑に印加し、Ｈｂ＝３０００ｅの記
録磁界を「逆Ａ向き」↓に印加することによりオーバー
ライトが可能になる。

（実施例６・−・−・−・−媒体光６のうちの１つ）３
元のＲＦマグネトロン・スパッタリングｍ２を用い、下
記第７表に示すターゲット：　ＴｂＦｅ合金、ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金、ＧｄＦｅＣｏ合金の３個を置り、厚さ１．２
■、直径２０（１＋＋ｎ＋のガラス基板を該装置のチャ
ンバー内にセイトする。

該装置のチャンバー内を一旦７　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ
、以下の真空度に排気した後、Ａｒガスを５　Ｘ　１０
−’Ｔｏｒｒ。

導入する。そして、堆積（ｄｅｐｏｓｉ　ｔｉｏｎ）速
度約２人／秒で、スパッタリングを行なう、これにより
基板上に、厚さ３００人のＧｄｚｚＦｅｓｓＣｏｚ３の
第３層（転写Ｎ）、更に厚さ５００人のＴｂＦｅ合金の
第１層（記録Ｆりを形成する。続いて、真空状態を保持
したまま、第１層の上に厚さ１０００人のＴｂｌ　Ｊｅ
ｔｔＣＯ＠の第２層（記録補助層）を形成する。第１及
び第２層、第３層ともに垂直磁化膜である。

こうして、クラス？　（Ａタイプ・第■象限・タイプ４
）に属する２層光磁気記録媒体黒７が製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第７表に示す。

第７表 ＝３７５００ｅ を満足している。また、式４０に於いて、Ｈｃｚ”　　
　　　　　　　−３５０００ｅ２Ｍ３冨１゜ σ− Ｈｃ＋　”　　　　　　　　＝８２５０　０ｅ２Ｍｓ＋
ｔ＋ であるので、初期補助磁界Ｈｉｎｔ、を４０００　０ｅ
とすれば、式４０を満足する。そうすれば、記録層１の
磁化は室温で旧ｎｉ、によって反転されずに、記録補助
層２の磁化のみが反転される。

更に、式３８： ％式％ 及び式３９： σ０ Ｈｃｚ＝３０００　０ｅ　＞　−＝５０００ｅＺＭｓｔ
ｔ軍 を満足しているので、旧ｎｉ、が取り去られても、Ｎｌ
及び層２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、旧ｎｉ、　＝４０００　０ｅの初期補助磁界を
例えば「Ａ向き」Ｔに印加し、Ｈｂ　＝３０００ｅの記
録磁界を「逆Ａ向き」↓に印加することによりオーバー
ライトが可能になる。

（実施例７・・・・・−・・・・−・・媒体患７のうち
の１つ）実施例６と同様に、基板上に厚さ５００人のＧ
ｄｚＪｅｓｓＣＯｚｓの第３層（転写層）、更に厚さ１
０００人のＴｂ２１Ｆｅｙｑの第１層（記録層）及びそ
の上に厚さ１０００人のＴｂ＋ＪｅｔａＣｏ＠の第２層
（記録補助Ｎ）を形成する。これにより、クラス？　（
Ｐタイプ・第■象限・タイプ４）に属する媒体黒７が製
造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第８表に示す。

第８表 この媒体は、ＴＬ　＝　１５５℃、ＴＭ　＝　２２０℃
（実施例１９参照）とすれば、 式４１： ％式％ ： を満足している。また、式４５に於いて、σ− Ｍｓｚｔｚ σ− Ｈｃ＋−＝５９２９　０ｅ ２Ｍｓ＋ｔ＋ であるので、初３ＩＪＩ補助磁界Ｍｉｎｉ、を４０００
　０ｅとすれば、式４５を満足する。そうすれば、記録
層１の磁化は室温で旧ｎｉ、によって反転されずに、記
録補助層２の磁化のみが反転される。

