JPS5814324A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS5814324A JPS5814324A JP11172981A JP11172981A JPS5814324A JP S5814324 A JPS5814324 A JP S5814324A JP 11172981 A JP11172981 A JP 11172981A JP 11172981 A JP11172981 A JP 11172981A JP S5814324 A JPS5814324 A JP S5814324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- vapor
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は斜め蒸着にする強磁性金属薄膜tS、気記碌層
として備えてなる磁気記録媒体に関するもので、特に電
礁変−鴨性にすぐれ、耐摩−咋お1び耐候性に優れた磁
気記録媒体に関する。さらに本発明は方向性異方性の小
さい上記@気配録媒体咳関する。
として備えてなる磁気記録媒体に関するもので、特に電
礁変−鴨性にすぐれ、耐摩−咋お1び耐候性に優れた磁
気記録媒体に関する。さらに本発明は方向性異方性の小
さい上記@気配録媒体咳関する。
従来1す磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にr−
Fe、U、 、Coyドープしたr−Fe、(J、。
Fe、U、 、Coyドープしたr−Fe、(J、。
F e s O4、Co2ドープしたF@、(J、、
r−に’s、0゜とF @ s U aのベルトライ
ド化合物、、CrOs等の磁性粉末あるいは強磁性合金
粉末等の粉末磁性材料V塩化ビニルー酢酸ビニル共重合
体、スチレンーヅタジエン共重合体、エポキシIIM脂
、ポリウレタンms等の有機バインダー中に分散せしめ
たものr塗布し乾燥させる塗布型のものが広く使用され
てきている。近年^密度記動への要求の高まシと共に真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等のペ
ーパーデポジション法あるいは電気メッキ、無電解メッ
キ等のメッキ法に1シ形成される強蝉性金属薄展V蜘気
記録層とする。バインダー虻使用しない、いわゆる非バ
インダー型磁気記録媒体が注目r浴びておシ実用化への
努力が種檀行なわれている。
r−に’s、0゜とF @ s U aのベルトライ
ド化合物、、CrOs等の磁性粉末あるいは強磁性合金
粉末等の粉末磁性材料V塩化ビニルー酢酸ビニル共重合
体、スチレンーヅタジエン共重合体、エポキシIIM脂
、ポリウレタンms等の有機バインダー中に分散せしめ
たものr塗布し乾燥させる塗布型のものが広く使用され
てきている。近年^密度記動への要求の高まシと共に真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等のペ
ーパーデポジション法あるいは電気メッキ、無電解メッ
キ等のメッキ法に1シ形成される強蝉性金属薄展V蜘気
記録層とする。バインダー虻使用しない、いわゆる非バ
インダー型磁気記録媒体が注目r浴びておシ実用化への
努力が種檀行なわれている。
従来の塗布型の磁気配録媒体では主として強磁性金Is
Lり飽和磁化の小さい金属酸化物t−磁性材料として使
用しているため、1%密度記録に必要な薄形化が信号出
力の低下tもたらすため限界にきてお′す、かつその製
造工程も複信で、酸剤回収あるいは分書防止のための大
きな耐電設備11−要するという欠点を有している。非
バインダー型の磁気配録媒体では上記酸化物より大きな
飽和磁化を有する強θ性金atパインターの如龜非磁性
物質を含有しない状態で薄膜として形成せしめるため。
Lり飽和磁化の小さい金属酸化物t−磁性材料として使
用しているため、1%密度記録に必要な薄形化が信号出
力の低下tもたらすため限界にきてお′す、かつその製
造工程も複信で、酸剤回収あるいは分書防止のための大
きな耐電設備11−要するという欠点を有している。非
バインダー型の磁気配録媒体では上記酸化物より大きな
飽和磁化を有する強θ性金atパインターの如龜非磁性
物質を含有しない状態で薄膜として形成せしめるため。
高密度1鍮化のために超薄形にできるという利点r有し
、しかもその製造工程は簡単である。
、しかもその製造工程は簡単である。
高密度1鋒用の磁気配録媒体に要求される条件の一つと
して、A抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱
されておシ、塗布型の磁気配録媒体1りも一桁小さい薄
型化が容易で、飽和磁束密度も大きい非バインダー型磁
気記録媒体への期待は大きい。
して、A抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱
されておシ、塗布型の磁気配録媒体1りも一桁小さい薄
型化が容易で、飽和磁束密度も大きい非バインダー型磁
気記録媒体への期待は大きい。
特に真空蒸着I/cLる方法はメッキの場合の1うな排
液処jl!虻必要とせず製造工程も簡単で膳の析出速度
も大きくできるため非常にメリツシが大きい。真空蒸着
によって磁気配録媒体に望ましい抗磁力を1び角型性を
有する磁性編r製造する方法としては、米国籍許JJ4
AJ4J−号、同JJ参24JJ号等に述べられてめる
斜め蒸着法が知られている。この方法Kjると、基体に
対して入射する蒸気流の入射角が大きいほど高抗佃力の
