JPH02227847A

JPH02227847A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH02227847A
Application number: JP1049646A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Matsumoto; 広行松本
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1989-03-01
Filing date: 1989-03-01
Publication date: 1990-09-11
Anticipated expiration: 2013-12-02
Also published as: EP0385786B1; EP0385786A1; JP2830018B2; DE69021606D1; DE69021606T2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は磁界変調方式でオーバーライドが可能な多層光
磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録、再生した後、消去することができ、
新たな情報を再び記録、再生することが何回でも繰り返
しできるというユニークな利点のために、最も大きな魅
力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　１
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅ。

ＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅＣｏ、　ＴｂＦｅ、　ＴｂＣｏ、
ＴｂＦｅＣｏなどからなる。

記録層は一般に同心円状、らせん状又は直線状のトラッ
クを成しており、このトラックの上に情報が記録される
。ここで本明細書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａ
ｒｄ）　Ｊ又は「下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ　）Ｊの何
れか一方を、ｒＡ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義す
る。記録すべき情報は、予め２値化されており、この情
報が「Ａ向き」の磁化方向を有するマークの状態Ｂ、と
、「逆Ａ向き」の磁化方向を有するマークの状態Ｂ０と
の２つで記録される。これらのマークの１つが１ビツト
に相当し、マークの状態Ｂ１とＢｏは、２値信号の“ｌ
”と“０”の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。

一般には情報が記録されるトラックの磁化は、記録前に
強力な記録磁界を外部から印加することによって「逆Ａ
向き」のマークの状態Ｂ０に揃えられる。この処理は初
期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）と呼ばれる。

その上で記録する情報の信号に応じてトラックに「Ａ向
き」の磁化方向を有するマークの状態Ｂを形成する。情
報は、これらのマークの状態Ｂ０とＢ、との２値の組み
合わせによって言と録される。

記録の原理：記録媒体上の磁化状態に於いては、レーザの特徴即ち空
間的コヒーレンス性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利に使
用され、レーザ光の波長によって決定される回折限界と
ほとんど同じ位に小さいスポットにビームを絞り込める
。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、記録層に
直径が１μｍ以下のマークを形成することにより情報が
記録される。光学的記録においては、理論的に約１０”
　ビット／　ｃｒｌまでの記録密度を達成することがで
きる。何故ならば、レーザビームはその波長とほぼ同じ
程度に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（ｃｏｎ
ｃｅｎ　ｔｒａｔｅ）することが出来るからである。

第４図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。第４図に示すように、光磁気記録においては、
レーザビームＬを記録層１の上に絞りこみ、それを加熱
する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記録
磁界Ｈｂを、加熱された部分に外部から印加する。そう
すると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（ｃｏｅｒ
ｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界Ｈｂより小さくなる。

その結果、その部分の磁化Ｍは、記録磁界Ｈｂの向きに
並ぶ。

こうして逆向きに磁化されたマークの状態Ｂ、が形成さ
れる。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化Ｍ及び保磁
力Ｈｅの温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリ
ー点付近で減少する保磁力Ｈｃを有し、この現象に基づ
いて記録が実行される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー
点書込み）と引用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点Ｔｃより低い補償温
度Ｔｃ＊−＋ｐ（ＣＯｍｐｅｎＳａｊｌＯｎ　ｉｅ［Ｉ
ＩＩ）ｅｒａｔＬｌｒｅ）を有しており、そこでは磁化
Ｍはゼロになる。逆にこの温度付近で保磁力Ｈｃが非常
に大きくなり、その温度から外れると保磁力Ｈｅが急激
に低下する。この低下した保磁力Ｈｅは、比較的弱い記
録磁界Ｈｂによって打ち負かされる。つまり、記録が可
能になる。この記録プロセスはＴ　ｃｏ、、ｅ書込み（
補償点書込み）と呼ばれる。

もっとも、キュリー点Ｔｃ又はその近辺、及び補償温度
Ｔ　ｃ　ｅ□の近辺にこだわる必要はない。要するに、
室温Ｔ、より高い所定の温度に於いて、低下した保磁力
Ｈｃを有する磁性材料に対し、その低下した保磁力Ｈｅ
を打ち負かせる記録磁界Ｈｂを印加すれば、記録は可能
である。

