JPS63237238A

JPS63237238A - 光磁気記録媒体および光磁気記録方法

Info

Publication number: JPS63237238A
Application number: JP62070279A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Osato; 陽一大里
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-03-26
Filing date: 1987-03-26
Publication date: 1988-10-03
Also published as: JPH0522301B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、磁気カー効果を利用して読出しすることので
きるキュリー点書込みタイプの光磁気記録媒体を使用し
た、重ね書き可能な光磁気記録方法に関する。

（従来の技術）消去可能な光デイスクメモリとして光磁気ディスクが知
られている。光磁気ディスクは、従来の磁気ヘッドを使
った磁気記録媒体と比べて高密度記録、非接触での記録
再生などが可能であるとい′う長所がある反面、記録部
に一度記録部分を消去しなければならない（一方向に着
磁しなければならない）という欠点があった。この欠点
を補うｔ）に、記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々
に設ける方式、あるいは、レーザーの連続ビーを照射し
ながら、同時に印加する磁場を変調しながら記録する方
式などが提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕しかし、これらの方法は、装置が大がかりとなり、コス
ト高になる欠点あるいは高速の変調が出来ないなどの欠
点を有する。

本発明は上述従来例の欠点を除去し、従来の装置構成に
簡易な構造の磁界発生手段を付設するだけで、磁気記録
媒体と同様な重ね書き（オーバーライド）を可能とした
、光磁気記録媒体とその記録方法を提供することを目的
とする。

（問題点を解決するための手段）上記目的達成可能な本発明は、キュリー点Ｔ１、保磁力Ｈ１、厚さり、及び飽和磁化Ｍ
ｇ１を有する第１Ｍｉ性層と、キュリー点Ｔ２、保磁力
Ｈ２、厚さｈｌ及び飽和磁化Ｍ、！２を有する第２磁性
層と、キュリー点Ｔ３、保磁力Ｈ３、厚さｈ３及び飽和
磁化ＭＳ３を有する第３磁性層と、キュリー点Ｔ４、保
磁力Ｈ４、厚さｈ４及び飽和磁化ＭＳ４を有する第４磁
性層とから成る交換結合している四層構造の垂直磁化膜
を少なくとも基板上に有して成る光磁気記録媒体であっ
て、第１と第２１ｉｆｌ性層の磁壁エネルギー、第２と第３
ｉｉ性層の磁壁エネルギー、第３と第４磁性層の磁壁エ
ネルギーを順にσＷ　１２、σＷ２３、σＷ　３４とす
ると、上記４つの磁性層が次のＩ〜ＩＶの条件、即ち、Ｉ、各磁性層のキュリー点の関係に関してはＴ　＋　、
Ｔ　ａ　＞　Ｔ　２　、Ｔ　３ＩＩ、各磁性層の保磁力
の関係に関してはＨ２＞Ｈ４＞Ｈｌ　、　Ｈ３ ■、各磁性層の膜厚の関係に関してはり、＋ｈ２≧２５０人、ｈｌ　＋ｈ２　＋ｂ３＋１１４≧６００ÅＩＶ、各磁性
層の飽和磁化、膜厚、保磁力、磁壁エネルギーそれぞれ
の関係に関してはＨ，＞ＭＳ４ｈ４を満たしている光磁気記録媒体と、これを使用して、次
の二値の記録を行なうことを特徴とする記録方法である
。

（ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
保磁力Ｈ４の第４６ｉ性層を一方向に磁化させるのに充
分で保磁力Ｈ２の第２磁性一層の磁化の向きを反転させ
ることのない大きさの磁界Ｂを加え、（ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
ると同時に第２１／Ａ性層のキュリー点第２付近（第２
に近い温度で、第１、第２Ｍｉ性層の磁化の向きを均一
に第４磁性層の磁化に対して安定な方向に配列可能な温
度）まで該媒体が昇温するだけのレーザーパワーを照射
することにより、第４Ｗｔ性層の磁化の向きを変えない
まま第１、第２磁性層の磁化の向きを第３磁性層を介。

