JPS634423A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS634423A JPS634423A JP14706786A JP14706786A JPS634423A JP S634423 A JPS634423 A JP S634423A JP 14706786 A JP14706786 A JP 14706786A JP 14706786 A JP14706786 A JP 14706786A JP S634423 A JPS634423 A JP S634423A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910000687 transition metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録媒体に係り、特に高分子基板上に少な
(とも磁性層をイオンプレーティング法で形成する磁気
記録媒体の製造方法に関する。
(とも磁性層をイオンプレーティング法で形成する磁気
記録媒体の製造方法に関する。
イオンプレーティング法は単結晶ができ易いこと、耐久
性が向上すること、密着性が向上すること、反応性が高
いことなどの特徴を有し、優れたEI 膜製造法である
。イオンプレーティング法の磁気記録媒体への適用も磁
気特性の向上、耐久性、密着性の向上などを狙い活発に
研究開発が進められている。
性が向上すること、密着性が向上すること、反応性が高
いことなどの特徴を有し、優れたEI 膜製造法である
。イオンプレーティング法の磁気記録媒体への適用も磁
気特性の向上、耐久性、密着性の向上などを狙い活発に
研究開発が進められている。
しかし、高分子基板上に磁性層ならびに保護潤滑層をイ
オンプレーティング法によって形成する場合、高分子基
板が電気絶縁性であるため、基板がイオンによって帯電
し、膜の表面を荒し、改質が不均一になり、そのために
磁気特性や磁気ヘッドとの摺動特性が低下するという欠
点を有している。
オンプレーティング法によって形成する場合、高分子基
板が電気絶縁性であるため、基板がイオンによって帯電
し、膜の表面を荒し、改質が不均一になり、そのために
磁気特性や磁気ヘッドとの摺動特性が低下するという欠
点を有している。
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、
磁気特性、耐久性、信頼性に優れた磁気記録媒体の製造
方法を提供するにある。
磁気特性、耐久性、信頼性に優れた磁気記録媒体の製造
方法を提供するにある。
前述の目的を達成するため、本発明は、高分子基板上に
少なくとも磁性層をイオンプレーティング法によって形
成する磁気記録媒体の製造方法において、前記高分子基
板の少なくとも磁性層を形成する側の表面が導電性を有
していることを特徴とするものである。
少なくとも磁性層をイオンプレーティング法によって形
成する磁気記録媒体の製造方法において、前記高分子基
板の少なくとも磁性層を形成する側の表面が導電性を有
していることを特徴とするものである。
本発明の明細書で述べるイオンプレーティング法とは、
7発原子もしくはガスをイオン化した後、電界によって
イオンもしくはイオンを含んだ蒸気を基板側に吸着させ
る薄膜形成法である。このイオンプレーティング法には
、具体的には直流励起型イオンプレーティング法、高周
波励起型イオンプレーティング法、クラスターイオンビ
ーム法、イオン打ち込み、反応性イオンプレーティング
法などがある。
7発原子もしくはガスをイオン化した後、電界によって
イオンもしくはイオンを含んだ蒸気を基板側に吸着させ
る薄膜形成法である。このイオンプレーティング法には
、具体的には直流励起型イオンプレーティング法、高周
波励起型イオンプレーティング法、クラスターイオンビ
ーム法、イオン打ち込み、反応性イオンプレーティング
法などがある。
第1図は、磁気記録媒体製造装置の概略構成図である。
同図に示すように高分子基板4は、供給ロール1から回
転ドラム3を通り、巻き取りロール2に巻き取られる。
転ドラム3を通り、巻き取りロール2に巻き取られる。
電子ビーム加熱により蒸発源5から蒸発した蒸気は、高
周波電極6によってイオン化される。回転ドラム3には
直流定電圧電源9によって負電位が与えられており、前
記イオンが電界加速されて高分子基板4に衝突して付着
し、これによって磁性層や保護潤滑層が形成される。
周波電極6によってイオン化される。回転ドラム3には
直流定電圧電源9によって負電位が与えられており、前
記イオンが電界加速されて高分子基板4に衝突して付着
し、これによって磁性層や保護潤滑層が形成される。
図中の7はマツチングボックス、8は高周波電源、lO
はガス導入口である。なお、前述の供給ロール1、巻き
取りロール2ならびに回転ドラム3はアースから絶縁さ
れている。
はガス導入口である。なお、前述の供給ロール1、巻き
取りロール2ならびに回転ドラム3はアースから絶縁さ
れている。
