JPH027251A

JPH027251A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH027251A
Application number: JP63156552A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Matsumoto; 広行松本
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1988-06-24
Filing date: 1988-06-24
Publication date: 1990-01-11
Anticipated expiration: 2013-02-10
Also published as: EP0347882A3; EP0347882A2; JP2712312B2; US5645911A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、記録磁界Ｈｂを変調せずに、光の強度変調だ
けでオーバーライト（ｏｖｅｒ　ｗｒｉｔｅ）が可能な
光磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録した後、消去し、また新たな情報を記
録することが何度でも繰り返しできるというユニークな
利点のために、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記！
３層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄ
ｉｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　
１ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモル
ファスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅＣｏ、　Ｔｂ
Ｆｅ５ＴｂＣｏＳＴｂＦｅＣｏなどからなる。記録層は
一般に同心円状又はらせん状のトランクを成しており、
このトラックの上に情報が記録される。ここで、本明細
書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ又は
「下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ）　Ｊの何れか一方を、「
Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべき
情報は、予め２植化されており、この情報が「Ａ向き」
の磁化を有するビット（Ｂ　＋）と、「逆Ａ向き」の磁
化を有するビット（Ｂｏ）の２つの信号で記録される。

これらのビットＢ＋、Ｂｏは、デジタル信号の１．０の
何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般に
は記録されるトランクの磁化は、記録前に強力な外部磁
場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。

この処理は初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）と呼ばれる
。その上でトランクに「Ａ向き」の磁化を有するビン）
　（Ｂ、）を形成する。情報は、このビット（Ｂ１）の
有無及び／又はビット長によって記録される。

ざｌ」」０詔ｊ【ｌ：ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）　、が
有利に使用され、レーザー光の波長によって決定される
回折限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが
絞り込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射さ
れ、記録層に直径が１μｍ以下のビットを形成すること
により情報が記録される。光学的記録においては、理論
的に約１０ｓとット／　ｃＪまでの記録密度を達成する
ことができる。何故ならば、レーザビームはその波長と
ほとんど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで擬
縮（ｃｏｎｃｅｎ　ｔｒａ　ｔｅ）することが出来るか
らである。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（１（ｂ）を加熱された部分に外部から印加する
。そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（ｃ
ｏｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小
さくなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈ
ｂ）の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたビットが形
成される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｅの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｃを存し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補（Ｎ　？
ｍｓ度（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔ
ｕｒｅ）を有しており、そこでは磁化ＣＭ）はゼロにな
る。逆にこの温度付近でＨｃが非常に大きくなり、その
温度から外れるとＨｅが急激に低下する。この低下した
）−１ｃは、比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち
負かされる。つまり、記録が可能になる。この記録プロ
セスはＴ　ｃｏｏｐ、書込み（補償点書込み）と呼ばれ
る。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｃを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｅを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ　）
を印加すれば、記録は可能である。

再ＪＪＵ」珊：第３図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す。

光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（１
）を透過する。

このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
＝θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一θに度１頃けた面に垂直にセントしておくと、
「逆Ａ向き」に磁化されたビット　（Ｂｏ）から反射さ
れた光はアナライザーを透過することができない。それ
に対して「Ａ向き」に磁化されたピント（Ｂ、）から反
射された光は、（ｓｉｎ２θｋ）２を乗じた分がアナラ
イザーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲
される。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビ・ノド（
Ｂ、）は「逆Ａ向き」にモイ髪化されたビット（Ｂｏ）
よりも明るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号
を発生させる。このディテクターからの電気信号は、記
録された情報に従って変調されるので、−情報が再生さ
れるのである。

ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）媒
体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ｉｉ　）記
録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、
又は（ｉｉｉ　）予め、前段処理として記録装置又は消
去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。

従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情報
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライト（０νｅｒＨｒｉｔｅ）は、不可能とされ
ていた。

もっとも、もし記録磁界Ｈｂの向きを必要に応じて「Ａ
向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調することがで
きれば、オーバーライトが可能になる。しかしながら、
記録磁界Ｈｂの向きを高速度で変調することは不可能で
ある。例えば、記録磁界Ｈｂが永久磁石である場合、磁
石の向きを機械的に反転させる必要がある。しかし、磁
石の向きを高速で反転させることは、無理である。記録
磁界Ｈｂが電磁石である場合にも、大容量の電流の向き
をそのように高速で変調することは不可能である。

しかしながら、技術の進歩は著しく、記録磁界ＨｂをＯ
Ｎ、　ＯＦＦせずに又は記録磁界Ｈｈの向きを変調せず
に、照射する光の強度だけを記録すべき２値化情報に従
い変調することにより、オーバーライトが可能な光磁気
記録方法と、それに使用されるオーバーライト可能な光
磁気記録媒体と、同じくそれに使用されるオーバーライ
ト可能な記録装置が発明され、特許出願された（特開昭
６２１７５９４８号）。以下、この出願を「先々側」と
引用する。

〔先々側発明の説明〕

先々側発明の媒体は、垂直磁気異方性を有する第１層を
記録層とし、垂直磁気異方性を有する第２層を記録補助
層とする多層構造を有し、第１層の磁化はそのままに第
２層の磁化のみが記録の直前までに初期補助磁界器ｎｉ
、により、「Ａ向き」に揃られるものである。

そして、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス
変調されたレーザービームが媒体に照射された場合、ｔｌｌ　　ｉ％レベルのビームによって、室温に戻った
状態で言うと、第２層が「逆Ａ向き」の磁化、第１層が
媒体のタイプにより「逆Ａ向きＪ　−−−Ｐタイプ又は「Ａ向き」・・−一−−−−−・−Ａタイプの磁化
を有するビットが形成され、（２）低レベルのビームによって、室温に戻った状態で
言うと、第２層が「Ａ向き」の磁化、第１層が媒体のタ
イプにより「Ａ向きＪ　−−−−−−−−Ｐタイプ又は「逆へ向き
」−・−・Ａタイプの硼化を有するビットが形成される。

先々側発明のオーバーライトは、光だけを記録すべき情
報に応して変調し、記！３磁界は変調しない。磁界を高
速度で変調させることは困難である。

つまり、記録に使用するレーザービームは、記録すべき
情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと自
身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき
２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段
は既知の手段である。

例えば、ＴＩＩＨ旺ＬＬ　　ＳＹＳＴＥＭ　　ＴＥＣＩ
ＩＩＩＩＣＡＬＪＯＵＲＮＡＬ、Ｖｏｌ、６２（１９８
３）、　１９２３　１９３６に詳しく記載されている。

先々側発明のオーバーライトで特徴的なことの１つは、
使用する媒体にある。この媒体は、垂直磁気異方性を有
する第１層を記！３層とし、垂直磁気異方性を有する第
２層を記録補助層とする多層構造を有し、第１層の磁化
はそのままに第２層の磁化のみが記録の直前までに初期
補助磁界１１ｉｎｉ。

により、「Ａ向き」に揃られる特別な媒体である。

また、先々側発明のオーバーライトで特徴的なことの１
つは、ビーム強度の高レベルと低レベルである。情報に
従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調されたレー
ザービームが媒体に照射されたと仮定する。すると、＋１１　　高レベルのビームによって、媒体温度が高温
Ｔ、に上昇した状態では、第１層、第２Ｎ共に磁化はほ
ぼ又は全く消失する。ビームの照射がなくなって、Ｔ　
ｓ　８　Ｔ　Ｃ２より少し下がった状態で、第２層に磁
化が出現する。

このとき、第２層の磁化の向きは、記録磁界Ｈｂに従わ
されて同じ向きとなる。従わされた第２Ｎの磁化の向き
は、室温に戻ったとき、そのままの場合と、反転する場
合に２通りある。後者は、室温に戻る途中に補償温度Ｔ
ｃｏａｐ、２が存在する場合である。

他方、第１層の磁化は、第２層に制御される。

その結果、室温で、第２層が「逆Ａ向き」の磁化、第１
層が媒体のタイプにより「逆Ａ向き」−・−Ｐタイプ又は「Ａ向きＪ−−−−Ａタイプの磁化を有するビットが形成される。

ｆ２）　　（ｌｈ　方、低レベルのビームによって、媒
体温度が低温ＴＬに上昇した状態では、第２層の磁化の
向きは、「Ａ向き」−初期化の向きの場合と、「逆Ａ向
き」の場合と２通りある。後者は、低温Ｔ、に上昇する
途中に補償温度Ｔｃｏｍｐ、ｚが存在する場合である。

しかし、いずれにせよ、ＴＬで第２層には確かな磁化が
存在する。

そして、ビームの照射がなくなって、Ｔ　ｔ　ｚＴ　ｃ
　＋より少し下がった状態で、第１層に磁化が出現する
。このとき、第１層の磁化の向きは、記録磁界Ｈｂがプ
ラスに作用しようがマイナスに作用しようが、第２層に
制御される。第２層は、界面（ｎ壁エネルギーを介して
第１層の磁化の向きを制御する。

その結果、室温で、第２Ｎが「Ａ向き」の磁化、第１層
が媒体のタイプにより「Ａ向き」・−・−・−・−Ｐタイプ又は「逆Ａ向き」−・・−Ａタイプの磁化を有するビットが形成される。

ビームは１本ではなく、「近接した２木のビーム」とし
、先行ビームを低レベルで点灯して原則として変調せず
、それにより常に逆Ａ向き〔又はＡ向き」〕のビピッを
形成し、　　　つまり、これで前の情報が消去される　
　　　　次いで、後行ビームを高レベルと前記低レベル
と同等又はそれよりも低い茶庭レベル（ゼロレベルを含
む）との間で情報に従いパルス変調することにより、高
レベルのときにのみＡ向き〔又は逆Ａ向き」〕のビピッ
を形成し、これにより記録することをしてもよい。

ビーム強度情報信号の例いずれにせよ、必要な高レベルと低レベルと場合により
基底レベルが与えられれば、前述の文献等に記載された
変調手段を部分的に修正するだけで、ビーム強度を上記
の如く変調することは、当業者にとって容易である。

