JPH0423325B2 - - Google Patents
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- JPH0423325B2 JPH0423325B2 JP57184300A JP18430082A JPH0423325B2 JP H0423325 B2 JPH0423325 B2 JP H0423325B2 JP 57184300 A JP57184300 A JP 57184300A JP 18430082 A JP18430082 A JP 18430082A JP H0423325 B2 JPH0423325 B2 JP H0423325B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高密度記録再生が可能な垂直磁化記
録再生用磁気ヘツドの製造方法に関するものであ
る。
録再生用磁気ヘツドの製造方法に関するものであ
る。
従来、磁気記録媒体例えば磁気テープ、磁気デ
イスク、等に情報を記録、再生する方式として、
前記媒体の磁性層面に対して水平方向に磁化する
方式が一般に広く用いられていた。
イスク、等に情報を記録、再生する方式として、
前記媒体の磁性層面に対して水平方向に磁化する
方式が一般に広く用いられていた。
前記記録再生方式に用いられていた磁気ヘツド
は、通常、リング型ヘツドと称され、該ヘツドは
再生効率が優れているが、記録ビツトに生ずる減
磁界が大なるため高密度記録を達成することが困
難なものであつた。
は、通常、リング型ヘツドと称され、該ヘツドは
再生効率が優れているが、記録ビツトに生ずる減
磁界が大なるため高密度記録を達成することが困
難なものであつた。
近年、前記リング型ヘツドによる面内記録再生
方式、即ち、水平磁化記録再生方式に代わり、高
密度記録が可能な垂直磁化記録再生方式、即ち、
前記媒体の磁性層面に対して垂直に磁化記録再生
する方式が提案され、該方式は原理的に極めて優
れていることが確認されつゝある。
方式、即ち、水平磁化記録再生方式に代わり、高
密度記録が可能な垂直磁化記録再生方式、即ち、
前記媒体の磁性層面に対して垂直に磁化記録再生
する方式が提案され、該方式は原理的に極めて優
れていることが確認されつゝある。
かゝる垂直磁化記録再生方式において、理想的
な垂直磁化記録を行うために、先ず、記録面に垂
直な磁気異方性を有する磁気記録媒体が必要とさ
れ、又、前記記録面に垂直な磁界成分を急峻な分
布パターンで発生させることが可能な磁気ヘツド
も不可欠なものとされていた。
な垂直磁化記録を行うために、先ず、記録面に垂
直な磁気異方性を有する磁気記録媒体が必要とさ
れ、又、前記記録面に垂直な磁界成分を急峻な分
布パターンで発生させることが可能な磁気ヘツド
も不可欠なものとされていた。
なお、前述した垂直磁化記録に適する記録媒体
としては、Co−Crスパツタ膜又は蒸着薄膜が適
していることが知られている。
としては、Co−Crスパツタ膜又は蒸着薄膜が適
していることが知られている。
一方、磁気ヘツドとしては、第１図に示したよ
うに、磁気記録媒体１の磁性層側に平板状の主磁
極２を、又、反磁性層側に励磁コイル４を巻回し
た補助磁極３を、夫々配設して成る補助磁極励磁
型ヘツドが一般に広く採用されているものであ
る。
うに、磁気記録媒体１の磁性層側に平板状の主磁
極２を、又、反磁性層側に励磁コイル４を巻回し
た補助磁極３を、夫々配設して成る補助磁極励磁
型ヘツドが一般に広く採用されているものであ
る。
しかしながら、前述した磁気ヘツドは、垂直方
向に急峻な分布パターンをもつた磁界が発生する
点で優れているものであるが、その読み出し過程
で、前記主磁極２の厚さｔよりも記録ビツトがせ
まい場合、矢印で示した互に逆方向の磁化に前記
主磁極２がまたがる状態となり、磁束は前記コイ
ル４と鎖交せずに環流するので、その再生出力は
著しく低下し、前記主磁極２の厚さｔが（通常、
３〜1μm）ビツド長の２倍となると、出力は全く
なくなつしまう欠点があつた。
向に急峻な分布パターンをもつた磁界が発生する
点で優れているものであるが、その読み出し過程
で、前記主磁極２の厚さｔよりも記録ビツトがせ
まい場合、矢印で示した互に逆方向の磁化に前記
主磁極２がまたがる状態となり、磁束は前記コイ
ル４と鎖交せずに環流するので、その再生出力は
著しく低下し、前記主磁極２の厚さｔが（通常、
３〜1μm）ビツド長の２倍となると、出力は全く
なくなつしまう欠点があつた。
その再生出力とビツト密度との関係をグラフで
示したものが第２図であり、出力変動パターンの
ａ点は、ビツト長が前記厚さｔの半分に、又、ｂ
点は1/4に、夫々なつた場合に相当するものであ
る。
示したものが第２図であり、出力変動パターンの
ａ点は、ビツト長が前記厚さｔの半分に、又、ｂ
点は1/4に、夫々なつた場合に相当するものであ
る。
前述した従来の垂直磁化記録再生ヘツドの欠点
を解消すべく提案されている磁気ヘツドとして、
特開昭57−40723号公報に、主磁極の厚さをトラ
ツク幅方向にわたつて連続的に変化せしめた構造
を採り、再生出力の急峻な低下を防止するヘツド
が開示されている。
を解消すべく提案されている磁気ヘツドとして、
特開昭57−40723号公報に、主磁極の厚さをトラ
ツク幅方向にわたつて連続的に変化せしめた構造
を採り、再生出力の急峻な低下を防止するヘツド
が開示されている。
しかしながら、この磁気ヘツドは、スパツタリ
ング、等によつて基板上に形成されたパーマロ
イ、センダスト、アモルフアス磁性体等の軟磁性
金属から成る均一な厚さの薄膜を研摩によつて、
一方向に連続的に厚さを変化せしめる製法を採用
しているので、所望する厚さを正確に得ることが
加工精度上困難であり、電磁変換特性に難点が認
められた。
ング、等によつて基板上に形成されたパーマロ
イ、センダスト、アモルフアス磁性体等の軟磁性
金属から成る均一な厚さの薄膜を研摩によつて、
一方向に連続的に厚さを変化せしめる製法を採用
しているので、所望する厚さを正確に得ることが
加工精度上困難であり、電磁変換特性に難点が認
められた。
本発明は、前述した加工精度によつてもたらさ
れる電磁変換特性上の欠点を解消し、より正確な
形状に加工可能な磁気ヘツドの製造法を提供する
ことを目的とするものである。
れる電磁変換特性上の欠点を解消し、より正確な
形状に加工可能な磁気ヘツドの製造法を提供する
ことを目的とするものである。
本発明のかゝる目的は、スパツタ装置内におい
て、遮断板をターゲツト電極と基板との対向間隙
内でかつ該基板に近接して連続的に移動させるこ
とにより前記基板上の軟磁性金属スパツタ膜の厚
さを連続的に変化させて垂直磁化用ヘツドの主磁
極とする磁気ヘツドの製造方法によつて達成され
る。
て、遮断板をターゲツト電極と基板との対向間隙
内でかつ該基板に近接して連続的に移動させるこ
とにより前記基板上の軟磁性金属スパツタ膜の厚
さを連続的に変化させて垂直磁化用ヘツドの主磁
極とする磁気ヘツドの製造方法によつて達成され
る。
以下、添付した図面に基づき、本発明の一実施
態様について詳述する。第３図は、本発明に基づ
く製造法を実施するための主磁極形成装置の要部
略図である。
態様について詳述する。第３図は、本発明に基づ
く製造法を実施するための主磁極形成装置の要部
略図である。
こゝに示す装置全体は、RFスパツタ装置内に
あつて、５×10-3Torr程度のアルゴンガス雰囲
気下で、軟磁性金属、例えばパーマロイ、から成
るターゲツト電極１０を、例えば、チタン酸バリ
ウム、等から成る基板１１を対向せしめて、
500W程度のスパツタリングパワーを入力してい
る。
あつて、５×10-3Torr程度のアルゴンガス雰囲
気下で、軟磁性金属、例えばパーマロイ、から成
るターゲツト電極１０を、例えば、チタン酸バリ
ウム、等から成る基板１１を対向せしめて、
500W程度のスパツタリングパワーを入力してい
る。
前記基板１１とターゲツト電極１０との対向間
隙内でかつ該基板１１に近接して遮蔽板１２を左
右に移動させる。
隙内でかつ該基板１１に近接して遮蔽板１２を左
右に移動させる。
前記遮蔽板１２は、モータ１３（例えばステツ
ピングモータ）の回転により、減速ギヤ１４、ネ
