JPS60154323A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS60154323A JPS60154323A JP59009169A JP916984A JPS60154323A JP S60154323 A JPS60154323 A JP S60154323A JP 59009169 A JP59009169 A JP 59009169A JP 916984 A JP916984 A JP 916984A JP S60154323 A JPS60154323 A JP S60154323A
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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- G—PHYSICS
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
- C23C14/226—Oblique incidence of vaporised material on substrate in order to form films with columnar structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体、特にノイスを低減ゼしめた薄
膜型磁気記録媒体に関する。
膜型磁気記録媒体に関する。
背景技術とその問題点
近年、磁気記録の面密度化の目的で、磁性薄膜型の磁気
記録媒体即ち非磁性支持体−ヒに、電気メッキ、無電解
メッキ、イオンブレーティング、スパッタリング、真空
蒸着等の方法により、数白″人〜略１μのＩＩみの強磁
性薄膜を形成させた磁気記録媒体についての研究が盛ん
である。特に特公昭４１−１９３８９号に開示された斜
め蒸着法は、高い抗磁力をイｊする磁気記録媒体が得ら
れるので興味が持たれ、種々の改良１敗着がなされ′ζ
いる。しかし、この強磁ｉ１１踏映を磁気記録１ｆｉと
する磁気記録媒体では、短波長域でのビデオ信号の出力
が必ら′４”しも期待される程西くなく、ノイズレベル
が１ｕＩいためＳ／Ｎ比としては充分満足されるものは
得られていない。
記録媒体即ち非磁性支持体−ヒに、電気メッキ、無電解
メッキ、イオンブレーティング、スパッタリング、真空
蒸着等の方法により、数白″人〜略１μのＩＩみの強磁
性薄膜を形成させた磁気記録媒体についての研究が盛ん
である。特に特公昭４１−１９３８９号に開示された斜
め蒸着法は、高い抗磁力をイｊする磁気記録媒体が得ら
れるので興味が持たれ、種々の改良１敗着がなされ′ζ
いる。しかし、この強磁ｉ１１踏映を磁気記録１ｆｉと
する磁気記録媒体では、短波長域でのビデオ信号の出力
が必ら′４”しも期待される程西くなく、ノイズレベル
が１ｕＩいためＳ／Ｎ比としては充分満足されるものは
得られていない。
発明のト１的
本発明は、子連の点に鑑め、ノイズレベルを低減せしめ
、Ｓ／Ｎ比を向上させた薄膜型磁気記録媒体を提供セん
とするものである。
、Ｓ／Ｎ比を向上させた薄膜型磁気記録媒体を提供セん
とするものである。
発明の椰要
本発明Ｌ：１、非磁性支持体上に酸素を含んだ真空雰囲
気中での斜め蒸着法により強磁ｉｌ！金属磁性材料より
なるＭＩＩＱ型磁気記録）−を形成してなる磁気記録媒
体において、薄膜型磁気記録層を構成する柱状結晶構造
中に強磁性金属磁性材料の酸化物粒子をランダムに配し
て成る磁気記録媒体である。
気中での斜め蒸着法により強磁ｉｌ！金属磁性材料より
なるＭＩＩＱ型磁気記録）−を形成してなる磁気記録媒
体において、薄膜型磁気記録層を構成する柱状結晶構造
中に強磁性金属磁性材料の酸化物粒子をランダムに配し
て成る磁気記録媒体である。
換オすると、この薄膜型磁気記録層は柱状結晶構造の集
合体から成り、各柱状結晶構造では強磁性金属粒子と強
磁スＩｌ金属の酸化物粒子とがランダムに配された構成
となっている。
合体から成り、各柱状結晶構造では強磁性金属粒子と強
磁スＩｌ金属の酸化物粒子とがランダムに配された構成
となっている。
この発明の磁気記録媒体によれば、ノイズレベルが低減
し、Ｓ／Ｎ比が向上する。柱状結晶構造中に蒸発物質で