更に、弐４３： 及び式４４： を満足しているので、旧ｎｉ、が取り去られても、層１
及びＮ２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、Ｈｉｎｉ、　＝４０００　０ｅ　（７）初期補
助磁界を例エバｒ　Ａｒ１１ｌキＪ　Ｔ　ニＥｒ１７１
０Ｌ、Ｈｂ　＝３０００ｅ　Ｏ）記録磁界を「逆Ａ向き
」↓に印加することによりオーバーライトが可能になる
。

（実施例８−−−−−・・−−−−−−−一媒体寛８の
うちの１つ）実施例６と同様に、基板上に厚さ５００人
のＧｄｚ、Ｆｅ５．Ｃｏ、、の第３層（転写層）、更に
厚さ５００人のＴｂ□Ｆｅ７．の第１層（記録Ｎ）及び
その上に厚さ２０００人のＧｄｚ＊Ｔｂ３Ｆｅｔ３の第
２層（記録補助層）を形成する。これにより、クラス８
　（Ａタイプ・第■象限・タイプ２）に属する媒体光８
が製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第９表に示す。

第９表 この媒体は、ＴＬ　＝　１５５℃、Ｔｅｌ　＝　２３０
℃（実施例２０参照）とすれば、 弐４６： Ｔｚ　＜　Ｔ　（１悠”！’、　ｚＴ　ｃｏｍｐ、ｚ〈
Ｔ　Ｃ！”Ｔ　ｓ及び式４７： ％式％ を満足している。また、弐５０に於いて、ＭＳｚｔｔ Ｈｃ＋＋−＝９１４３　０ｅ ２　Ｍ、、　ｔ　。

であるので、初１ｔＪｌ補助磁界旧ｎｉ、を８００　０
ｅとすれば、弐５０を満足する。そうすれば、記録層１
の磁化は室温で旧ｎｉ、によって反転されずに、記録補
助層２の磁化のみが反転される。

更に、式４８： ％式％ 及び式４９： Ｈｃｚ＝３５０　０ｅ　＞　−＝２２００ｅ’ｌ　Ｍ３
ｚｔ　。

を満足しているので、旧ｎｉ、が取り去られても、層１
及び層２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、Ｈｉｎｉ、　＝　８００　０ｅの初期補助磁界
を例えば「Ａ向き」τに印加し、Ｈｂ　−８０００ｅの
記録磁界を「Ａ向き」↑に印加することによりオーバー
ライトが可能になる。尚、ＨｂとＩ（ｉｎｉ、の大きさ
及び向きが等しいので、この場合、それぞれの印加手段
を１つに兼用した記録装置を使用することができる。

（実施例９−・・−・−・・・・・・媒体光９のうちの
１つ）実施例１と同様に、基板上に厚さ４００人のＧｄ
２ｚＦｅｓｓＣＯｚ３の第３Ｎ（転写Ｎ）、更に厚さ１
０００人のＧｄｔＴｂ＋　ｑＦｅｔｑの第１層（記録Ｎ
）及びその上に厚さ５００人のＴｂ＊Ｊｅｂ＋ＣＯ＋ａ
の第２層（記録補助層）を形成する。これにより、クラ
ス９　　（Ａタイプ・第■象限・タイプ４）に属する媒
体光９が製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第１０表に示す。

第１０表 この媒体は、ＴＬ　＝　１７０℃、Ｔ、　＝　２２０℃
（実施例２１参照）とすれば、 式５１： ％式％ 及び式５２： ＝４１６７　０ｅ を満足している。また、式５５に於いて、σ８ Ｍｓｚｊｚ Ｈｃ＋　　　　　　　＝８６６７　０ｅ２Ｍｓ＋ｔ＋ であるので、初％Ｊ］補助磁界旧ｎｉ、を４０００　　
”Ｏｅとすれば、式５５を満足する。そうすれば、記録
層１の磁化は室温で旧ｎｉ、によって反転されずに、記
録補助層２の磁化のみが反転される。

更に、弐５３： Ｈｃ＋　＝７０００　０ｅ　＞　　　　　　　−１６６
７０ｅ２Ｍ３＋Ｌ＋ 及び式５４： ％式％ を満足しているので、旧ｎｉ、が取り去られても、層１
及びＮ２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、旧ｎｉ、　＝４０００　０ｅの初期補助磁界を
例えば「Ａ向き」↑に印加し、Ｈｂ　＝３０００ｅの記
録磁界を「逆Ａ向き」↓に印加することによりオーバー
ライトが可能になる。