して第４磁性層に対して安定な向きにそろえる第１種の
予備記録か、バイアス磁界を印加すると同時に第４磁性
層のキュリー点第４付近（第４に近い温度で、第４磁性
層の磁化の向きを均一に反転可能な温度）まで該媒体が
昇温するだけのレーザーパワーを照射することにより、
第４磁性層の磁化の向きを反転させて同時に第１から３
６ｆ！を性層を共に第４ＷＬ性層に対して安定な向きに
磁化する第２種の予備記録かを、信号に応じて実施し、（ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記録されたビッ
トを前記磁界Ｂを通過させることにより、第１種の予備
記録により形成されたビットについては第１から第４磁
性層全て磁化の向きをそのまま変化させず、第２種の予備記録により形成されたビットについては、
第４磁性層の磁化の向きを首記磁界Ｂと同方向に反転さ
せ、第１、第２Ｍｉ性層の磁化の向きはそのまま変化さ
せないとする、二値の記録。

ここで、第３磁性層の磁化の向きについては、詳しくふ
れなかったが、次のどちらかのように配列している。

（Ｔ　Ｗ　２３／　２Ｍ５３ｈ３＜　σＶ／　３４／　
２ＭＳ３ｈ３の場合は、第３Ｍｉ性層の磁化はいつも第
４６ｆｉ性層の磁化の向きに対して、安定な方向に配列
する。

また、（５Ｗ　２３／　２ＭＳ＋ｈ３＞　Ｑ　Ｗ　３４
／　２Ｍ５３ｈ３の場合は第３磁性層の磁化はいつも第
２ｖｉｉ性層の磁化の向きに対して安定な方向に配列す
る。

［実施態様］以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）　、（ｂ）は各々本発明の光磁気記録媒体
の一実施例を示す模式断面図である。第１図（ａ）の光
磁気記録媒体は、プリグループが設けられた透光性の基
板Ｂ上に、第１の磁性層１、第２の磁性層２、第３の磁
性層３及び第４の磁性層４が積層されたものである。第
１磁性層１．第２磁性層２、第３磁性層３、第４磁性層
４それぞれのキュリー点は順にＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４
、保磁力は順にＨ，、Ｈ２，８３、Ｈ４、膜厚は順に）
１＋　、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４、飽和磁化は順にＭＳ１、Ｍ
８２、ＭＳ３、ＭＳ４である。

第１磁性層と第２磁性層の磁壁エネルギー、第２ｋＰ＆
性層と第３磁性層の磁壁エネルギー、第３磁性層と第４
磁性層の磁壁エネルギーを順にσ”＋２％　σＷ２３　
％　ＱＶｉ３４とすると、上記４つの磁性層は次の１〜
■の条件を満たし、交換結合している。

Ｉ、各磁性層のキュリー点については、Ｔ１．Ｔ４〉Ｔ
２、Ｔ３という関係ＩＩ、各磁性層の保磁力については、Ｈ２＞Ｈ４＞Ｈ＋　、Ｈ３という関係 ■、各磁性層の膜厚については、ｈ、＋Ｈ２２２５０Å、ｈ１＋ｈ２＋ｈ３十ｈ４≧６０
０人という関係 ■、各磁性層の飽和磁化、膜厚、保磁力、磁壁エネルギ
ーそれぞれについては、次の関係ただし、通常は第１磁
性層１のＴ１は１５０〜４００℃、Ｈｌは、０．１〜Ｉ
にＯｅ、膜厚り、は５０〜３００人、第２磁性層２のＴ
２は７０〜２００℃、Ｈ２は２〜１２ＫＯｃ　、　１反
厚ｈ２は５０〜３００人、第３磁性層３のＴ３は０〜２
００℃、Ｈ３は、ｏ、ｔ〜ＩＨＯｅ、膜厚ｈ３は５０〜
３００人、第４６Ｉ！を性層４のＴ、は１００〜３００
℃、Ｈｌは、０．５〜４ＫＯｅ、膜厚ｈ４は５０〜６０
０人程度の光囲内にするとよい。