媒体が帰られる。しかしながら入射角が大きいと蒸着効
率が低下するという現象があり生産上問題である・ さらに強−性金属薄展から成る磁気配録媒体にかかわる
大きな問題として腐蝕及び摩耗に対する強度、走行安定
性がある。磁気配録媒体は―気信号の配録、再生及び消
去の過根において磁気ヘッドと鳥速相対這勤のもとにお
かれるが、′その際走行がスムーズにしかも安定に行な
われねばならぬし、同時にヘッドとの接触にLる摩耗も
しくは破磯痴起ってはならない。又磁気配録媒体の保谷
中に腐飽等KLる経時変化に工って1録された信号の減
少あるいは消失があってはならないことも要求される。
液処jl!虻必要とせず製造工程も簡単で膳の析出速度
も大きくできるため非常にメリツシが大きい。真空蒸着
によって磁気配録媒体に望ましい抗磁力を1び角型性を
有する磁性編r製造する方法としては、米国籍許JJ4
AJ4J−号、同JJ参24JJ号等に述べられてめる
斜め蒸着法が知られている。この方法Kjると、基体に
対して入射する蒸気流の入射角が大きいほど高抗佃力の
媒体が帰られる。しかしながら入射角が大きいと蒸着効
率が低下するという現象があり生産上問題である・ さらに強−性金属薄展から成る磁気配録媒体にかかわる
大きな問題として腐蝕及び摩耗に対する強度、走行安定
性がある。磁気配録媒体は―気信号の配録、再生及び消
去の過根において磁気ヘッドと鳥速相対這勤のもとにお
かれるが、′その際走行がスムーズにしかも安定に行な
われねばならぬし、同時にヘッドとの接触にLる摩耗も
しくは破磯痴起ってはならない。又磁気配録媒体の保谷
中に腐飽等KLる経時変化に工って1録された信号の減
少あるいは消失があってはならないことも要求される。
耐久性、耐候性r向上させる方法として保躾層r設ける
ことが検討されてはいるが、ヘッドと磁性層間のスペー
シング損失のために保饅層の厚みr大きくできないとい
う制約4あるためm性膜そのものにも耐久性、耐候性r
備えさせることが必要である。
ことが検討されてはいるが、ヘッドと磁性層間のスペー
シング損失のために保饅層の厚みr大きくできないとい
う制約4あるためm性膜そのものにも耐久性、耐候性r
備えさせることが必要である。
さらKX@−往金属薄換を備えた磁気配録媒体において
FijI+密度記録媒体としての長所を生かすために表
面の平坦な支持体上に鐸性M!r設ける必要があるが1
表面の平坦な支持体r使用する場合には充分な耐久性、
耐候性が得られないという間組がめった。
FijI+密度記録媒体としての長所を生かすために表
面の平坦な支持体上に鐸性M!r設ける必要があるが1
表面の平坦な支持体r使用する場合には充分な耐久性、
耐候性が得られないという間組がめった。
また従来性われてきた工うに斜め入射蒸着磁性薄M’を
単に一層設けてなる磁気配録媒体では磁気ヘッドに対す
る相対運動時の往路、復路で□の電磁変換特性、走行性
等が大きく異なるという欠点V有していた。この工うに
磁気配録媒体が軸異方性(mxi’ml anlso
tropy)ではなく方向性異方性(directio
nal anisotropy)y有する点は実用上
大きな開−で′ある。
単に一層設けてなる磁気配録媒体では磁気ヘッドに対す
る相対運動時の往路、復路で□の電磁変換特性、走行性
等が大きく異なるという欠点V有していた。この工うに
磁気配録媒体が軸異方性(mxi’ml anlso
tropy)ではなく方向性異方性(directio
nal anisotropy)y有する点は実用上
大きな開−で′ある。
本発明の目的は上記の欠点が改良されてなると共に電磁
変換特性のすぐれた磁気配録媒体を提供することである
。すなわち本発明の目的は、S気特性がすぐれると共に
耐摩耗性、耐候性にすぐれ。
変換特性のすぐれた磁気配録媒体を提供することである
。すなわち本発明の目的は、S気特性がすぐれると共に
耐摩耗性、耐候性にすぐれ。
電磁変換特性上も大きく改良された非バインダ」型磁気
記録媒体を提供することである。
記録媒体を提供することである。
本発明のか\る目的は、蒸発源から蒸発せしめた磁性全
域材料の蒸気流t、酸化性ガス雰囲気中で、移動する基
体に斜めに入射蒸着してなる磁気配録媒体であって、前
記基体に対する繭紀蒸気流の入射角i高入射角から低入
射角へと連続的に変化させることに1す形成される蒸着
磁性薄jllIIt積層して成ること9を特徴とする磁
気記録媒体KLつて達成される。
域材料の蒸気流t、酸化性ガス雰囲気中で、移動する基
体に斜めに入射蒸着してなる磁気配録媒体であって、前
記基体に対する繭紀蒸気流の入射角i高入射角から低入
射角へと連続的に変化させることに1す形成される蒸着
磁性薄jllIIt積層して成ること9を特徴とする磁
気記録媒体KLつて達成される。
本発明において斜め蒸着とは基体表面の法線に対し磁性
金属材料の蒸気R’tある入射角#を持たせて入射させ
基体表面上に磁性薄sr析出させる方法である0本発明
においては特に斜め蒸着に工す侮性薄JIIl&v析出
させる際、S性薄膜の析出スタート時には入射角#ma
xにて斜め蒸着を開始し。
金属材料の蒸気R’tある入射角#を持たせて入射させ
基体表面上に磁性薄sr析出させる方法である0本発明
においては特に斜め蒸着に工す侮性薄JIIl&v析出
させる際、S性薄膜の析出スタート時には入射角#ma
xにて斜め蒸着を開始し。
基体の移動と共に入射角r連続的に減少させる工うに変
化させて入射角#minにて一性薄展の析出tストップ
させるもので、且つ少なくともJ層以上積層したことV
