JPH0991651A - ハードディスク装置に適用されるディスク及びディスク製造方法 - Google Patents
ハードディスク装置に適用されるディスク及びディスク製造方法Info
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- JPH0991651A JPH0991651A JP23991995A JP23991995A JPH0991651A JP H0991651 A JPH0991651 A JP H0991651A JP 23991995 A JP23991995 A JP 23991995A JP 23991995 A JP23991995 A JP 23991995A JP H0991651 A JPH0991651 A JP H0991651A
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】保護層の削減または大幅に薄くできる構造によ
り、ヘッドと記録磁性膜間のスペーシングの低減化を実
現して、結果的に高密度記録化を図ることにある。 【解決手段】HDDのディスク構造として、基板上に設
けられた記録磁性膜3を、ダイヤモンドライクカーボン
と金属強磁性体との混合物からなる強磁性記録膜にした
ディスクである。この製造方法は、非磁性材質からなる
基板1上に物理的蒸着法によりダイヤモンドライクカー
ボン層を形成し、かつ同時に物理的蒸着法により強磁性
金属体を形成する。このようなディスク構造であれば、
耐磨耗性と耐食性の優れた記録磁性膜を設けられること
ができるため、従来の保護層を削減することが可能とな
る。したがって、結果的にヘッドがデータ記録再生動作
を実行するときに、ヘッドと記録磁性膜とのスペーシン
グの低減化を実現する
り、ヘッドと記録磁性膜間のスペーシングの低減化を実
現して、結果的に高密度記録化を図ることにある。 【解決手段】HDDのディスク構造として、基板上に設
けられた記録磁性膜3を、ダイヤモンドライクカーボン
と金属強磁性体との混合物からなる強磁性記録膜にした
ディスクである。この製造方法は、非磁性材質からなる
基板1上に物理的蒸着法によりダイヤモンドライクカー
ボン層を形成し、かつ同時に物理的蒸着法により強磁性
金属体を形成する。このようなディスク構造であれば、
耐磨耗性と耐食性の優れた記録磁性膜を設けられること
ができるため、従来の保護層を削減することが可能とな
る。したがって、結果的にヘッドがデータ記録再生動作
を実行するときに、ヘッドと記録磁性膜とのスペーシン
グの低減化を実現する
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にハードディス
ク装置に適用されるディスク及びそのディスク製造方法
に関する。
ク装置に適用されるディスク及びそのディスク製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ハードディスク装置(HDD)
は、高速回転しているディスク上に、ヘッドを近接させ
てデータの記録再生を行なう構造である。ディスクは、
通常では非磁性材質である例えばアルミニウムとマグネ
シウムの合金(Al−Mg)からなる基板上に、記録磁
性膜を形成した構造からなる。この記録磁性膜が、ヘッ
ドからの記録磁界に従った磁気的データを記録する領域
となる。
は、高速回転しているディスク上に、ヘッドを近接させ
てデータの記録再生を行なう構造である。ディスクは、
通常では非磁性材質である例えばアルミニウムとマグネ
シウムの合金(Al−Mg)からなる基板上に、記録磁
性膜を形成した構造からなる。この記録磁性膜が、ヘッ
ドからの記録磁界に従った磁気的データを記録する領域
となる。
【0003】HDDでは、ヘッドは微小間隔(スペーシ
ング)を維持しながら、ディスク上を浮上した状態でデ
ータの記録再生を行なう。しかし、記録再生動作中に、
外部からの衝撃等により、ヘッドがディスクに接触する
事態が発生することもある。このヘッドとの接触による
損傷を防止する(耐磨耗性)ために、ディスクの記録磁
性膜上には、酸化シリコン(SiO2 )膜等からなる保
護層が形成されている。また、保護層は、前記の耐磨耗
性と共に、耐食性の機能も果たしている。
ング)を維持しながら、ディスク上を浮上した状態でデ
ータの記録再生を行なう。しかし、記録再生動作中に、
外部からの衝撃等により、ヘッドがディスクに接触する
事態が発生することもある。このヘッドとの接触による