（実施例１０−・−・・−−−−−−−−光磁気記録装
置）この装置は記録専用であり、その全体構成を第３図
（概念図）に示す。

この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１； （ｂ）初期補助磁界旧旧、印加手段２２：（Ｃ）レーザ
ービーム光ａ２３； （ｄ）ビーム強度を記録すべき情報に従いパルス状に変
調させる手段２ｊｌ （Ｑ）前記パルス状ビームの強度を、（１）上向き磁化
を有するビットと下向き磁化を有するビットの何れか一
方のビットを形成させるのに適当な媒体温度Ｔ。を与え
る高レベルと、（２）他方のビットを形成させるのに適
当な媒体温度ＴＬを与える低レベルとに設定する手段２
５； （ｆ）記！３磁界Ｈｂ印加手段２６； からなる。

記録磁界Ｈｂ印加手段２６は、電磁石又は好ましくは永
久磁石が一般的である。場合によっては、記録磁界Ｈｂ
は記録媒体の記録トラ、り以外の部分からの浮遊磁界を
利用してもよく、その場合には、印加手段２６は、記録
媒体２０の垂直磁化膜（第１及び第２層）のうち浮遊磁
界を発生する領域を指す。

ここでは、印加手段２６として、Ｈｂ　＝　３０００ｅ
で磁界の向きが「逆Ａ向き」↓の永久磁石を使用する。

この永久磁石２６は、ディスク状媒体２０の半径方向の
長さに相当する長さを有する棒状のものを固定して設置
する。永久磁石２６は、光ａ２３を含む記録ヘッド（ピ
ックアンプ）と共に移動させることはしないことにする
。その方がピックアンプが軽くなり、高速アクセスが可
能になる。

また、初期補助磁界旧ｎｉ、印加手段２２としては、電
磁石又は好ましくは永久磁石が使用される。

ここでは旧ｎｉ、　＝　４００００ｅ　、、磁界の向き
が「Ａ向き」↑の永久磁石を使用する。この永久（１石
２２は、ディスク状媒体の半径方向の長さに相当する長
さを有する棒状のものを固定して設置する。

なお、本記録装置は、再生系の装置を付加して記録再生
兼用装置に修正してもよい。

（実施例１１−−−−−一光磁気記録装置）この装置は
記録専用であり、その全体構成を第４図（概念図）に示
す。

この装置は、基本的に：よ、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１； （ｃ）レーザービーム光ｆｉ２３； （ｄ）ビーム強度を記録すべき情報に従いパルス状に変
調させる手段２４； （ｅ）前記パルス状ビームの強度を、（１）上向き磁化
を有するビットと下向き磁化ををするビットの何れか一
方のビットを形成させるのに適当な媒体温度Ｔ８を与え
る間レベルと、（２）他方のビットを形成させるのに適
当な媒体温度Ｔ、を与える低レベルとに設定する手段２
５； （ｂ、　　Ｂ初期補助磁界旧ｎｉ、印加手段２２と兼用
された記録磁界Ｈｂ印加手段２６；からなる。

記録磁界ＨｂＯ向きと初期補助磁界旧ｎｉ、の向きとが
一致するときには、記録磁界Ｈｂ印加手段２６と初期補
助磁界旧ｎｉ、印加手段２２とを兼用させることができ
る場合がある。これは次のような場合である。仮に磁界
を集中したい記録個所（ビームの当たっているスポット
領域）に記録磁界Ｈｂ印加手段２Ｂを設置しても、磁界
を一点に集中することは不可能である。つまり、記録個
所の周囲には必ず漏れ磁界が印加されてしまう。従って
、この漏れ磁界を利用すれば、記録の前に初期補助Ｒ１
界Ｈｉｎｉ、磁界を印加することが可能となる。そこで
、本実施例の装置では手段２２と２６を兼用させた。