**とする一気配録媒体である。
化させて入射角#minにて一性薄展の析出tストップ
させるもので、且つ少なくともJ層以上積層したことV
**とする一気配録媒体である。
本発明において入射角としては一般にはJO@〜90”
が望ましく、%に入射角ammxtI′i40 @〜F
O@、入射角#minはJ O’ 〜7 j ’Th1
llましい拳 本発明に用いられる磁性金属材料としては%F”@Go
、N1等の金属、ある伜はre−Co、Fe−Ni。
が望ましく、%に入射角ammxtI′i40 @〜F
O@、入射角#minはJ O’ 〜7 j ’Th1
llましい拳 本発明に用いられる磁性金属材料としては%F”@Go
、N1等の金属、ある伜はre−Co、Fe−Ni。
Co−Ni、に″m−Go−N i 、 Fe−ah
。
。
F’@1−Cu 、 Co−Cu 、 Co−Au 、
Co−Y 。
Co−Y 。
Co−Lm 、 C,o−Pr 、 Go−(id 、
Co−8m。
Co−8m。
Co−Pi、Nゑ−Cu 、Mn−B i 、Mn−8
b。
b。
Mn−ムt 、 Fe−Cr 、 Co−Cr 、 N
1−Or。
1−Or。
Fe−Co−Cr 、 N 1−Co−Cr 。
re−Co−Ni−Cr等の強磁性合金である。
特に好ましいのはCoあるいはCo @ 77重量慢含
有する工うな合金である。積層してなる磁性薄膜の総厚
は、−気配縁媒体として充分な出力を与え得る厚さお↓
び高密度記録の充分行える薄さrailとすることから
一般には約0.02μmからj、Opm、好ましく i
j O、Oj # m;Q>ら2.0μmである。各両
性薄層の厚さは等しく設計してもいいし、基体に蛙も近
い磁性薄膜の−jOq4の厚さで設けてもいい。
有する工うな合金である。積層してなる磁性薄膜の総厚
は、−気配縁媒体として充分な出力を与え得る厚さお↓
び高密度記録の充分行える薄さrailとすることから
一般には約0.02μmからj、Opm、好ましく i
j O、Oj # m;Q>ら2.0μmである。各両
性薄層の厚さは等しく設計してもいいし、基体に蛙も近
い磁性薄膜の−jOq4の厚さで設けてもいい。
本発明における蒸着とは、上記米国特許@JJ参14J
J号の明細書等に述べられている通常の真空蒸着の他、
・!界、磁界あるいは電子ビーム照射等にエフ蒸気流の
イ、オン化、加速化st’行って蒸発分子の平均自由行
程の大き゛い雰囲気にて支持 l基体上に薄
膜を形成させる方法Vも含むものであって1例えば轟出
幀人にLる特開昭J/−/$り001号明1a4iK示
されている1うな電界蒸着法、特公昭参J−iizλJ
号1%公昭参6−λO−l参号1%公昭ダ7−J4j7
f号、特公昭−2−参j参Jf号、特開昭弘?−JJI
WO号、特M昭参?−34AulJ号、特開昭−2−j
参λJj号公報に示されているふうなイオン化蒸着法も
本発明に用いられる。
J号の明細書等に述べられている通常の真空蒸着の他、
・!界、磁界あるいは電子ビーム照射等にエフ蒸気流の
イ、オン化、加速化st’行って蒸発分子の平均自由行
程の大き゛い雰囲気にて支持 l基体上に薄
膜を形成させる方法Vも含むものであって1例えば轟出
幀人にLる特開昭J/−/$り001号明1a4iK示
されている1うな電界蒸着法、特公昭参J−iizλJ
号1%公昭参6−λO−l参号1%公昭ダ7−J4j7
f号、特公昭−2−参j参Jf号、特開昭弘?−JJI
WO号、特M昭参?−34AulJ号、特開昭−2−j
参λJj号公報に示されているふうなイオン化蒸着法も
本発明に用いられる。
本発明に用いられる基体としてはポリエチレンテレフタ
V−)、ポリイミド、ポリ了ミド、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナフ
タレートの工うなプラスチック′ベースが好ましい0%
に本発明においては表面粗さくra)がo、oiλμm
以下である工うな上記可撓性プラスチックベースが好ま
しい、ここで表向粗さくra)とはJIS−BU40i
tz)1項に示されている中心線平均粗さで、カットオ
フ740.211とする。さらに上記プラスチックベー
ス上に下塗り層を設け、そのIR面粗さくra)%rO
5O/λμm以下としたものt基体として用いてもいい
。
V−)、ポリイミド、ポリ了ミド、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナフ
タレートの工うなプラスチック′ベースが好ましい0%
に本発明においては表面粗さくra)がo、oiλμm
以下である工うな上記可撓性プラスチックベースが好ま
しい、ここで表向粗さくra)とはJIS−BU40i
tz)1項に示されている中心線平均粗さで、カットオ
フ740.211とする。さらに上記プラスチックベー
ス上に下塗り層を設け、そのIR面粗さくra)%rO
5O/λμm以下としたものt基体として用いてもいい
。
酸化性ガスとしては酸Ik用いるが工く、酸素単独でも
、他のガスと混合してもどちらでも良い。
、他のガスと混合してもどちらでも良い。
酸化性ガスを含む蒸着雰囲気としては/xlO”6
〜/x10 Torrが好ましい。
さらに本発明においては、積層してなる磁性薄膜の間に
非幽性層を介在させてもいい。非磁性中間層として好ま
しいものは、Cr、8i、 At。
非幽性層を介在させてもいい。非磁性中間層として好ま
しいものは、Cr、8i、 At。
Mn、Bl、’l’i、8n、Pb、In、Zn。
Cuあるいはこれらの酸化物、窒化物工す構成される層
である。
である。
第1図おLび第、2図に本発明にLる磁気記録媒体の構