損傷を防止する(耐磨耗性)ために、ディスクの記録磁
性膜上には、酸化シリコン(SiO2 )膜等からなる保
護層が形成されている。また、保護層は、前記の耐磨耗
性と共に、耐食性の機能も果たしている。
【0004】さらに、通常ではヘッドがCSS動作の際
に、ヘッドとの摩擦や磨耗を低減するために、ディスク
の保護層上には、潤滑層が形成されている。CSS(c
ontact start and stop)動作と
は、ヘッドがディスクに接触した状態で、データ記録再
生動作の起動または停止を実行する動作である。
に、ヘッドとの摩擦や磨耗を低減するために、ディスク
の保護層上には、潤滑層が形成されている。CSS(c
ontact start and stop)動作と
は、ヘッドがディスクに接触した状態で、データ記録再
生動作の起動または停止を実行する動作である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述のようにHDDの
記録媒体であるディスクは、基板上の記録磁性膜上には
保護層が設けられて、さらに保護層上には潤滑層が設け
られた構造からなる。ここで、データ記録再生動作で
は、ヘッドと記録磁性膜間のスペーシングを短縮化させ
るほど、ヘッドの記録磁場成分が強度を増大し、さらに
磁場の広がりを絞り込めるために、高密度記録が可能と
なる。このため、従来からディスクに対するヘッドの浮
上量を低減させる低浮上化技術の開発が推進されてい
る。
記録媒体であるディスクは、基板上の記録磁性膜上には
保護層が設けられて、さらに保護層上には潤滑層が設け
られた構造からなる。ここで、データ記録再生動作で
は、ヘッドと記録磁性膜間のスペーシングを短縮化させ
るほど、ヘッドの記録磁場成分が強度を増大し、さらに
磁場の広がりを絞り込めるために、高密度記録が可能と
なる。このため、従来からディスクに対するヘッドの浮
上量を低減させる低浮上化技術の開発が推進されてい
る。
【0006】しかしながら、ヘッドの低浮上化が実現さ
れても、物理的に保護層に相当する膜厚によるスペーシ
ングロスが発生する。この保護層の膜厚を薄くすること
が考えられるが、前述の耐磨耗性や耐食性の観点からそ
れほど薄くすることはできない。したがって、ディスク
上の構造において、保護層の存在が高密度記録化を制限
する要因になっている。
れても、物理的に保護層に相当する膜厚によるスペーシ
ングロスが発生する。この保護層の膜厚を薄くすること
が考えられるが、前述の耐磨耗性や耐食性の観点からそ
れほど薄くすることはできない。したがって、ディスク
上の構造において、保護層の存在が高密度記録化を制限
する要因になっている。
【0007】本発明の目的は、保護層の削減または大幅
に薄くできる構造により、ヘッドと記録磁性膜間のスペ
ーシングの低減化を実現して、結果的に高密度記録化を
図ることにある。
に薄くできる構造により、ヘッドと記録磁性膜間のスペ
ーシングの低減化を実現して、結果的に高密度記録化を
図ることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、HDDのディ
スク構造として、基板上に設けられた記録磁性膜を、ダ
イヤモンドライクカーボンと金属強磁性体との混合物か
らなる強磁性記録膜にしたディスクである。
スク構造として、基板上に設けられた記録磁性膜を、ダ
イヤモンドライクカーボンと金属強磁性体との混合物か
らなる強磁性記録膜にしたディスクである。
【0009】この製造方法は、非磁性材質からなる基板
上に物理的蒸着法によりダイヤモンドライクカーボン層
を形成し、かつ同時に物理的蒸着法により強磁性金属体
を形成する。
上に物理的蒸着法によりダイヤモンドライクカーボン層
を形成し、かつ同時に物理的蒸着法により強磁性金属体
を形成する。
【0010】このようなディスク構造であれば、耐磨耗
性と耐食性の優れた記録磁性膜を設けられることができ
るため、従来の保護層を削減することが可能となる。し
たがって、結果的にヘッドがデータ記録再生動作を実行
するときに、ヘッドと記録磁性膜とのスペーシングの低
減化を実現することができる。
性と耐食性の優れた記録磁性膜を設けられることができ
るため、従来の保護層を削減することが可能となる。し
たがって、結果的にヘッドがデータ記録再生動作を実行
するときに、ヘッドと記録磁性膜とのスペーシングの低
減化を実現することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を説明する。図1は本実施形態に関係するディス