兼用された手段２２＆２６は、−ｉに電磁石又は好まし
くは永久磁石である。ここでは、Ｈｂ＝Ｈｉｎｉ、　＝
　６００　０ｅで磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久（１
石を使用する。この永久磁石２２＆２６は、ディスク状
記録媒体２００半径方向の長さに相当する長さを有する
棒状のものである。この５１石２２＆２Ｂは、本記録装
置に固定して設置し、光源２３を含むピックアンプと共
に移動させることはしないことにする。その方がピンク
アップが軽くなり、高速アクセスが可能になる。

（実施例１２−・・・−−−一−−光磁気記録装置）こ
の装置は記録専用であり、その全体構成を第４図（概念
図）に示す。

この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１； （ｅ）レーザービーム光源２３； （ｄ）ビーム強度を記録すべき情報に従いパルス状に変
調させる手段２４； （ｅ）前記パルス状ビームの強度を、（１）上向き磁化
を有するビットと下向き磁化を存するビットの何れか一
方のビットを形成させるのに適当な媒体温度ＴＩＩを与
える高レベルと、（２）他方のビットを形成させるのに
適当な媒体温度Ｔ、を与える低レベルとに設定する手段
２５； （ｂ、ｆ）初期補助磁界旧ｎｉ、印加手段２２と兼用さ
れた記録磁界Ｈｂ印加手段２６；からなる。

兼用された手段２２＆ＩＥｉとして、ここでは、Ｈｂ　
＝Ｈｉｎｉ、　＝　８００　０ｅで磁界の向きが「Ａ向
き」↑の永久磁石を使用する。この永久磁石２２＆２６
は、ディスク状記録媒体２００半径方向の長さに相当す
る長さを有する棒状のものである。

この磁石２２＆２６は、本記録装置に固定して設置し、
光源２３を含むピンクアップと共に移動させることはし
ないことにする。

（実施例１３−−−−・−−−−−一光磁気記録）実施
例１１の記！３装置（第４図参照）を使用して光磁気記
録を実施する。まず、回転手段２１で実施例１の記録媒
体２０を８．５ｒｒ＋／秒の一定線速度で移動させる。

その媒体２０に対し、レーザービームを照射する。この
ビームは、手段２５により高レベル時：　９．３　ｍＷ
　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：６．６　ｎ＋Ｗ　
（ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整されている
。そしてビームは、手段２４により情報に従いパルス状
に変調される。ここでは、記録すべき情報を周波数Ｉ　
Ｍｌ（ｚの信号とした。従って、ビームを周波数Ｉ　Ｍ
Ｈｚで変調させながら媒体２０に照射した。これにより
、Ｉ　Ｍｌ２の信号が記録されたはずである。別Ｏ光磁
気再生装置で再生すると、Ｃ／Ｎ比は５！ＭＢであり、
記録されていることが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数５　
Ｍ）ｌｚの信号を新たなり？　報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比＝　５５ｄＢで
新たな情報が再生された。エラー発生率は、１０−５〜
１０１であった。このとき、ｌ　ＭＨｚの信号（前の情
報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：　Ｔ
、　＝２３０℃、低レベル時：　ＴＬ　＝１７０℃に達
する。

（実施例１　ｔ−−−−−一光磁気記録）実施例１１の
記録袋Ｍ（第４図参照）を使用して光磁気記録を実施す
る。まず、回転手段２１で実施例２の記録媒体２０を８
．５ｍ／秒の一定線速度で移動させる。その媒体２０に
対し、レーザービームを照射する。このビームは、手段
２５により高レベル時：　９．３　ｍＷ（ｏｎ　ｄｉｓ
ｋ）、低レベル時；５．７　ｍＷ　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）
の出力がでるように調整されている。そしてビームは、
手段２４により情報に従いパルス状に変調される。ここ
では、記録すべき情報を周波数Ｉ　Ｍｌ（ｚの信号とし
た。従って、ビームを周波数Ｉ　Ｍ）Ｉｚで変調させな
がら媒体２０に照射した。これにより、Ｉ　ＭＨｚの信
号が記録されたはずである。別の光磁気再生装置で再生
すると、Ｃ／Ｎ比は５９ｄＢであり、記録されているこ
とが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数５　
ＭＨｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比−３５ｄＢで新
たな情報が再生された。エラー発生率は、１０−Ｓ〜１
０−６であった。このとき、Ｉ　ＭＨｚの信号（前の情
報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：　Ｔ
Ｍ　＝２３０℃、低レベル時：　ＴＬ　＝１５０℃に達
する。