尚、ここでは、「Ａ向き」は、磁性層に対して上向き又
は下向きの何れか一方を意味し、他方は「逆Ａ向き」と
称される。

また、ここでは、　　　　　は△△△　という表現は、
先に〔〕の外の○○○を読んだときには、以下の　　　
　　はΔΔΔ〕のときにも、〔〕の外の０００を読むこ
とにする。それに対して先に０００を読まずに（〕内の
Δ△△の方を選択して読んだときには、以下のΩΩΩ１
ス且ＡＡ、ａ）のときにも０００をよ売まずに〔〕内の
△△△を読むものとする。

オーバーライト可能な媒体は、第１実施態様と第２実施
態様とに大別される。いずれの実施態様においても、そ
の断面構造を模式的に示すと、次の通りである。に分け
られる。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記録
層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保磁力
が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。いずれも
垂直磁化膜からなる。なお、第曹層と第２層ともに、そ
れ自体多層膜から構成されていてもよい。

第１実施態様では、第１Ｎの保磁力をＨＣい第２層のそ
れをＨｃｚ、第１１ｍのキュリー点をＴｃい第２層のそ
れをＴｃｔ、室温をＴ６、低レベルのレーザービームを
照射した時の記録媒体の温度をＴＬ、高レベルのレーザ
ービームを照射した時のそれをＴ。、第１層が受ける結
合磁界を１１１、第２層が受ける結合磁界をｌ］。２と
した場合、記録媒体は、下記の式１を満足し、そして室
温で式２〜５を満足する。

Ｔ＋＋　＜Ｔｃ＋４ＴＬ＜Ｔｃ＋４ＴＬ−−−−”’−
−−−式ＩＨｃ＋　＞　ＨＣ２＋ｌ　Ｈｎ＋　＋　ＨＣ
２１−−−−−−一　式２Ｈｃ　＋　＞　ＨＤ、　　−
−−−−−−−−−−−、−・−一−−−−−一−−−
−−−−一−式３Ｈｃｔ　＞　ｔ（ｏ　ｚ−−−’−−
”””−”””””　””””””’　　　式４夏１ｃ
ｚ　＋　Ｈ［ｌｔ　＜　　１ｌｉｎｉ、　　＜　Ｈ（１
±ＨＤ、　　−式５上記式中、符号「ｚ」は、等しいか
又はほぼ等しいことを表す。また上記式中、複合士、；
については、上段が後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌ
ｌｅｌ）タイプの媒体の場合であり、下段は後述するＰ
（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合である。なお
、フェロ磁性体媒体はＰタイプに属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次の
如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそれ
を表す。

従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（旧ｎｉ、
）を印加すると、式５によれば、第１層の磁化の向きは
反転（ｒｅｖｅｒｓｅ）せずに、第２Ｎの磁化のみが反
転する。そこで、記録前に媒体に初期補助磁界（旧ｎｉ
、）を印加すると、第２層のみを「Ａ向き」□ここでは
「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙面において上向きの矢
？で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢８で示す　　　　
　に磁化させることができる。そして、１ｌｉｎｉ、が
ゼロになっても、式４により、第２Ｎの磁化官は再反転
せずにそのまま保持される。

初期補助磁界（ｌｌｉｎｉ、）により第２層のみが、記
録直前まで「Ａ向き」↑に磁化されている状態を概念的
に表すと、次のようになる。

ＴＬ　　　　　　　Ｔ、、ｌここで、第１層における磁化の向き”は、それまでに記
録されていた情報を表わす。以下の説明においては、向
きに関係がないので、以下Ｘで示す。そして、上記の表
を簡単のために、次のように表す。

るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、空気で冷却される。Ｈｂの存在下で、媒体の
温度が低下すると、第２層の磁化は、Ｈｂに従い、反転
されて「逆Ａ向き」の磁化となる（状態２゜）。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴＲＩに上昇させる。すると、ＴＨはキュリー
点Ｔ　ｃ　＋より高温度なので第１層の磁化は消失して
しまう。更にＴＨはキュリー点ＴＣ２付近なので第２層
の磁化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に
応して「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｉｌ　
ｂ）を印加する。記録磁界（Ｈｂ）は、媒体自身からの
浮Ｍ　Ｌｉｌ界でもよい。説明を節単にするために「逆
Δ向き」の記録磁界（Ｈｂ）を印加したとする。媒体は
移動していそして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴｃ
ｌより少し下がると、再び第１層の磁化が現れる。その
場合、磁気的結合（交換結合）力のために、第１層の磁
化の向きは、第２層の磁化の向きの影響を受ける。その
結果、媒体に応して８　（Ｐタイプの媒体の場合）又は
？　（Ａタイプの媒体の場合）が生じる。

ので第２層の（Ｒ化は消失しない。

この秋五主、は、その後媒体の温度が室温まで低下する
間に、途中に補償温度Ｔ１゜、ｐ、があるか否かで、そ
のままであったり、再反転したりする。

その結果、次の１ｔｆｉＬ土、に変わることもある。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。ＴＬはキュリー点ＴＣＩ付近なので
第１層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリ
ー点ＴＣＩよりは低温であるここでは、記録磁界（Ｈｂ
）は、不要であるが、高速度（短時間）でＨｂをＯＮ、
　ＯＦＦすることは不可能である。従って、止むを得ず
高温サイクルのときのままになっている。

しかし、Ｈｃｚはまだ大きいままなので、ｌ（ｂによっ
て第２Ｎの磁化が反転することはない。媒体は移動して
いるので、照射された部分は、レーザービームから直ぐ
に遠ざかり、空気で冷却される。冷却が進むと、再び第
１層の磁化が現れる。

現れる磁化の向きは、磁気的結合力のために第２層の磁
化の向きの影響を受ける。その結果、媒体によって？　
（Ｐタイプの場合）又は８　（Ａタイプの場合）の磁化
が出現する。

とによりオーバーライトが可能となる。

このｍ−は、その後媒体の温度が室温まで低下する間に
、途中に補償温度Ｔ１゜、２．があるか否かで、そのま
まであったり、再反転したりする。

その結果、次の欣皿土、に変わることもある。

上ノヱ鉱り嫌碧（８１会この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうであ
れ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに反
対向きの磁化官又は８を有するビットが形成される。つ
まり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サイ
クル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状に
変調するこ又は又はＡノ（７’媒淋弧冶ため記録された情報は保持される。

そこで、第１層に直線偏光を照射すれば、その反射光に
は情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同
様に情報が再生される。

又は又はこのような第１層及び第２Ｎを構成する垂直磁化膜は、
■補償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性体及
びフェリ磁性体、並びに■補償温度、キュリー点の双方
を仔するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からなる群
から選択される。

なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒
体は回転される。そのため、記録された部分（ビット）
は、１回転する間に再びｌ１ｉｎＬ　の作用を受け、そ
の結果、第２層の磁化は元の「Ａ向き」ｔに揃えられる
。しかし、室温では、第２層の磁化の影響が第１層に及
ぶことはなく、その以上の説明は、キュリー点を利用し
た第１実施態様の説明である。それに対して第２実施態
様は室温より高い所定の温度に於いて低下したＨｃをを
利用するものである。第２実施態様は、第１実施態様に
於けるＴｃｌＯ代わりに第曹層が第２層に磁気結合され
る温度Ｔ、１を使用し、Ｔ、２の代わりに第２層がＨｂ
で反転する温度ＴＳ２を使用すれば、第１実施態様と同
様に説明される。

第２実ｊｌＩ！！態様では、第１層の保磁力を１１Ｃい
第２層のそれをＨＣ２、第１層が第２層にるｎ気的に結
合される温度をＴ６１とし、第２層の磁化がＨｂで反転
する温度をＴｓ７、室温をＴＲ１低レベルのレーザービ
ームを照射した時の媒体の温度をＴＬ、高レベルのレー
ザービームを照射した時のそれをＴ、ｌ、第１層が受け
る結合磁界を１１０．、第２層が受ける結合磁界を）（
ｏｘとした場合、記録媒体は、下記式６を満足し、かつ
室温で式７〜１０を満足するものである。

Ｔ　＊　＜　Ｔ　ｓ　＋　ｚＴ　ｔ　＜　Ｔ　Ｓ　２　
”ｔ　Ｔ　Ｈ”””−””−’−”’−式６Ｈｃ＋　＞
　Ｈｃｔ　十ｌＩＩ　Ｄ１＋　）Ｉ　Ｍ　ｌ　−−−−
−−・−−一式７Ｈｅ　Ｉ　＞　ＨＤ　Ｉ　　−−”−
−・−・−−一−−・−−〜−−−−−−−−−−−−
−−−式８％式％ＨＣ２＋　ＨＤＺ＜　１ｌｌｉｎｉ、　ｌ　＜　Ｈｃ＋
±Ｈｏ　＋−・−式１０上記式中、複合上、：ｉ：につ
いては、上段が後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅ
ｌ）タイプの媒体の場合であり、下段は後述するＰ　（
ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合である。

第１、第２実施態様ともに、第１層、第２層の双方が遷
移金属（例えばＦｅ、Ｃｏ）−重希土類金属（例えばｃ
ｄ、ｒｂ、ｏｙその他）合金組成から選択された非晶質
フェリ磁性体である記録媒体が好ましい。

第１層と第２層の双方とも、遷移金属（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　　ｍｅｔａｌ）−重希土類金
属（ｈｅａｖｙｒａｒｅ　　ｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａｌ
）合金組成から選択された場合には、各合金としての外
部に現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金
属原子（以下、ＴＭと略す）のスピン（Ｓρｉｎ）の向
き及び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す）
のスピンの向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴ
Ｍのスピンの向き及び大きさを点線のベクトル１で表わ
し、ＲＥのスピンのそれを実線のベクトルＴで表し、合
金全体の磁化の向き及び大きさを二重実線のヘタ１〜ル
官で表す。このとき、ベクトルｔはベクトル？とベクト
ル１との和として表わされる。ただし、合金の中ではＴ
ＭスピンとＲＰ、スピンとの相互作用のためにベクトル
？とベクトル１とは、向きが必ず逆になっている。従っ
て、ふと１との和或いは１と１との和は、両者の強度が
等しいとき、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現
れる磁化の大きさはゼロ）になる。このゼロになるとき
の合金組成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｃｏ
ｍｐｏｓｉｔｉｏｎ　）　と呼ばれる。それ以外の組成
のときには、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有
し、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを
有するベクトル（？又は８）を有する。