ジ軸１５を介して水平方向に駆動される。
ピングモータ）の回転により、減速ギヤ１４、ネ
ジ軸１５を介して水平方向に駆動される。
１６は、アノード電極でありかつ前記基板１１
を保持可能である。
を保持可能である。
前述したRFスパツタ装置を用いて、スパツタ
リングを開始するとゝもに、前記モータ１３を駆
動して前記遮蔽板１２を徐々に矢印Ａの方向に移
動させると、第４図に示したように、スパツタ膜
２０はその厚さが連続的に変化したものが得られ
る。
リングを開始するとゝもに、前記モータ１３を駆
動して前記遮蔽板１２を徐々に矢印Ａの方向に移
動させると、第４図に示したように、スパツタ膜
２０はその厚さが連続的に変化したものが得られ
る。
前記遮蔽板１２の移動速度は、先ず、前記遮蔽
板１２を前記対向間隙内から取り除いた状態で、
通常のスパツタ速度を求め、次に、形成しようと
する膜２０の厚さ勾配から、前記遮蔽板１２の必
要移動速度を求め、制御されるものである。
板１２を前記対向間隙内から取り除いた状態で、
通常のスパツタ速度を求め、次に、形成しようと
する膜２０の厚さ勾配から、前記遮蔽板１２の必
要移動速度を求め、制御されるものである。
例えば、通常のスパツタ速度が0.2μm／min、
前記基板１１の一端の必要膜厚さt0が1μm、他端
の必要膜厚さt1が0.7μm、その両端間隔Ｔが10μm
でれば、前記遮蔽板１２の移動速度は、10μ÷
（1μm／0.2μm／min−0.7μm／0.2μm／min）＝10μm
／1.5min となる。
前記基板１１の一端の必要膜厚さt0が1μm、他端
の必要膜厚さt1が0.7μm、その両端間隔Ｔが10μm
でれば、前記遮蔽板１２の移動速度は、10μ÷
（1μm／0.2μm／min−0.7μm／0.2μm／min）＝10μm
／1.5min となる。
前述したように得られたスパツタ膜２０は、実
際には若干厚くかつ長く形成されて、その後のフ
オトエツチングにより所望する寸法に精度良く仕
上げられる。
際には若干厚くかつ長く形成されて、その後のフ
オトエツチングにより所望する寸法に精度良く仕
上げられる。
一方、第５図に示すように、チタン酸バリウ
ム、等から成る基板３０に低融点ガラスをスパツ
タした膜３１を形成し、前記基板１１上のスパツ
タ膜２０を、第６図に示したように、前記ガラス
膜３１に対向させ、真空内で溶着させ、第７図
に示すような溶着体４０を得る。
ム、等から成る基板３０に低融点ガラスをスパツ
タした膜３１を形成し、前記基板１１上のスパツ
タ膜２０を、第６図に示したように、前記ガラス
膜３１に対向させ、真空内で溶着させ、第７図
に示すような溶着体４０を得る。
次に、直線l1及びl2に沿つて前記溶着体４０の
両端を切り落とし、更に、直線m1、m2、m3……
に沿つて分割し、前記主磁極２として用いる。
両端を切り落とし、更に、直線m1、m2、m3……
に沿つて分割し、前記主磁極２として用いる。
第８図は、本発明方法による磁気ヘツド（実
線）と従来の研摩によつて製作された磁気ヘツド
（破線）の記録密度特性を示したものであり、本
発明方法による磁気ヘツドは高密度領域で顕著に
その特性が改良されていることが判る。
線）と従来の研摩によつて製作された磁気ヘツド
（破線）の記録密度特性を示したものであり、本
発明方法による磁気ヘツドは高密度領域で顕著に
その特性が改良されていることが判る。
なお、前記遮断板１２の変更例として、第９図
に示したように、遮蔽板１２の平面に長方形の開
口部５０を複数個透設することにより、複数個の
主磁極を同時に同一基板上に形成することが可能
になる。
に示したように、遮蔽板１２の平面に長方形の開
口部５０を複数個透設することにより、複数個の
主磁極を同時に同一基板上に形成することが可能
になる。
以上、記述したように、本発明は主磁極の軟磁
性金属薄膜を遮蔽板の連続移動によつて、そのス
パツタ膜の厚さを連続的に変化させることが可能
となりその加工仕上げ精度を飛躍的に向上させる
ことができた。
性金属薄膜を遮蔽板の連続移動によつて、そのス
パツタ膜の厚さを連続的に変化させることが可能
となりその加工仕上げ精度を飛躍的に向上させる