盛例r図式的に示している。
盛例r図式的に示している。
第1図は蒸発源から蒸発せしめた磁性金属材料の蒸気流
r酸化性ガス雰四気中で移動する基体−Eに入射角t1
6へ射角から低入射角へと連続的に変。
r酸化性ガス雰四気中で移動する基体−Eに入射角t1
6へ射角から低入射角へと連続的に変。
化させて蒸y!iすることにニジ得ら、れる彎曲した傾
斜柱状構造kitや蒸着展が、傾斜柱状構造が互いに同
一方向になる↓うに積層されてなる磁気記録媒、体覧示
している。すなわち支持体By上に第i@t、お工び、
第λ層コの蒸着磁性膜が形成されている、各層の磁性膜
l、λは彎曲した傾斜柱状構造l/、/−II−有して
おり、@/層lと第2層2とて柱状構造11.1Jc)
llIiI斜方向は同一になっている。傾斜柱状構造/
/、/Jの支持体B/のt、1iilに対する傾きは支
持体B/に近い方で大きく、支持体9/1り遁くなるに
つれて小さくなっている。@/図においてはλ層構造r
示しているが。
斜柱状構造kitや蒸着展が、傾斜柱状構造が互いに同
一方向になる↓うに積層されてなる磁気記録媒、体覧示
している。すなわち支持体By上に第i@t、お工び、
第λ層コの蒸着磁性膜が形成されている、各層の磁性膜
l、λは彎曲した傾斜柱状構造l/、/−II−有して
おり、@/層lと第2層2とて柱状構造11.1Jc)
llIiI斜方向は同一になっている。傾斜柱状構造/
/、/Jの支持体B/のt、1iilに対する傾きは支
持体B/に近い方で大きく、支持体9/1り遁くなるに
つれて小さくなっている。@/図においてはλ層構造r
示しているが。
λ鳩以上の多層構造であっても良い。
第1図に示された構成の磁気記録媒体に工れば電歿変撲
%性に丁ぐれるのみならず耐摩耗性おLび耐候性にすぐ
れた磁気記録媒体が得られるものであるが、第2図に示
す構成によれば方向性異方性の小さいという特徴も兼ね
備えた磁気記録媒体が得られる。従来性われた工うに斜
め入射蒸着磁性膜を単に一層設けてなる磁気1c[媒体
では磁気ヘッドに対する相対運動時の往路、(1回路で
の電磁変換特性、走行性等が大きく真なるという欠点を
有していた。この1つな方向性異方性の有することは実
用上問題であるが、第2図に示す層構成とすればこの欠
点が解決される屯のである。すなわち支持体BJ上にm
/1iIJお工びmコ層−0蒸着磁性膜が形成されてい
る。各層の磁性膜J、参は彎曲した傾斜柱状構造IJ及
びl−r有してシシ。
%性に丁ぐれるのみならず耐摩耗性おLび耐候性にすぐ
れた磁気記録媒体が得られるものであるが、第2図に示
す構成によれば方向性異方性の小さいという特徴も兼ね
備えた磁気記録媒体が得られる。従来性われた工うに斜
め入射蒸着磁性膜を単に一層設けてなる磁気1c[媒体
では磁気ヘッドに対する相対運動時の往路、(1回路で
の電磁変換特性、走行性等が大きく真なるという欠点を
有していた。この1つな方向性異方性の有することは実
用上問題であるが、第2図に示す層構成とすればこの欠
点が解決される屯のである。すなわち支持体BJ上にm
/1iIJお工びmコ層−0蒸着磁性膜が形成されてい
る。各層の磁性膜J、参は彎曲した傾斜柱状構造IJ及
びl−r有してシシ。
前記第1層3と第コm−とで各柱状構造/J及びl−の
傾斜方向は互いに交差している。前記各傾斜柱状構造/
J及び/44の支持体BJの法線に対する傾きは、前記
支持体Bλに近い方で大きく。
傾斜方向は互いに交差している。前記各傾斜柱状構造/
J及び/44の支持体BJの法線に対する傾きは、前記
支持体Bλに近い方で大きく。
該支持体BJ工り遠くなるにつれて小さくなっている。
第1図にかいてはλ層構造r示しているが。
2層以上の多層構造であってもいい。
次に実施例Vもって本発明を具体的に説明するが本発明
はこれに限定されるものではない。
はこれに限定されるものではない。
実施例−象
第3図にその4部r示した巻取り式蒸着装置コOi用い
、−23μm岸のポリエチレンテレフタレートフィルム
ロ9rクーりングキャンJJK償って搬送させながらそ
の表面:に斜め蒸着に1リコバルト磁性薄膜V形成させ
て磁気テープV作製した。
、−23μm岸のポリエチレンテレフタレートフィルム
ロ9rクーりングキャンJJK償って搬送させながらそ
の表面:に斜め蒸着に1リコバルト磁性薄膜V形成させ
て磁気テープV作製した。
蒸発源コlとしては電子ビーム加熱式蒸発源を使用し、
ガス導入口1すm’sガスr真空槽内に導入しながら/
X/(7Torrの真空度で蒸着r行った。なお、J4
1Cは防着板である。磁性膜の全厚はλ000λとなる
工うにし、蒸着の際の入射角設定はθmaxyり0@a
rninyuO”とした。フィルムを蒸着入射角度が2
00からuo@へと連続的に変化する方向に移動させつ
つ磁性博II4′lt形成して巻取った彼1巻取られた
ロール11Jj!シ再度前述した方法で斜め蒸着を行い
、第1図に示した構成の磁気テープを得た。得られた磁
気テープはVH8型v’rttgて電磁変換特性、スチ
ル耐久性を測定した。出気配録層の層構成お1びポリエ
チレンテレフタレートフィルムの表面粗さrf化させた
場合の磁気テープの抗磁力、減−、スチール耐久性%4
IMHzのビデオ出力、4’MHgの信J1gr記録し
た時のJMHzでの変調ノイズを第1表に示す、減磁は
磁気テープの耐候性V見るために、磁気テープτtO@
C,りO暢相対湿度中K。
ガス導入口1すm’sガスr真空槽内に導入しながら/
X/(7Torrの真空度で蒸着r行った。なお、J4
1Cは防着板である。磁性膜の全厚はλ000λとなる