丘忠立凰ユニ第５図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す概
念図である。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に
通常は発散している電磁場ベクトルを有する電磁波であ
る。光が直線偏光ｔ、ｐに変換され、そして記録層１に
照射されたとき、光はその表面で反射されるか又は記録
層１を透過する。

このとき、偏光面は磁化Ｍの向きに従って回転する。こ
の回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は磁気
ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面がｒＡ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザ（偏光子）の
軸を−θに度傾けた面に垂直にセットしておくと、「逆
Ａ向き」に磁化されたマークの状態Ｂ０から反射された
光はアナライザを透過することができない。それに対し
て「Ａ向き」に磁化されたマークの状態Ｂ、から反射さ
れた光は、（ｓｉｎ２θｋ）２を乗じた分がアナライザ
を透過し、ディテクタ（光電変換手段）に捕獲される。

その結果、ｒＡ向き」のマークの状態Ｂ、は「逆Ａ向き
」のマークの状態Ｂ、よりも明るく見え、ディテクタに
於いて強い電気信号を発生させる。このディテクタから
の電気信号は、記録された情報に従って変調されるので
、情報が再生されるのである。

ところで、記録済みの媒体を再使用するには、（ｉ）媒
体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ｉｉ）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（ｉｉｉ）予め、前段処理として記録装置又は消去装
置を用いて記録済み情報を消去する必要がある。

従って、光磁気記録方式では、これまで、記録済み情報
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライドは、不可能とされていた。

しかしながら、記録時に記録磁界Ｈｂの向きを変えれば
自由にマークの状態Ｂ、かマークの状態Ｂ１を選択的に
形成できる訳であり、最近、記録磁界Ｈｂの向きを変調
してオーバーライドを行う磁界変調方式でオーバーライ
ドが可能な光磁気記録方法及び媒体が提案された。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、磁界変調方式オーバーライドでは、レーザ光を
変調させずに連続発光させるので、従来のパルス発光に
比べ記録位置での温度勾配が小さくなる為、■境界のは
っきりしたマークの状態Ｂ１やＢ。を形成するためすな
わち均質なマークを書くためには、書込み温度近傍での
保磁力Ｈｃの変化を大きくしなければならないし、又、
■記録磁界Ｈｂがゼロのとき、マークの向きがほとんど
磁化反転しないようにしなければならない。これら■と
■の磁気特性を同時に満足させる為には、媒体として、
記録層の補償温度Ｔ　ｃｅｐＰとキュリー点Ｔｃが接近
したものを選択しなければならない。

その結果、そのような記録層は、わずかな組成のズレや
組成のムラが敏感に磁気特性を変化させ、そのため媒体
作製の歩留りがきわめて低いという第１の問題点があっ
た。

また、逆に磁界変調方式ではあまり大きな記録磁界Ｈｂ
の印加ができない。その理由は、大きな磁界を高速で変
調するには、大きな電磁石、大きな電流、大きな電流変
換手段などが必要で、そうなると記録再生装置が大型に
なるためである。このために、前記■の外に更に、■小
さな記録磁界（Ｈｂ＝２０００ｅ以下）で充分に記録層
の磁化が可能でなければならない。そのため、この矛盾
した■と■の磁気特性を同時に満足させる記録層の組成
設計は難しく、これまでそのような組成は報告されてい
なかった。（第２の問題点）〔課題を解決する為の手段〕上記問題点の解決の為に、発明者は長い間鋭意研究の結
果、ついに、次に定義する媒体が前記の２つの問題点を
同時に解決できることを見い出し、本発明を成すに到っ
た。よって、本発明は、それぞれが垂直磁気異方性を有
する２層からなり、各層がＲＥ−ＴＭの合金組成を有し
ており、Ｔ　ｃｏｍｐｌ　＜Ｔｃ＋＋＋ｎｐｚ　＜Ｔｃ
ｔ＜Ｔｃｔ、であり、又、室温ＴＲにて、Ｍｓ、Ｈｃ、＜ＭｓｌＨｃｌ、であり、又、Ｔ　ｅ　ｅ　ｖ＋　ｐ　１以下において、
式（１）：を満足する、磁界変調方式でオーバーライド
が可能な多層光磁気記録媒体（第１図参照）を提供する
。