ある’ｉ！ｌ！磁竹金属磁材金属材料粒子をランダムに
配することにより、ノイズレベルが低減するのは、柱状
結晶を構成する磁＋＋１ 茫発粒子のサイズが小さくな
ることに基因していると考えられる。
し、Ｓ／Ｎ比が向上する。柱状結晶構造中に蒸発物質で
ある’ｉ！ｌ！磁竹金属磁材金属材料粒子をランダムに
配することにより、ノイズレベルが低減するのは、柱状
結晶を構成する磁＋＋１ 茫発粒子のサイズが小さくな
ることに基因していると考えられる。
実施例
以ト、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に適用される蒸着装置の概略図である。
この蒸着装置１ｆ（ｉ＋は、所定Ｈｔの酸素を含む真空
雰囲気に保たれた真空チャンバー（２）内に金属キャン
（３）が設けられ、これを繞って非磁性支持体（４）カ
供給リール１５）から巻取リール（６）に移送され、金
属キャン（３）に対向する一ト方に適当な距離を置いて
金属磁性材料例えばＣｏ、 Ｆｅｎ Ｎｓあるいはそれ
らの合金等の蒸着源（７）が配置ｉ！ｌｉ′され、この
蒸着源（７）から蒸発した金属磁性粒子がシャッター（
８）によって非磁セ１．支持体（４）十に所定の入射角
をもって斜め蒸着されるように構成されている。
雰囲気に保たれた真空チャンバー（２）内に金属キャン
（３）が設けられ、これを繞って非磁性支持体（４）カ
供給リール１５）から巻取リール（６）に移送され、金
属キャン（３）に対向する一ト方に適当な距離を置いて
金属磁性材料例えばＣｏ、 Ｆｅｎ Ｎｓあるいはそれ
らの合金等の蒸着源（７）が配置ｉ！ｌｉ′され、この
蒸着源（７）から蒸発した金属磁性粒子がシャッター（
８）によって非磁セ１．支持体（４）十に所定の入射角
をもって斜め蒸着されるように構成されている。
実施例１
」−記蒸着装置ｆｌ＋を使用し、酸素カス（０２）の流
９を１００ｃｃ／ ｍｉｎとするＩ Ｘ １０−”ｌ’
ｏｒｒの圧力ドで、］０メ１１’＋’のポリエチレンテ
レフタレート （ＰＥＴ）よりなる非磁性支持体（４）
−ヒにＣｏ−Ｎｉ合金（Ｃｏが８０％、 Ｎｉが２０％
）を順次斜め蒸着した。蒸着時の入射角は４０°〜９０
°、蒸着源（７）の加熱手段は電子ビームである。この
ようにして作製された蒸着テープを実施例１とした。こ
のテープの特性は以下の通りである。
９を１００ｃｃ／ ｍｉｎとするＩ Ｘ １０−”ｌ’
ｏｒｒの圧力ドで、］０メ１１’＋’のポリエチレンテ
レフタレート （ＰＥＴ）よりなる非磁性支持体（４）
−ヒにＣｏ−Ｎｉ合金（Ｃｏが８０％、 Ｎｉが２０％
）を順次斜め蒸着した。蒸着時の入射角は４０°〜９０
°、蒸着源（７）の加熱手段は電子ビームである。この
ようにして作製された蒸着テープを実施例１とした。こ
のテープの特性は以下の通りである。
Ｇｏ−Ｎｉ蒸着欣１ν：：Ｉ（１００人磁気特性
抗磁力（Ｉｌｃ） ： ８２００ ｅ
飽和磁束密度（ｌ川） ； ６Ｂ００ Ｇ残留磁束密度
（Ｂｒ） ： ４９００ Ｇ角型比（Ｒｒ／ Ｂｍ）
： ０．７２第２図はこの実施例１の蒸着テープの磁性
層を構成する柱状結晶の断面構造をモデル化して示した
ものである。測定は透過電子顕１ｆｉｌｋ繞（ＴＥＭ）
を用い°（解析したものであり、図中（１０１は柱状結
晶でその１１１ｄは５０〜１００人、（１１）はＣｏ−
Ｎｉ粒子で粒ｉ！ ５０〜Ｉ ００人、（１２）はＣｏ
−Ｎ＋酸化物粒子で粒１蚤３０〜７０人であった。
（Ｂｒ） ： ４９００ Ｇ角型比（Ｒｒ／ Ｂｍ）
： ０．７２第２図はこの実施例１の蒸着テープの磁性
層を構成する柱状結晶の断面構造をモデル化して示した
ものである。測定は透過電子顕１ｆｉｌｋ繞（ＴＥＭ）
を用い°（解析したものであり、図中（１０１は柱状結
晶でその１１１ｄは５０〜１００人、（１１）はＣｏ−
Ｎｉ粒子で粒ｉ！ ５０〜Ｉ ００人、（１２）はＣｏ
−Ｎ＋酸化物粒子で粒１蚤３０〜７０人であった。
比較例１
酸素ガスを流さずに１×１Ｏ−５Ｔｏｒｒのｊ＋力とし
、また入射角を７０’〜９０°とし、他は実施例１と同
じ条件で作製した蒸着テープを比較例１とした。
、また入射角を７０’〜９０°とし、他は実施例１と同
じ条件で作製した蒸着テープを比較例１とした。
このテープの特性は以下の通りである。