工うにし、蒸着の際の入射角設定はθmaxyり0@a
rninyuO”とした。フィルムを蒸着入射角度が2
00からuo@へと連続的に変化する方向に移動させつ
つ磁性博II4′lt形成して巻取った彼1巻取られた
ロール11Jj!シ再度前述した方法で斜め蒸着を行い
、第1図に示した構成の磁気テープを得た。得られた磁
気テープはVH8型v’rttgて電磁変換特性、スチ
ル耐久性を測定した。出気配録層の層構成お1びポリエ
チレンテレフタレートフィルムの表面粗さrf化させた
場合の磁気テープの抗磁力、減−、スチール耐久性%4
IMHzのビデオ出力、4’MHgの信J1gr記録し
た時のJMHzでの変調ノイズを第1表に示す、減磁は
磁気テープの耐候性V見るために、磁気テープτtO@
C,りO暢相対湿度中K。
7日間保持した場合の飽″IFu蜘束密得(Bm)の減
少を測定また。第1表には7日間上紀境境中に保持した
後の飽和磁束密度(Hmy)の当初の飽和磁このLうに
酸素宴曲気中にて、基体に対する蒸気流の入射角を高入
射から低入射へと連続的に便化させて蒸着した磁性薄P
Av傾斜柱状構造が互いに同一方向になるよう積層して
なる1気テープは単層の場合に比して磁気%性が良いば
かりでなく耐候性、耐久性、出力、ノイズにおいてすぐ
れることが明ら力為である。特に表面粗さくra)が0
゜01コμm以下のプラスチックベース上に上記積ia
性膜r設けてなる磁気テープは耐候性、耐久性、再生出
力がさらに向上することがわかる。
少を測定また。第1表には7日間上紀境境中に保持した
後の飽和磁束密度(Hmy)の当初の飽和磁このLうに
酸素宴曲気中にて、基体に対する蒸気流の入射角を高入
射から低入射へと連続的に便化させて蒸着した磁性薄P
Av傾斜柱状構造が互いに同一方向になるよう積層して
なる1気テープは単層の場合に比して磁気%性が良いば
かりでなく耐候性、耐久性、出力、ノイズにおいてすぐ
れることが明ら力為である。特に表面粗さくra)が0
゜01コμm以下のプラスチックベース上に上記積ia
性膜r設けてなる磁気テープは耐候性、耐久性、再生出
力がさらに向上することがわかる。
実施例−2
実施例−1,と同様に巻取り式蒸着装置コOを用いて1
4′μm厚のポリエチレンテ°レフタレートフイルム上
斜め蒸着に工りCo−N1(Ni;/7重量%)a性薄
膜を形成させて磁気テープr作製した。酸゛累導入時の
圧力は/、AXlo Torrとし、入射角emax
yll”、6m1n240” とした。磁性膜の全厚
は1zooAとなる工う作製した。層構成お1び基体の
表面粗さV変化させた場合の磁気テープの特性は@−表
OLうである。
4′μm厚のポリエチレンテ°レフタレートフイルム上
斜め蒸着に工りCo−N1(Ni;/7重量%)a性薄
膜を形成させて磁気テープr作製した。酸゛累導入時の
圧力は/、AXlo Torrとし、入射角emax
yll”、6m1n240” とした。磁性膜の全厚
は1zooAとなる工う作製した。層構成お1び基体の
表面粗さV変化させた場合の磁気テープの特性は@−表
OLうである。
実施例−3゜
第1図に示した巻取り式蒸着装置Jay用い。
20μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムBl
!−クーリングキャンλJK宿って搬送させつつその表
面に斜め蒸着にエリコバルト磁性薄膜r形成させて磁気
テープを作製した。ガス導入口重り酸素ガスと窒素ガス
の混合ガス(fi童比J// )を真空槽内に導入しつ
つi、1x10 Torrの圧力で蒸着i行った。蒸
着の際の入射角設定は−#maxlF0°、#m1nl
#J’ とした、佃性属の全厚は一2000λとなる
1うにした。蒸着入射角度がりO′からgo”″へと連
続的に変化する方向に移動させつつ蒸発源コl工り斜め
蒸着に19i性薄膜虻形成して巻取った後1巻取られた
ロールを逆送りしながら他の蒸着源−2λに1シ斜め蒸
着r行い第2図に示した構成の磁気テープV得た。
!−クーリングキャンλJK宿って搬送させつつその表
面に斜め蒸着にエリコバルト磁性薄膜r形成させて磁気
テープを作製した。ガス導入口重り酸素ガスと窒素ガス
の混合ガス(fi童比J// )を真空槽内に導入しつ
つi、1x10 Torrの圧力で蒸着i行った。蒸
着の際の入射角設定は−#maxlF0°、#m1nl
#J’ とした、佃性属の全厚は一2000λとなる
1うにした。蒸着入射角度がりO′からgo”″へと連
続的に変化する方向に移動させつつ蒸発源コl工り斜め
蒸着に19i性薄膜虻形成して巻取った後1巻取られた
ロールを逆送りしながら他の蒸着源−2λに1シ斜め蒸
着r行い第2図に示した構成の磁気テープV得た。
得られた磁気テープはvH8型’VT)l−にて電磁変
換籍性、スチル耐久性r測定した。a性層の層構成お↓
び基体の表面粗さV変化させた場合の磁気テープの抗−
力、減磁、スチール耐久性−り出2この工うに、#!化
性ガス雰囲気中で基体に対する蒸気流の入射角を高入射
から低入射へと連続的に変化させて蒸着した卵性薄11
k”その柱状構造が交差する工うに積層してなる磁気テ
ープは、単層の場合に比して磁気特性が良いばかりでな
く、耐候性、耐久性、出力、ノイズにおいてすぐれ、且
つテープ走行方向r逆転させた時の出力差においてもす
ぐれることが明らかである。特に表面粗さrlがo、o
iコμm以下のプラスチックベース上に上紀積層磁性薄
農を設けてなる磁気テープは耐候性、耐久性、杏生出力
がさらに向上することがわかる。
換籍性、スチル耐久性r測定した。a性層の層構成お↓