ことができた。
その結果、記録密度特性特に高密度領域での特
性が著しく改良された。
性が著しく改良された。
第１図は一般の補助磁極励磁型垂直磁化記録用
ヘツドによる記録媒体とヘツドの関係を示す断面
図。第２図はこの時の記録密度特性。第３図は本
発明の実施のためのスパツタ装置概略図、第４図
〜第７図は本発明の実施例における製造工程を示
す。第８図は、本発明の効果を示す記録密度特性
であり、実線ｅは本発明の実施例、破線ｆは従来
法にヘツドの記録密度特性を示す。第９図は本発
明の実施例における遮蔽板１２の変更例を示す図
である。 １……垂直磁化記録媒体、２……垂直磁化記録
用ヘツドの主磁極、３……垂直磁化記録用ヘツド
の補助磁極、４……垂直磁化記録用ヘツドのコイ
ル、１０……ターゲツト電極、１１……基板、１
２……遮蔽板、１３……モータ、１４……減速ギ
ヤ、１５……ネジ軸、１６……アノード電極、２
０……スパツタ膜、３０……基板、３１……低融
点ガラス膜、４０……溶着体、５０……開口部。
ヘツドによる記録媒体とヘツドの関係を示す断面
図。第２図はこの時の記録密度特性。第３図は本
発明の実施のためのスパツタ装置概略図、第４図
〜第７図は本発明の実施例における製造工程を示
す。第８図は、本発明の効果を示す記録密度特性
であり、実線ｅは本発明の実施例、破線ｆは従来
法にヘツドの記録密度特性を示す。第９図は本発
明の実施例における遮蔽板１２の変更例を示す図
である。 １……垂直磁化記録媒体、２……垂直磁化記録
用ヘツドの主磁極、３……垂直磁化記録用ヘツド
の補助磁極、４……垂直磁化記録用ヘツドのコイ
ル、１０……ターゲツト電極、１１……基板、１
２……遮蔽板、１３……モータ、１４……減速ギ
ヤ、１５……ネジ軸、１６……アノード電極、２
０……スパツタ膜、３０……基板、３１……低融
点ガラス膜、４０……溶着体、５０……開口部。
Claims (1)
- １ スパツタ装置内において、遮蔽板をターゲツ
ト電極と基板との対向間隙内でかつ該基板に近接
して連続的に移動させることにより、前記基板上
の軟磁性金属スパツタ膜の厚さを連続的に変化さ
せて垂直磁化用ヘツドの主磁極とする磁気ヘツド
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57184300A JPS5972639A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 磁気ヘツドの製造方法 |
| US06/543,202 US4646429A (en) | 1982-10-20 | 1983-10-19 | Method of making magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57184300A JPS5972639A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972639A JPS5972639A (ja) | 1984-04-24 |
| JPH0423325B2 true JPH0423325B2 (ja) | 1992-04-22 |
Family
ID=16150915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57184300A Granted JPS5972639A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4646429A (ja) |
| JP (1) | JPS5972639A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4773407A (en) * | 1986-07-23 | 1988-09-27 | Thomas Petersen | Method and instruments for resection of the distal femur |
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