JPH06251366A - 被膜形成方法及び形成装置 - Google Patents
被膜形成方法及び形成装置Info
- Publication number
- JPH06251366A JPH06251366A JP5347648A JP34764893A JPH06251366A JP H06251366 A JPH06251366 A JP H06251366A JP 5347648 A JP5347648 A JP 5347648A JP 34764893 A JP34764893 A JP 34764893A JP H06251366 A JPH06251366 A JP H06251366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- diamond
- forming
- magnetic layer
- vacuum container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】面内記録において等方な磁気特性を有し、高い
信頼性を持つ磁気記録媒体を量産可能にした。 【構成】磁気記録媒体における磁性層を形成する為の第
１の真空容器とダイヤモンド状炭素膜を形成する為の第
２の真空容器とを少なくとも含み、前記第１の真空容器
と第２の真空容器の動作圧力の差圧が１０-2〜１０-5To
rrの範囲内に設定されていることを特徴とする、高分子
基板材料に磁性層とダイヤモンド状炭素膜を連続的に積
層形成する。
信頼性を持つ磁気記録媒体を量産可能にした。 【構成】磁気記録媒体における磁性層を形成する為の第
１の真空容器とダイヤモンド状炭素膜を形成する為の第
２の真空容器とを少なくとも含み、前記第１の真空容器
と第２の真空容器の動作圧力の差圧が１０-2〜１０-5To
rrの範囲内に設定されていることを特徴とする、高分子
基板材料に磁性層とダイヤモンド状炭素膜を連続的に積
層形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高耐久性の高記録密度
を有する量産性に優れた磁気記録媒体を高分子基板材料
上に形成する製造装置に関するもので、その産業上の利
用分野は映像機器、及び情報機器分野等多岐にわたる。
を有する量産性に優れた磁気記録媒体を高分子基板材料
上に形成する製造装置に関するもので、その産業上の利
用分野は映像機器、及び情報機器分野等多岐にわたる。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体は高密度化の傾向に
あり、従来の磁気記録媒体の例としては、オーディオ，
ビデオ用テープ材料に用いられるγ−Ｆｅ2 Ｏ3 粉末，
ＣｒＯ粉末，純鉄粉末等を研磨材，バインダーと共に高
分子基板材料上に塗布した塗布型のものが使用されてき
たが、高密度化はもとより保持力，電磁変換特性等を改
良する目的で、真空蒸着法，メッキ法，イオンプレーテ
ィング法，スパッタ法等広義な意味でＰＶＤと称される
方法により、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ等の磁性金属が高
い生産性を有し、安定な金属薄膜型の磁性層として形成
されている。
あり、従来の磁気記録媒体の例としては、オーディオ，
ビデオ用テープ材料に用いられるγ−Ｆｅ2 Ｏ3 粉末，
ＣｒＯ粉末，純鉄粉末等を研磨材，バインダーと共に高
分子基板材料上に塗布した塗布型のものが使用されてき
たが、高密度化はもとより保持力，電磁変換特性等を改
良する目的で、真空蒸着法，メッキ法，イオンプレーテ
ィング法，スパッタ法等広義な意味でＰＶＤと称される
方法により、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ等の磁性金属が高
い生産性を有し、安定な金属薄膜型の磁性層として形成
されている。
【０００３】また、ダイヤモンド状炭素膜においても前
述の種々のＰＶＤ法あるいは、プラズマＣＶＤ法に代表
されるＣＶＤ法により形成されている。
述の種々のＰＶＤ法あるいは、プラズマＣＶＤ法に代表
されるＣＶＤ法により形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法及び装置で高い被膜形成速度を維持しつつ、良好な
界面特性及び表面特性を有する積層薄膜を得ることは、
大気開放工程等の問題、及び磁性層とダイヤモンド状炭
素膜の被膜形成速度が大きく異なる為、同期させること
が技術的に困難である等の理由により、新しい技術の開
発が急がれていた。