（実施例１５−一一一−〜−−・−−一〜−光磁気記録
）実施例１０の記録装置（第３図参照）を使用して光磁
気記録を実施する。まず、回転手段２１で実施例３の記
録媒体２０を８．５　ｍ７秒の一定線速度で移動させる
。その媒体２０に対し、レーザービームを照射する。こ
のビームは、手段２５により高レベル時：　８．９　ｄ
　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：６．６　ｍＷ　（
ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整されている。

そしてビームは、手段２４により情報に従いパルス状に
変調される。ここでは、記録すべき情報を周波数５聞２
の信号とした。従って、ビームを周波数５　ＭＨｚで変
調させながら媒体２０に照射した。これにより、５　Ｍ
Ｈｚの信号が記録されたはずである。別の光磁気再生装
置で再生すると、Ｃ／Ｎ比は５６ｄＢであり、記録され
ていることが確かめられたゆ 次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数２Ｍ
）＋２の信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比＝５９．５ｄＢ
で新たな情報が再生された。エラー発生率は、１０−Ｓ
〜１０−６であった。このとき、５ＭＨ２の信号（前の
情報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：　Ｔ
、　＝２２０℃、低レベル時：Ｔ、＝１７０℃に達する
。

（実施例１６−・−−一−−−・−−−−一光磁気記録
）実施例１０の記録装置（第３図参照）を使用して光磁
気記録を実施する。まず、回転手段２１で実施例４の記
録媒体２０を８．５　ｍ７秒の一定線速度で移動させる
。その媒体２０に対し、レーザービームを照射する。こ
のビームは、手段２５により高レベル時：　６．１　ｄ
　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時＝４．３　ｍＷ　（
ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整されている。

そしてビームは、手段２４により情報に従いパルス状に
変調される。ここでは、記録すべき情報を周波数５　Ｍ
）＋２の信号とした。従って、ビームを周波数５Ｍ＋Ｉ
ｚで変調させながら媒体２０に照射した。これにより、
５　ＭＨｚの信号が記録されたはずである。別の光磁気
再生装置で再生すると、Ｃ／Ｎ比は５６ｄＢであり、記
録されていることが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数２　
ＭＨｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比＝５９．５ｄＢ
で新たなＭ４報が再生された。エラー発生率は、１０−
Ｓ〜１０−ｈであった。このとき、５　ＭＨｚの信号（
前の情報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：　Ｔ
Ｎ　＝１６０℃、低しヘル時：　”ｒＬ＝＋２０℃に達
する。

（実施例１　’７−−−−−−−−−・−光磁気記録）
実施例１０の記！３装置（第３図参照）を使用して光磁
気記録を実施する。まず、回転手段２１で実施例５の記
録媒体２０を８．５ｍ／秒の一定線速度で移動させる。

その媒体２０に対し、レーザービームを照射する。この
ビームは、手段２５に°ヨリ高レベル時：　８．４　ｍ
Ｗ　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：６．４　ｍＷ　
（ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整されている
。そしてビームは、手段２４により情報に従いパルス状
に変調される。ここでは、記録すべき情報を周波数５　
ＭＨｚの信号とした。従って、ビームを周波数ＯＭＩＩ
Ｚで変調させながら媒体２０に照射した。これにより、
５　Ｍ）Ｉｚの信号が記録されたはずである。別の光磁
気再生装置で再生すると、Ｃ／Ｎ比は５０ｄＢであり、
記録されていることが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数４　
ＭＨｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比−３８ｄＢで新
たな情報が再生された。エラー発生率は、１０−５〜１
０−６であった。このとき、５ＭＨｚの信月（前の情報
）は全（現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：ＴＨ
＝２１０℃、低レベル時：　Ｔ、　＝１６５℃に達する
。

