JPS6151814A - パーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
パーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6151814A JPS6151814A JP17317584A JP17317584A JPS6151814A JP S6151814 A JPS6151814 A JP S6151814A JP 17317584 A JP17317584 A JP 17317584A JP 17317584 A JP17317584 A JP 17317584A JP S6151814 A JPS6151814 A JP S6151814A
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- permalloy thin
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- coercive force
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- Thin Magnetic Films (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[利用分野]
本発明は、パーマロイ薄膜及びパーマロイ″aPlAを
低保磁力に−jどり“ると共に膜面に垂直方向のV目ヒ
容易軸を右ザる垂直磁化層を磁気記録層とした垂直磁気
記録媒体の改良に関する。
低保磁力に−jどり“ると共に膜面に垂直方向のV目ヒ
容易軸を右ザる垂直磁化層を磁気記録層とした垂直磁気
記録媒体の改良に関する。
[従来技術] 。
上述の低保1111力層と垂直磁化層とからなる二層膜
の磁気記録媒体は、垂直磁気記録方式において単極型ヘ
ッドによって効率良く記録できる垂直磁気記録媒体とし
て特公昭58−91号公報、特公昭58−10764公
報等に提案されている。この提案された二層膜構成の騒
1気記録媒体(以下゛′二層膜媒体″という)は、具体
的にはRF 244スパツタ法で作成され、低保磁力層
をパーマロイで垂直磁化層をCo(コバルト)−Cr(
クロム)合金膜で4+4成したものであり、高い記録感
度と大なる再生出力を得られる優れたものであるが、記
録感度面、再生出力面等でより一層の改善が望まれてい
る。
の磁気記録媒体は、垂直磁気記録方式において単極型ヘ
ッドによって効率良く記録できる垂直磁気記録媒体とし
て特公昭58−91号公報、特公昭58−10764公
報等に提案されている。この提案された二層膜構成の騒
1気記録媒体(以下゛′二層膜媒体″という)は、具体
的にはRF 244スパツタ法で作成され、低保磁力層
をパーマロイで垂直磁化層をCo(コバルト)−Cr(
クロム)合金膜で4+4成したものであり、高い記録感
度と大なる再生出力を得られる優れたものであるが、記
録感度面、再生出力面等でより一層の改善が望まれてい
る。
[発明の目的]
本発明は上)ホの二層膜媒体の特性が低保磁力層すなわ
ちNi にッケル) 、 Fs (鉄)を主成分とする
パーマロイ薄膜の特性に左右されることに着目しなされ
たもので、異方性の小さいパーマロイ薄膜及び垂直磁気
媒体を目的としたものである。
ちNi にッケル) 、 Fs (鉄)を主成分とする
パーマロイ薄膜の特性に左右されることに着目しなされ
たもので、異方性の小さいパーマロイ薄膜及び垂直磁気
媒体を目的としたものである。
[発明の構成1作用効果]
上述の目的は、以下の本発明により達成される。
すなわち本発明は、前述のパーマロイ薄膜において、P
VD法により酸素を0゜3%(容最%)以上10%(容
計%)以下含む雰囲気下で形成したパーマロイ薄膜を第
一発明とし、第一発明のパーマロイ薄膜を低保磁力層と
した二層pItJ構成の垂直磁気記録媒体を第二発明と
するものである。
VD法により酸素を0゜3%(容最%)以上10%(容
計%)以下含む雰囲気下で形成したパーマロイ薄膜を第
一発明とし、第一発明のパーマロイ薄膜を低保磁力層と
した二層pItJ構成の垂直磁気記録媒体を第二発明と
するものである。
上述の本発明は、以下のようにしてなされたものである