方法及び装置で高い被膜形成速度を維持しつつ、良好な
界面特性及び表面特性を有する積層薄膜を得ることは、
大気開放工程等の問題、及び磁性層とダイヤモンド状炭
素膜の被膜形成速度が大きく異なる為、同期させること
が技術的に困難である等の理由により、新しい技術の開
発が急がれていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の異なる
被膜形成工程による非連続的な方法を各工程間の動作圧
力の差圧を所望値に制御することにより、有機的かつ合
理的に連系，同期した被膜形成領域として区分しつつ一
体連結し、面内記録において等方な磁気特性を有し、高
い信頼性を持つ磁気記録媒体を量産可能にした。
被膜形成工程による非連続的な方法を各工程間の動作圧
力の差圧を所望値に制御することにより、有機的かつ合
理的に連系，同期した被膜形成領域として区分しつつ一
体連結し、面内記録において等方な磁気特性を有し、高
い信頼性を持つ磁気記録媒体を量産可能にした。
【０００６】
【作用】本発明によれば、複数の工程よりなる被膜形成
領域すなわち、真空容器の動作圧力を段階または傾斜さ
せることで、真空装置として正常かつ機能的に動作する
ことはもとより、被膜形成の立場からも非常に効率的な
方法で高い効果すなわち、界面特性，密着性，表面特性
等を持つ積層薄膜群の形成を実現できる。
領域すなわち、真空容器の動作圧力を段階または傾斜さ
せることで、真空装置として正常かつ機能的に動作する
ことはもとより、被膜形成の立場からも非常に効率的な
方法で高い効果すなわち、界面特性，密着性，表面特性
等を持つ積層薄膜群の形成を実現できる。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を図１乃至図４に基づいて説
明する。図１において、真空容器（１）１内の供給ロー
ル２から送られる高分子基板材料３はフリーローラガイ
ド４を経由して、円筒状キャン７に沿って矢印の向きに
走行する。
明する。図１において、真空容器（１）１内の供給ロー
ル２から送られる高分子基板材料３はフリーローラガイ
ド４を経由して、円筒状キャン７に沿って矢印の向きに
走行する。
【０００８】本実施例では、高分子基板材料３として幅
５０ｃｍ，厚さ６μｍのポリイミドフィルムを使用し
た。
５０ｃｍ，厚さ６μｍのポリイミドフィルムを使用し
た。
【０００９】蒸発源６から蒸発した金属原子は高分子基
板材料３上に堆積し、磁性層２１（図２参照）として
０．１５〜０．１８μｍの膜厚に形成される。
板材料３上に堆積し、磁性層２１（図２参照）として
０．１５〜０．１８μｍの膜厚に形成される。
【００１０】本実施例では、蒸発物質として、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｎｉ合金を用い、広範囲な走査が可能なピアス型電
子銃を用い、加速電圧を３５ＫＶ加え、５×１０-4Torr
の動作圧力で電子ビーム蒸着法により形成した。高分子
基板材料３の通過速度は１３５ｍ／min とした。なお、
遮へい板５は堆積領域を制限する為に設けられたもので
ある。
ｒ−Ｎｉ合金を用い、広範囲な走査が可能なピアス型電
子銃を用い、加速電圧を３５ＫＶ加え、５×１０-4Torr
の動作圧力で電子ビーム蒸着法により形成した。高分子
基板材料３の通過速度は１３５ｍ／min とした。なお、
遮へい板５は堆積領域を制限する為に設けられたもので
ある。
【００１１】円筒状キャン７と形成された磁性層２１と
の間には、フリーローラガイド４を介して、直流電源１
５によって電位差を設けることで、高分子基板材料３と
円筒状キャン７とは静電的に密着するよう８０Ｖの電圧
を印加した。磁性層２１が形成された高分子基板材料３
は、中間ロール８を経由して真空容器（２）９へ導か
れ、プラズマ活性化処理がなされる。
の間には、フリーローラガイド４を介して、直流電源１
５によって電位差を設けることで、高分子基板材料３と
円筒状キャン７とは静電的に密着するよう８０Ｖの電圧
を印加した。磁性層２１が形成された高分子基板材料３
は、中間ロール８を経由して真空容器（２）９へ導か
れ、プラズマ活性化処理がなされる。
【００１２】ここで、プラズマ活性化処理工程について
説明する。接地電極１０と高周波給電電極１１が平行に
３ｃｍの間隔で配設された電極間に原料ガス供給系１８
より水素ガスを導入し、排気系１９で排気しながら動作
圧力を１０-1〜１０-2Torrに制御し、１３．５６ＭＨｚ
の高周波を０．５Ｗ／cm2の電力密度で高周波電源系１
２から印加し、水素プラズマを形成し、このプラズマ領