（実施例１１３−−−・−一一−−−−−−光磁気記録
）実施例１０の記録装置（第３回参照）を使用して光磁
気記録を実施する。まず、回転手段２１で実施例６の記
録媒体２０を８．５　ｍ／秒の一定線速度で移動させる
。その媒体２０に対し、レーザービームを照射する。こ
のビームは、手段２５により高レベル時：　８．１　ｍ
ｌ＋Ｉ　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：５．９　ｍ
Ｗ　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整されて
いる。そしてビームは、手段２４により情報に従いパル
ス状に変調される。ここでは、記録すべき情報を周波数
５　ＭＨｚの信号とした。従って、ビームを周波数５Ｍ
）ｌ’ｚで変調させながら媒体２０に照射した。これに
より、５　ＭＨｚの信号が記録されたはずである。別の
光磁気再生装置で再生すると、Ｃハ比は５６ｄＢであり
、記録されていることカ＜　ＣＩかめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数３　
Ｍｌ（ｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比＝　５９ｄｕで
新たな情報が再生された。エラー発生率は、１ｏ−３〜
１０−＆であった。このとき、５　ＭＨｚの信号（前の
情報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：ＴＨ
＝２２０℃、低レベル時’　Ｔｔ　＝１５５℃に達する
。

（実施例１９−−−−−・・−−−ｍ−光磁気記録）実
施例１０の記録装置（第３図参照）を使用して光磁気記
録を実施する。まず、回転手段２１で実施例７の記録媒
体２０を８．５　ｍ／秒の一定線速度で移動させる。そ
の媒体２０に対し、レーザービームを照射する。このビ
ームは、手段２５により高レベル時：　８．９　ｍＷ　
（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：５．９　ｍＷ　（ｏ
ｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整されている。そ
してビームは、手段２４により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数５Ｍ１ｌ
ｚの信号とした。従って、ビームを周波数５　Ｍｌ（Ｚ
で変調させながら媒体２０に照射した。これにより、５
　Ｍｌ（ｚの信号が記録されたはずである。別の光磁気
再生装置で再生すると、Ｃ／Ｎ比は５６ｄＢであり、記
録されていることが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数２　
ＭＨｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比−５９，５ｄＢ
で新たな情報が再生された。エラー発生率は、１０゛５
〜１０１であった。このとき、５　ＭＨｚの信号（前の
情報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：　Ｔ
ＲＩ　＝２２０℃、低レベル時’ＴＬ＝１５５℃に達す
る。

（実施例２０・・−・−・−・・・−・−光磁気記録）
実施例１２の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段２１で実施例８の記録
媒体２０を８．５　ｍ／秒の一定線速度で移動させる。

その媒体２０に対し、レーザービームを照射する。この
ビームは、手段２５により高レベル時：　９．３　ｍＷ
　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：５．９　ｍＷ　（
ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整されている。

そしてビームは、手段２４により情報に従いパルス状に
変調される。ここでは、記録すべき情報を周波数ＩＭＩ
Ｉｚの信号とした。従って、ビームを周波数１肝２で変
調させながら媒体２０に照射した。これにより、Ｉ　Ｍ
ｔｌｚの信号が記録されたはずである。別の光磁気再生
装置で再生すると、Ｃ／Ｎ比は５９ｄＢであり、記録さ
れていることが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数２Ｍ
ＩＩｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比＝　５８．５ｄ
Ｂで祈ｆこな情報が再生された。エラー発生率は、１０
−５〜１０−ｈであった。このとき、Ｉ　ＭＨｚの信号
（前の情報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：Ｔ、
＝２３０℃、低レベル時’ＴＬ＝１５５℃に達する。