び基体の表面粗さV変化させた場合の磁気テープの抗−
力、減磁、スチール耐久性−り出2この工うに、#!化
性ガス雰囲気中で基体に対する蒸気流の入射角を高入射
から低入射へと連続的に変化させて蒸着した卵性薄11
k”その柱状構造が交差する工うに積層してなる磁気テ
ープは、単層の場合に比して磁気特性が良いばかりでな
く、耐候性、耐久性、出力、ノイズにおいてすぐれ、且
つテープ走行方向r逆転させた時の出力差においてもす
ぐれることが明らかである。特に表面粗さrlがo、o
iコμm以下のプラスチックベース上に上紀積層磁性薄
農を設けてなる磁気テープは耐候性、耐久性、杏生出力
がさらに向上することがわかる。
実施例−4゜
実施例S、と同様に巻取1式蒸着装置コO菅用いて/l
ttmN(Dポリエチレンテレフタレートフィルム上に
斜め蒸着によ1)Co−Cr(Cr:j重量慢)a性薄
膜i形成させて磁気テープi作製した。酸素ガス導入時
の真空度は1xlOTorrとし、入射角θmthx2
90’ 、ljminllooとした。磁性膜の全厚は
IjooにとなるLうに作実施例−器 実施例−3,と同様#CI$9式蒸着装置−20y用い
て/4Apm厚のボリアオドフィルム上に斜め蒸着Kj
pCo−Ni(Ni :JO重量5)II性薄膜を形成
させて磁気テープV作製した。醗嵩ガス導入時の真空度
はりxlo Torrとし、入射角#maxljり
O″、入射角#m1nk−jO’とした。S性膜の全厚
は1100人となるLうに作負した6層構成シエび基体
の表面粗さt変化させ念場合の磁気テープの特性は第1
表01うである。
ttmN(Dポリエチレンテレフタレートフィルム上に
斜め蒸着によ1)Co−Cr(Cr:j重量慢)a性薄
膜i形成させて磁気テープi作製した。酸素ガス導入時
の真空度は1xlOTorrとし、入射角θmthx2
90’ 、ljminllooとした。磁性膜の全厚は
IjooにとなるLうに作実施例−器 実施例−3,と同様#CI$9式蒸着装置−20y用い
て/4Apm厚のボリアオドフィルム上に斜め蒸着Kj
pCo−Ni(Ni :JO重量5)II性薄膜を形成
させて磁気テープV作製した。醗嵩ガス導入時の真空度
はりxlo Torrとし、入射角#maxljり
O″、入射角#m1nk−jO’とした。S性膜の全厚
は1100人となるLうに作負した6層構成シエび基体
の表面粗さt変化させ念場合の磁気テープの特性は第1
表01うである。
磁気テープの特性は実施例−3,と同様にして測定した
。
。
比較として酸素V導入せずに作製したサンプルについて
の特性も示した。
の特性も示した。
以上の実施例から明らかな1うに、移動する基体に対す
る蒸気績の入射角V高入射角から低入射角へと連続的に
変化させることに1〕形成した蒸着磁性薄JIlt少な
くとも一層積層してなる磁気配録媒体は、磁気特性、耐
候性、耐久性、再生出力ノイズにすぐれている。
る蒸気績の入射角V高入射角から低入射角へと連続的に
変化させることに1〕形成した蒸着磁性薄JIlt少な
くとも一層積層してなる磁気配録媒体は、磁気特性、耐
候性、耐久性、再生出力ノイズにすぐれている。
特に表面粗さくra)が0.012pm以下のプラスチ
ックフィルム上に上配槓層磁性薄膜V設けてなる磁気テ
ープは耐候性、耐久性、再生出力ノイズにおいてさらに
すぐれ蒸着テープの実用化上そのメリットは極めて大き
い。
ックフィルム上に上配槓層磁性薄膜V設けてなる磁気テ
ープは耐候性、耐久性、再生出力ノイズにおいてさらに
すぐれ蒸着テープの実用化上そのメリットは極めて大き
い。
第1図、第一図は本発明にLる磁気記録体の構成例を図
式的に示している。 93図は本発明の実施例に使用した装置の略図である。 特許出絨人 富士写真フィルム株式会社第1図 第2図 4 第3図 22 21 手続補正書 昭和j1年を月4日 特許庁長官 島 1)春 樹 mall、事件の表
示 昭和54年 特願第1//7Jり号2、発明
ノ名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人を 住 所 神奈川県南足柄市中沼210番地連絡先 〒
106東京都港区西麻布2丁目26番30号千當 補正
の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄、「発明の
詳細な説明」 の欄 イ 鑞 補正の内容 (1) 本願明細書の「特許請求の範囲第要項」の記
載を別紙の通シ補正する。 (2)本願明細書の「発明の詳細な説明」の記載を次の
通シ補正する。 別紙 z 4I許請求の範囲 (1) 蒸発源より蒸発せしゆた磁性金属材セの蒸気
fILt酸化性ガス#囲気中にて、移動する箒体に斜め
に入射蒸着してなる磁気記録媒体であって、前記移動基
体に対する皺蒸気流の入射角を高入射角から低入射角へ
と連続的に変化さ−ることによ6雫at、た傾斜柱状構
造を成す蒸着膜管積層して成ることを特徴とする磁気記
録媒体。 (2; 傾斜柱状構造が互いKIWl一方向に1にる
ように積層されてなる特許請求範囲第1項記載の磁気記
録媒体。 (3) 傾斜柱状構造が互いに交差するように積層さ
れてなる特許1111求範@U第1項記載ター気記−媒
体。 (4) 前記基体として、磁性薄膜を設けるべき表面
が0.0127mpj”fO粗さくra)f有して威6
2とt4I黴とする特許請竺範囲第′項記載0磁気記a
m体。 (5)前記各磁性薄膜間に非磁性層を介在させ友ことt
−11II像とすゐ特許請求の範囲第7項記載の磁気1
鎌媒体。