次に具体的な実施例について説明する。
実施例1
高分子基板4としてカーボンや金属などのR電性微粒子
を内部に分散保持した導電性ポリイミドフイルムを使用
した。
を内部に分散保持した導電性ポリイミドフイルムを使用
した。
このポリイミドフィルムの表面抵抗は約1010Ω/s
q程度、厚さは約50μmである。
q程度、厚さは約50μmである。
C0とC,、の二元系合金を藩発源5として用い、第1
図に示す製造装置で高分子基板4上に高周波電力200
W、直流電圧500V、膜形成速度100オングストロ
ーム/秒で膜厚0.2 μmのC0C05o%−C,2
0wt%の磁性層11を形成して、第4図に示すような
磁気記録媒体を製造した。
図に示す製造装置で高分子基板4上に高周波電力200
W、直流電圧500V、膜形成速度100オングストロ
ーム/秒で膜厚0.2 μmのC0C05o%−C,2
0wt%の磁性層11を形成して、第4図に示すような
磁気記録媒体を製造した。
実施例2
前記実施例1と同様にして導電性ポリイミドフィルムか
らなる高分子基板4上に、c、sowt%−C,20w
t%の組成からなる膜厚0.2μmの磁性層11を形成
する。その後f註性N11上に、酸素ガスを導入しなが
ら高周波電力100W、直流電圧800■、膜形成速度
20オングストローム/秒でケイ素をイオンプレーティ
ングし、第5図に示すように膜厚が0.02μmのS、
0□からなる保護層12を形成して、第5図に示すよう
な磁気記録媒体を製造した。
らなる高分子基板4上に、c、sowt%−C,20w
t%の組成からなる膜厚0.2μmの磁性層11を形成
する。その後f註性N11上に、酸素ガスを導入しなが
ら高周波電力100W、直流電圧800■、膜形成速度
20オングストローム/秒でケイ素をイオンプレーティ
ングし、第5図に示すように膜厚が0.02μmのS、
0□からなる保護層12を形成して、第5図に示すよう
な磁気記録媒体を製造した。
比較例1
高分子基板として電気絶縁性のポリイミドフィルムを用
いた以外は実施例1と同様にして磁気記録媒体を製造し
た。
いた以外は実施例1と同様にして磁気記録媒体を製造し
た。
比較例2
高分子基板として電気絶縁性のポリイミドフィルムを用
いた以外は実施例2と同様にして磁気記録媒体を製造し
た。
いた以外は実施例2と同様にして磁気記録媒体を製造し
た。
第2図に、前記実施例1ならびに比較例1で製造した磁
気記録媒体のフィルム長さ方向での磁性分布を示す。同
図の縦軸は膜面垂直方向に測定した保磁力、横軸は蒸着
距離を示す。この図から明らかなように、本発明の実施
例に係る磁気記録媒体はイオンプレーティング時に帯電
が起こらず、全体にわたって均質かつ高保磁力の磁性層
が形成される。
気記録媒体のフィルム長さ方向での磁性分布を示す。同
図の縦軸は膜面垂直方向に測定した保磁力、横軸は蒸着
距離を示す。この図から明らかなように、本発明の実施
例に係る磁気記録媒体はイオンプレーティング時に帯電
が起こらず、全体にわたって均質かつ高保磁力の磁性層
が形成される。
第3図に、前記実施例2ならびに比較例2で製造した磁
気記録媒体のフィルム長さ方向での耐久性を示す。同図
の縦軸は球面摺動試験(球面摺動子:フェライト、摺動
速度300r−p−m)の摺動回数、横軸は薄着距離を
示す。この図から明らかなように、本発明の実施例に係
る磁気記録媒体は、全体にわたって1400キロバス程
度の優れた耐久性を有していることが分かる。
気記録媒体のフィルム長さ方向での耐久性を示す。同図
の縦軸は球面摺動試験(球面摺動子:フェライト、摺動
速度300r−p−m)の摺動回数、横軸は薄着距離を
示す。この図から明らかなように、本発明の実施例に係
る磁気記録媒体は、全体にわたって1400キロバス程
度の優れた耐久性を有していることが分かる。
また実施例1、実施例2の磁気記録媒体はともに膜表面
状態が非常に滑らかであったが、比較例1、比較例2の
磁気記録媒体は膜表面に放電の跡が観測され、表面があ
れでいた。
状態が非常に滑らかであったが、比較例1、比較例2の
磁気記録媒体は膜表面に放電の跡が観測され、表面があ
れでいた。
第6図は、本発明の第3実施例を示す断面図である。こ
の実施例の場合、ポリイミドフィルムなどの電気絶縁性
高分子基板4の表面に例えば化学メツキなどによって電
iff膜13を形成し、さらにその上に前記第2実施例
と同様にして磁性層11ならびに保護層12を、順次イ
オンプレーティング法によって形成して磁気記録媒体を
製造する。
の実施例の場合、ポリイミドフィルムなどの電気絶縁性
高分子基板4の表面に例えば化学メツキなどによって電
iff膜13を形成し、さらにその上に前記第2実施例
と同様にして磁性層11ならびに保護層12を、順次イ
オンプレーティング法によって形成して磁気記録媒体を
製造する。
本発明において、高分子基板の少な(とも磁性層が形成
される側の表面抵抗は約IQIOΩ/sq以下にする必
要がある。
される側の表面抵抗は約IQIOΩ/sq以下にする必
要がある。