（実施例２１−−・・−・−−−−−−・光磁気記録）
実施例１０の記録装置（第３図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段２】で実施例９の記録
媒体２０を８゜５ｍ／秒の一定線速度で移動させる。そ
の媒体２０に対し、レーザービームを照射する。このビ
ームは、手段２５により高レベル時：　８．９　ｍＷ　
（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：６．６　ｍＷ　（ｏ
ｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整されている。そ
してビームは、手段２４により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数５　ＭＨ
ｚの信号とした。従って、ビームを周波数５　ＭＨｚで
変調させながら媒体２０に照射した。これにより、５　
ＭＨｚの信号が記録されたはずである。別の光磁気再生
装置で再生すると、Ｃハ比は５６ｄＢであり、記録され
ていることが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数６　
ＭＨｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比＝　５４ｄｂで
新たな情報が再生された。エラー発生率は、１０−Ｓｍ
２Ｏ３であった。このとき、５ＭＩＩｚの信号（前の情
報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：　Ｔ
、＋　＝２２０℃、低レベル時：ＴＬ＝１７０℃に達す
る。

〔発明の効果〕

以上のとおり、本発明によれば、光磁気記録において、
記録磁界ＨｂをＯＮ、ＯＦＦすることなく、又はＨｂの
向きを変えることな（、オーバーライトが初めて可能に
なった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第２図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第３図は、本発明の実施例１０にかかる光磁気記ｉ３装
この全体構成を示す概念図である。 第４図は、本発明の実施例１１及び１２にかがる光磁気
記録装置の全体構成を示す概念図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ・−・−・−レーザービーム しｐ　−・−直線偏光 Ｂ１−・−一−ｒ　Ａ向き」磁化を存するビットＢｏ−
−〜−−−「逆Ａ向き」磁化を有するビット１−・−−
−−−−−−一記！３層 ２０−〜−−−−−光磁気記録媒体 ２Ｑａ　　−基讐反 ２１・−・−移動手段の一例としての回転手段２２−・
−一一一一初期補助磁界印加手段２３−−−−−レーザ
ービーム光源 ２４−−−ビーム強度を記録すべき情報に従いパルス状
に変調する手段 ２５−−−−−パルス状のビーム強度を、（１）ｒＡ向
き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」磁化を有する
ビットの何れか一方を形成するのに適当な温度を媒体に
与える高レベルト、（２）他方のビットを形成するのに
適当な温度を媒体に与える低レベルとに設定する手段 ２６−・・−・−記録磁界印加手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　光磁気記録媒体の記録層に対して、情報を上向き磁
   化を有するビットと下向き磁化を有するビットで記録す
   る光磁気記録方法に於いて、その方法が、 （ａ）前記媒体として、垂直磁気異方性を有する第１層
   を記録層とし垂直磁気異方性を有する第２層を記録補助
   層とし第１層より磁気光学効果の高い第３層を転写層と
   し前記第１層に記録された情報を転写する多層光磁気記
   録媒体を使用すること； （ｂ）前記媒体を移動させること； （ｃ）初期補助磁界を印加することによって、前記記録
   補助層の磁化のみを、記録する前に上向き又は下向きの
   何れか一方に揃えておくこと； （ｄ）レーザービームを媒体に照射すること； （ｅ）前記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従いパ
   ルス状に変調すること； （ｆ）前記ビームを照射した媒体部分に記録磁界を印加
   すること； （ｇ）前記パルス状ビームの強度が高レベルの時に、上
   向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビットの
   いずれか一方のビットを形成させ、ビームの強度が低レ
   ベルの時に、他方のビットを形成させること； からなることを特徴とするオーバーライト可能な方法。 ２　初期補助磁界を印加することによって、前記記録補
   助層の磁化のみが、上向き又は下向きの何れか一方であ
   る「Ａ向き」に揃えられたとする前記ビーム強度が高レ
   ベルの時は、記録磁界により記録補助層の「Ａ向き」磁
   化を「逆Ａ向き」に反転させ、この記録補助層の「逆Ａ
   向き」磁化によって記録層に「逆Ａ向き」磁化〔又は「
   Ａ向き」磁化〕を有するビットを形成し、ビーム強度が
   低レベルの時は、記録補助層の「Ａ向き」磁化によって
   記録層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有
   するビットを形成することを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の方法。 ３　垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直