Ｃｏ Ｎｉ７Ｊ着ｌ央厚 ： １０００人磁気特性
抗磁力（Ｉｌｃ） ： ８０００ｅ
飽和磁束密度（Ｂｍ） ： ６９００ Ｇ残留磁束密度
（Ｂｒ） ： ６２８０ Ｇ角型比（Ｂｒ／ Ｂｍ）
： ０．９１実施例２ （ε性材料をＣｏ（１００％）とした以外は実施例１と
同じ条件で作製した蒸着テープを実施例２とした。この
テープの特性はツートの通りである。
（Ｂｒ） ： ６２８０ Ｇ角型比（Ｂｒ／ Ｂｍ）
： ０．９１実施例２ （ε性材料をＣｏ（１００％）とした以外は実施例１と
同じ条件で作製した蒸着テープを実施例２とした。この
テープの特性はツートの通りである。
Ｇｏ蒸Ｍ般１！ｉ： ： １０００人
磁気特性
抗磁力（ｔｉｃ） ： ９１００ｅ
飽和磁束密度（Ｉｌｍ） ： ７３００ Ｇ残留（ｄ東
南度（Ｒｒ） ： ５３００ Ｇ角型比（Ｒｒ／ Ｂｍ
） ： ０．７３この実施例２の磁性１−を構成する柱
状結晶の断面構造も、し１不・Ｕざるも第２図と同様で
あって、Ｃｏ粒子とＣｏｏ粒イがランダムに分布した構
造であった。また各粒径も同様であり、Ｃｏ粒子の粒径
は５０〜１０（１人、 ＧａＯ２子の粒（・￥は３０〜
７０人、柱状結晶の幅は５０〜１００八であった。
南度（Ｒｒ） ： ５３００ Ｇ角型比（Ｒｒ／ Ｂｍ
） ： ０．７３この実施例２の磁性１−を構成する柱
状結晶の断面構造も、し１不・Ｕざるも第２図と同様で
あって、Ｃｏ粒子とＣｏｏ粒イがランダムに分布した構
造であった。また各粒径も同様であり、Ｃｏ粒子の粒径
は５０〜１０（１人、 ＧａＯ２子の粒（・￥は３０〜
７０人、柱状結晶の幅は５０〜１００八であった。
比較例２
ｆＶｉ素ガスを流さ４”にｌ Ｘ １Ｏ−ｂＴｏｒｒの
圧力とし、また入射角を７０°〜９０°とした以外は実
施例２と同じ条件で作製した蒸着テープを比較例２とし
た。
圧力とし、また入射角を７０°〜９０°とした以外は実
施例２と同じ条件で作製した蒸着テープを比較例２とし
た。
このテープの特４＋１は以トの通りである。
Ｃ，ｏ蒸着Ｋｆ埋： １０００人
磁気特性
抗磁力（ｌｌｃ） ： ９０００ｅ
飽和磁束密度（１１ｍ３ ： ７５００ Ｇ残留磁束密
度（Ｂｒ） ： ６８００ Ｇ角型比（Ｉｌｒ／ Ｒｍ
） ： ０．９１−ヒ記各例のテープの電磁変換特性を
比較した結果を一ト記表に不ず。この測定は、ギャップ
長０．２ｘｒｍのフェライトヘッドを用い、テープ相対
速度を３．８ｍ／ｓｅｃとして出力及びノイズをスペク
トルアナライザーで測定した。これば５ Ｍｌｌｚの信
列で比較したものであり、比較例１のテープの相対出力
及びＳ／ＮをＯｄＢとした。
度（Ｂｒ） ： ６８００ Ｇ角型比（Ｉｌｒ／ Ｒｍ
） ： ０．９１−ヒ記各例のテープの電磁変換特性を
比較した結果を一ト記表に不ず。この測定は、ギャップ
長０．２ｘｒｍのフェライトヘッドを用い、テープ相対
速度を３．８ｍ／ｓｅｃとして出力及びノイズをスペク
トルアナライザーで測定した。これば５ Ｍｌｌｚの信
列で比較したものであり、比較例１のテープの相対出力
及びＳ／ＮをＯｄＢとした。
表
先ず共にＣｏ−１磁性ｌ＠である実施例１と比較例■と
の比較につい°ζ述べる。抗磁力１１Ｃは互いにほぼ等
しく、残留磁束密度Ｄｒ及び角型比Ｂｒ／Ｂｍは共に比
較例１がＩＭ・っζいる。また前記表から、実施例１の
テープは出力ぐは比較例１より低く、Ｓ／Ｎでは比較例
１より優っており、ノイズが低減しているのが判る。
の比較につい°ζ述べる。抗磁力１１Ｃは互いにほぼ等
しく、残留磁束密度Ｄｒ及び角型比Ｂｒ／Ｂｍは共に比
較例１がＩＭ・っζいる。また前記表から、実施例１の
テープは出力ぐは比較例１より低く、Ｓ／Ｎでは比較例
１より優っており、ノイズが低減しているのが判る。
そして、電子顕微鏡観察によれば、実施例１では第２図
に示すように柱状結晶中にＣｏ−Ｎｉ及びＣ。
に示すように柱状結晶中にＣｏ−Ｎｉ及びＣ。
−Ｎｉ酸化物の微結晶がランダムに分布しているごとが
１′す明した。他方、比較例１では柱状結晶がＣ。
１′す明した。他方、比較例１では柱状結晶がＣ。
−Ｎｉの微結晶で形成されている。実施例１では柱状結
晶を形成するＣｏ−１微結晶が、生成されたＣ。
晶を形成するＣｏ−１微結晶が、生成されたＣ。
−１酸化物により細分化され°ζ、微粒子化される。
これに対して比較例１ではＣｏ−Ｎｉ１Ｍ結晶がＣｏ−