ク構造を示す概念図であり、図2は本実施形態に関係す
る製造方法を説明するための工程図であり、図3は本実
施形態に関係するディスク構造の部分的説明図であり、
図4は本実施形態に関係する製造装置の構成を示す概念
図である。 (ディスク構造)本実施形態のディスクは、HDDの記
録媒体として使用されるディスクであり、図1に示すよ
うに、多層構造からなる。
の形態を説明する。図1は本実施形態に関係するディス
ク構造を示す概念図であり、図2は本実施形態に関係す
る製造方法を説明するための工程図であり、図3は本実
施形態に関係するディスク構造の部分的説明図であり、
図4は本実施形態に関係する製造装置の構成を示す概念
図である。 (ディスク構造)本実施形態のディスクは、HDDの記
録媒体として使用されるディスクであり、図1に示すよ
うに、多層構造からなる。
【0012】即ち、ディスクの基板1は、非磁性材質か
らなり、例えば石英ガラス、セラミックス、またはAl
−Mg合金からなる。基板1上には、例えば炭化シリコ
ン(SiC)膜等からなる硬化層2が設けられている。
らなり、例えば石英ガラス、セラミックス、またはAl
−Mg合金からなる。基板1上には、例えば炭化シリコ
ン(SiC)膜等からなる硬化層2が設けられている。
【0013】硬化層2は、いわば基板1と記録磁性層3
との中間層であり、記録磁性層3の密着性を向上させる
ものである。基板1の材質が石英ガラス等の場合には、
硬化層2は必ずしも必要ではない。
との中間層であり、記録磁性層3の密着性を向上させる
ものである。基板1の材質が石英ガラス等の場合には、
硬化層2は必ずしも必要ではない。
【0014】次に、記録磁性層3は、本発明の主要部で
あり、HDDではヘッドの記録磁界によりデータを磁気
的に記録する領域である。本実施形態の記録磁性層3
は、耐磨耗性と耐食性の優れたダイヤモンドライクカー
ボン層と金属強磁性体との混合層からなる。
あり、HDDではヘッドの記録磁界によりデータを磁気
的に記録する領域である。本実施形態の記録磁性層3
は、耐磨耗性と耐食性の優れたダイヤモンドライクカー
ボン層と金属強磁性体との混合層からなる。
【0015】金属強磁性体は、例えばコバルト(C
o)、ニッケル(Ni)、コバルトとニッケルの合金
(Co−Ni)、コバルト,ニッケル,白金の合金(C
o−Ni−Pt)、およびコバルト,ニッケル,クロム
の合金(Co−Ni−Cr)のいずれかの強磁性金属材
料からなる。
o)、ニッケル(Ni)、コバルトとニッケルの合金
(Co−Ni)、コバルト,ニッケル,白金の合金(C
o−Ni−Pt)、およびコバルト,ニッケル,クロム
の合金(Co−Ni−Cr)のいずれかの強磁性金属材
料からなる。
【0016】記録磁性層3は、図3に示すように、ダイ
ヤモンドライクカーボン層3aの中に金属強磁性体3b
が分散されている構造である。さらに、記録磁性層3上
には、特にCSS動作においてヘッドとの摩擦や磨耗を
低減するための潤滑層4が設けられている。潤滑層4
は、例えばパーフルオロポリエーテル(PFPE)のよ
うな液体潤滑剤を使用した層である。 (本実施形態の作用効果)前述のようなディスク構造で
あれば、記録磁性層3は、ダイヤモンドライクカーボン
層を含む強磁性記録薄膜を構成する。ダイヤモンドライ
クカーボン層は、耐磨耗性と耐食性に優れた材質であ
る。したがって、本実施形態の記録磁性層3は、従来の
記録磁性層と比較して、耐磨耗性と耐食性に優れた層と
なる。
ヤモンドライクカーボン層3aの中に金属強磁性体3b
が分散されている構造である。さらに、記録磁性層3上
には、特にCSS動作においてヘッドとの摩擦や磨耗を
低減するための潤滑層4が設けられている。潤滑層4
は、例えばパーフルオロポリエーテル(PFPE)のよ
うな液体潤滑剤を使用した層である。 (本実施形態の作用効果)前述のようなディスク構造で
あれば、記録磁性層3は、ダイヤモンドライクカーボン
層を含む強磁性記録薄膜を構成する。ダイヤモンドライ
クカーボン層は、耐磨耗性と耐食性に優れた材質であ
る。したがって、本実施形態の記録磁性層3は、従来の
記録磁性層と比較して、耐磨耗性と耐食性に優れた層と
なる。
【0017】これにより、従来のディスクには記録磁性
層を保護するために設けられていた保護層を、本実施形
態の記録磁性層3の場合には不要にすることができる。
このため、本実施形態のディスクでは、データ記録再生
動作時に、浮上しているヘッドと記録磁性層3とのスペ
ーシング(微小間隔)が保護層の分だけ小さくなる。換