各磁性層の主成分には、垂直磁気異方性を示し且つ磁気
光学効果を呈するものが使用できるが、希土類元素と遷
移金属元素との非晶質磁性合金が好ましい。例として、
ＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅ　、ＴｂＦｅ、　ＤｙＦｅ。

ＧｄＴｂＦｅ、　ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ（：ｏ、
ＴｂＦｅＧｏ、　ＧｄＴｂＣｏ等が挙げられる。

本発明の光磁気記録媒体の隣接する磁性層は交換力で結
合しており、第１磁性層１と第２磁性層２は相対的に強
く結合しており、第２６？Ａ性層と第３磁性層は相対的
に弱く結合している。また、第３磁性層と第４磁性層は
相対的に弱く結合している。これは強く結合している磁
性層間の磁壁エネルギーσ冑は大きく、弱く結合してい
る磁性層間の磁壁エネルギーσＷは小さいということで
、時運■の関係を満たすように、各磁性層のＯＷ、Ｍ、
、ｈ、Ｈを調整する際に、ＯＷの値を最適化しているこ
とになる。

４つの磁性層１．２．３．４は上記の関係式を満たすよ
うに［こうすることは、記録によって最終的に完成され
た２種の磁化状態（第２図（ｅ）、（ｆ））を安定にす
ることにむすびつ＜］、各層の膜厚、保磁力、飽和磁化
の大きさ、磁壁エネルギー等を設定すればよい。

本発明の光磁気記録媒体の他の例である第１図（ｂ）に
おいて、５．６は４つの磁性層１．２．３．４の耐久性
を向上させるためのあるいは光磁気効果を向上させるた
めの保護膜である。

７は、貼り合わせ用基板８を貼り合わすための接着層で
ある。貼り合わせ用基板８にも、１から６までの層を積
層し、これを接着すれば両面で記録・再生が可能となる
。

以下、第２図〜第４図を用いて本発明の記録の過程を示
す。記録面、磁性層１〜４の磁化の向きは隣接する磁性
層間で、平行（同方向）で安定状態であってもよいし、
反平行（反対方向）で安定状態であってもよい。

ただし、平行で隣接する磁性層は相対的に強く結合し、
反平行で隣接する磁性層は相対的に弱く結合するので、
本発明の光磁気記録媒体の磁化は、次のような状態であ
ることが好ましい。第１、第２磁性層の磁化に関しては
平行で安定状態となっており、第２磁性層と第４磁性層
の磁化に関しては反平行で安定状態となっていることで
ある。

第３図の３５は、上述したような構成を有する光磁気デ
ィスクである。例えば、この磁性層のある一部の磁化状
態が初め第２図（ａ）のようになっていたとする。

第３磁性層の磁化は第４Ｉｄｉ性層の磁化と平行で安定
状態であるとする。

光磁気ディスク３５はスピンドルモータにより回転して
、磁界発生部３４を通過する。このとき、磁界発生部３
４の磁界の大きさを第２磁性層２と第４磁性層４の保磁
力の間の値に設定すると（磁界の向きは本実施例では上
向き）、第２図（ｂ）に示す様に第４磁性層４は一様な
方向に磁化され、第４磁性層と強く結合している第３磁
性層３も、第４゜磁性層の磁化と平行に磁化される。一
方、第２！ｆ！性層２の磁化は初めのままである。また
、第２磁性層２と強く結合している第１磁性層１の磁化
も始めのままである。

次に光磁気ディスク３５が回転して記録・再生ヘッド３
１を通過するときに、２種類（第１種と第２種）のレー
ザーパワー値を持つレーザービームを、記録信号発生器
３２からの信号に従って、そのどちらかのパワーでもっ
て、ディスク面に照射する。第１種のレーザーパワーは
該ディスクを第２磁性層２のキュリー点付近まで昇温す
るだけのパワーであり、第２種のレーザーパワーは該デ
ィスクを第４磁性層４のキュリー点付近まで昇温可能な
パワーである。即ち、内磁性層２，４の保磁力と温度と
の関係の概略を示した第４図において、第１種のレーザ
ーパワーはＴ２付近、第２種のレーザーパワーはＴ４付
近までディスクの温度を上昇できる。

第１種のレーザーパワーにより第２６ｆｉ性層２と第４
＠性層４とは、第２磁性層のキュリー点付近まで昇温す
るが、第４磁性層４はこの温度でビットが安定に存在す
る保磁力を有しているので記録時の六イアス磁界を適正
に設定しておくことにより、記録ビット部が降温してい
く過程で、それぞれの磁性層の磁化の方向は第４磁性層
の磁化に対して安定な方向へ配列する。

つまり、第２図（ｂ）のいづれからも第２図（Ｃ）のよ
うなビットが形成される（第１種の予備記録）。

ここでバイアス磁界を適正に設定するとは、次のような
意味である。即ち、第１種の予備記録では、第４磁性層
４の磁化の向きに対して安定な向きに、第１〜３磁性層
それｉれの磁化が配列する力（交換力）を受けるので１
本来はバイアス磁界は必要でない。しかし、バイアス磁
界は後述する第２種のレーザーパワーを用いた予備記録
では第４磁性層４の磁化反転を補助する向きに設定され
る。また、このバイアス磁界は、第１種、第２種どちら
のレーザーパワーの予備記録でも、大きさ、方向を同じ
状態に設定しておくことが便宜七好ましい。

かかる観点からバイアス磁界の設定は次記に示す原理に
よる第２種のレーザーパワーの予備記録に必要最小限の
大きさに設定しておくことが好ましく、これを考慮した
設定が前でいう適正な設定である。

一方、第２種のレーザーパワーにより、第４ｉ！性層４
のキュリー点近くまで昇温させる（第２種の予備記録）
と、上述のように設定されたバイアス磁界により第４磁
性層４の磁化の向きが反転する。続いて第１〜３磁性層
の磁化も第４磁性層４に対して安定な向きに配列する。

即ち、第２図（ｂ）のいづれからも第２図（ｄ）のよう
なビットが形成される。

このように、バイアス磁界と、信号に応じて変わる第１
種及び第２種のレーザーパワーとによって、光磁気ディ
スクの各箇所は第２図（Ｃ）か（ｄ）の状態に予備記録
されることになる。

次に光磁気ディスク３５を回転させ、予備記録のビット
（ｃ）、（ｄ）が磁界発生部３４を再び通過すると、磁
界発生部３４の磁界の大きさは前述したように磁性層２
と４の保磁力間に設定されているので、記録ビット（Ｃ
）は、変化が起こらずに（ｅ）の状態である（最終的な
記録状態）。一方、記録ビット（ｄ）は第３゜４石性層
３．４が磁化反転を起こして（［）の状態になるくもう
一つの最終的な記録状態）。

（ｆ）の記録ビットの状態が安定に存在する為には、前
述したように次の様な関係が必要である。

σＷ　　２３　　　　　　０Ｗ３４（ハ）　Ｈ・＜２Ｍ、、３ｈ３．　２Ｍ５３ｈ３　　、
（ニ）　　　　ｈ、＋ｈ２≧２５０人、ｈ、＋ｈ２＋ｈ
３＋ｈ４≧６００人（イ）が必要なのは、第２磁性層と第４磁性層が非安定
な状態をとるようにするためである。　　″（ロ）が必
要なのは、第１、第２磁性層を強く結合させ、第１磁性
層の磁化の向きを常に第２磁性層の磁化に対して安定な
向きに配列させるためである。

（ハ）が必要なのは、第３磁性層の磁化を第２または第
４磁性層のどちらかの磁化の向きに対して常に安定にす
るためである。

（ニ）が必要なのは、後の実施例で明らかにするが、記
録感度や再生Ｃ／Ｎ比を最適化することの考慮からであ
る。

記録ビットの状態（ｅ）と（ｆ）は、記録時のレーザー
のパワーで制御さね、記録前の状態には依存しないので
、重ね書き（オーバーライド）が可能である。記録ビッ
ト（ｅ）と（ｆ）は、再生用のレーザービームを照射し
、再生光を記録信号再生器３３で処理することにより、
再生できる。