Ｎｉ酸化物により細分化されることがない。従って、実
施例１ではＣｏ−Ｎｉ磁性微結晶の粒子サイズが比較例
１のそれより小ざくなるために電磁変換特性におい゛ζ
ノイズが低減される。
Ｎｉ酸化物により細分化されることがない。従って、実
施例１ではＣｏ−Ｎｉ磁性微結晶の粒子サイズが比較例
１のそれより小ざくなるために電磁変換特性におい゛ζ
ノイズが低減される。
次に、共にＣｏ研、 ｆ！ｌ： ＋−である実施例２と
比較例２ ）の比較においζも同様である。即ら抗磁ノ
月１ｃは互いにほぼ等しく、残留磁束密度Ｂｒ及び角型
比Ｂｒ／Ｂｍは共に比較例２が優っている。そして、前
記表から明らかなように実施例２は、出力では比較例２
より低く、Ｓ ／ Ｎでは比較例２より優っζおり、ノ
イズが低くなっている。
比較例２ ）の比較においζも同様である。即ら抗磁ノ
月１ｃは互いにほぼ等しく、残留磁束密度Ｂｒ及び角型
比Ｂｒ／Ｂｍは共に比較例２が優っている。そして、前
記表から明らかなように実施例２は、出力では比較例２
より低く、Ｓ ／ Ｎでは比較例２より優っζおり、ノ
イズが低くなっている。
一方、−１＜１微鏡観察によれば、実施例２では柱状結
晶中にＣｏ及びＣＯ酸化物の微結晶がランダムに分布し
ている。これに対し比較例２では柱状結晶かＣｏの微結
晶で形成されている。そしてＴ用例２では柱状結晶を形
成するＣｏ微結晶が、生成されたＣＯ酸化物により細分
化され微粒子化されるのにり・１し、比較例２ではＣｏ
微結晶はＣＯ酸化物により細分化されることはない。従
って、この実施例２の場合もＣｏ磁性微結晶の粒子−リ
イズが比較例２のそれより小さくなり、電磁変換性１１
１″においてノイズが低減される。
晶中にＣｏ及びＣＯ酸化物の微結晶がランダムに分布し
ている。これに対し比較例２では柱状結晶かＣｏの微結
晶で形成されている。そしてＴ用例２では柱状結晶を形
成するＣｏ微結晶が、生成されたＣＯ酸化物により細分
化され微粒子化されるのにり・１し、比較例２ではＣｏ
微結晶はＣＯ酸化物により細分化されることはない。従
って、この実施例２の場合もＣｏ磁性微結晶の粒子−リ
イズが比較例２のそれより小さくなり、電磁変換性１１
１″においてノイズが低減される。
尚、強研性金属磁性材料としてはＣｏ、 Ｎｉ、 Ｆｅ
あるいはそれらの合金を用いることができる。
あるいはそれらの合金を用いることができる。
発明の効果
本発明によれば、薄膜型磁気記録１−を構成する柱状結
晶構造中にその強磁性金属磁４１１月利の酸化物粒子を
ランダムに配したごとにより、柱状結晶を構成する強磁
性金属微結晶が細分化される。従っ”ζ電磁変換特性に
おい゛ζノイズレベルが低く、Ｓ／Ｎ比が晶い薄１模型
磁気記録媒体が得られる。
晶構造中にその強磁性金属磁４１１月利の酸化物粒子を
ランダムに配したごとにより、柱状結晶を構成する強磁
性金属微結晶が細分化される。従っ”ζ電磁変換特性に
おい゛ζノイズレベルが低く、Ｓ／Ｎ比が晶い薄１模型
磁気記録媒体が得られる。
第１図は本発明に適用される蒸着装置ｉ’３’、第２図
は本発明で得られた磁性層を構成する柱状結晶の１１１
ｉ向構造をモデル化した図である。 （４）は非磁１’１支持体、００）は柱状結晶、（１１
）はＣ。 −旧粒子、（１２）はＣｏ−Ｎｉ酸化物粒子である。 同 松隈秀盛′１．゛□
は本発明で得られた磁性層を構成する柱状結晶の１１１
ｉ向構造をモデル化した図である。 （４）は非磁１’１支持体、００）は柱状結晶、（１１
）はＣ。 −旧粒子、（１２）はＣｏ−Ｎｉ酸化物粒子である。 同 松隈秀盛′１．゛□
Claims (1)
- 非磁性支持体上に、酸素を含んだ真空雰囲気中での斜め
蒸着法により、強磁性金属磁性材料よりなる薄膜型磁気
記録層を形成してなる磁気記録媒体において、−ヒ記薄
腺型磁気記録園を構成するＩｔ状状結晶構造中上記強磁
Ｖ［金属磁性材料の酸化物粒子をランダムに配したごと
を特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59009169A JPS60154323A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 磁気記録媒体 |
| NL8500085A NL192409C (nl) | 1984-01-20 | 1985-01-15 | Magnetische registratiedrager met een dunne film van ferromagnetisch metaal op een niet-magnetisch substraat. |
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| FR858500746A FR2558631B1 (fr) | 1984-01-20 | 1985-01-18 | Milieu d'enregistrement magnetique |
| DE3501561A DE3501561C2 (de) | 1984-01-20 | 1985-01-18 | Magnetisches Aufzeichnungsmedium |
| GB08501273A GB2153851B (en) | 1984-01-20 | 1985-01-18 | Ferro-magnetic layer of magnetic recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59009169A JPS60154323A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
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|---|---|
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| JPH0475577B2 JPH0475577B2 (ja) | 1992-12-01 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP59009169A Granted JPS60154323A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR920008414B1 (ja) |
| DE (1) | DE3501561C2 (ja) |
| FR (1) | FR2558631B1 (ja) |
| GB (1) | GB2153851B (ja) |
| NL (1) | NL192409C (ja) |
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-
1985
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- 1985-01-18 DE DE3501561A patent/DE3501561C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-01-18 KR KR1019850000284A patent/KR920008414B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 1985-01-18 GB GB08501273A patent/GB2153851B/en not_active Expired
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|---|---|
| KR850005665A (ko) | 1985-08-28 |
| NL8500085A (nl) | 1985-08-16 |
| GB2153851A (en) | 1985-08-29 |
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| FR2558631A1 (fr) | 1985-07-26 |
| KR920008414B1 (ko) | 1992-09-28 |
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| DE3501561C2 (de) | 1995-08-31 |
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