但し、ＲＥ：希土類金属ＴＭ：遷移金属Ｔ３゜１．１　：第１層の補償温度Ｔ　ｃ　ｏ□ｔ　：第２層の補償温度Ｔｃ、：第１層のキュリー点Ｔｃ、：第２層のキュリー点ＴＲ：室温Ｈｃ、　：第１層の保磁力Ｈｃ、：第２層の保磁力Ｍｓ、　：第１層の飽和磁気モーメントＭｓ、：第２層
の飽和磁気モーメント上１：第１層の膜厚ｔ、：第２層の膜厚 σＷ　：交換結合力、である。

尚、第１図で、第１層、第２層は、基板Ｓに対し逆に積
層されていてもよい。

〔作　用〕

一般に、フェリ磁性の希土類金属ＲＥ−遷移遷移金属７
企って大きく磁気特性が変化する。ここで、Ｔ　ｃｏａｓ
ｔ　　＜Ｔｅａｓｅｔ　＜Ｔｃｔ＜Ｔｃｔ、の関係を有
する媒体を仮定する。その上で、書き込み温度Ｔを、（１）Ｔ＜７。０イ。

（２）Ｔｏ．、１１〈Ｔ＜Ｔｅ０ｆｆｉｐ２　、（３）
Ｔｃｏｅｐｘ　＜　Ｔ　＜　Ｔ＋，、の３つの領域に分
けて考えてみると、２層膜のみかけの保磁力Ｈｅ　　（
２層全体で考えた時のＨｃ）は、次のようになる。

ｍＴ＜Ｔｅ．、ｐ＋の場合には、２層膜の各々は、ＲＥ
の副格子磁化がＴＭのそれより大きい。そのため、２層
膜の第１層と第２層の各マークの状態が同じ方向になる
タイプ（パラレルタイプ）となり、書込みに関与する第
２層の保磁力Ｈｃ．に比べ、２層膜全体のみかけの保磁
力Ｈｃは：ＭＳ１ｊ　＋　＋　Ｍｓｔ　ｔ　＊となるか、又、２Ｍ５１ｊ＋ＭＳ１ｔｔの場合は、保磁力Ｈｅは：となる。

つまり、いずれにせよ、２層膜全体のみかけの保磁力Ｈ
ｅが小さい。

従って、初期化し易い。

σ１Ｈｅ−Ｈｃｔ＋２　Ｍｓｔ　ｊ　！（２）Ｔｃ、、ｐｌ　＜Ｔ＜Ｔｃｅａｐｘの場合には、
第１層はＴＭの副格子磁化がＲＥのそれより大きく、第
２層は逆にＲＥの副格子磁化がＴＭのそれより大きいの
で、第１層と第２層のマークの状態が逆の方向になるタ
イプ（アンチパラレルタイプ）となり、書込みに関与す
る第２層の保磁力Ｈｃ、と比べて、第２層の補償温度以
下で、（３）Ｔｃａｍｐｚ　＜　Ｔ　＜　Ｔｃｔ　　の場合に
は、２層膜の各々は、両層が７Ｍリッチであるから（１
）と同様にパラレルタイプになり、書込みに関与する第
２層の保磁力ＨＣ１に比べ、２層膜全体のみかけの保磁
力Ｈｃは：を満足している場合に限り２層膜全体のみかけのである
から、その差、の分だけ、２層膜全体のみかけの保磁力Ｈｃが減の場合
は、であるから、その差、の分だけ、２層膜全体のみかけの保磁力Ｈｃが減少する
。つまり、Ｈｃは小さい。

従って、（２）では見かけの保磁力Ｈｅが大きく、又、
（３）では見かけの保磁力Ｈｃが小さい。つまり、書き
込み温度Ｔをこの（２）と（３）の温度範囲の境界付近
に選択すれば、２層膜全体のみかけの保磁力ＨＣは大き
く変化することになる。

よって、前述の仮定は、前記■の課題を解決することが
理解されよう。

また、第２層が補償温度Ｔ　ｅａｓ、、を持つため、浮
遊磁界が小さいので、前記■の課題を解決する。

また、前述の仮定によれば、Ｔｃｔ＜Ｔｃｔ、すなわち
、第１層のキュリー点Ｔｃ、を第２層のキュリー点Ｔｃ
、より高くしたので、前述の書き込み温度付近、すなわ
ちＴｃ、付近では、第２層の飽和磁気モーメントＭｓ２
は僅かであるものの第１層の飽和磁気モーメントＭＳｌ
が大きい。従って、記録磁界に敏感に反応するので、小
さな磁場でも有効に記録が行える。これにより、前述の
仮定が前記■の課題を解決することが理解されよう。

以上、■と■の課題の解決により、前記第１の問題点は
解決し、■と■の課題の解決により、前記第２の問題点
も解決した。

つまり、書き込みの温度は、第２層の補償温度Ｔ　ｅ　
ａ。、より上で且つ、第２層のキュリー点Ｔｃ。

付近（±３０℃）が好ましい。

尚、該２層光磁気記録媒体において、第１層を一般式：％式％に選んだ場合、ｘ＝１５〜２７原子％、ｙ＝１０〜５０
原子％、である合金が好ましい。

又は、該媒体において、第１層を一般式：％式％に選んだ場合、ｘ＝１５〜２７原子％、ｙ＝原子−〜５
０原子％、である合金が好ましい。

又は、該媒体において、第１層を一般式；％式％に選んだ場合、ｘ＝１５〜２７原子％、Ｙ＝原子−５０
原子％、ｚ＝原子−１００原子％、である合金が好まし
い。

一方、該２層光磁気記録媒体において、第２層を一般式
：％式％に選んだ場合、ｘ＝１８〜３０原子％、Ｙ＝２〜２０原
子％、で原子台金が好ましい。

又、該媒体において、第２層を一般式：％式％に選んだ場合、Ｘ＝１８〜３０原子％、Ｙ＝３〜３５原
子％、ｚ＝　０〜１００原子％、である合金が好ましい
。

又、該媒体において、第２層を一般式：％式％に選んだ場合、Ｘ＝１８〜３０原子％、ｙ＝Ｑ〜３０原
子％、ｚ＝　０〜５０原子に、である合金が好ましい。

〔実施例１〕２元のＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
厚さ１．２＋ａｍ、直径１３０ｍｍのディスク状ガラス
基板を該装置の真空チャンバー内にセットする。

真空チャンバー内を一旦５　Ｘ　１０””Ｐａまで排気
した後、アルゴンガスを導入し、Ａ「ガス圧を２×１０
−’Ｐａに保持しながら、成膜速度的３入／秒で、スパ
ッタリングを行なう。

最初にターゲットとしてＧｄＦｅＣｏ合金を用い、基板
上に膜厚ｔ　、　＝　３５０人のＧｄ＋５ＰｅｓｓＣＯ
＋ｓ垂直磁化膜からなる第１層を形成する。

続いて真空状態を保持したまま、ターゲットとしてＴｂ
ＤｙＦｅＣｏ合金を用い、第１層の上に膜厚ｔ。

＝５００人のＴｂ＋５ＤＹｓ　Ｆｅａ＊ＣＯ＋ｏ垂直磁
化膜からなる第２層を形成する。こうして２層光磁気記
録媒体が製造される。

その室温での磁気特性を表１に示す。

表１また、Ｂ＋　＝Ｈｃ＋＋Ｈｃｉ＝４，８５０ −１，１３０故に、Ｂ＋＞Ｂｔ。

従って、式（１）と式（２）の両式を満足する。

又、この媒体は室温で両層共ＲＥリッチであり、又Ｌｅ＋ｎ
、、　　＜Ｔｅａｓｅｓ　＜ＴＣｔ＜ＴＣｉを満足して
いる。

尚、実施例１では、室温で、故に、ＡＩ　＜Ａｔ。

なので、室温でのこの媒体のみかけの保磁力Ｈｅである
。

第２図に、実施例１で作成した媒体の、保磁力Ｈｃの温
度特性を示す。比較として、第２層のみ（ＴｂＤｙＰｅ
Ｃｏ層）の保持力Ｈｅ、の温度特性も示しである。この
ように２層にすることによって、保磁力Ｈｃの温度特性
を改善できた。