言すれば、記録磁性層3に対するヘッドの距離を短縮化
することができるため、ヘッドの記録磁場成分の強度を
増大し、磁場の広がりを絞り込めるなど、磁気記録特性
を向上することができる。したがって、相対的にスペー
シングロスの低減化を実現できるため、高密度記録化を
図ることが可能となる. (本実施形態の製造方法)次に、本実施形態のディスク
の製造方法を、図2と図4を参照して説明する。
層を保護するために設けられていた保護層を、本実施形
態の記録磁性層3の場合には不要にすることができる。
このため、本実施形態のディスクでは、データ記録再生
動作時に、浮上しているヘッドと記録磁性層3とのスペ
ーシング(微小間隔)が保護層の分だけ小さくなる。換
言すれば、記録磁性層3に対するヘッドの距離を短縮化
することができるため、ヘッドの記録磁場成分の強度を
増大し、磁場の広がりを絞り込めるなど、磁気記録特性
を向上することができる。したがって、相対的にスペー
シングロスの低減化を実現できるため、高密度記録化を
図ることが可能となる. (本実施形態の製造方法)次に、本実施形態のディスク
の製造方法を、図2と図4を参照して説明する。
【0018】本実施形態は、図4に示すような製造装置
を使用して、記録磁性層3を形成することを想定する。
なお、硬化層2と潤滑層4の製造工程は、従来の工程と
同様であるため説明を省略する。
を使用して、記録磁性層3を形成することを想定する。
なお、硬化層2と潤滑層4の製造工程は、従来の工程と
同様であるため説明を省略する。
【0019】製造装置は、真空曹10の内部に基板1を
保持する基板ホルダ11を有する。基板ホルダ11は、
カーボンイオン(C+ )を引き付けるためのマイナス電
圧(−V)が印加されている。基板1には、硬化層2が
既に形成されていると想定する。
保持する基板ホルダ11を有する。基板ホルダ11は、
カーボンイオン(C+ )を引き付けるためのマイナス電
圧(−V)が印加されている。基板1には、硬化層2が
既に形成されていると想定する。
【0020】製造装置は、金属強磁性体3bの層を形成
するための金属磁性体のインゴット(ingot)13
を蒸発させて、基板1上に蒸着させるための電子銃12
を有する。電子銃12は、金属磁性体のインゴット13
を蒸発源として加熱し、蒸発させるための装置である。
するための金属磁性体のインゴット(ingot)13
を蒸発させて、基板1上に蒸着させるための電子銃12
を有する。電子銃12は、金属磁性体のインゴット13
を蒸発源として加熱し、蒸発させるための装置である。
【0021】さらに、製造装置は、ダイヤモンドライク
カーボン層3aを形成するためのカーボンイオン(C
+ )を発生するための炭素製電極14と、高周波電界を
発生するための炭素製電極15と、カーボンイオン(C
+ )を加速エネルギーを与えるための炭素製電極16と
からなる装置を有する。
カーボン層3aを形成するためのカーボンイオン(C
+ )を発生するための炭素製電極14と、高周波電界を
発生するための炭素製電極15と、カーボンイオン(C
+ )を加速エネルギーを与えるための炭素製電極16と
からなる装置を有する。
【0022】炭素製電極15には、高周波電源17から
高周波電力が供給される。炭素製電極16には、加速エ
ネルギーを与えるためのプラス電圧(+V)が供給され
ている。
高周波電力が供給される。炭素製電極16には、加速エ
ネルギーを与えるためのプラス電圧(+V)が供給され
ている。
【0023】成膜を開始する前に、真空曹10は、ロー
タリポンプ18により粗引きの排気処理がなされて、1
0Pa程度の真空度まで引かれて、その後、クライオポ
ンプ19に切換えられて、10-4PA以下の真空度まで
排気処理される。
タリポンプ18により粗引きの排気処理がなされて、1
0Pa程度の真空度まで引かれて、その後、クライオポ
ンプ19に切換えられて、10-4PA以下の真空度まで
排気処理される。
【0024】本実施形態の製造工程は、図2に示すよう
に、硬化層2を形成した基板1を用意し(工程S1)、
この基板1を前述の製造装置の真空曹10の内部に搬送
して、基板ホルダ11に固定した後に、記録磁性層3を
形成する(工程S2)。そして、記録磁性層3上に潤滑
層4を形成して、工程終了となる(工程S3)。
に、硬化層2を形成した基板1を用意し(工程S1)、
この基板1を前述の製造装置の真空曹10の内部に搬送
して、基板ホルダ11に固定した後に、記録磁性層3を
形成する(工程S2)。そして、記録磁性層3上に潤滑
層4を形成して、工程終了となる(工程S3)。
【0025】以下、記録磁性層3の形成工程について、
図4を参照して詳細に説明する。本実施形態の記録磁性
層3は、図3に示すように、ダイヤモンドライクカーボ
ン層3aの中に金属強磁性体3bが分散されている構造
である。このような記録磁性層3を形成するために、ダ
イヤモンドライクカーボンの膜と金属強磁性体の膜と
を、同一の真空雰囲気中で同時に基板1上に生成する。
図4を参照して詳細に説明する。本実施形態の記録磁性
層3は、図3に示すように、ダイヤモンドライクカーボ
ン層3aの中に金属強磁性体3bが分散されている構造
である。このような記録磁性層3を形成するために、ダ
イヤモンドライクカーボンの膜と金属強磁性体の膜と
を、同一の真空雰囲気中で同時に基板1上に生成する。
【0026】即ち、真空曹10の内部が10-4PA以下
の真空度に到達後に、電子銃12から放出される電子ビ
ーム(−e)により、蒸発源である金属磁性体のインゴ
ット13が加熱、蒸発されて、ディスクの基板1の表面
上(硬化層2上)に堆積される。
の真空度に到達後に、電子銃12から放出される電子ビ
ーム(−e)により、蒸発源である金属磁性体のインゴ
ット13が加熱、蒸発されて、ディスクの基板1の表面
上(硬化層2上)に堆積される。
【0027】一方、炭素製電極15を通過させて、容器
状の炭素製電極14の内部にアルゴンガス(Ar)が導
入される。次に、高周波電源17から高周波電力が炭素
製電極15に供給される。これにより、炭素製電極14
の内部にはプラズマが発生し、アルゴンガス(Ar)が
アルゴンイオン(Ar+ )に変換される。炭素製電極1
4はスパッタリングされて、内部にカーボン粒子(C)
及びカーボンイオン(C+ )が発生する。
状の炭素製電極14の内部にアルゴンガス(Ar)が導
入される。次に、高周波電源17から高周波電力が炭素
製電極15に供給される。これにより、炭素製電極14
の内部にはプラズマが発生し、アルゴンガス(Ar)が
アルゴンイオン(Ar+ )に変換される。炭素製電極1
4はスパッタリングされて、内部にカーボン粒子(C)
及びカーボンイオン(C+ )が発生する。
【0028】このカーボンイオン(C+ )は、炭素製電
極16(+V)と基板ホルダ11(−V)間に印加され
たバイアス電圧により、炭素製電極14の内部から引き
出されて、基板1上に照射される。これにより、基板1
上には、ダイヤモンドライクカーボン膜が形成される。
極16(+V)と基板ホルダ11(−V)間に印加され
たバイアス電圧により、炭素製電極14の内部から引き
出されて、基板1上に照射される。これにより、基板1
上には、ダイヤモンドライクカーボン膜が形成される。
【0029】以上のようにして、いわゆる物理的蒸着法
により、基板1上にダイヤモンドライクカーボンの膜と
金属強磁性体の膜とを同時に形成する。これにより、図
3に示すように、ダイヤモンドライクカーボン層3aの
中に、金属強磁性体3bが分散された状態の記録磁性層
3が、基板1上に形成される。即ち、金属強磁性体とダ
イヤモンドライクカーボンとの混合物からなる記録磁性
層3が、形成されることになる。
により、基板1上にダイヤモンドライクカーボンの膜と
金属強磁性体の膜とを同時に形成する。これにより、図
3に示すように、ダイヤモンドライクカーボン層3aの
中に、金属強磁性体3bが分散された状態の記録磁性層
3が、基板1上に形成される。即ち、金属強磁性体とダ
イヤモンドライクカーボンとの混合物からなる記録磁性
層3が、形成されることになる。
【0030】従来、ダイヤモンドライクカーボンそのも
のの作製は、物理的蒸着法を用いる以外に、炭素を含む
化合物気体を熱やプラズマによって分解し得る、いわゆ
る化学的蒸着法が主に用いられていた。この化合物気体
としては、炭化水素ガスあるいは窒素との混合ガス等が
一般的に用いられる。
のの作製は、物理的蒸着法を用いる以外に、炭素を含む
化合物気体を熱やプラズマによって分解し得る、いわゆ
る化学的蒸着法が主に用いられていた。この化合物気体
としては、炭化水素ガスあるいは窒素との混合ガス等が
一般的に用いられる。
【0031】しかしながら、このような化学的蒸着法を
用いて、薄膜の形成を行なうには基板温度を数百度レベ
ルまでに上げる必要がある。磁気ディスクに用いられる
基板を、このような温度て加熱すると歪みが生じ、装置
に組み込んだ場合、信頼性に問題が生じる。また、磁性
層とダイヤモンドライクカーボンとは同時に形成される