式的に示している。 93図は本発明の実施例に使用した装置の略図である。 特許出絨人 富士写真フィルム株式会社第1図 第2図 4 第3図 22 21 手続補正書 昭和j1年を月4日 特許庁長官 島 1)春 樹 mall、事件の表
示 昭和54年 特願第1//7Jり号2、発明
ノ名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人を 住 所 神奈川県南足柄市中沼210番地連絡先 〒
106東京都港区西麻布2丁目26番30号千當 補正
の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄、「発明の
詳細な説明」 の欄 イ 鑞 補正の内容 (1) 本願明細書の「特許請求の範囲第要項」の記
載を別紙の通シ補正する。 (2)本願明細書の「発明の詳細な説明」の記載を次の
通シ補正する。 別紙 z 4I許請求の範囲 (1) 蒸発源より蒸発せしゆた磁性金属材セの蒸気
fILt酸化性ガス#囲気中にて、移動する箒体に斜め
に入射蒸着してなる磁気記録媒体であって、前記移動基
体に対する皺蒸気流の入射角を高入射角から低入射角へ
と連続的に変化さ−ることによ6雫at、た傾斜柱状構
造を成す蒸着膜管積層して成ることを特徴とする磁気記
録媒体。 (2; 傾斜柱状構造が互いKIWl一方向に1にる
ように積層されてなる特許請求範囲第1項記載の磁気記
録媒体。 (3) 傾斜柱状構造が互いに交差するように積層さ
れてなる特許1111求範@U第1項記載ター気記−媒
体。 (4) 前記基体として、磁性薄膜を設けるべき表面
が0.0127mpj”fO粗さくra)f有して威6
2とt4I黴とする特許請竺範囲第′項記載0磁気記a
m体。 (5)前記各磁性薄膜間に非磁性層を介在させ友ことt
−11II像とすゐ特許請求の範囲第7項記載の磁気1
鎌媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 蒸発源シシ蒸発せしめた磁性金属材料の蒸気
Rt酸化性ガス雰囲気中にて、移動する基体に斜めに入
射蒸着してなる磁気記録媒体であって。 前記移動基体に対する該蒸気流の入射角を高入射角から
低入射角\と連続的に変化させることによ如彎−した傾
斜柱状構造を成す蒸着層i積層して成ることr%黴とす
る磁気記録媒体8 (り傾斜柱状構造が互いに同一方向になる孟うに積層さ
れてなる特許請求範囲第1項記載の磁気記録媒体。 (3)傾斜柱状構造が互いに交差する1うに積層されて
なる%ff#lll求虻囲第、/凋記載の磁気記録媒体
。 (4) 前記基体として、磁性III膜虻設けるべき
表面が0.0/2μmの粗さくra)y−有して成るこ
とr%黴とする特許請求範囲第1項記載の磁気記録媒体
。 (5) 前記各出性薄膜間に非磁性層を介在させたこ
とYt特徴とする特許請求の範8醜1項記載の磁気記録
媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11172981A JPS5814324A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 磁気記録媒体 |
DE19823226639 DE3226639A1 (de) | 1981-07-17 | 1982-07-16 | Magnetisches aufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11172981A JPS5814324A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5814324A true JPS5814324A (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14568684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11172981A Pending JPS5814324A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5814324A (ja) |
DE (1) | DE3226639A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5826326A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-16 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPS60154323A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-14 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
US4548871A (en) * | 1982-12-26 | 1985-10-22 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
US4550062A (en) * | 1982-12-25 | 1985-10-29 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
JPS61295606A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | Nec Corp | 軟磁性薄膜コア |
JPH02108239A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ディスクの製造方法 |
US5525398A (en) * | 1991-03-22 | 1996-06-11 | Tdk Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and method for making |
JP2006156855A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 磁気素子およびインダクタ、ならびに磁気素子の製造方法 |
JP2006156854A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 磁性薄膜およびその形成方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0122030B1 (en) * | 1983-03-08 | 1987-08-26 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | A magnetic recording member and a manufacturing method for such a member |
JPS59203238A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3342632A (en) * | 1964-08-05 | 1967-09-19 | Ibm | Magnetic coating |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP11172981A patent/JPS5814324A/ja active Pending
-
1982
- 1982-07-16 DE DE19823226639 patent/DE3226639A1/de not_active Ceased
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5826326A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-16 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
US4550062A (en) * | 1982-12-25 | 1985-10-29 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
US4548871A (en) * | 1982-12-26 | 1985-10-22 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
JPH0475577B2 (ja) * | 1984-01-20 | 1992-12-01 | Sony Corp | |
JPS60154323A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-14 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
JPS61295606A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | Nec Corp | 軟磁性薄膜コア |
JPH0584653B2 (ja) * | 1985-06-24 | 1993-12-02 | Nippon Electric Co | |
JPH02108239A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ディスクの製造方法 |
JPH0711863B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1995-02-08 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ディスクの製造方法 |
US5525398A (en) * | 1991-03-22 | 1996-06-11 | Tdk Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and method for making |
JP2006156855A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 磁気素子およびインダクタ、ならびに磁気素子の製造方法 |
JP2006156854A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 磁性薄膜およびその形成方法 |
JP4529081B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-08-25 | Tdk株式会社 | 磁性薄膜 |
JP4645178B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-03-09 | Tdk株式会社 | 磁気素子およびインダクタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3226639A1 (de) | 1983-02-03 |
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