第３図に、実施例１で作成したディスクに情報を記録し
た時のＣＮ比の記録磁界Ｈｂ依存性について調べた結果
を示す。第２図のようにＣＮ比は、記録磁界Ｈｂの大き
さがほとんど０の付近から急激に立ち上がっており、磁
界変調方式でオーバーライドが可能となるのに適した媒
体であることがわかる。

ｔｔ＝ｓｏｏ人のＴｂ１４ＦｅｔｏＣＱｍ　　の垂直磁
化膜からなる第２層を形成する。こうして２層光磁気記
録媒体が製造される。

その室温での磁気特性を表２に示す。

表２〔実施例２〕２元のＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
厚さ１．２ｍ１１．直径１３０ｍｍのディスク状ガラス
基板を該装置の真空チャンバー内にセットする。

真空チャンバー内を一旦５　Ｘ　ｌＯ”Ｐａまで排気し
た後、アルゴンガスを導入し、Ａｒガス圧を２×１０−
’Ｐａに保持しながら、成膜速度約３人／秒で、スパッ
タリングを行なう。

最初にターゲットとしてＤｙＦｅＣｏ合金を用い、基板
上に膜厚ｔ　、　＝　５００人のＤＹｔｔ、　５Ｆｅ４
ｓｃＯｔｃ　ｓの垂直磁化膜からなる第１層を形成する
。

続いて真空状態を保持したまま、ターゲットとしてＴｂ
ＦｅＣｏ合金を用い、第１層の上に膜厚ｔ２がこの媒体
は室温で両層共ＲＥリッチであり、又Ｔ　ｅｏｍｐ＋　
＜Ｔｅｅｓ＋ｐｌ　＜Ｔｅｌ　＜　Ｔｃｔを満足してい
る。

〔実施例３〕２元のＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
厚さ１．２ｍｏ＋、直径１３０ｍｍのディスク状ガラス
基板を該装置の真空チャンバー内にセットする。

真空チャンバー内を一旦５　Ｘ　１０−’Ｐａまで排気
した後、アルゴンガスを導入し、Ａ「ガス圧を２×１０
””Ｐａに保持しながら、成膜速度約３人／秒で、スパ
ッタリングを行なう。

最初にターゲットとしてＧｄＤｙＦｅＣｏ合金を用い、
基板上に膜厚ｔ　ｌ　＝　３５０人のＧｄｕＤｙ＊Ｆｅ
１ｉＣＯｔ＋の垂直磁化膜からなる第１層を形成する。

続いて真空状態を保持したまま、ターゲットとしてＧｄ
ＤｙＦｅＣｏ合金を用い、第１層の上に膜厚Ｌ　ｔ　＝
　５００人のＧｄ＋ａＤＹ＋１Ｆｅｔ＊ＣＯｓ　　の垂
直磁化膜からなる第２層を形成する。こうして２層光磁
気記録媒体が製造される。

その室温での磁気特性を表３に示す。

表３この媒体は室温で第１層がＴＭリッチ、第２層がＲＥリ
ッチであり、またＴ　Ｃ６１１１ｐｌ　　＜　Ｔｅａ４ｐｔ　　〈Ｔｅｌ
　＜　Ｔｅｌを満足している。

〔発明の効果〕

以上の様に本発明によれば、磁界変調オーバーライドに
適した媒体を作製できる。また第１層にＧｄＰｅＣｏ等
のキュリー点Ｔｃｔの高い物質を用いる為、カー回転角
が大きくなり、読出しの時のＣ／Ｎ比が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の磁界変調方式でオーバーライドが可
能な多層光磁気記録媒体の、縦断面を示す概念図である
。第２図は、本発明の実施例１の記録媒体の、温度Ｔに対
するみかけの保磁力Ｈｃを示したグラフである。実線は
実施例の２層膜のみかけの保磁力Ｈｅを、破線は比較の
ため第２層のみの保持力ＨＣ８を示す。第３図は、本発明の実施例１の記録媒体の、ＣＮ比の記
録磁界Ｈｂ依存性を示すグラフである。第４図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。第５図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。Ｂ　ｌ−ｒ　Ａ向き」磁化を有するマークＢ０パ・パ゛
「逆Ａ向き」磁化を有するマーク１−　・−・−第１層２・・・・・・・−第２層Ｓ・−・−・・−・・・基板