ものであり、比較的反応に富む前記のような化合物気体
の一部が磁性層の中に混在し、成膜中の磁性体粒子と反
応することにより、堆積される磁性層の磁気特性に影響
をもたらす。即ち、物理的蒸着法を用いれば、磁性体と
ダイヤモンドライクカーボンとを同時に形成することが
でき、かつ化学的蒸着法など他の方法を用いたときとは
異なり、水素や窒素の混在しない純度の高い磁性層を形
成することができる。
用いて、薄膜の形成を行なうには基板温度を数百度レベ
ルまでに上げる必要がある。磁気ディスクに用いられる
基板を、このような温度て加熱すると歪みが生じ、装置
に組み込んだ場合、信頼性に問題が生じる。また、磁性
層とダイヤモンドライクカーボンとは同時に形成される
ものであり、比較的反応に富む前記のような化合物気体
の一部が磁性層の中に混在し、成膜中の磁性体粒子と反
応することにより、堆積される磁性層の磁気特性に影響
をもたらす。即ち、物理的蒸着法を用いれば、磁性体と
ダイヤモンドライクカーボンとを同時に形成することが
でき、かつ化学的蒸着法など他の方法を用いたときとは
異なり、水素や窒素の混在しない純度の高い磁性層を形
成することができる。
【0032】なお、本実施形態では、金属強磁性体3b
は真空蒸着法による形成方法について説明したが、イオ
ンスパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理
的蒸着法でもよい。また、ダイヤモンドライクカーボン
層については、イオンビーム蒸着法について説明した
が、イオンビームスパッタリング法やイオンプレーティ
ング法等の物理的蒸着法でもよい。
は真空蒸着法による形成方法について説明したが、イオ
ンスパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理
的蒸着法でもよい。また、ダイヤモンドライクカーボン
層については、イオンビーム蒸着法について説明した
が、イオンビームスパッタリング法やイオンプレーティ
ング法等の物理的蒸着法でもよい。
【0033】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、耐
磨耗性や耐食性の優れた記録磁性膜を有するディスク構
造を実現することができる。したがって、記録磁性膜上
に耐磨耗性や耐食性を得るための保護層を不要にするこ
とができる。したがって、結果的にヘッドと記録磁性膜
とのスペーシングを保護層の分だけ低減化することがで
きる。このようなディスクをHDDに適用すれば、ヘッ
ドの浮上量を低減させる低浮上化技術と共に、高密度記
録化を実現する要素として有効となる。
磨耗性や耐食性の優れた記録磁性膜を有するディスク構
造を実現することができる。したがって、記録磁性膜上
に耐磨耗性や耐食性を得るための保護層を不要にするこ
とができる。したがって、結果的にヘッドと記録磁性膜
とのスペーシングを保護層の分だけ低減化することがで
きる。このようなディスクをHDDに適用すれば、ヘッ
ドの浮上量を低減させる低浮上化技術と共に、高密度記
録化を実現する要素として有効となる。
【図1】本発明の実施形態に関係するディスク構造を示
す概念図。
す概念図。
【図2】本実施形態に関係する製造方法を説明するため
の工程図。
の工程図。
【図3】本実施形態に関係するディスク構造の部分的説
明図。
明図。
【図4】本実施形態に関係する製造装置の構成を示す概
念図
念図
1…基板(ディスク基板) 2…硬化層 3…記録磁性層(強磁性記録膜) 3a… 3b… 4…潤滑層 3a…ダイヤモンドライクカーボン層 3b…金属強磁性体 10…真空曹 11…基板ホルダ 12…電子銃 13…金属磁性体のインゴット 14…炭素製電極(カーボンイオンの発生源) 15…炭素製電極(高周波電界の供給源) 16…炭素製電極(加速エネルギーの供給源) 17…高周波電源 18…ロータリポンプ 19…クライオポンプ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01F 41/16 H01F 41/16
Claims (7)
- 【請求項1】 ハードディスク装置に適用されるディス
クであって、 非磁性材質からなる基板上に物理的蒸着法により設けら
れたダイヤモンドライクカーボンと金属強磁性体との混
合物からなる強磁性記録膜を有することを特徴とするデ
ィスク。 - 【請求項2】 前記金属強磁性体は、コバルト(C
o)、ニッケル(Ni)、コバルトとニッケルの合金