再生信号の大きさく変調度）は前述のように主として第
１、第２磁性層の光磁気効果に依有する。本発明におい
て、再生光が入射する第１石性層１には、キュリー温度
が高い材料（光磁気効果の高い材料）が使用できること
から、本発明では再生信号の大きい記録が可能となる。

〔実施例〕

実施例１５元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距ｆｉ
ｌｏｃｍの間隔にセットし、回転させた。

アルゴン中で、第１のターゲットより、スパッタ速度１
００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒで
ＺｎＳを保護層として９００人の厚さに設けた。

次にアルゴン中で、第２のターゲットよりスパッタ速度
１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒ
ｒでＧｄＦｅＣｏＴｉ合金をスパッタし、ｌＩ！２厚２
００人、Ｔ、＝約３５０℃のＧｄＩＡＦｅ５５Ｃｏ２４
Ｔｉ３の第１６ｆｉ性層を形成した。この第１磁性層自
身のＨ，は約３０００ｅ以下であり、副格子磁化は遷移
金属の方が大きかった。

次に、同様な条件で、第３のターゲットより、ＴｂＦｅ
合金をスパッタし、膜厚１５０人、Ｔ２＝約１４０℃、
Ｔｂ、、Ｆｅｅ８２の第２磁性層を形成した。この第２
磁性層自身のＨ２は１０　ＫＯｅであり、副格子磁化は
遷移金属の方が大きかった。

次に、同様な条件で、第４のターゲットより、ＧｄＴｂ
Ｆｅ合金をスパッタし、膜厚１００人、Ｔ３＝約１６０
℃、Ｇｄ、２Ｔｂ、２Ｆｅ、６の第３磁性層を形成した
。

この第３磁性層自身のＨ３は１００〜３０００ｅであり
、副格子磁化は希土類の方が大きかった。

次に、同様な条件で、第５のターゲットより、ＴｂＦｅ
Ｇｏ合金をスパッタし、膜厚２００人、Ｔ４＝約２１０
℃、Ｔｂ２３Ｆｅ、２Ｃｏ５の第４磁性層を形成した。

この第４磁性層自身のＨ４は５００〜１５０００ｅであ
り、副格子磁化は希土類の方が大きかった。

次に、同条件で第１のターゲットよりＺｎＳをスパッタ
し、保護層として２０００人の厚さのＺｎＳ層を設けた
。

次に膜形成を終えた上記の基板をホットメルト接着剤を
用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り合
わせ光磁気ディスクを作製した。

この光磁気ディスクを記録再生装置にセットし、２　Ｋ
Ｏｅの磁界発生部を、線速度約７　ｍ／ｓｅｃで通過さ
せつつ、約１μに集光した８３０ｎｍの波長のレーザー
ビームを５０％のデユーティで２ＭＨｚで変調させなが
ら、４ｍＷと８ｍＷの２値のレーザーパワーで記録を行
なった。バイアス磁界は１５００ｅであった。その後１
ｍＷのレーザービームを照射して再生を行なったところ
、２値の信号の再生ができた。

次に上記と同様な実験を、全面記録された後の光磁気デ
ィスクについて行なった。この結果節に記録された信号
成分が検出されず、オーバーライドが可能であることが
確認された。

実施例２と比較例実施例１と同様な構成、材料にして、第１〜第ＪＷｌ性
層の膜厚だけを変化させて、光磁気ディスクのサンプル
を作製した。各サンプルについて、反射率とカー回転角
を測定した。結果を以下の表１に示す。なお、反射率に
ついては、それぞれ基板表面の反射（約４％）を含めて
２３〜２４％であった。また、カー回転角はその値が大
きい程、再生信号のＣＮ比が大きくなると考えられる。

比較例１〜４、実施例２−１〜２−５の結果から第１、
第２６ｆ！性層の膜厚の和り、＋ｈ２が２５０Å以上で
は第１〜第４磁性層の膜厚の和が充分大きいときに限り
、カー回転角θにの値は第１磁性層が充分厚いときのθ
にの値に近い値で飽和する。

比較例５〜６、実施例２−６〜２−１０の結果から第１
、第２磁性層の膜Ｊゾの和り、＋ｈ２が２５０人を越え
ているとき、第１〜第４磁性層の膜厚の和が６００Å以
上であれば、カー回転角θにの値は飽和する、ことがわ
かる。

そこで、再生ＣＮ比の大きな光磁気ディスクを作製する
際にはり、＋ｈ２≧２５０人、ｈ、＋ｂ２＋ｈ３＋ｈ４
≧６００人になるように、磁性層の膜厚を選ぶことが必
要である。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、光磁気記録媒体として、前
記所定の要件を満たす４つの磁性層を有するものをを用
い、記録時に、記録ヘッドと別位置に磁界発生部を設け
、２値レーザーパワーで記録することによって、重ね書
き（オーバーライド）が可能になった。

また、本発明の記録法に用いる記録媒体の、主に再生に
利用される磁性層は、キュリー点の高い、つまり光磁気
効果の大きい材料から選び得るので、本発明によれば結
果的に、再生信号が大きいビットが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明で使用する光磁
気媒体の構成例を示す図、第２図は、本発明の記録　　
−法を実施中の、磁性層１，２，３．４の磁化の向きを
示す図、第３図は、記録・再生装置の概念図、第４図は
第２磁性層２と第４磁性層４の保磁力と温度との関係を
示す概略図である。Ｂニブリグルーブ付の透光性基板、１．２，３，４：磁性層５．６：保護層、７：接着層、８：貼り合わせ用基板、３１：記録・再生用ヘッド、３２：記録信号発生器、３３：記録信号再生器３４：磁界発生部３５：光磁気ディスク、

