JP2006156854A - 磁性薄膜およびその形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板2の上に、斜め成長磁性層3を形成する。その際、斜め成長磁性層3を、基板2の表面に対して斜め方向に柱状に結晶成長させる(斜め成長磁性体4)。また、この斜め成長磁性層3において、斜め成長磁性体4を軟磁性化させるため、この斜め成長磁性体4に絶縁体5を混入する。斜め成長磁性層3が面内結晶磁気異方性を示すようなると共にこの面内結晶磁気異方性が強まり、異方性磁界Hkが増加する。磁性薄膜1の組成を変化させることなく、斜め成長磁性層3の結晶成長方向のみで異方性磁界Hkを変化させることができるので、飽和磁化4πMsを減少させることなく異方性磁界Hkを増加させることができ、磁性薄膜1の共鳴周波数frを高めることができる。よって、高周波特性に優れた磁性薄膜を得ることができる。
【選択図】 図1
Description
Claims (9)
- 絶縁材料とこの絶縁材料が混入することによって軟磁性化する磁性材料とを含んで基板上に形成されると共に、積層面に対して斜め方向に柱状に結晶成長している斜め成長磁性層を有している
ことを特徴とする磁性薄膜。 - 前記絶縁材料および前記磁性材料を含んで構成されると共に積層面に対して垂直方向に柱状に結晶成長した垂直成長磁性層をさらに有する
ことを特徴とする請求項1に記載の磁性薄膜。 - 前記斜め成長磁性層と前記垂直成長磁性層との層間の少なくとも1つに、絶縁層を有する
ことを特徴とする請求項2に記載の磁性薄膜。 - 前記斜め成長磁性層を複数有し、この複数の斜め成長磁性層の層間に、絶縁層を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の磁性薄膜。 - 前記斜め成長磁性層を複数有し、少なくとも一対の斜め成長磁性層における結晶成長方向の積層面に平行な成分が、互いに略直交する
ことを特徴とする請求項1に記載の磁性薄膜。 - 隣接する一対の斜め成長磁性層のうち、一方の斜め成長磁性層における結晶成長方向が積層面となす角度は、積層面の一端から他端に沿って徐々に大きくなっており、かつ他方の斜め成長磁性層における結晶成長方向が前記積層面となす角度は、前記積層面の他端から一端に沿って徐々に大きくなっている
ことを特徴とする請求項2に記載の磁性薄膜。 - 前記磁性材料は、鉄(Fe)またはコバルト鉄(CoFe)である
ことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の磁性薄膜。 - 絶縁材料とこの絶縁材料が混入することによって軟磁性化する磁性材料とを含むと共に、積層面に対して斜め方向に柱状に結晶成長させ、基板の上方に第1の斜め成長磁性層を積層する第1の積層工程
を含むことを特徴とする磁性薄膜の形成方法。 - 前記第1の斜め成長磁性層の上方に第2の斜め成長磁性層を、前記絶縁材料および前記磁性材料を含むように、積層面に対して斜め方向に柱状に結晶成長させる第2の積層工程をさらに有し、
前記第1の積層工程と前記第2の積層工程との間に、前記基板を面内方向に180°回転させる工程を含む
ことを特徴とする請求項8に記載の磁性薄膜の形成方法。
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