(Co−Ni)、コバルト,ニッケル,白金の合金(C
o−Ni−Pt)、およびコバルト,ニッケル,クロム
の合金(Co−Ni−Cr)のうちいずれかであること
を特徴とする請求項1記載のディスク。 - 【請求項3】 ハードディスク装置のディスク製造方法
において、 非磁性材質からなる基板上に物理的蒸着法によりダイヤ
モンドライクカーボン層を形成する工程と、 前記工程と同時に前記基板上に物理的蒸着法により強磁
性金属層を形成する工程とを有し、 前記ダイヤモンドライクカーボン層と前記強磁性金属層
との混合膜からなる強磁性記録膜を形成することを特徴
とするディスク製造方法。 - 【請求項4】 前記強磁性金属層を形成する工程は、真
空蒸着法、イオンスパッタリング法、イオンプレーティ
ング法のいずれかの物理的蒸着法を使用することを特徴
とする請求項3記載のディスク製造方法。 - 【請求項5】 前記強磁性金属層は、コバルト(C
o)、ニッケル(Ni)、コバルトとニッケルの合金
(Co−Ni)、コバルト,ニッケル,白金の合金(C
o−Ni−Pt)、およびコバルト,ニッケル,クロム
の合金(Co−Ni−Cr)のうちいずれかであること
を特徴とする請求項3記載のディスク製造方法。 - 【請求項6】 前記ダイヤモンドライクカーボン層を形
成する工程は、イオンビーム蒸着法、イオンビームスパ
ッタリング法、イオンプレーティング法のいずれかの物
理的蒸着法を使用することを特徴とする請求項3記載の
ディスク製造方法。 - 【請求項7】 ハードディスク装置のディスク製造方法
において、 所定の真空度の雰囲気中にディスク基板を用意する工程
と、 金属磁性体のインゴットを真空蒸着法により加熱、蒸発
させて、前記ディスク基板上に金属強磁性体膜を形成す
る工程と、 前記金属強磁性体膜を形成する工程と同時に、イオンビ
ーム蒸着法によりカーボンイオンを発生して、前記ディ
スク基板上にダイヤモンドライクカーボン層を形成する
工程とを有し、 前記ディスク基板上に前記ダイヤモンドライクカーボン
層の中に前記金属強磁性体膜が分散された構造の強磁性
記録膜を形成することを特徴とするディスク製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23991995A JPH0991651A (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | ハードディスク装置に適用されるディスク及びディスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23991995A JPH0991651A (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | ハードディスク装置に適用されるディスク及びディスク製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0991651A true JPH0991651A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17051806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23991995A Pending JPH0991651A (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | ハードディスク装置に適用されるディスク及びディスク製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0991651A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990018744A (ko) * | 1997-08-28 | 1999-03-15 | 윤종용 | 다이아몬드 정보 저장 디스크 및 정보 기록 및 재생 방법 |
-
1995
- 1995-09-19 JP JP23991995A patent/JPH0991651A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990018744A (ko) * | 1997-08-28 | 1999-03-15 | 윤종용 | 다이아몬드 정보 저장 디스크 및 정보 기록 및 재생 방법 |
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