Claims

【特許請求の範囲】１　それぞれが垂直磁気異方性を有する２層からなり、
各層が希土類金属−遷移金属の合金組成を有しており、
第２層のキュリー点が第１層のキュリー点より低く、第
２層の補償温度が室温とキュリー点の間にあり、第１層
の補償温度が第２層の補償温度より低く、室温で第１層
の飽和磁気モーメントと第１層の保持力の積が、第２層
の磁気モーメントと第２層の保持力の積と第２層の保持
力よりも小さく、第２層の補償温度以下で、Ｈｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍｓ＿１ｔ＿１＜Ｈｃ＿２−σ＿
ｗ／２Ｍｓ＿２ｔ＿２かつ、Ｈｃ＿１＋Ｈｃ＿２＞｜σ＿ｗ／２Ｍｓ＿１ｔ＿１−σ
＿ｗ／２Ｍｓ＿２ｔ＿２｜を満足することを特徴とする
、磁界変調方式でオーバーライトが可能な多層光磁気記
録媒体。２　請求項第１項記載の光磁気記録媒体において、第１
層が一般式：Ｇｄ＿ｘ（Ｆｅ＿１＿０＿０−＿ｙＣｏ＿ｙ）＿１＿０
＿０＿−＿ｘ、（ただし、ｘ＝１５〜２７原子％、ｙ＝１０〜５０原子％）からなる合金であることを特徴とする媒体。３　請求項第１項記載の光磁気記録媒体において、第１
層が一般式：Ｄｙ＿ｘ（Ｆｅ＿１＿０＿０＿−＿ｙＣｏ＿ｙ）＿１＿
０＿０＿−＿ｘ、（ただし、ｘ＝１５〜２７原子％、ｙ＝１０〜５０原子％）からなる合金であることを特徴とする媒体。４　請求項第１項記載の光磁気記録媒体において、第１
層が一般式：（Ｇｄ＿ｚＤｙ＿１＿０＿０＿−＿ｚ）＿ｘ（Ｆｅ＿１
＿０＿０＿一＿ｙＣｏ＿ｙ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ、（
ただし、ｘ＝１５〜２７原子％、ｙ＝１０〜５０原子％、ｚ＝０〜１００原子％）からなる合金であることを特徴とする媒体。５　請求項第１項記載の光磁気記録媒体において、第２
層が一般式：Ｔｂ＿ｘ（Ｆｅ＿１＿０＿０＿−＿ｙＣｏ＿ｙ）＿１＿
０＿０＿−＿ｘ、（ただし、ｘ＝１８〜３０原子％、ｙ＝２〜２０原子％）からなる合金であることを特徴とする媒体。６　請求項第１項記載の光磁気記録媒体において、第２
層が一般式：（Ｔｂ＿ｚＤｙ＿１＿０＿０＿−＿ｚ）＿ｘ（Ｆｅ＿１
＿０＿０＿−＿ｙＣｏ＿ｙ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ、（
ただし、ｘ＝１８〜３０原子％、ｙ＝３〜３５原子％、ｚ＝０〜１００原子％）からなる合金であることを特徴とする媒体。７　請求項第１項記載の光磁気記録媒体において、第２
層が一般式：（Ｇｄ＿ｚＴｂ＿１＿０＿０＿−＿ｚ）＿ｘ（Ｆｅ＿１
＿０＿０＿−＿ｙＣｏ＿ｙ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ、（
ただし、ｘ＝１８〜３０原子％、ｙ＝０〜３０原子％、ｚ＝０〜５０原子％）からなる合金であることを特徴とする媒体。