   磁気異方性を有する第２層を記録補助層とし、第１層よ
   り磁気光学効果の高い第３層を転写層し、前記第１層に
   記録された情報を転写するオーバーライト可能な多層光
   磁気記録媒体の第３層に直線偏光を照射して、その反射
   光の偏光面の光磁気再生方法。 ４　垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直
   磁気異方性を有する第２層を記録補助層とし、第１層よ
   り磁気光学効果の高い第３層を転写層とし、前記第１層
   に記録された情報を転写するオーバーライト可能な多層
   光磁気記録媒体。 ５　高レベルのレーザービームを照射した時は、記録磁
   界により記録補助層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に
   反転させ、この記録補助層の「逆Ａ向き」磁化によって
   記録層に「逆Ａ向き」磁化（又は「Ａ向き」磁化〕を有
   するビットが形成され、 低レベルのレーザービームを照射した時は、記録補助層
   の「Ａ向き」磁化によって記録層に「Ａ向き」磁化〔又
   は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットが形成されること
   を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の記録媒体。 ６　第１層が室温で保磁力が高くキュリー点が低い磁性
   薄膜であり、第２層が相対的に室温で保磁力が低くキュ
   リー点が高い磁性薄膜であり、第３層が第１層よりキュ
   リー点が高く室温で保磁力が低いことを特徴とする特許
   請求の範囲第４項記載の記録媒体。 ７　前記第３層が垂直磁化膜からなることを特徴とする
   特許請求の範囲第４〜６項記載の記録媒体。 ８　下記１条件： Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿Ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈを満
   足し、かつ室温で下記４条件： Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜Ｈ＿Ｄ＿１±Ｈ＿Ｄ＿２｜
   Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｄ＿１ Ｈ＿Ｃ＿２＞Ｈ＿Ｄ＿２ Ｈ＿Ｃ＿２＋Ｈ＿Ｄ＿２＜｜Ｈｉｎｉ．｜＜Ｈ＿Ｃ＿１
   ±Ｈ＿Ｄ＿１を満足する特許請求の範囲第４項記載の記
   録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿Ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿Ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｈ＿Ｄ＿１：第１層が受ける結合磁界 Ｈ＿Ｄ＿２：第２層が受ける結合磁界 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ９　第１層が第２層に磁気結合される温度をＴ＿Ｓ＿１
   とし、第２層が記録磁界で反転する温度をＴ＿Ｓ＿２と
   するとき、第１層が室温で保磁力が高く、第２層が相対
   的に室温で保磁力が低く、かつＴ＿Ｓ＿１＜Ｔ＿Ｓ＿２
   であることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の記
   録媒体。 １０　下記１条件： Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｓ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿Ｓ＿２≒Ｔ＿Ｈを満
   足し、かつ室温で下記４条件： Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜Ｈ＿Ｄ＿１±Ｈ＿Ｄ＿２｜
   Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｄ＿１ Ｈ＿Ｃ＿２＞Ｈ＿Ｄ＿２ Ｈ＿Ｃ＿２＋Ｈ＿Ｄ＿２＜｜Ｈｉｎｉ．｜＜Ｈ＿Ｃ＿１
   ±Ｈ＿Ｄ＿１を満足する特許請求の範囲第４項記載の記
   録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿Ｓ＿１：第１層が第２層に磁気結合される温度Ｔ＿
   Ｓ＿２：第２層が記録磁界で反転する温度Ｔ＿Ｌ：低レ
   ベルのレーザービームを照射した時の記録媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｈ＿Ｄ＿１：第１層が受ける結合磁界 Ｈ＿Ｄ＿２：第２層が受ける結合磁界 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １１　前記第１層と第２層と第３層は、いずれも遷移金
   属−重希土類合金組成から選択したものであることを特
   徴とする特許請求の範囲第４項記載の記録媒体。 １２　前記第１層と第２層と第３層は、いずれも遷移金
   属−重希土類合金組成から選択したものであることを特
   徴とする特許請求の範囲第８項記載の記録媒体。 １３　前記第１層と第２層と第３層は、いずれも遷移金
   属−重希土類合金組成から選択したものであることを特
   徴とする特許請求の範囲第１０項記載の記録媒体。 １４　前記第３層をＧａＦｅＣｏとしたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１３項記載の記録媒体。