域１６を高分子基板材料３が磁性層形成工程に同期した
速度で通過するようにした。
説明する。接地電極１０と高周波給電電極１１が平行に
３ｃｍの間隔で配設された電極間に原料ガス供給系１８
より水素ガスを導入し、排気系１９で排気しながら動作
圧力を１０-1〜１０-2Torrに制御し、１３．５６ＭＨｚ
の高周波を０．５Ｗ／cm2の電力密度で高周波電源系１
２から印加し、水素プラズマを形成し、このプラズマ領
域１６を高分子基板材料３が磁性層形成工程に同期した
速度で通過するようにした。
【００１３】この工程を施すことで、磁性層２１表面が
活性な水素ラジカルあるいは、水素イオンにさらされる
ことで、適度に清浄化されることはもとより、磁性層２
１表面の活性化が促進される。同様な効果がアルゴンガ
ス及びアルゴンと水素の混合ガスについても確認でき
た。尚、真空容器（２）９とバッファー室２０を隔てる
壁に開けられた高分子基板材料３が通過するべき隙間の
大きさは前記真空容器（２）９で生成するプラズマ１６
のデバイ距離もしくは該プラズマ領域１６の圧力におけ
る平均自由行程より小さくするとよい。そうするとプラ
ズマがバッファー室２０に漏れだすことがなくなる。
活性な水素ラジカルあるいは、水素イオンにさらされる
ことで、適度に清浄化されることはもとより、磁性層２
１表面の活性化が促進される。同様な効果がアルゴンガ
ス及びアルゴンと水素の混合ガスについても確認でき
た。尚、真空容器（２）９とバッファー室２０を隔てる
壁に開けられた高分子基板材料３が通過するべき隙間の
大きさは前記真空容器（２）９で生成するプラズマ１６
のデバイ距離もしくは該プラズマ領域１６の圧力におけ
る平均自由行程より小さくするとよい。そうするとプラ
ズマがバッファー室２０に漏れだすことがなくなる。
【００１４】更に本発明におけるダイヤモンド状炭素膜
２２の形成領域である真空容器（３）１３について説明
する。フリーローラガイド４を介して導かれた磁性層２
１が堆積された高分子基板材料３は、シートビーム型プ
ラズマ領域１７を通過する過程で良質のダイヤモンド状
炭素膜２２が形成される。
２２の形成領域である真空容器（３）１３について説明
する。フリーローラガイド４を介して導かれた磁性層２
１が堆積された高分子基板材料３は、シートビーム型プ
ラズマ領域１７を通過する過程で良質のダイヤモンド状
炭素膜２２が形成される。
【００１５】ここで、シートビーム型プラズマ領域１７
を発生させる手段について具体的な条件の一例を示す。
を発生させる手段について具体的な条件の一例を示す。
【００１６】接地電極１０と高周波給電電極１１が平行
に１ｃｍの間隔で精度よく配設された電極間に炭素ソー
スとしてエチレンガスを用い、動作圧力を１Torrに制御
した。さらに接地電極１０を中空構造とし、原料ガスの
吹き出し部の寸法を幅０．５〜１．０ｃｍ，長さ６０ｃ
ｍのスリット状に高精度に加工したものとし、高周波電
源系１２より３Ｗ／ｃｍ2 の電力密度の高周波を印加す
ることにより、局部的に線状の高輝度発光プラズマ領域
が発生し、前述の２つの工程と連動した通過速度で２０
０Åの膜厚のダイヤモンドで形成され、巻取りロール１
４を介して回収した。ここで、高分子基板材料３は、高
周波給電電極１１上を走行することが重要となる。
に１ｃｍの間隔で精度よく配設された電極間に炭素ソー
スとしてエチレンガスを用い、動作圧力を１Torrに制御
した。さらに接地電極１０を中空構造とし、原料ガスの
吹き出し部の寸法を幅０．５〜１．０ｃｍ，長さ６０ｃ
ｍのスリット状に高精度に加工したものとし、高周波電
源系１２より３Ｗ／ｃｍ2 の電力密度の高周波を印加す
ることにより、局部的に線状の高輝度発光プラズマ領域
が発生し、前述の２つの工程と連動した通過速度で２０
０Åの膜厚のダイヤモンドで形成され、巻取りロール１
４を介して回収した。ここで、高分子基板材料３は、高
周波給電電極１１上を走行することが重要となる。
【００１７】これは、被膜形成基板上、すなわち高分子
基板材料３にダイヤモンド状炭素膜２２を形成する場
合、被形成面を有する基板を設けた高周波給電電極１１
の近傍において、プラズマ中の分子，原子，正負イオ
ン，電子，ラジカル等の内、移動度，質量等の差から電
子が高周波給電電極１１はもとより、被形成面の表面に
蓄積されることによって生じる自己バイアスとプラズマ
電位（プラズマポテンシャル）との間に生成する電界に
より加速された正イオンが形成中のダイヤモンド状炭素
膜に衝突することで、物理的，化学的反応を促進させ、
Ｃ＝Ｃのような二重結合を有する炭素の割合を減らし
て、Ｃ−Ｃ結合を有する炭素の割合を増やすことにより
被膜の高品質が得られる。