Claims

【特許請求の範囲】１）キュリー点Ｔ＿１、保磁力Ｈ＿１、厚さｈ＿１及び
飽和磁化Ｍ＿Ｓ＿１を有する第１磁性層と、キュリー点
Ｔ＿２、保磁力Ｈ＿２、厚さｈ＿２及び飽和磁化Ｍ＿Ｓ
＿２を有する第２磁性層と、キュリー点Ｔ＿３、保磁力
Ｈ＿３、厚さｈ＿３及び飽和磁化Ｍ＿Ｓ＿３を有する第
３磁性層と、キュリー点Ｔ＿４、保磁力Ｈ＿４、厚さｈ
＿４及び飽和磁化Ｍ＿Ｓ＿４を有する第４磁性層とから
成る交換結合している四層構造の垂直磁化膜を少なくと
も基板上に有して成る光磁気記録媒体であって、第１と第２磁性層の磁壁エネルギー、第２と第３磁性層
の磁壁エネルギー、第３と第４磁性層の磁壁エネルギー
を順にσｗ＿１＿２、σｗ＿２＿３、σｗ＿３＿４とす
ると、上記４つの磁性層が次の I 〜IVの条件を満たす
ように結合していることを特徴とする光磁気記録媒体。 I 、各磁性層のキュリー点の関係に関してはＴ＿１、
Ｔ＿４＞Ｔ＿２、Ｔ＿３ II、各磁性層の保磁力の関係に関してはＨ＿２＞Ｈ＿４＞Ｈ＿１、Ｈ＿３ III、各磁性層の膜厚の関係に関してはｈ＿１＋ｈ＿２≧２５０Å、ｈ＿１＋ｈ＿２＋ｈ＿３＋ｈ＿４≧６００ÅIV、各磁性
層の飽和磁化、膜厚、保磁力、磁壁エネルギーそれぞれ
の関係に関しては（σｗ＿１＿２／２Ｍ＿Ｓ＿１ｈ＿１）＞Ｈ＿１、Ｈ＿
２＞（σｗ＿１＿２／２Ｍ＿Ｓ＿２ｈ＿２）、（σｗ＿
２＿３／２Ｍ＿Ｓ＿２ｈ＿２）、Ｈ＿３＜（σｗ＿２＿
３／２Ｍ＿Ｓ＿３ｈ＿３）、（σｗ＿３＿４／２Ｍ＿Ｓ
＿３ｈ＿３）、Ｈ＿４＞（σｗ＿３＿４／２Ｍ＿Ｓ＿４
ｈ＿４）２）キュリー点Ｔ＿１、保磁力Ｈ＿１、厚さｈ
＿１及び飽和磁化Ｍ＿Ｓ＿１を有する第１磁性層と、キ
ュリー点Ｔ＿２、保磁力Ｈ＿２、厚さｈ＿２及び飽和磁
化Ｍ＿Ｓ＿２を有する第２磁性層と、キュリー点Ｔ＿３
、保磁力Ｈ＿３、厚さｈ＿３及び飽和磁化Ｍ＿Ｓ＿３を
有する第３磁性層と、キュリー点Ｔ＿４、保磁力Ｈ＿４
、厚さｈ＿４及び飽和磁化Ｍ＿Ｓ＿４を有する第４磁性
層とから成る交換結合している四層構造の垂直磁化膜を
少なくとも基板上に有して成る光磁気記録媒体であって
、第１と第２磁性層の磁壁エネルギー、第２と第３磁性層
の磁壁エネルギー、第３と第４磁性層の磁壁エネルギー
を順にσｗ＿１＿２、σｗ＿２＿３、σｗ＿３＿４とす
ると、上記４つの磁性層が次の I 〜IVの条件、即ち、 I 、各磁性層のキュリー点の関係に関してはＴ＿１、
Ｔ＿４＞Ｔ＿２、Ｔ＿３ II、各磁性層の保磁力の関係に関してはＨ＿２＞Ｈ＿４＞Ｈ＿１、Ｈ＿３ III、各磁性層の膜厚の関係に関してはｈ＿１＋ｈ＿２≧２５０Å、ｈ＿１＋ｈ＿２＋ｈ＿３＋ｈ＿４≧６００ÅIV、各磁性
層の飽和磁化、膜厚、保磁力、磁壁エネルギーそれぞれ
の関係に関しては（σｗ＿１＿２／２Ｍ＿Ｓ＿１ｈ＿１）＞Ｈ＿１、Ｈ＿
２＞（σｗ＿１＿２／２Ｍ＿Ｓ＿２ｈ＿２）、（σｗ＿
２＿３／２Ｍ＿Ｓ＿２ｈ＿２）、Ｈ＿３＜（σｗ＿２＿
３／２Ｍ＿Ｓ＿３ｈ＿３）、（σｗ＿３＿４／２Ｍ＿Ｓ
＿３ｈ＿３、Ｈ＿４＞（σｗ＿３＿４／２Ｍ＿Ｓ＿４ｈ
＿４）を満たしている光磁気記録媒体を使用して、次の
二値の記録を行なうことを特徴とする記録方法。（ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
保磁力Ｈ＿４の第４磁性層を一方向に磁化させるのに充
分で保磁力Ｈ＿２の第２磁性層の磁化の向きを反転させ
ることのない大きさの磁界Ｂを加え、（ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
ると同時に第２磁性層のキュリー点Ｔ＿２付近まで該媒
体が昇温するだけのレーザーパワーを照射することによ
り、第４磁性層の磁化の向きを変えないまま第１、第２
磁性層の磁化の向きを第３磁性層を介して第４磁性層に
対して安定な向きにそろえる第１種の予備記録か、バイ
アス磁界を印加すると同時に第４磁性層のキュリー点Ｔ
＿４付近まで該媒体が昇温するだけのレーザーパワーを
照射することにより、第４磁性層の磁化の向きを反転さ
せて同時に第１から３磁性層を共に第４磁性層に対して
安定な向きに磁化する第２種の予備記録かを、信号に応
じて実施し、（ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記録されたビッ
トを前記磁界Ｂを通過させることにより、第１種の予備
記録により形成されたビットについては第１から第４磁
性層全て磁化の向きをそのまま変化させず、第２種の予備記録により形成されたビットについては、
第４磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと同方向に反転さ
せ、第１、第２磁性層の磁化の向きはそのまま変化させ
ないとする、二値の記録。