。二層膜媒体の低保磁力層の保磁力は小さい程記録感庶
簀の面で有利と思われ、そこで50e (fルスデツド
)以下の小さな保磁力のパーマロイ薄1161を低保磁
力層とした磁気記録媒体でディスクを作成し評価したと
ころ、その再生出力のエンベロープが変化して、安定な
再生という点からは、結局その最低点に制約され、再生
出力はあまり向上しない問題に遭遇し、種々検討の結果
、その原因が低保磁ノJ層を構成するパーマロイ薄膜の
面内磁気異方性にあることを見出しなされたものである
。
。二層膜媒体の低保磁力層の保磁力は小さい程記録感庶
簀の面で有利と思われ、そこで50e (fルスデツド
)以下の小さな保磁力のパーマロイ薄1161を低保磁
力層とした磁気記録媒体でディスクを作成し評価したと
ころ、その再生出力のエンベロープが変化して、安定な
再生という点からは、結局その最低点に制約され、再生
出力はあまり向上しない問題に遭遇し、種々検討の結果
、その原因が低保磁ノJ層を構成するパーマロイ薄膜の
面内磁気異方性にあることを見出しなされたものである
。
すなわら、パーマロイ薄膜を低保磁力層とした上]ボの
妊l気記録媒体は、パーマロイ薄膜の…化困It軸の方
向に走行させて記録・再生した時の方が磁化′l−Fに
’r ’l’lllの方向の時に比べて、再生出力が大
きく、特に?:TJ密度記録の高周波領域で良好な特性
を示す。
妊l気記録媒体は、パーマロイ薄膜の…化困It軸の方
向に走行させて記録・再生した時の方が磁化′l−Fに
’r ’l’lllの方向の時に比べて、再生出力が大
きく、特に?:TJ密度記録の高周波領域で良好な特性
を示す。
ナなわら、面内の再生出力を一様にするためには、低保
−1力居全体としての面内磁気異方性を減少ざu1再生
出力の最低点を上昇させエンベロープを面内で一様とす
ることが必要である。その結果記録密度が高く、記録再
生特性が面内で一様なディスク方式に適した磁気記録媒
体が得られる。
−1力居全体としての面内磁気異方性を減少ざu1再生
出力の最低点を上昇させエンベロープを面内で一様とす
ることが必要である。その結果記録密度が高く、記録再
生特性が面内で一様なディスク方式に適した磁気記録媒
体が得られる。
なお、面内磁気異方性とは膜面に平行な面内での磁気異
方性のことである。
方性のことである。
しかしながら、面内の磁気異方性を一様にすることは通
常の方法では困難であり、とくに基板を一方向に移送し
て低保li任力層を形成するような場合には異方性が大
きく発現するのが鶴通であった。
常の方法では困難であり、とくに基板を一方向に移送し
て低保li任力層を形成するような場合には異方性が大
きく発現するのが鶴通であった。
本発明者らは以上の知見にもとづぎ鋭意研究した結果、
前記パーマロイ薄膜の形成を0.3%以上10%以下の
酸素を含む雰囲気中で?:′iえば、磁気異方性が一様
になることを見出し本発明に想到した。
前記パーマロイ薄膜の形成を0.3%以上10%以下の
酸素を含む雰囲気中で?:′iえば、磁気異方性が一様
になることを見出し本発明に想到した。
本発明の酸素雰囲気中で形成したパーマ[1イ薄膜にお
いては、その保磁力は無酸素雰囲気の場合に比べて若干
大きくなるのが普通であるが、異方性が大巾に改善され
、したがって磁気特性が面内で一様な優れた軟磁性膜が
得られる。
いては、その保磁力は無酸素雰囲気の場合に比べて若干
大きくなるのが普通であるが、異方性が大巾に改善され
、したがって磁気特性が面内で一様な優れた軟磁性膜が
得られる。
そして、面内異方性が小さいという点からは不活性ガス
の酸素濃度は0.3V of%以上とする必要がある。
の酸素濃度は0.3V of%以上とする必要がある。
又、低保磁力、具体的には後述する垂直磁気記録媒体の
再生出力面から該酸素濃度は10Vo1%以下が好まし
い。
再生出力面から該酸素濃度は10Vo1%以下が好まし
い。
上述の点から本発明の第2発明の垂直磁気記録媒体は、
その低保磁力層が、上述の酸素濃度の不活性ガス下で形
成したパーマロイ(Mo (モIJ 7デン)、CI
(銅)等の第3成分を含んで良い)薄膜であるので、保
磁力の小さい領域でも面内磁気異方性が小さく、ディス
クの場合にモジューレーションが小ざく、再生出力が比
較的大きいという大きな効果を秦する。なお、パーマロ
イ薄膜の透…率については大ぎいものが記録感度・再生
出力面から好ましく用いられる。
その低保磁力層が、上述の酸素濃度の不活性ガス下で形
成したパーマロイ(Mo (モIJ 7デン)、CI
(銅)等の第3成分を含んで良い)薄膜であるので、保
磁力の小さい領域でも面内磁気異方性が小さく、ディス
クの場合にモジューレーションが小ざく、再生出力が比
較的大きいという大きな効果を秦する。なお、パーマロ
イ薄膜の透…率については大ぎいものが記録感度・再生
出力面から好ましく用いられる。
また、(1気記録層としては実施例のω−Cr合金膜ら
なる重直口蚕化層は勿論、W(タングステン)Ta
(クンタル)等の第3元素を添加したGo −Cr合金
、その他公知等の垂直磁化層に適用できることは本発明
の趣旨から明らかである。
なる重直口蚕化層は勿論、W(タングステン)Ta
(クンタル)等の第3元素を添加したGo −Cr合金
、その他公知等の垂直磁化層に適用できることは本発明
の趣旨から明らかである。
以下、上述の本発明の詳細を実施例に基いて説明する。
なお、この発明は、対向ターゲット式スパッタ法により
なされたものであるが、発明の主旨からして、明らかに
他の方法、たとえば蒸着、スパッタリング、イオンブレ
ーティングなどのいわゆる物理的堆積法(PVD法)に
も適用できることは明らかである。
なされたものであるが、発明の主旨からして、明らかに
他の方法、たとえば蒸着、スパッタリング、イオンブレ
ーティングなどのいわゆる物理的堆積法(PVD法)に
も適用できることは明らかである。
なお、上述の対向ターゲット式スパッタ法は、特開昭5
7−158380号公報等で公知のスパッタ法で、一対
の対向配置1りされたターゲラ1〜の側方に基板を配し
、ターゲット間に垂直方向にプラズマ捕捉用の磁界を印
加してスパッタし、基板上に膜を形成するスパッタ法を
云う。
7−158380号公報等で公知のスパッタ法で、一対
の対向配置1りされたターゲラ1〜の側方に基板を配し
、ターゲット間に垂直方向にプラズマ捕捉用の磁界を印
加してスパッタし、基板上に膜を形成するスパッタ法を
云う。
第1図は本発明の実施に用いた対向ターゲット式スパッ
タ装置の構造図である。
タ装置の構造図である。
図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭57−15
8380号公報で公知の対向ターゲット式スパッタ装置
と基本的に同じ構成となっている。
8380号公報で公知の対向ターゲット式スパッタ装置
と基本的に同じ構成となっている。
すなわち、図において10は真空411 % 20は真
空槽10を排気する真空ポンプ等からなる排気系、30
は真空1f!tio内に所定のガスを導入して真空槽1
o内の圧力を10−1〜10″T orr程度の所定の
ガス圧力に設定υ−るガス導入系である。
空槽10を排気する真空ポンプ等からなる排気系、30
は真空1f!tio内に所定のガスを導入して真空槽1
o内の圧力を10−1〜10″T orr程度の所定の
ガス圧力に設定υ−るガス導入系である。
そして、真空槽10内には、図示の如く真空槽10の側
板11.12に絶縁部vJ13.14を介して固着され
たターゲラ1〜ホルダー15.16により1対のターゲ
ットT+、Tzが、そのスパッタされる而TIS。
板11.12に絶縁部vJ13.14を介して固着され
たターゲラ1〜ホルダー15.16により1対のターゲ
ットT+、Tzが、そのスパッタされる而TIS。
T 2Sを空間を隔てて平行に対面するように配設しで
ある。そして、ターゲットT+ 、T2とそれに対応す
るターゲットボルダ−15,16は、冷水バイブ151
,161を介して冷却水によりターゲットT+。
ある。そして、ターゲットT+ 、T2とそれに対応す
るターゲットボルダ−15,16は、冷水バイブ151
,161を介して冷却水によりターゲットT+。
T2、永久磁石152,162が冷却される。磁石15
2゜162はターゲラ1−T1.T2を介してN極、S
極が対向するように設けてあり、従って磁界はターゲラ
1〜T1.1−2にI直な方向に、かつターゲット間の
みに形成される。なお、17.18は、絶縁部材13.
14及びターゲットホルダーis、 16をスパッタリ
ング時のプラズマ粒子から保護するためとターゲット表
面以外の部分の異常放電を防止するためのシールドであ
る。
2゜162はターゲラ1−T1.T2を介してN極、S
極が対向するように設けてあり、従って磁界はターゲラ
1〜T1.1−2にI直な方向に、かつターゲット間の
みに形成される。なお、17.18は、絶縁部材13.
14及びターゲットホルダーis、 16をスパッタリ
ング時のプラズマ粒子から保護するためとターゲット表
面以外の部分の異常放電を防止するためのシールドであ
る。
また、磁性状1ノ膜が形成される基板40を保持する基
板保持手段41は、真空槽10内のターゲットT+。
板保持手段41は、真空槽10内のターゲットT+。
T2の側方に設けである。基板保持手¥;<41は、図
示省略した支持ブラケットにより夫々回転自在かつ互い
に軸平行に支持された・繰り出しロール41a。
示省略した支持ブラケットにより夫々回転自在かつ互い
に軸平行に支持された・繰り出しロール41a。
支持ロール41b1巻取ロール41cの3個のロールか
らなり、基板40をターゲットT+ 、T2間の空間に
対面するようにスパッタ面TIS、T2Sに対して略直
角方向に保持するように配置しである。従って基板40
は巻取りロール41cによりスパッタ面T +s 、
T 23に対して直角方向に移動可能である。
らなり、基板40をターゲットT+ 、T2間の空間に
対面するようにスパッタ面TIS、T2Sに対して略直
角方向に保持するように配置しである。従って基板40
は巻取りロール41cによりスパッタ面T +s 、
T 23に対して直角方向に移動可能である。
なお、支持ロール41bはその表面Q度が調節可能とな
っている。
っている。
一方、スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段50はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットT+ 、T2に夫々接続する。従って電力供給手段
50からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲットT+ 、T2をカソードとして、アノード、カ
ソード間に供給される。
給手段50はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットT+ 、T2に夫々接続する。従って電力供給手段
50からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲットT+ 、T2をカソードとして、アノード、カ
ソード間に供給される。
なお、プレスパッタ時基板40を保護するため、基板4
0とターゲットT+、丁2との間に出入するシャッター
(図示省略)が設けである。
0とターゲットT+、丁2との間に出入するシャッター
(図示省略)が設けである。
以上の通り、前述の特開昭57−158380号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパックが可能となる。すなわち、ターゲットT+、−
rz間の空−に、磁界の作用によりスパッタガスイオン
、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度
プラズマが形成される。
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパックが可能となる。すなわち、ターゲットT+、−
rz間の空−に、磁界の作用によりスパッタガスイオン
、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度
プラズマが形成される。
従って、ターゲットT+ 、T2のスパッタが促進され
て前記空間より析出口が増大し、基板4o上への堆積速
度が増し高度スパッタが出来る上、基板40がクーゲラ
hT+、Tzの側方にあるので低温スパッタし出来る。
て前記空間より析出口が増大し、基板4o上への堆積速
度が増し高度スパッタが出来る上、基板40がクーゲラ
hT+、Tzの側方にあるので低温スパッタし出来る。
なお、本発明の対向ターゲット式スパッタ法は、前)ホ
の装置のものに限定されるものでなく、前述の通り一対
の対面させたターゲットの側方に基板を配し、クーゲッ
ト間に垂直方向の磁界を印加してスパッタし、基板上に
膜を形成するスパッタ法を云う。従って、磁界発生手段
も永久磁石でなく、電磁石を用いても良い。また、磁界
もターゲット間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであ
れば良く、従ってターゲット仝面でなく、ターゲット周
囲のみに発生させた場合も含む。
の装置のものに限定されるものでなく、前述の通り一対
の対面させたターゲットの側方に基板を配し、クーゲッ
ト間に垂直方向の磁界を印加してスパッタし、基板上に
膜を形成するスパッタ法を云う。従って、磁界発生手段
も永久磁石でなく、電磁石を用いても良い。また、磁界
もターゲット間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであ
れば良く、従ってターゲット仝面でなく、ターゲット周
囲のみに発生させた場合も含む。
次に上)小の対向ターゲット式スパッタ装「1′により
実施した本発明に係わるパーマロイ薄膜及び垂直磁気記
録媒体の実施例を説明する。。
実施した本発明に係わるパーマロイ薄膜及び垂直磁気記
録媒体の実施例を説明する。。
なお、得られた合金膜の結晶構造は理学電機製計数X線
回折装置を用いて同定し、垂直配向性は六方最密構造か
つ(002)面ピークのロッキングカーブを前記X線回
折装置で求め、その半値幅へ〇(7)で評価した。
回折装置を用いて同定し、垂直配向性は六方最密構造か
つ(002)面ピークのロッキングカーブを前記X線回
折装置で求め、その半値幅へ〇(7)で評価した。
yJ厚及び組成については、螢光X線装置を用いて予め
較正した曲線から求めた。
較正した曲線から求めた。
媒体の磁気特性は撮動試料型磁力計で測定して求めた。
二層膜媒体の記録・再生特性は、前述の特公昭″58−
91号公報等で公知のものと同様な垂直型磁気ヘッドを
用いて評価した。
91号公報等で公知のものと同様な垂直型磁気ヘッドを
用いて評価した。
[実施例1〜7および比較例1.2]
下記条件により基板上にパーマロイ薄膜をスパッタガス
のM糸淵度を変えて作成し、その磁気貸方性を評1i1
1i ”Jると共に、夫々のパーマロイ薄膜上にCo
−Crからなる垂直磁化層を順次形成して二層膜媒体を
作成し、その再生特性を評価した。
のM糸淵度を変えて作成し、その磁気貸方性を評1i1
1i ”Jると共に、夫々のパーマロイ薄膜上にCo
−Crからなる垂直磁化層を順次形成して二層膜媒体を
作成し、その再生特性を評価した。
A、装置条件
八−′1.低保磁力層
a、ターゲットT+ 、T2材:T+ 、T2共M。
−4w[%、Nj−78wt%、Fe−18wt%のパ
ーマロイ JIli40:50μm厚のポリエチレンテレフタレー
ト(PET)フィルム C,ターゲットT1.T2間隔:120rNnd、ター
ゲット表面の磁界:100〜200ガウスe、ターゲッ
トT+ 、T2形状 : 100mm L X 150mmW X 121
nln tの矩形f、基板40とターゲットT+ 、T
2端部の距離:2omm A 2.Co−Cr!I!直磁化層 a、ターゲット材:T1.T2共に:co −80W4
% 。
ーマロイ JIli40:50μm厚のポリエチレンテレフタレー
ト(PET)フィルム C,ターゲットT1.T2間隔:120rNnd、ター
ゲット表面の磁界:100〜200ガウスe、ターゲッ
トT+ 、T2形状 : 100mm L X 150mmW X 121
nln tの矩形f、基板40とターゲットT+ 、T
2端部の距離:2omm A 2.Co−Cr!I!直磁化層 a、ターゲット材:T1.T2共に:co −80W4
% 。
Cr−20WL%の合金ターゲット
C,ターゲットT+ 、T2間隔: 160 t+w
+d、ターゲット表面の磁界: 100〜200ガウ
スe、ターゲットT+ 、T2形状 : 100mm1X 150sWX12stの矩形f
、基板40とターゲット−r+、T2端81(の距離:
20M B、操作手順 A−1,A−2の条件のもとて順次次の如く行なった。
+d、ターゲット表面の磁界: 100〜200ガウ
スe、ターゲットT+ 、T2形状 : 100mm1X 150sWX12stの矩形f
、基板40とターゲット−r+、T2端81(の距離:
20M B、操作手順 A−1,A−2の条件のもとて順次次の如く行なった。
a、基板を設置後、真空槽10内を到達真空度が1 X
10’ T orr以下まで排気(る。
10’ T orr以下まで排気(る。
b、ガスを所定の圧〕Jまで導入し、3〜5分間のプレ
スパツタを行ない、シャッターを間ぎ、基板40を図示
の通りターゲットT+ 、T2の対向方向に移送しつつ
膜形成を行なった。なお、スパッタ時のガス圧は4 X
10’ T orrとした。
スパツタを行ない、シャッターを間ぎ、基板40を図示
の通りターゲットT+ 、T2の対向方向に移送しつつ
膜形成を行なった。なお、スパッタ時のガス圧は4 X
10’ T orrとした。
ガスはA−1の場合Ar (アルゴン)100%およ
び02 (酸素)を0.1. 0.3.1.3゜5 、
10.15.20%混入したArガスを用いた。
び02 (酸素)を0.1. 0.3.1.3゜5 、
10.15.20%混入したArガスを用いた。
また△−2の場合はAr 100%(3N)を用いた。
C,スパッタ時投入電力はA−1,A−2ともに3KW
で行なった。
で行なった。
C1実施結果
第2図に比較例のパーマロイ薄膜の特徴的な磁化特性を
示す。基板の走行方向(MD力方向と基板の幅方向(T
D力方向それぞれの磁化特性が異なり、面内で磁気異方
性が生じており、MD力方向磁化容易軸、TD力方向磁
化困難軸であった。
示す。基板の走行方向(MD力方向と基板の幅方向(T
D力方向それぞれの磁化特性が異なり、面内で磁気異方
性が生じており、MD力方向磁化容易軸、TD力方向磁
化困難軸であった。
なお、第2図でHは印加磁界の強さを示し、Bは低保磁
力h”・1の磁化を示す。
力h”・1の磁化を示す。
得られIζ各パーマロイ薄膜の保磁力の測定結果を表−
1に示づ。
1に示づ。
なお、表−1テHCE 、 HCHハl化容易tl’l
ll、磁化困難軸方向のそれぞれの保磁力である。
ll、磁化困難軸方向のそれぞれの保磁力である。
又、垂直ta気記録媒体を得るために表−1の特性を右
する各パーマロイ薄膜上にA−2の条件で形成されたC
o −Cr層からなる垂直磁化層の特性を表−2に示ず
。
する各パーマロイ薄膜上にA−2の条件で形成されたC
o −Cr層からなる垂直磁化層の特性を表−2に示ず
。
表−2垂直磁化層の特性
表−2において保磁力のI直とは媒体膜面と垂直方向の
保磁力を、水平とは媒体膜面と平行方向の保磁力を示す
。なお、保磁力の測定は二層膜媒体の低保磁力層を分離
して行った。半値幅Δθ印は、二層II!媒体のまま測
定した。
保磁力を、水平とは媒体膜面と平行方向の保磁力を示す
。なお、保磁力の測定は二層膜媒体の低保磁力層を分離
して行った。半値幅Δθ印は、二層II!媒体のまま測
定した。
D、電磁変換特性
表−1の特性を有する各パーマロイス9膜を低保磁力層
とする前述の二層膜媒体について、第3図に示すように
、MD方向、TD力方向長方形のサンプルを切り出して
、記録密度50KFRP’lにおいてそれぞれの電磁変
換特性を評価した。
とする前述の二層膜媒体について、第3図に示すように
、MD方向、TD力方向長方形のサンプルを切り出して
、記録密度50KFRP’lにおいてそれぞれの電磁変
換特性を評価した。
表〜3及び第4図に測定結果を示す。
なお、電磁変換特性は記録時にはテープ走行を4.75
cm/秒、再生時には9.5cm/秒で行なった。
cm/秒、再生時には9.5cm/秒で行なった。
又、測定値は実施例6をl ll!−どした相対値で示
しである。
しである。
表−3及び第4図の実施例1〜7に示したように酸素濃
度が0.3%以上のアルゴン雰囲気中でスパッタして形
成したパーマロイi9膜を低保磁力層としてもつ二層媒
体は磁化容易軸方向および磁化回動軸方向の再生出力の
大ぎさの比が1に近く、したがってフロッピーディスク
形状にしたときにモジュレーションが比較例に比べて大
11〕に改良されていることが判る。
度が0.3%以上のアルゴン雰囲気中でスパッタして形
成したパーマロイi9膜を低保磁力層としてもつ二層媒
体は磁化容易軸方向および磁化回動軸方向の再生出力の
大ぎさの比が1に近く、したがってフロッピーディスク
形状にしたときにモジュレーションが比較例に比べて大
11〕に改良されていることが判る。
また、表−3よりパーマロイ薄膜形成時の不活性ガス中
の酸素濃度の増加に伴ない再生出力が低下することがわ
かる。従って、前記酸素濃度は再生出力が大巾に低下し
ない範囲、実用的には10vO1%以下であることが好
ましく、更に好ましくは、比較例の最低出力と同じレベ
ルの再生出力レベルが得られる、5■01%以下である
。
の酸素濃度の増加に伴ない再生出力が低下することがわ
かる。従って、前記酸素濃度は再生出力が大巾に低下し
ない範囲、実用的には10vO1%以下であることが好
ましく、更に好ましくは、比較例の最低出力と同じレベ
ルの再生出力レベルが得られる、5■01%以下である
。
第1図は本弁明の実施に用いた対向ターゲット式スパッ
ク装置の説明図、第2図は磁気特性の説明図、第3図は
サンプル切り出しの説明図、第4図はパーマロイ薄膜形
成時の酸素11ia度と再生出力のMO力方向−[D方
向の比を示ずグラフである。 T+ 、T2 :ターゲット 10:真空槽20:
排気系 30:ガス導入系 40:基板 50ニスバッタ電源矛ろ図
ク装置の説明図、第2図は磁気特性の説明図、第3図は
サンプル切り出しの説明図、第4図はパーマロイ薄膜形
成時の酸素11ia度と再生出力のMO力方向−[D方
向の比を示ずグラフである。 T+ 、T2 :ターゲット 10:真空槽20:
排気系 30:ガス導入系 40:基板 50ニスバッタ電源矛ろ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)Ni、Feを主成分とし、物理堆積法により形成さ
れたパーマロイ薄膜において、酸素を0.3%以上10
%以下含む雰囲気下で形成したことを特徴とするパーマ
ロイ薄膜。 2)前記物理堆積法がスパッタリング法である特許請求
の範囲第1項記載のパーマロイ薄膜。 3)前記スパッタリング法が対向ターゲット式スパッタ
リング法である特許請求の範囲第2項記載のパーマロイ
薄膜。 4)非磁性の基板上にパーマロイ薄膜からなる低保磁力
層と膜面に垂直方向の磁化容易軸を有する磁気記録層を
有する磁気記録媒体において、前記低保磁力層のパーマ
ロイ薄膜が酸素を0.3%以上10%以下含む雰囲気下
で物理堆積法により形成されたパーマロイ薄膜であるこ
とを特徴とする垂直磁気記録媒体。 5)前記パーマロイ薄膜がスパッタリング法により形成
された特許請求の範囲第4項記載の垂直磁気記録媒体。 6)前記パーマロイ薄膜が対向ターゲット式スパッタ法
により形成された特許請求の範囲第5項記載の磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17317584A JPS6151814A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | パーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17317584A JPS6151814A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | パーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6151814A true JPS6151814A (ja) | 1986-03-14 |
JPH0430731B2 JPH0430731B2 (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=15955479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17317584A Granted JPS6151814A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | パーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6151814A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150073973A (ko) | 2012-10-22 | 2015-07-01 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 물품을 마킹하기 위한 방법 및 장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58158028A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP17317584A patent/JPS6151814A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58158028A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0430731B2 (ja) | 1992-05-22 |
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