基板材料３にダイヤモンド状炭素膜２２を形成する場
合、被形成面を有する基板を設けた高周波給電電極１１
の近傍において、プラズマ中の分子，原子，正負イオ
ン，電子，ラジカル等の内、移動度，質量等の差から電
子が高周波給電電極１１はもとより、被形成面の表面に
蓄積されることによって生じる自己バイアスとプラズマ
電位（プラズマポテンシャル）との間に生成する電界に
より加速された正イオンが形成中のダイヤモンド状炭素
膜に衝突することで、物理的，化学的反応を促進させ、
Ｃ＝Ｃのような二重結合を有する炭素の割合を減らし
て、Ｃ−Ｃ結合を有する炭素の割合を増やすことにより
被膜の高品質が得られる。
【００１８】さらにまた、高分子基板材料３を所定の速
度で高周波給電電極１１上を走行させることにより、被
膜形成基板が固定、すなわち静的な形成法でかつ高速で
形成する場合に見られるような被膜形成基板の熱的ダメ
ージの問題を解消し得る。
度で高周波給電電極１１上を走行させることにより、被
膜形成基板が固定、すなわち静的な形成法でかつ高速で
形成する場合に見られるような被膜形成基板の熱的ダメ
ージの問題を解消し得る。
【００１９】図２は、以上の被膜形成工程で作製された
磁気記録媒体の断面図を示し、磁性層２１とダイヤモン
ド状炭素膜２２の界面特性を著しく向上させることがで
きた。
磁気記録媒体の断面図を示し、磁性層２１とダイヤモン
ド状炭素膜２２の界面特性を著しく向上させることがで
きた。
【００２０】図３は、本発明の実施例で得たダイヤモン
ド状炭素膜２２のラマンスペクトルを示し、高速で堆積
したにもかかわらず、良質な膜質であることを示してい
る。
ド状炭素膜２２のラマンスペクトルを示し、高速で堆積
したにもかかわらず、良質な膜質であることを示してい
る。
【００２１】本発明を実施するにあたり、磁性層２１の
形成前の処理としては、必要に応じイオン及び電子等の
照射、あるいは加熱等公知の技術を用いて行うことがで
きる。また基板として、例えば、本実施例ではポリイミ
ドフィルムを用いたが、金属樹脂，プラスチック等をロ
ール状あるいは板状にしてもよい。
形成前の処理としては、必要に応じイオン及び電子等の
照射、あるいは加熱等公知の技術を用いて行うことがで
きる。また基板として、例えば、本実施例ではポリイミ
ドフィルムを用いたが、金属樹脂，プラスチック等をロ
ール状あるいは板状にしてもよい。
【００２２】図４は、再生出力のダイヤモンド状炭素膜
２２の膜厚依存性を記録周波数をかえて評価した結果
で、ダイヤモンド状炭素膜２２の膜厚が２００Åを超え
る領域で再生出力が飽和し、表面の平滑性の重要性を示
唆している。
２２の膜厚依存性を記録周波数をかえて評価した結果
で、ダイヤモンド状炭素膜２２の膜厚が２００Åを超え
る領域で再生出力が飽和し、表面の平滑性の重要性を示
唆している。
【００２３】さらに、作製した磁気記録媒体を８ｍｍ幅
のテープ状にカットし、市販の８ｍｍビデオデッキを用
い、再生出力及び耐久性の評価を行ったところダイヤモ
ンド状炭素膜の２２の膜厚が２００Å以上のものでは、
走行安定性，スチル耐久性の優れたドロップアップの少
ない安定な再生出力が得られた。
のテープ状にカットし、市販の８ｍｍビデオデッキを用
い、再生出力及び耐久性の評価を行ったところダイヤモ
ンド状炭素膜の２２の膜厚が２００Å以上のものでは、
走行安定性，スチル耐久性の優れたドロップアップの少
ない安定な再生出力が得られた。
【００２４】また、正規の再生動作の他に特殊な再生動
作の連続，断続試験においても優れた耐久性を示すこと
が確認できた。
作の連続，断続試験においても優れた耐久性を示すこと
が確認できた。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明の
製造装置で作製された磁気記録媒体は、磁性層２１とダ
イヤモンド状炭素膜２２の界面特性，密着性が改善され
た。更に大気にさらすことを避けるだけでは、磁性層２
１表面に生成される低級酸化物は本質的に除去できない
が、本発明によるプラズマ活性化処理が効果的であるこ
とも確認した。
製造装置で作製された磁気記録媒体は、磁性層２１とダ
イヤモンド状炭素膜２２の界面特性，密着性が改善され
た。更に大気にさらすことを避けるだけでは、磁性層２
１表面に生成される低級酸化物は本質的に除去できない
が、本発明によるプラズマ活性化処理が効果的であるこ
とも確認した。
【００２６】また、ダイヤモンド状炭素膜２２の表面特
性すなわち、耐摩耗性、高平滑性，硬度等が著しく向上
し、産業的にも十分価値のある磁気記録媒体の製造を可