本発明において用いられる高分子基板としては、例えば
ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステ
ルなど各種の高分子フィルムがある。
ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステ
ルなど各種の高分子フィルムがある。
本発明において用いられる磁性体としては、例えばコバ
ルト、鉄、ニッケルなどの遷移金属と種々の元素との合
金があり、特にコバルトを主成分とし、クロム、バナジ
ウム、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、タンタル、
タングステン、レニウム、オスミウムのグループから選
択された少なくとも1種の元素を含む強磁性のコバルト
合金が、優れた磁気異方性を有しているため好適である
。
ルト、鉄、ニッケルなどの遷移金属と種々の元素との合
金があり、特にコバルトを主成分とし、クロム、バナジ
ウム、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、タンタル、
タングステン、レニウム、オスミウムのグループから選
択された少なくとも1種の元素を含む強磁性のコバルト
合金が、優れた磁気異方性を有しているため好適である
。
本発明は前述のような構成になっており、高分子基板の
帯電防止により磁気特性、耐久性ならびに信頼性に優れ
た磁気記録媒体を製造することができる。
帯電防止により磁気特性、耐久性ならびに信頼性に優れ
た磁気記録媒体を製造することができる。
第1図は磁気記録媒体製造装置の概略構成図、第2図は
各試料の磁気特性図、第3図は各試料の耐久特性図、第
4図、第5図ならびに第6図は本発明の各実施例に係る
磁気記録媒体の拡大断面図である。 4・・・・・・高分子基板、11・・・・・・磁性層、
12・・・・・・第1図 6:尚向及蔓佐 第2図 烹看距嶌荏(m+ 第3図 Q 20 40 60
80魚責距濃ま(ml
各試料の磁気特性図、第3図は各試料の耐久特性図、第
4図、第5図ならびに第6図は本発明の各実施例に係る
磁気記録媒体の拡大断面図である。 4・・・・・・高分子基板、11・・・・・・磁性層、
12・・・・・・第1図 6:尚向及蔓佐 第2図 烹看距嶌荏(m+ 第3図 Q 20 40 60
80魚責距濃ま(ml
Claims (3)
- (1)高分子基板上に少なくとも磁性層をイオンプレー
ティング法によつて形成する磁気記録媒体の製造方法に
おいて、前記高分子基板の少なくとも磁性層を形成する
側の表面が導電性を有していることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。 - (2)特許請求の範囲第(1)項記載において、前記高
分子基板が内部に導電性微粒子を分散保持した導電性フ
ィルムであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
。 - (3)特許請求の範囲第(1)項記載において、前記高
分子基板の磁性層を形成する表面に導電性薄膜が形成さ
れていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14706786A JPS634423A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14706786A JPS634423A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS634423A true JPS634423A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15421732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14706786A Pending JPS634423A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS634423A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010101401A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 締結部品及び環状スペーサ |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14706786A patent/JPS634423A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010101401A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 締結部品及び環状スペーサ |
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