このベクトルの磁化が外部に現れる。例えば↑−は官と
なり、↑↓は８となる。

ある合金組成のＴＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとって○○す・ツチ例えば
ＲＥリッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、Ｔ　Ｍ　ＩＪ・２チな
組成とＲＥリッチな組成とに分けられる。従って、縦軸
座標に第１層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると
、媒体全体としては、種類を次の４象限に分類すること
ができる。先に述べたＰタイプはｒ象限と■象限に属す
るものであり、Ａタイプは■象限と■象限に属するもの
である。

ＲＥリッチ（第１層）ＴＭリンチ（第１層）〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕からキ
ュリー点の間に存在するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。第１象限の媒体は、
４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについて、
「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、次の
通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、実線は
第２層のそれ一方、温度変化に対する保磁力の変化を見
ると、キュリー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保
磁力が一旦無限大に増加してまた降下すると言う特性を
持つ合金組成がある。この無限大のときに相当する温度
は補償温度（Ｔゎ。、Ｐ、）と呼ばれる。

補償温度は、ＴＭリッチの合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない。室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書で補償温度とは室温夕４７’上保磁力保磁力ここで、第１層と第２Ｊ！の両方についてＲＥリッチか
ＴＭリンチかで分け、かつ補（Ｍ　’／Ａ度を持つか持
たないかで分けると、記録媒体は次の９クラスに分類さ
れる。

第　　１　　表一久４１１− 保磁力保磁力（続き）〔先願発明の説明〕しかしながら、先々願の明細書に具体的に開示された媒
体では、記録感度を低下させずに、Ｃ／Ｎ比の高いオー
バーライ１−可能な光磁気記録媒体を得ることは困難で
あるという問題点があった。

そこで、記録感度を低下させることなく　、Ｃ／Ｎ比の
大きいオーバーライト可能な光磁気記録媒体を提供する
発明が成され、昭和６３年４月２８日付けで特許出願（
特願昭６３−１０５８３３号）された。この出願を以下
、「先願」と引用する。

先々願に具体的に開示された媒体と先願発明の媒体との
大きな相違点は、低温サイクルにある。

前者では、低ＡＴＬのとき、第１層の磁化は全く又はほ
ぼ消失している。そして、媒体がビームと相対的に移動
することにより、媒体がビームのスポット領域から外れ
ると、媒体は冷え始める。

媒体温度が第１層のキュリー点Ｔｅｌより少し下がると
、第１層に磁化が出現する。このとき、第２層の磁化が
界面磁壁エネルギーσ、を通して第１層に影響を及ばず
。その結果、第１層には、第２層に対し安定な向きの磁
化が出現する。つまり、その温度での媒体のタイプに応
じ二ζ、パラレルな向き又はアンチパラレルな向きに４
１化が出現する。

出現した第１層の磁化の向きは、記録磁界１１ｂがプラ
スに作用してもマイナスに作用しても保持される。

それに対して、後者では、低４　Ｔ　ｔのとき、第菖層
には弱い磁化が残存している。しかし、そのとき、第１
層の保磁力１１ｃ、と、記録磁界Ｈｂと、第２層から界
面（ｎ壁エネルギーσいを通して第１層に影響を及ぼす
磁界： ’１Ｍ３．ｔ。

の３者の関係が特別な関係となる。この特別な関係は、
記録磁界Ｈｂがプラスに作用しようがマイナスに作用し
ようが、それに構わずに、第２層の磁化が、第１層の磁
化の向きを第２Ｎとの間に磁壁を作らない向き（つまり
、安定な向き）に従わせることを意味する。即ち、第１
層の磁化は、その温度での媒体のタイプに応じて、第２
層に対してパラレルな向き又はアンチパラレルな向きに
強制される。

その後、前者、後者ともに、媒体は更に冷えて室温に戻
る。室温に戻る途中で補償温度Ｔ　ｃｏ、、ｐ−をｉｌ
！Ｉ過したときには、第１Ｎ、第２層共に、磁化の向き
が反転する。

しかし、結局のところ、低温サイクルで形成されたビッ
トは、室温では、次の磁化を有する。つまり、このピン
トは、第２層が旧ｎｉ、で初期化された「Ａ向き」の磁
化を持ち、第曹層が媒体のタイプに応じて「Ａ向き」又
は「逆Δ向き」の磁化を持つ。

〔発明が解決しようとする課題〕

いずれにせよ、先々側明細書に具体的に開示された媒体
及び先願発明の媒体は、■再生時、Ｃ／Ｎ比が十分に満
足される程に高くはないという第１の問題点、又は■記
録時、室温（１０〜４５°Ｃ）でＭｉｎｉ、を比較的大
きくする必要があり、そのため、記録装置が大型化する
という第２の問題点、又は■レーザービームの強度を比
較的高くする必要があり、そのため記録装置の光源が大
型化する、電力消費が多いという第３の問題点の何れか
１つを有していた。

従って、本発明の目的は、■再生時、Ｃ／Ｎ比が十分に
満足される程に高く、■記録時、室温で）１ｉｎｉ、が
比較的小さくて済み、しかも■レーザービームの強度が
比較的低くて済むオーバーライト可能な光磁気記録媒体
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

初期補助磁界旧ｎｉ、の大きさは、第２Ｎの室温での保
磁力ＨＣＺに依存するので、■１ｌｉｎｉ、を小さくす
るには、室温での保磁力Ｈｃｚが小さい合金組成を選択
する必要がある。

そうすると、一般には、第２層の補償温度Ｔｃａｍｐ、
２は室温より高い方に又は低い方に遠く刈れることにな
る。

しかし、本発明者の実験によれば、■再生時、Ｃ／Ｎ比
を十分に満足される程に高くするには、ＴＣＯ１ｌ１９
．２が室温に近い合金組成を選択する必要があることが
判明した。

従って、両者を満足させるには、保磁力の温度特性が、
室温で低く、そして補償温度に向かって急に立ち上がり
、補償温度を越えると、急に立ら下がる合金組成が良い
ことが判明した。

このような、合金組成について、長い間鋭意研究した結
果、本発明者は、ついに、ＧｄＤｙＦｅ合金、ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ合金、１ｌｙＦｅｃｏ合金、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
合金の中に、そのような合金Ｘ］成を見出した。

しかし、ＧｄＤｙＦｅ合金及びＧｄＤｙＦｅＣｏ合金か
ら選択した合金組成は、飽和磁気モーメントＭｓと保磁
力Ｈｃとの積が小さいために、オーバーライＩの１つの
条件である式：％式％を満足させるためには、第２層の膜厚ｔ２を１γくしな
ければならない。そのため、媒体温度を所定の低温ＴＬ
、高温Ｔ。に上昇させるためのレーザービームの強度を
高くしなければならない（第３の問題点）ことが判明し
た。

ところが、ＤｙＦｅＣｏ合金、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金か
ら選択した次の合金組成：（Ｔｂｕ　ＤＹ＋ｎｏ−ｕ　）　ｖ　（Ｆｅ＋ｏｏ−ｗ
ｃＯｗ　＞Ｉｏｏ−ｖ（但し、Ｕ＝Ｏ〜５０原子％ ■−原子−３５原子％Ｗ−＝１〜５０原子％　）については、第３の問題点もなく、本発明の目的を満足
させることを見い出し、本発明を成すに至った・従って、本発明は、垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直磁気
異方性を有する第２層を記録補助層とする多層構造を有
し、層平面に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向
き」とし、他方を「逆Ａ向き」とするとき、第１層の磁化はそのままに第２層の磁化のみが記録の直
前までに初期補助磁界１１ｉｎｉ、により「Ａ向き」に
揃えられ、情仰に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調され
たレーザービームが媒体に照射された場合、そのビーム
が、（１）高レベルにあるとき、媒体温度は高＞＠Ｔ、に上
昇し、その温度状態で、変調されない記録（ｎ界Ｈｂが
作用するか、又はビームの照射がなくなって室温に低下
する過程で、変調されない記録も５１界Ｈｂが作用する
ことにより、結果として、室温で、第２層が「逆Ａ向き」磁化、第１
層が媒体のタイプにより「逆Δ向き」磁化〔又は「Ａ向
き」磁化〕を有するビットが形成され、（２）低レベルにあるとき、媒体温度は低温ＴＬに上昇
し、その温度状態では、（２−１）少なくとも第２層の磁化は残存しており、そ
の温度状態で、変調されない記録磁界Ｈｂがプラスに（
パラレルな向きに）作用してもマイナスに（アンチパラ
レルな向きに）作用しても、第２層の残存磁化が作用す
るか、又は（２−２）ビームの照射がなくなって室温に低下する過
程で、変調されない記録磁界Ｗｂがプラスに作用しても
マイナスに作用しても、第２層の残存磁化が作用するこ
とにより、結果として、室温で、第２層が［Ａ向きＪ　［１化、第
１層が媒体のタイプにより「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ
向き」磁化〕を有するビットが形成される方式により、レーザービームの変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体において、少なくとも第２Ｎを、一般式：％式％からなる合金組成から選択したことを特徴とするオーバ
ーライト可能な光磁気記録媒体を提供する。

〔作用〕

本発明で、各成分の割合を限定した理由は、次の通りで
ある。

Ｕが５０原子％を越えると、保磁力の温度特性が補償温
度Ｔｃｏｍｐ、２へ向かっての立上り立下りが緩やかに
なり、旧ｎｉ、が大きくなってしまうからであり、 ■が１５〜３５原子％を外れると、補償温度Ｔｃｏｅｐ
、２が室温から遠く刈れていまい、Ｃ／Ｎ比が低くなる
からであり、Ｗが１原子％より少ないと、キュリー点が低すぎて、環
境温度に対するマージンが小さくなってしまい、また５
０原子％より多いと、キュリー点ＴＣ２が高すぎて、記
録感度が低下してしまうからである。

本発明で使用する合金組成は、ＴｂＦｅＣｏ合金と比較
すると、Ｍ、・Ｈ０積が小さく、また保磁力の温度特性
が室温で低く、そして補償温度Ｔｃｏ＊ｐ、２へ向かっ
ての立上り及び立下がりが急峻であるので、■Ｈｉｎｉ
、が小さくて済み、それでいて■Ｃ／Ｎ比が高くなる。

また、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金と比較すると、Ｍｓ　　・
Ｈｃ積が大きいので、■膜厚ｔ２が薄くて済み、その結
果、ビーム強度が低くてよい。

面、本発明の合金組成：（Ｔｂｕ　ＤＶ＋ｏｏ−ｕ　）　ｖ　（Ｆｅ＋ｏｏ−ｗ
ｃｏｗ　）ｔｏ。−ｖにおいて、Ｕ＝１〜４０原子％ ■＝原子へ３５原子％Ｗ＝１０〜４０原子％である原子炉好ましい。

本発明の媒体における第１Ｎと第２層との温度特性の関
係は、次の３ｉ１１ｉりある。

（ｉ　）　　ＴＩ　＜Ｔｃ＋幻ＴＬ＜ＴｃｚｚＴｌｌ（
ｉｉ）　　Ｔ＋＋　＜Ｔｔ　＜Ｔｅｌ　〈ＴＨ≦ＴＣ２
（ｉｉｉ　）　　Ｔｌｉ　＜　Ｔｔ　＜　Ｔｌｌ≦ＴＣ
Ｉ≦Ｔｃ２但し、ＴＲ：室温Ｔｅｌ：第１層のキュリー点Ｔえ２：第２層のキュリー点ＴＬ　：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
媒体の温度Ｔｕ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒
体の温度（ｉ）の媒体は、低温サイクルで、低温ＴＬに加熱され
たとき、第１層の（：ｎ化は、はぼ又は全く消失してい
る。他方、第２層の磁化は、残存する。

つまり、低温サイクルは、先々側明細書に具体的に開示
された媒体の低温サイクルと同じである。

（ｉｉ）、（ｉｉｉ　）の媒体は、低温サイクルで、低
？ｒ；ｎ　Ｔ　ｔに加熱されたとき、第１層、第２層共
に磁化は残存している。従って、低温サイクルは、先願
発明の低温サイクルと同じである。

結局、（ｉ）〜（ｉｉｉ　）のいずれの媒体も、低温サ
イクルにより、室温で次の磁化を持つビットが形成され
る。つまり、このピントは、第２層がＨｉｎｉ、で初期
化された「Ａ向き」の（イタ化を持ち、第１Ｎが媒体の
タイプに応して、「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の磁化を
持つ。

一方、高温サイクルは次の通りである。

（ｉ）の媒体は、高温サクイルで高温Ｔ。に加熱された
とき、第１層の磁化は完全に消失しており、他方第２層
の磁化は又は全く消失している。

そして、媒体がビームと相対的に移動することによりビ
ームのスポット領域から外れると、媒体は冷え始める。

媒体がＴｃ２から少し下がったところで、第２層に磁化
が出現する。このとき、第２層の磁化の向きは記録磁界
Ｈｂに従わされて、同じ向きとなる。このとき第１層の
磁化は、まだ消失したままである。

媒体は更に冷え続ける。その過程で、補償温度Ｔ　ｃ　
ｏ□、２を通過した場合には、先に出現した第２層の磁
化は、反転する。

媒体温度がＴｃ１より少し下がると、第１層に磁化が出
現する。このとき、第２層の磁化が界面（ｆ壁工ふルギ
ーを介して影響を与える。その結果、第１層には、第２
層との間に（ｓｌ璧を作らない安定な向きの磁化が出現
する。つまり、その温度での媒体のタイプに応じて第２
層のそれとバうレル又はアンチパラレルの向きに（ｎ化
が第１層に出現する。

出現した第１層の磁化は、記１．工碩界Ｈｂがプラスに
作用しようがマイナスに作用しようが、そのまま保持さ
れる。

媒体は更に冷え続け、やがて室温に到達する。

その過程で、補償温度Ｔ　ｃｏｍａ、を通過した場合に
は、第１Ｎ又は第２層の磁化は、反転する。

その結果、結局のところ、高温サイクルで形成されたビ
ットは、室温では、次の磁化を有する。

つまり、このビットは、第２層がＩＩ　ｉ　ｎ　ｉ　、
で初期化された「Ａ向き」とは反対向きの磁化を持ち、
第１層が媒体のタイプに応して「逆Ａ向き」又は「Ａ向
き」の磁化を持つ。

（ｉｉ）の媒体は、高温サイクルで高？ＨＴ　Ｈに加熱
さたとき第１層の磁化は、完全に消失している。

しかし、第２層の磁化は、（ｉｉ４）明確に弱い磁化が
残存しているものと、　（ｉｉ−２）はぼ又は全く消失
しているものと２通りに分けられる。

（ｉｉ−１）の媒体は、次のような高温サイクルを示す
。高温での保磁力は弱いので、第２層の磁化の向きは、
記録磁界Ｈｂに従わされて同し向きとなる。このとき第
１層の磁化は、まだ消失したままである。

そして、媒体がビームと相対的に移動することによりビ
ームのスポットＳＮ域から外れると、媒体は冷え始める
。媒体温度が室温へと低下する過程で、補償温度Ｔゎ。

１．２を通過した場合には、先に従わされた第２層の磁
化は、反転する。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第１層に磁化が出
現する。この後、（ｉ）の媒体と同じ低温サイクルが生
じる。

つまり、このビア）は、第２層がＩｔ　ｉ　ｎ　ｉ　、
で初Ｗ＋化された「Ａ向き」とは反対向きの磁化を持ち
、第１層が媒体のタイプに応じて「逆Ａ向き」又は「Ａ
向き」の磁化を持つ。

（１ｉ−２）の媒体は、（１）と同し高温サイクルを示
す。

（ｉｉｉ　）の媒体は、高温サイクルでＴ。に加熱され
たとき、（ｉｉｉ−１）第１層、第２層共に弱い磁化が
明確に残存しているものと、（ｉｉｉ−２）第１層の磁
化はほぼ又は全く消失しているが、第２層には弱い磁化
が明確に残存するものと、（ｉｉｉ−３）第１層、第２
層共に磁化がほぼ又は全く消失しているもの３通りに分
けられる。

（ｉｉｉ−１）の媒体は、次の高温サイクルを示す。

高温ＴＨでは、第１層、第２Ｐ！Ｉに残存する（Ｒ化は
、相当に弱いので、記録磁界Ｈｂに従わされて同じ向き
となる。

冷えるに従い、第２層の磁化１１ｃ、は、第１層のそれ
に比べ相対的に大きく増大する。そのため、第２層の磁
化が界面磁壁エネルギーを介して第１層の磁化の向きを
制御するようになる。即ち、低温サイクルと同じことが
生じる。

制御された第１層の磁化は、記録磁界Ｈｂがプラスに作
用しようがマイナスに作用しようが、そのまま保持され
る。

媒体温度は更に室温へと低下する。その過程で、補償温
度Ｔ　ｃｏ。、２を通過した場合には、先にＨｂに従わ
された第２層の磁化及び第２層に制御された第１層の磁
化は、反転する。

しかし、結局のところ、この高温サイクルで形成された
ビットは、室温では、次の＋ｆｉ化を有する。

つまり、このビットは、第２層が旧旧、で初期化された
［Ａ向きＪとは反対向きの磁化を持ち、第１層が媒体の
タイプに応して「逆Ａ向き」又は「Ａ向き」の磁化を持
つ。

（ｉｉｉ−２）の媒体は、次の高温サイクルを示す。

高′ＡＴＨでは、第２層に残存する磁化は、相当に弱い
ので、記録磁界Ｈｂに従わされて同し向きとなる。この
とき、第１層の磁化は、消失したままである。

媒体温度がＴｃｌより少し下がると、第１層に磁化が出
現する。このとき、第２Ｎの磁化は、界面磁壁エネルギ
ーを介して第１層に影響を与える。

そのため、第１層の磁化は、第２層との間に磁壁を作ら
ない安定な向きに出現する。向きを制御する。つまり、
第１層の磁化は、その温度での媒体のタイプ（Ｐ又はＡ
タイプ）に応じて、第２層のそれとパラレル又はアンチ
パラレルの向きとなる。

出現した第１層の磁化は、記録磁界Ｈｂがプラスに作用
しようがマイナスに作用しようが、そのまま保持される
。

この後、媒体は更に冷えて室温に戻る。その過程で、補
償温度Ｔ　Ｃ（ｌい９．２を通過した場合には、先にＨ
ｂに従わされた第２層の磁化及び出現した第１層の磁化
は、反転する。

しかし、結局のところ、この高温サイクルで形成された
ピントは、室温では、次の磁化を存する。

つまり、このビットは、第２層がＩＩ　ｉ　ｎ　ｉ　、
で初期化された「Ａ向き」とは反対向きの磁化を持ち、
第１層が媒体のタイプに応じて「逆Ａ向き」又は「Ａ向
き」の磁化を持つ。

（１ｉｉ−３）の媒体は、次の高温サイクルを示す。

高ｉＴ□では、第１Ｎ、第２Ｎ共に磁化がほぼ又は全く
消失している。

媒体がビームと相対的に移動することによりビームのス
ポット領域から外れると、媒体は冷え始める。

媒体温度がＴ　ｅ　＋、Ｔｃ２より少し下がると、第１
層、第２層に磁化が出現する。このとき、第１層、第２
層の磁化の向きは記録磁界Ｈｂに従わされて、同し向き
となる。

そして、媒体は更に冷える。冷えるに従い、第２層の磁
化ＨＣ１は、第１層のそれに比べ相対的に大きく増大す
る。そのため、第２層の磁化が界面磁壁エネルギーを介
して第１層の磁化の向きを制御するようになる。即ち、
低温サブタルと同じことが生じる。

媒体温度は更に低下して室温に至る。その過程で、補償
温度Ｔ　ＣＯＦｊ　ｐ　、２を通過した場合には、先に
Ｈｂに従わされた第２層の磁化及び第２Ｎに制御された
第１Ｎの磁化は、反転する。

しかし、結局のところ、この高温サイクルで形成された
ビットは、室温では、次の磁化を有する。

つまり、このビットは、第２層がｔｌ　ｉ　ｎ　ｉ　、
で初期化された「Ａ向き」とは反対向きの磁化を持ち、
第１Ｎが媒体のタイプに応して「逆Ａ向き」又は「Ａ向
き」の磁化を持つ。

第１層の保磁力第２層の保磁力第１層が受ける結合磁界第２層が受ける結合磁界：初期補助磁界を満足する。

ただし、）１ｃＩ：Ｈｃｔ：ＨＤＩ　：ＨＤ２：Ｉｔ　ｉ　ｎ　ｉ　。

このように記録磁界Ｈｂを情報に応じて変調させること
はせずに、レーザービームの強度のみを情報に応じて変
調させるオーバーライト方式を可能にする合金組成は、
更に室温で下記４条件：Ｈｃ＋＞Ｈｃｚ＋　ｌＨ＋＋＋
＋ＨｏｚｌＨＣＩ＞ＨＤＨＣ２＞　ＨＣ２Ｈｃｚ＋Ｈｏｔ＜　　１ｌｌｉｎｉ、　　ｌ　　＜　Ｈ
ｃ＋±Ｈ１１１ここで第１表に示したクラス１の記録媒
体（Ｐタイプ・■象限・タイプ１）に属する媒体ｌｌ＆
１１を例にとり、本発明のオーバーライト原理について
詳細に説明する。

この媒体陽曹は、次式１１：％式％及び式１１の２　：　Ｔｃｏａｐ、ｚ　　＜Ｔｃの関係
を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説明は、
ＴＨ＜Ｔｃ＋＜Ｔ（２の関係を有するものについて説明
する。Ｔｃｏｍｐ、２は、Ｔ、よりも高くとも、等しく
とも、低くともよいが、説明を簡単にする目的から、以
下の説明では、Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃａｍｐ、　２とする。以上の関係を
グラフで示すと、次の如くなる。なお、細線は第１層の
グラフを示し、太線は第２層のグラフを示す。

保磁力ＴＲＩ　　　Ｔｔ　Ｉ　　ＴＨＴｃ＋ＴｃｚＴｔＯｍ９
１　　　Ｔｆｏ１１９．２室温Ｔ６で第１層（記録層）の磁界が初期補助磁界旧ｎ
ｉ、により反転セずに第２層のみが反転する条件は、式
１２である。この媒体歯１は式１２を１１１足する。

式１２：％式％但し、１］ｃに第１層の保（ｎカＨｃ−ｚ：第２層の保磁力ＭＳＩ　：第１層の飽和磁気モーメント（ｓａｔｕｒａ
ｔｉｏｎ　　ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ）Ｍ、２：第
２Ｎの飽和磁気モーメントｔ、：第曹層の膜厚【２　；第２層の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）
このとき、！Ｉ　ｉ　ｎ　ｉ　、の条件式は、弐１５で
示される。

１１ｉｎｉ、が無くなると、第１層、第２層の磁化は界
面（玉壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それで
も第１Ｎ、第２層の（ｎ化が反転ゼずに保持される条件
は、弐１３〜］４で示される。この媒体陽１は式１３〜
１４を満足する。

弐１３：　　Ｈｃ＋〉２Ｍｓ＋ｔ＋式Ｉ４：Ｈｃ２＞２Ｍ、、Ｌ２室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに次式１５：％式％を満足する旧ｎｉ、により例えば［Ａ向きＪ　曾（ｉ’
ｊに揃えられる。このとき、第１層は前の記録状態のま
まで残る（状態１ａ又は１．ｈ）。

〔「逆Ａ向き」ビット〕　　　〔「Ａ向き」ピッ［〕＊
　□　はｔｎ壁を示す（以下、同様ン。

この状態１ａ、Ｉｂは記録直前まで保持される。

そして、記ｔ！磁界Ｈｌ＋は「Ａ向き」↑に印加すると
する。

なお、記録磁界Ｈｂは、一般の磁界がそうであるように
、レーザービームの照射領域（スポット領域）と同一の
範囲に絞ることは離しい。媒体がディスク状の場合、−
旦記録された情報（ビット）は、１回転した場合、途中
でＩｔ　ｉ　ｎ　ｉ　、の影害を受け、再び状％１ａ、
Ｉｂとなる。そして、改番こ、そのビットは、レーザー
ビームの照射領域（スポット領１ｌｌｉ）に近いところ
を通過する。このとき、状態ｌａ、Ｉｂのビットは、記
録磁界Ｈｂ印加手段に近づくのでその影響を受ける。こ
の場合、Ｉｌｂと反対向きの磁化を存する状態１ａのビ
ットの第１層のｆ分化の向きがＨｂによって反転させら
れたとすると、１回転前に記録されたばかりの情報が消
失することになる。そうなってはならない条件は、次式
１５の２　：　Ｈｃ＋＞Ｈｂ　＋２Ｍｓ＋ｔ＋を満足させる必要がある。逆に言えば、１１　ｂを決定
する１つの条件は、式１５の２で示される。

さて、状態１ａ、Ｉｂのビットは、いよいよレーザービ
ームのスポット領域に到達ｉ−る。レーザービームの強
度は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２種が
ある。

低温サイクル低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度がＴ
ｃｏｓｐ１以上に上昇する。そうすると、Ｐタイプから
Ａタイプに移行する。そして、第１のＲＥ、ＴＭ各スス
ピン方向は変わらないが、強度の大小関係が逆転する。

その結果、第１層の磁化が反転する（状態１ａ−状態２
゜、状態１ｂ　−状態２Ｌｂ）。

で示され、ディスク状媒体は、室温でこの条件式レーザ
ービームの照射が続いて、媒体温度は、やがてＴｔ、に
なる。すると、 σ− Ｈｃ＋＋　Ｈｂ　＜２Ｍｓ＋Ｌｔの関係となり、Ｈｂ　Ｔが存在しても、状態２゜は状態
３Ｌに遷移する。他方、状ｂ　２　Ｌ　ｂは、Ｈｂ　Ｔ
が存在しても、そのままの状態を保つため、同し状態３
Ｌになる。

この状態でレーザービーＪ、のスボント領域から外れる
と媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴｃ、□１以下
に冷えると、Ａタイプから元の１）タイプに戻る。そし
て、第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小関係が逆
転する（　□４−１’、　　＞。

その結果、第１層の磁化は、「Ａ向き」宕となる（状態
４Ｌ）。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。

その結果、第１層に「へ向きｊ宕のビットが形成される
。

高温サイクル高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度は
、ＴＣ６ｆｌｔＬ＋を経て低温Ｔ、に上昇する。

その結果、状態３．と同じ状態２Ｈになる。

高レベルのレーザービームの照射により、媒体温度は更
に上昇する。媒体温度が第２層のＴｃｏ、、ｐ、２を越
えると、ＡタイプがＰタイプに移行する。そして、第２
層のＲＥ、ＴＭ各ススピン方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転する（ニー−、、Ｑ　）。そのため、第
２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」ａＯｆｄ化になる（
状態３．Ｉ）。

しかし、この温度では）ｌｅｔがまだ大きいので、７）
！ｂによって第２Ｆωの磁化が反転されることはない。

さらに温度が上昇し、Ｔ、になると、第１層、第２層は
、その温度がキュリー点に近いので保磁力が小さくなる
。その結果、媒体は、下記（１）〜（３）のいずれか１
つの関係式：％式％を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、ＨｂＯ向きに従う。この状態が状態４ｏである。

２Ｍｓ＋ｔ＋　　　　　２Ｍ５ｚＬｚこの状態でレーザービームのスボソ１領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＭ５．ｔ＋ＭＳ２Ｌ２Ｔ、。１．２以下になると、ＰタイプからＡタイプに移
行する。そして、ＲＥ、′ｒＭの各スピンの方向は変わ
らないが、強度の大小関係が逆転する（４“−↓へ）。

その結果、第２層の（Ｂ化は反転し、？から「逆Ａ向き
」８になる（状態５．）。

媒体の温度がこの状ｆ、７Ｈのときの温度から更に低下
し°ζ、Ｔｃｏ＋ｎｐ、を以下になると、Ａタイプから
元のＰタイプに戻る。そして、第１Ｊｉ４のＲＥスピン
とＴＭスピンの強度の大小関係の逆転が起こる（　↓５
−」−＞。その結果、第１層の磁化は反転し、「逆Ａ向
き」８となる（状態６．Ｉ）。

温度から室温まで低下する。室温での１１　ｃ　＋は一
４分に大きい（弐１５の３参照）ので第１層の磁化８は
、１１ｂによって反転されることなく、状態５　ｌ＋が
保持される。

式１５の３：ＨｂぐＨＣｌ−１− ＭＳＩＬこうして、第１層に「逆ｔ、向き」８のビットがそして
、やがて媒体の温度は状Ｂ６Ｈのときの次に第１表に示
したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ象限・タイプ４
）Ｌこ属する媒体階４を例にとり、本発明のオーバーラ
イト原理について詳細に説明する。

この媒体１１に１．４は、次式２６：％式％の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では、Ｔ□くＴｃｌ＜Ｔｃｍとする。この関係をグラ
フで示すと、次の如（なる。

保Ｉｉ１力ＲＬＴ□ Ｔ、、Ｔｃ２室温ＴＨで第１層の磁化が初期補助（ダ１界Ｉｆ　ｉ　
ｎ　ｉ　。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２７
である。この媒体向４は式２７を満足する。

式２７：％式％このとき、ＩＩ　ｉ　ｎ　ｉ　、の条件式は、式３０で
示される。

ＩＩ　ｉ　ｎ　：　、が無くなると、第１層、第２層の
磁化は界面磁壁エネルギ一番こより互いに影響を受ける
。それでも第１層、第２層の磁化が反転せずに保持され
る条件は、式２８〜２９で示される。この媒体隘４は式
２８〜２９を満足する。

式２８：　　　Ｈｃｌ＞２Ｍｓ＋Ｌ＋式２９：　　　ＨＣ２＞２Ｍ、ｔｔ室温で式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の第２層
の（ｎ化は、記録の直前までに式３０：σ− ２Ｍ５２Ｌ２　　　　　　　　　　　　　　　２Ｍ５１
ｔの条件を満足する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？
　（↑−）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態
のままで残る（状態１ａ又はＩｂ）。

この状態１ａ、１ｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは「逆Ａ向き」↓に印加するとす
る。

なお、媒体がディスク状の場合、記録されたビット（特
に第１層がＨｂと反対向きの状態１ｂのビット）がＨｂ
印加手段に近づいたときＨｂによって反転してはならな
い条件は、次式３０の２；％式％で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。また、初期化された第２層がＨｂ印加
手段に近づいたとき）ｌｂによって反転してしまわない
条件は、次式３０の３＝σ− Ｈｂ＜Ｈｃｚ２Ｍ、２Ｌ２で示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する条件の１つが
式３０の２及び式３０の３である。

さて、状態１ａ、１ｂのビットは、いよいよレーザービ
ームのスポット領域に到達する。レーザービームの強度
は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２種があ
る。

□低温サイクル低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度はＴ
、に上昇する。そうすると、Ｈｃ＋　十Ｈｂ　　＜２Ｍｓ＋ｔ＋の関係が成立する状態となり、状態１ａが状態２゜に遷
移する。他方、状態１ｂはそのままの状態を保つため同
し状！、　２　ｔになる。

高温サイクル高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度は
、低温Ｔ、に上昇する。その結果、状態低温サイクルの
状Ｍ２Ｌ　と同し状態２□となる。

この状態２．においでレーザービームのスポ。

ト領域から外れると、媒体温度は低下を始める。

この状態２Ｌは、媒体温度が室温まで下がっても、室温
での）（ｃ＋が十分に大きい（弐３０の４参照）ので維
持される。

式３０の４：　　Ｈｂ＜Ｈｃ＋＋２Ｍｓ＋ｔその結果、第１層に「Ａ向き」官のビットが形ビームの
照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ□になると、Ｔ
ｌ＋は第１層、第２層のキュリー点に近くなるので保磁
力が小さくなる。その結果、媒体は、下記（１１〜（３
）のいずれか１つの関係式：％式％かつ　　Ｈｂ＞Ｈ，。

２ＭＳ２ＬＺ２Ｍｓ、　ｔ　。

かつ　　Ｈｂ＞Ｈｃｚ十２ＭＳ２Ｌ２を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、Ｈｂの向きに従う。この状態が状態３Ｈである。

次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・口
象限・タイプ３）に属する媒体量５を例にとり、本発明
のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎｏ、５は次式３１：％式％の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では、Ｔ□＜Ｔ、、＜Ｔｃ、とする。この関係をグラ
フで示すと、次の如くなる。

保磁力この状ｕ３　Ｈにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下を始める。

やがて媒体温度は室温まで低下する。しかし、状態３Ｎ
はそのままである。

こうして、第１層に「逆Ａ向き」８のビットが形成され
る。

Ｔ、　　　Ｔ（Ｏｓｐ、＋　　　　Ｔｔ　　Ｔ、ＴＣ，
ＴＣ。

室温ＴＨで第１Ｎの磁化が初期補助磁界Ｉｆ　ｉ　ｎ　
ｉ　。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３２
である。この媒体Ｎｕ５は式３２を満足する。

式３２：％式％の条件を満足する１ｌｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」
？（、二）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態
のままで残る（状態１ａ又はＩｂ）。

このとき、Ｉｔ　ｉ　ｎ　ｉ　、の条件式は、式３５で
示される。

ＩＩ　ｉ　ｎ　ｉ　、が無くなると、第１層、第２層の
磁化は界面磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。

それでも第１層、第２層の磁化が反転せずに保持される
条件は、式３３〜３４で示される。この媒体量５は式３
３〜３４を満足する。

式３３：　　　１（Ｃ１〉ＭｓＩｔ１Ｃ８式３４：　　ＨＣ！＞２Ｍ５２ｔ　２室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３５：この状態１ａ、Ｉ
ｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは、「逆Ａ向き」↓に印加すると
する。

なお、媒体がディスク状の場合、前に記録されたビット
（特に第１層がＨｂと反対向きの状態１ａのビット）が
Ｈｂ印加手段に近づいたときＨｂによって反転してはな
らない条件は、次式３５の２： σ− Ｈｂ＜Ｈｅ２Ｍ！、ｔで示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。また、初期化された第２層が、Ｈｂ印
加手段に近づいたときＨｂによって反転されてしまわな
い条件は、次式３５の３：％式％で示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する条件の１つが
式３５の２及び式３５の３である。

さて、状％ｌａ、ｌｌ）のピントは、いよいよレーザー
ビームのスポット領域に到達する。レーザービームの強
度は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２種が
ある。

□低温サイクル低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度はＴ
　ｃａｆｆｌｐ１以上に上昇する。すると、Ａタイプか
らＰタイプに変化する。そして、第１層のＲＥ、ＴＭ各
ススピン方向は変わらないが、強度の大小関係が逆転す
る。そのため、第１層の磁化が反転する（状態１ａ−状
態２．い　状態１ｂ−状態２Ｌｂ）。

この状態から、更Ｇこ媒体温度が上がりＴ、になると、
下記条件式が満足される。

σ− Ｈｃｌ＋Ｈｌ）＜２Ｍｓ＋Ｌ＋そうすると、状態２，１が状態３．に遷移する。他方、
状態２１．はそのままの状態を保つため同じ状態３１　
になる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。媒体温度が更にＴＣ６＋ａ
９．１以下に冷えるとＰタイプから元のＡタイプにもど
る。そして、第１層のＲＥスピンとＴＭスピンとの大小
関係が逆転する（、、”−Ｊ−）。

その結果、第曹層の磁化は、逆転し、「逆Ａ向き」８と
なる。これが状Ｍ４Ｌである。

高温サイクル高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度は
、Ｔｃｏ＋ｔｔｐ、＋を経て低温Ｔ、に上昇する。

その結果、状態３Ｌと同じ状態２□となる。

ビームの照射が続き、やがて媒体温度は１゛、に上昇す
る。Ｔｘは、第１層、第２層のキュリー点に近いので、
両層の保磁力は小さくなる。その結果、媒体は、下記（
１）〜（３）のいずれか１つの関係式：やがて、媒体７
Ｗ度は室温まで低下するが、状態４Ｌが維持される。

その結果、第１層に「逆Ａ向きＪ８のピントが形成され
る。

２Ｍｓ＋ｔＭｓｚｔｚＭｓ＋　Ｌ　＋　　＋Ｍｓｚ　Ｌ　２２Ｍ５＋Ｌ転し、「へ向き」ｔの磁化になる（状ｆｉｊ、　４い）
。

かつＨｂ＞ＨｃｚＭｓｚｔｚかつ　　Ｈｂ＞Ｈｃｚ＋ＭｓｚＬｔを満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、ＨｂＯ向きに従う。これが状態３８である。

この状ｆｔＥ、　３１１においてレーザービームのスポ
ット領域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度が低下してＴｃｏ＋ｅｐ、１以下になると、Ｐ
タイプから元のへタイプに戻る。そして、第１層のＴＭ
スピンとＲＥスピンの強度の大小関係が逆転する（１↓
−丁、）。そのため、第１層の磁化が反そして、やがて
媒体の温度は状態４□のときの温度から室温まで低下す
る。室温での１１，１は十分に大きく、次式３５の４：％式％が満足されるので、第１層の磁化は状態４）１のまま安
定に維持される。

こうして、第１層に「Ａ向き」のビットが形成される。

次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する媒体光７を例にとり、本発明
のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体光７は、次式４１：％式％の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では＜ＴＨ＜Ｔｃ＋＜Ｔｃ２とする。この関係をグラ
フで示すと、次の如くなる。

保磁力 ↑ Ｔ。

ＬＴ　ｈ　　Ｔ　ｃ　ＩＴ　Ｃ２室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界１１ｉｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４２
である。この媒体Ｎ１７は式４２を満足する。

式４２：％式％このとき、ＩＩ　ｉ　ｎ　ｉ　、の条件式は、式４５で
示される。

旧ｎｉ、が無くなると、第１層、第２層の磁化は界面磁
壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それでも第１
層、第２層の各磁化が反転せずに保持される条件は、式
４３〜４４で示される。この媒体光７は式４３〜４４を
満足する。

σ− 式４３：　　　ＨＣＩ＞２Ｍｓ＋ｔ σ８式４４：　　　ＨＣＩ＞２ＭＳ、　ｔ　。

室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４５：σ− ２Ｍ５ｚｔｚ　　　　　　　　　　　　　　　　２Ｍ５
ｌｔの条件を満足する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」
？　（。↑）に揃えられる。このとき、第１層は記録状
態のままで残る（状態１ａ又はｌｂ）。

この状態１ａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

なお、媒体がディスク状の場合、記録されたビット（特
に第璽層がＨｂと反対向きの磁化を有する状Ｂｉｂのビ
ット）が、Ｈｂ印加手段に近づいたとき、Ｈｂによって
反転してはならない条件は、次式４５の２：％式％で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。また、初期化された第２層が、Ｈｂ印
加手段に近づいたときＨｂによって反転されてしまわな
い条件は、次式４５の３：％式％で示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する１つの条件は
、式４５の２及び式４５の３で示される。

さて、状態１ａ、ｌｂのピントは、いよいよレーザービ
ームのスポット領域に到達する。レーザービームの強度
は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２種があ
る。

低温サイクル低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度がＴ
Ｌに上昇する。そうすると、下記条件：ＨＣＩ＋ｌｌｂく２　Ｍｓ、　Ｌ　。

が満足され、状態１ａが状態２Ｌに遷移する。他方、状
態１ｂはそのままの状態を保つため、同じこの状Ｂ２Ｌにおいてレーザービームのスボ・２Ｈａｔ
域から外れると、媒体温度は低下を始める。

室温では、Ｈｃ＋は十分に大きい（式４５の２参照）の
で、状態２Ｌは室温でも維持される。

その結果、第１層に「Ａ向き」ｔのビットが形成される
。

高温サイクル高レベルのレーザービームが照射されて媒体温度は、低
温ＴＬに上昇する。その結果、状態２゜と同じ状態２Ｈ
になる。

ビームの照射が続いて、媒体温度は更に上昇しＴｏにな
る。すると、ＴＨは第１層、第２層のキュリー点に近く
なるので、その結果、媒体は、下記１ｌｌｉｌ＋）１ｃ＋かつ〜（３）のいずれか１つの関係式：％式％を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、↓Ｈｂの向きに従う。これが状態３ＨでＨｂ＞Ｈｃ
＋− Ｈｂ　　＞ＨＣ２” Ｈｂ＞ＨｃｚＨｂ＞Ｈｃ＋＋かつかつある。

状態３□においてレーザービームのスボソロ頃域から外
れると、媒体温度は低下し始める。

やがて媒体温度は室温に戻る。しかし、状態４ｏは変ら
ない。

その結果、第１層に「逆Ａ向き」８のビア）が形成され
る。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する媒体階８を例にとり、本発明
のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体ＮｌＸ８は、次式４６：％式％の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では、ＴＨ＜Ｔｃｌ＜ＴＣ２とする。また、Ｔ（６１
１９，２は、Ｔｔ　、Ｔｃ１より低くても等しくても高
くても良いが、説明を簡単にする目的から１、以下の説
明では、Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｅ　ｌ＜Ｔ　ｃｏ＋ｎｐ、　
２とする。この関係をグラフで示すと、次の如くなる。

保磁力室温Ｔ６で第１層の（１■化が初期補助磁界ＩＩ　ｉ　
ｎ　ｉ　。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４７
である。この媒体階８は室温で式４７を満足する。式４
７：このとき、ＩＩ　ｉ　ｎ　ｉ　、の条件式は、式５０で
示される。

それでも第１層、第２層の各磁化が反転せずに保持され
る条件は、式４８〜４９で示される。この媒体−８は式
４８〜４９を満足する。

弐４８：　　　ＨＣＩ＞２　Ｍ５１　Ｌ　１式４９：　　　Ｈｅ２＞２　Ｍｓｔｔ　。

室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに弐５０：２　ＭｓｚＬｚ　
　　　　　　　　　　　　　　　２Ｍｓ＋ｔ＋の条件を
満足する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」９　（↑４）
に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１ａ又はｌｂ）。

そして、記録磁界Ｈｂは「Ａ向き」丁に印加するとする
。

なお、媒体がディスク状の場合、１回転前に記録された
ばかりのビット（特に第１層が）ｌｂと反・対向きの磁
化を有する状ｃ、１ｂのビット）がＨｂによって反転し
てはならない条件は、次式５０の２；％式％（で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。逆に言えば、Ｈｂの大きさを決定する
１つの条件は、式５０の２で示される。

さて、状態１ａ、Ｉｂのビットは、いよいよレーザービ
ームのスポット領域に到達する。レーザービームの強度
は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２種があ
る。

ＣｒＡ向き」ビット〕〔「逆Ａ向き」ビット〕この状態
１ａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

低温サイクル低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度はＴ
Ｌに上昇する。そうすると、下記条件式二Ｈｃ＋　＋　
Ｈｂ　＜２　Ｍ、、　ｔ　。

が満足され、状態１ａが状態２Ｌに遷移する。他方、状
ｇｔｂはそのままの状態を保つため、同し状態２Ｌにな
る。

この状態２．においでレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

状態２．は、媒体温度が室温まで下がってもＨｅが十分
に大きい（式５０の２参照）ので、維持される。

その結果、第１層に「逆Ａ向き」８のビットが形成され
る。

□高温サイクル高レベルのレーザービームが照射されて媒体温度は、先
ず低温Ｔ、に上昇する。その結果、低温サイクルの状態
２Ｌと同じ状態２．となる。

高レベルのレーザービームの照射により、媒体温度は更
に上昇する。媒体温度がＴ。０い２．、を超えると、Ａ
タイプからＰタイプに移行する。そして第２層のＲＥス
ピン（Ｔ）及びＴＭスピン（↓）の向きは変わらずに、
強度の大小関係が逆転する（↑、−↑二）。その結果、
第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」８となる。この状
態が状態３゜である。

しかし、この温度ではＨＣ２がまだ大きいので、第２層
の磁化８はｉＨｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、やがて媒体温度は更に上昇し
てＴＭになる。すると、媒体温度は第１層、第２層のキ
ュリー点近くになるので、両層の保磁力は小さくなる。

その結果、媒体は、下記（１）〜（３）のいずれか１つ
の関係式：％式％を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、ｉＨｂの向きに従う。これが状態４゜である。

この状態４゜においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃｏｎｐ、２より下がると、Ｐタイプから
元のＡタイプに戻る。そして、第２層のＲＥスピン（↓
）及びＴＭスピン（↑）の向きは変わらずに、強度の大
小関係が逆転する（□↑　−１や　）。

その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」８とな
る。この状態では、１ｌｃｚは既に相当大きくなってい
るので第２層の磁化暴はｉＨｂにより反転されることは
ない。この状態が状ＦｔＱ５．である。

やがて媒体の温度は状Ｃ，５Ｍのときの温度から室温ま
で低下する。しかし、状態５Ｎは変わらない。

こうして、第１層に「Ａ向き」宕のビットが形成される
。

以下、参考例及び実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。

〔実施例１〕３元のＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
厚さ１．２ｍｍ　、直径１３０Ｉのディスク状ガラス基
板を該装置の真空チャンバー内にセントする。

真空チャンバー内を一旦２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒまで
排気した後、アルゴンガスを導入し、Ａｒガス圧を３×
１０−　’Ｔｏｒｒに保持しながら、成膜速度約５人／
秒で、スパッタリングを行なう。

最初にターゲットとしてＴｂＦｅＣｏ合金を用い、基板
上に膜厚ｔｌ＝６００人のＴｂｚ＋　ＦｅｔｅＣｏｇ垂
直磁化膜からなる第１層（記録層）を形成する。尚、合
金組成における添字数字の単位は、原子％である。

以下、同様である。

続いて、真空状態を保持したままターゲットとしてＤｙ
とＦｅＣｏ合金を用いて、同時スパソタリングを行ない
、第１層の上に膜厚Ｌｘ　＝　１２００人のＤｙｔｔ（
ＦｅｔｏＣｏｚｏ）、ｘ垂直磁化膜からなる第２層（記
録補助Ｎ）を形成する。

こうして製造したクラス８（へタイプ・第■象限・タイ
プ２）に属する２層光磁気記録媒体について、磁気特性
（２５℃）を下記第２表に示す。

第２表〔実施例２〕実施例１と同様に、最初に膜厚ｔ、＝６００人のＴｂ２
１　Ｆｅ７゜ＣＯ９垂直磁化膜からなる第１Ｉを形成し
た後、真空状態を保持したままターゲットとしてｒｂｏ
ｙ合金とＦｅＣｏ合金を用いて、同時スパッタリングを
行ない、第１層の上に膜厚ＬＺ＝　９００人の（Ｔｂ４
ｏＤ７ｉｏ）２ｔ（ＦｅｔｅＣＯｚｏ）ｔａ垂直磁化膜
からなる第２層を形成する。

こうして製造したクラス８　（Ａタイプ・第■象限・タ
イプ２）に属する２層光■シ気記録媒体について、磁気
特性（２５℃）を下記第３表に示す。

第表＊　Ｉ　　　Ｔｂｚ＋　　Ｆｅ、ｏＣＯ７＊　　２　　
　　（Ｔｂａｏ［１ＶｂＪｚｔ（ＦｅｔｏＣＯ３ｏ）ｔ
コ〔比較例１〕実施例１と同様に、最初に膜厚ｔ＋−６００人のＴｂｚ
＋　Ｆｅ７゜Ｃｏｇ垂直磁化膜からなる第１層を形成し
た後、真空状態を保持したままクーゲットとしてｃｄｏ
ｙ合金とＦｅ、。Ｃｏ３゜合金の２元を用いて、同時ス
パッタリングを行ない、第１Ｎの上に膜厚１２＝２００
０人の（ＧｄｓｏＤｙｓｏ）ｚｔ（ＦｅｔｏＣｏｚｏ）
ｔｓ垂直磁化膜からなる第２層を形成する。

こうして製造したクラス８　（Ａタイプ・第■象限・タ
イプ２）に属する２Ｎ光磁気記録媒体について、磁気特
性（２５℃）を下記第４表に示す。

＊　Ｉ　　　Ｔｂｚ＋　　Ｆｅ、ｏＣｏｑ）ｔｑ＊　２
　　　（ＧｄｓｏＤＹｓｏ）ｚｔ（ＦｅｔｏＣｏ：＋ｏ
）ｙ２〔比較例２〕実施例１と同様に、最初に膜厚ｔｌ＝６００人のＴｂ２
．Ｆｅ７゜Ｃｏ、垂直磁化膜からなる第１層を形成した
後、真空状態を保持したままターゲットを変えてスパツ
タリングを行ない、第１層の上に膜厚ｔ２＝５００人の
Ｔｂ２６ＦｅｓｚＣＯｚｚ垂直磁化股からなる第２層を
形成する。

こうして製造したクラス８　（Ａタイプ・第■象限・タ
イプ２）に属する２層光磁気記録媒体について、磁気特
性（２５℃）を下記第５表に示す。

〔媒体の評価〕

＋１１最小旧ｎｉ、の大きさニオーパーライトに必要なＩｆ　ｉ　ｎ　ｉ　、の最小値
を検討する。ＩＩ　ｉ　ｎ　ｉ　、の大きさは、クラス
８の媒体の場合、式５０：％式％で表される。そこで、上記実施例及び比較例の媒体につ
いて、最小旧ｎｉ、　　（華位：Ｏｅ）を計算した。

この結果を下記第８表に示す。

（２）第２層の最小膜厚ｔ２　：室温で第２層が１１　ｉ　ｎ　ｉ　、により初期化され
、磁化の向きが「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」に）＃ｉ＋
えられたとき、第１層の磁化の影響を受けても、その状
態が保たれる条件は、クラス８の媒体の場合、σ− 式４９：　　Ｈｃｚ　＞ＭＢｔ２で表される。そこで、この式を次の式：度ＴＨを与える
高レベルと、（２）他方の１．＞２Ｍ５ｚｌｌｃｚに変形した上で、上記実施例及び比較例の媒体について
、第２層に必要な最小膜厚ｔｚ　　（単位：人）を計算
した。この結果を下記第８表に示す。

＋３１Ｃ／Ｎ比：＜１−１ｉ−５（）可能な光磁気記録装置の説明〉この
装置は記録専用であり、その全体構成を第４図（概念図
）に示す。

この装置は、基本的には、（ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１；（ｂ）初期補助磁界器ｎｉ、印加手段２２；（ｃ）レー
ザービーム光源２３；（ｄ）記録すべき２（ａ化情ｆｌａｇこ従い、ビーム強
度を、（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットの何れが一方のビットを形成させるのに適
当な媒体温ビア）を形成させるのに適当な媒体温度Ｔ、
を与える低レベルとにパルス状に変調する手段２４；（ｅ）記録磁界Ｈｂ印加手段２５；からなる。

ＩＩ　ｉ　ｎ　ｉ　、印加手段２２として、ここでは、
媒体に応じて、強度が、実施例１の媒体：４０００　０ｅ実施例２の媒体：５５００　０ｅ比較例１の媒体：４０００　０ｅ比較例２の媒体：９０００　０ｅで磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用し、Ｈｂ
印加手段２５として、ここでは、どの媒体についても強
度が３０００ｅで磁界の向きが「Ａ向き」丁の永久磁石
を使用する。

永久磁石２２と２５は、ディスク状記録媒体２０の半径
方向の長さに相当する長さを有する棒状のものである。

この磁石２２と２５は、本記録装置に固定して設置し、
光源２３を含むピンクアンプと共に移動させることはし
ないことにする。

第６表＜　Ｃ／Ｎ比の測定〉前述の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気記録を
実施する。まず、回転手段２１で前記実施例及び比較例
の媒体２０を１２ｍ／秒の一定線速度で移動させる。そ
の媒体２０に対し、レーザービームを照射する。ビーム
の強度は、手段２４により調節可能であり、媒体に応じ
て、下記とおりそしてビームは、手段２４により情報に
従いパルス状に変調される。ここでは、記録すべき情報
を周波数１．ＭＩＩｚの信号とした。従って、ビームを
その周波数で変調させながら媒体２０に照射した。

これにより、同周波数の信号が記録されたはずである。

記録した情報を別の光磁気再生装置で再生すると、Ｃ／
Ｎ比は、６０ｄＢ・−・−・−・−・・・−−−−−−−−一一
一一一−・・−・−実施例１．２５７〜６０ｄＢ−・−
・−−−−−−−−−−一−・−・・・−・−・比較例
１．２であり、記録されていることが確かめられた。

第８表次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数２Ｍ
ｌ１ｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、新たな情報が再生され、
オーバーライトが可能であることが判ったが、そのオー
バーライト時のＣ／Ｎ比は、下記第８表記載の通りであ
った。

なお、この条件では、媒体は、下記第７表に示した温度
に達した。

第７表（Ｈｉｎｉ、の単位はＯｅ　：膜厚の単位は人〕【発明
の効果〕以上のとおり、本発明に従い、オーバーライト可能な多
層光磁気記録媒体の第２層（記録補助Ｎ）を（Ｔｂ、　
Ｄｙ＋ｏｏ−ｕ　）　ｖ　（Ｆｅ＋ｏｏ−ｗ　）＋ｏｏ
−ｖ合金組成の中から選択することにより、（１）最小
器ｎｉ、の大きさが小さくなり、そのため旧ｎｉ、印加
手段が小さくて済むことから記録装置を小型化すること
ができ、（２）全体の膜厚ｔ１□が薄くなり、そのため
、オーバーライトに必要な媒体温度Ｔ。、ＴＬを得るの
に必要なレーザービームの強度が小さくて済み、また、
媒体の材料コストが低減され、媒体製造時間が短縮され
、しかも（３１Ｃ／　Ｎ比が高くなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例にかかるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体の縦断面を示す概念図である。第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。第４図は、先願発明にかかるオーバーライト可能な光磁
気記録装置の主要部を説明する概念図である。〔主要部分の符号の説明〕Ｌ−−−−−−−・−・・レーザービームＬ　ｐ　−−
−−−−・直線偏光Ｂ１・・−−−「Ａ向き」磁化を有するビア）Ｂ　ｏ　
””’−−’　ｒ逆Ａ向き」磁化を有するビット１−−
−・−記録層（第１層）２−−−−−−−・記録補助Ｎ（第２Ｎ）Ｓ−・・・−
基板２０−−−−−−オーバーライト可能な光磁気記録媒体
２１・・・−記録媒体を回転させる回転手段２２−−−
−一初朋補助硼界旧ｎｉ、印加手段２３−−−レーザー
ビーム光源２４−・−記録ずべき２値化情報に従い、ビーム強度を
、（１）ｒＡ向き」磁化を有するピント又は「逆Ａ向き
」ｔｄ化を有するビットの何れか一方を形成するのに適
当な温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビッ
トを形成するのに適当な温度を媒体に与える低レベルと
の間でパルス状に変調する手段・−記録磁界Ｈｂ印加手段

Claims

【特許請求の範囲】１　垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直
磁気異方性を有する第２層を記録補助層とする多層構造
を有し、層平面に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向
き」とし、他方を「逆Ａ向き」とするとき、第１層の磁化はそのままに第２層の磁化のみが記録の直
前までに初期補助磁界Ｈｉｎｉ．により「Ａ向き」に揃
えられ、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調され
たレーザービームが媒体に照射された場合、そのビーム
が、（１）高レベルにあるとき、媒体温度は高温Ｔ＿Ｈに上
昇し、その温度状態で、変調されない記録磁界Ｈｂが作
用するか、又はビームの照射がなくなって室温に低下す
る過程で、変調されない記録磁界Ｈｂが作用することに
より、結果として、室温で、第２層が「逆Ａ向き」磁化、第１
層が媒体のタイプにより「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向
き」磁化〕を有するビットが形成され、（２）低レベルにあるとき、媒体温度は低温Ｔ＿Ｌに上
昇し、その温度状態では、少なくとも第２層の磁化は残
存しており、その温度状態で、変調されない記録磁界Ｈ
ｂが作用しても、第２層の残存磁化が作用するか、又は
ビームの照射がなくなって室温に低下する過程で、変調
されない記録磁界Ｈｂが作用しても、第２層の残存磁化
が作用することにより、結果として、室温で、第２層が「Ａ向き」磁化、第１層
が媒体のタイプにより「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き
」磁化〕を有するビットが形成される方式により、レー
ザービームの変調だけでオーバーライトが可能な光磁気
記録媒体において、少なくとも第２層を、一般式：（Ｔｂ＿ＵＤｙ＿１＿０＿０＿−＿Ｕ）＿Ｖ（Ｆｅ＿１
＿０＿０＿−＿ＷＣｏ＿Ｗ）＿１＿０＿０＿−＿Ｖ（但し、Ｕ＝０〜５０原子％Ｖ＝１５〜３５原子％Ｗ＝１〜５０原子％）からなる合金組成から選択したことを特徴とするオーバ
ーライト可能な光磁気記録媒体。２　請求項第１項記載
の記録媒体において、Ｕ＝１〜４０原子％Ｖ＝１５〜３５原子％Ｗ＝１０〜４０原子％であることを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記
録媒体。３　請求項第１項記載の記録媒体において、Ｔ＿Ｒ＜Ｔ
＿Ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿Ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ又はＴ＿Ｈ＜Ｔ
＿Ｌ＜Ｔ＿Ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿Ｃ＿２又はＴ＿Ｒ＜Ｔ
＿Ｌ＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿Ｃ＿１≦Ｔ＿Ｃ＿２であることを特
徴とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体。但し、Ｔ＿Ｒ：室温Ｔ＿Ｃ＿１：第１層のキュリー点Ｔ＿Ｃ＿２：第２層のキュリー点Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
媒体の温度Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
媒体の温度４　請求項第１項記載の記録媒体において、第２層が室
温とキュリー点との間に補償温度Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿
．＿２を有しており、かつ、Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿
２＜Ｔ＿ｃ＿１であることを特徴とするオーバーライト
可能な光磁気記録媒体。５　請求項第１項記載の記録媒体において、室温で下記
４条件：Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜Ｈ＿Ｄ＿１±Ｈ＿Ｄ＿２｜
Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｄ＿１Ｈ＿Ｃ＿２＞Ｈ＿Ｄ＿２Ｈ＿Ｃ＿２＋Ｈ＿Ｄ＿２＜｜Ｈｉｎｉ．｜＜Ｈ＿Ｃ＿１
±Ｈ＿Ｄ＿１を満足することを特徴とするオーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体媒体。ただし、Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力Ｈ＿Ｄ＿１：第１層が受ける結合磁界Ｈ＿Ｄ＿２：第２層が受ける結合磁界Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界６　請求項第１項記載の記録媒体に於いて、第１層が遷
移金属−重希土類合金組成から選択したものであること
を特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体。