能とし、従来問題とされていた連続形成上の律則点も回
避することができた。
性すなわち、耐摩耗性、高平滑性，硬度等が著しく向上
し、産業的にも十分価値のある磁気記録媒体の製造を可
能とし、従来問題とされていた連続形成上の律則点も回
避することができた。
【図１】本発明の実施例における磁気記録媒体製造装置
の内部構造の概略を示す断面図
の内部構造の概略を示す断面図
【図２】本発明の実施例で得た磁気記録媒体の断面図
【図３】本発明の実施例で得た磁気記録媒体におけるダ
イヤモンド状炭素膜のラマンスペクトルを示す。
イヤモンド状炭素膜のラマンスペクトルを示す。
【図４】本発明の実施例で得た磁気記録媒体の再生出力
のダイヤモンド状炭素膜の膜厚依存性を示すデータであ
る。
のダイヤモンド状炭素膜の膜厚依存性を示すデータであ
る。
１・・・真空容器（１） ２・・・供給ロール ３・・・高分子基板材料 ４・・・フリーローラガイド ５・・・遮へい板 ６・・・蒸発源 ７・・・円筒状キャン ８・・・中間ロール ９・・・真空容器（２） １０・・接地電極 １１・・高周波給電電極 １２・・高周波電源系 １３・・真空容器（３） １４・・巻取りロール １５・・直流電源 １６・・プラズマ領域 １７・・シートビーム型プラズマ領域 １８・・原料ガス供給系 １９・・排気系 ２０・・バッファー室
Claims (5)
- 【請求項１】 磁性層を形成する為の第１の真空容器と
ダイヤモンド状炭素膜を形成する為の第２の真空容器と
を少なくとも含み、前記第１の真空容器と第２の真空容
器の動作圧力の差圧が１０-2〜１０-5Torrの範囲内に設
定されていることを特徴とする、基体に磁性層とダイヤ
モンド状炭素膜を連続的に積層形成するための被膜形成
装置。 - 【請求項２】 請求項１において、第１の真空容器と第
２の真空容器の間にプラズマ活性化処理を行う為の第３
の真空容器を設けたことを特徴とする被膜形成装置。 - 【請求項３】 請求項１において、第２の真空容器内に
シートビーム形のプラズマ領域発生手段を具備したこと
を特徴とする被膜形成装置。 - 【請求項４】 ロール状に巻かれた有機樹脂のフィルム
を送り出しロールに設置し、該フィルムを適当なガイド
ロールを介して巻取りロールに送り出し、巻取りロール
を回転してフィルムを巻き取るロールツゥロール式フィ
ルム処理装置を用いて、前記フィルムにダイヤモンド状
炭素膜を形成する被膜形成方法において前記ダイヤモン
ド状炭素膜はシートビーム形のプラズマ領域発生手段を
用いて形成されたことを特徴とする被膜形成方法。 - 【請求項５】 請求項４において、前記フィルムは磁性
層を有し、該磁性層表面にシートビーム形のプラズマ領
域発生手段を用いてダイヤモンド状炭素膜を形成するこ
とを特徴とする被膜形成装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347648A JP2987406B2 (ja) | 1992-12-28 | 1993-12-24 | 被膜形成方法及び形成装置 |
| KR93031750A KR960014698B1 (en) | 1992-12-28 | 1993-12-28 | Method & system for forming film |
| US08/604,713 US6001431A (en) | 1992-12-28 | 1996-02-21 | Process for fabricating a magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-360194 | 1992-12-28 | ||
| JP36019492 | 1992-12-28 | ||
| JP5347648A JP2987406B2 (ja) | 1992-12-28 | 1993-12-24 | 被膜形成方法及び形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251366A true JPH06251366A (ja) | 1994-09-09 |
| JP2987406B2 JP2987406B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=26578577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5347648A Expired - Fee Related JP2987406B2 (ja) | 1992-12-28 | 1993-12-24 | 被膜形成方法及び形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2987406B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002133650A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Anelva Corp | 磁気記録ディスク用成膜装置 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5347648A patent/JP2987406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002133650A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Anelva Corp | 磁気記録ディスク用成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2987406B2 (ja) | 1999-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2563425B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2987406B2 (ja) | 被膜形成方法及び形成装置 | |
| JPS5836413B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法およびその製造装置 | |
| JPH0489627A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH01166333A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH01105326A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH03116523A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6297133A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH11161947A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2520083B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10310869A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体の製造装置 | |
| JP2883334B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0685206B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH01105329A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6236285B2 (ja) | ||
| JPH02240829A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2002030446A (ja) | 成膜方法、成膜装置、磁気テープの製造方法及びその装置 | |
| JPH02116026A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH03116526A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07238376A (ja) | 金属系薄膜体の製造方法及びその装置 | |
| JPH01107319A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60237626A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH06124439A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07114731A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02126422A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |