JPH01105329A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒
体の製造方法に関するものである。

従来の技術 近年、磁気記録媒体は高密度化の要求の高まりと共に、
強磁性金属薄膜を磁気記録層とするテープ状、ディスク
状のものに移行していく傾向にある。かかる形態の磁気
記録媒体の製造方法は、磁気記録層を高分子フィルム上
に電子ビーム蒸着法により形成し、保護潤滑層を溶液塗
布法、真空蒸着法、プラズマ応用技術等によシ、磁気記
録層上に形成し、必要に応じてバック層を塗布し、所定
２１＼−７ の形状に加工するのが一般的である。

特に塗布型の磁性層と異なシ、磁性層中に滑剤を含ませ
ることができないので、強磁性金属薄膜の耐摩耗性、走
行性を改善し、酸化等の経時変化を小さくするための表
面処理は重要である。

そのため、塗布に用いる有機溶媒としてのフレオン、メ
チルエチルケトン、３−メチルへキサン等の高純度化を
はかる方法や、塗布前にコロナ処理を行うなどの工夫が
されている〔例えば、特開昭５９−１１３５２７号公報
〕。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記方法で得られる磁気記録媒体は、短波
長記録再生に於て十分な０７Ｎ　　を得るために合金系
ヘッドを用いたときの記録再生のくり返し耐久性におい
て、十分な性能を大面積に渡って均一に得ることができ
ず、改良が望まれている。

本発明は、上記した事情に鑑みなされたもので、くり返
し耐久性や経時安定性の良好な磁気記録媒体を大量に製
造するのに適した製造方法を提供することを目的とする
ものである。

３／、−ッ 問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するために本発明の磁気記録媒体の製
造方法は、高分子フィルムの上に斜め蒸着法で形成した
強磁性金属薄膜をモノマーガス雰囲気にさらした後、通
電処理するようにしたものである。

作用 上記製造方法によれば、斜め蒸着法で形成される柱状結
晶微粒子の隙間に十分モノマーガスが浸透した上で通電
処理を行う。すると柱状結晶微粒子の酸化被膜の不十分
な部位に電流が集中して流れ、その部位に重合膜が形成
される。その結果、重合膜が柱状結晶微粒子を保護する
ようになるので、くり返し耐久性、経時安定性の両方共
が改善されるのである。

実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の製造方法によって得られる磁
気記録媒体の拡大断面図である。

第１図において、１はポリエチレンテレフタレート、ポ
リフェニレンサルファイド、ポリサルフォン等の高分子
フィルム、２　ｉｄ　５ｉ０２　＋　Ａｌ２Ｏ３＋Ｅｕ
２Ｏ３等の微粒子を高密度に配した微粒子塗布層、３は
斜め蒸着法によシ形成されたＣｏ、Ｇｏ−Ｆｅ。

Ｃｏ−Ｎｉ　、　Ｇｏ　−０、Ｇｏ−Ｏｒ　、　Ｃｏ−
Ｔｉ　、　Ｃｏ−Ｎｉ−０等の強磁性金属薄膜を構成す
る柱状微粒子、４はモノマーガスを吸着させた後に通電
処理によって形成した重合層である。この重合層は通電
処理によって電気エネルギーがモノマーガスに与えられ
、その結果形成されるものである。

第２図は本発明を実施するのに用いた処理装置の構成を
示す略断面図である。第２図において、５は処理基板で
、高分子フィルム上に斜め蒸着膜が配された状態のもの
をさす。６は巻出し軸、７は巻取シ軸、８は真空容器、
９はモノマー含浸室、１ｏは通電処理室、１１はフリー
ローラー、１２は通電ローラ、１３はモノマー導入ポー
ト、１４は可変ンーク弁、１５はスリットである。なお
、モノマー含浸室９１通電処理室１ｏの真空排気系は図
から省いである。

５　ヘーノ モノマーガスは、炭化水素化、フッ素含有化合物、シリ
コーン系等から適宜選択し、好ましくはアルゴンガス等
のキャリアーガスを用いずに導入するのが効果を高める
。作用時間をとるのに、ローラ配置を工夫し、モノマー
ガスが斜め蒸着の柱状微粒子間のすき間に十分含浸され
るようにする他に、フリーローラーに超音波振動を加え
たシ、あるいはフリーローラーの曲率を小さくするなど
の構成の設定は適宜その目的に応じて選択しうるもので
ある。通電処理についても電極ローラ数１、電流のタイ
プ即ち直流か高周波か等についても適宜選択すればよい
。

以下、更に具体的に実施した結果得られた磁気記録媒体
について説明する。

あらかじめ厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム上に直径１００人のＥｕ２Ｏ３微粒子を１ｏ／
（μｍ　）　２配し、更にその上に直径１ｍの円筒キャ
ンに沿わせて最小入射角４８度、酸素分圧５ｘ１ｏ−５
（Ｔｏｒｒ）の条件でＣｏ−Ｎ１（Ｃｏ：ａｏｗｔ％）
を０．１５μｍ電子ビーム蒸着して得た処理基板を用い
、メタンガスをあらかじめ１ｏ−４（Ｔｏｒｒ）まで排
気したモノマー含浸室９に導入し、圧力１．５　（Ｔｏ
ｒｒ　）で１２秒間、その雰囲気中に処理基板がさらさ
れるようにした。その後スリットを通して通電処理室１
０に処理基板を導いて、１Ｏ−２（Ｔｏｒｒ）で、１２
　（Ｋ）ｌｚ）の高周波電流を１２０（μ入／−）の電
流密度で通電処理した後、６０’Ｃで３日間エージング
処理した後、溶液塗布法にて処理基板上にパーフロロオ
クタン酸を約５０人塗布し、８ミリ幅の磁気テープとし
た。通電処理は、１ｏ　（ＫＨｚ’：ｌから５０（ＭＨ
ｚ）の高周波電流であれば、柱状結晶の表層を効率よく
流れるために処理時間が短かくなるものであシ、それ以
下の周波数では処理できないというものではない。

比較例は、本発明による実施例と同様の処理基板を用い
、メタンガスｏ、　１（Ｔｏｒｒ　）　で、１３．５６
（Ｍｌ−１７）　、　１．０５（ＫＷ　）のグロー放電
によシプラズマ重合膜を２００人形成し更にその上にパ
ーフロロオクタン酸を約５０人塗布蒸着して得た８ミリ
幅の磁気テープである。この両者を用い８ミリビ７ヘー
ジ デオデツキを改造し、キャリア周波数を２　（ＭＨｚ　
）高め広帯域化した時のＣ／Ｎ比較を行った。

初期的には比較例に対し実施例はＣ／Ｎで３．１（ｄＢ
）良好であった。又３００回のくシ返し使用でも実施例
のＣ／Ｎ低下は１（ｄＢ）以内であった。

６０°Ｃ９０％ＲＨに１ケ月放置後のＣ／Ｎは実施例が
初期値に対して−０，５〜−１，ｏ（ｄＢ）程度の低下
だったのに比べ、比較例は−１，２〜−２，３（ｄＢ）
とＣ／Ｎの絶対値も低く、変化も大きかった。

発明の効果 本発明によれば、斜め蒸着により形成された柱状結晶微
粒子の隙間にモノマーガスを浸透させた上で通電処理す
ることによシ、電流集中のおこる酸化被膜の不十分な部
位に重合保護膜が形成されることによシ、Ｃ／Ｎが良好
で経時安定性も良好な磁気記録媒体が製造できるといっ
たすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によって得られる磁気記録媒体の一例を
示す拡大断面図、第２図は本発明を実施するのに用いら
れる製造装置の構成を示す略断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、３・・・・・・柱状微
粒子、４・・・・・・重合層、６・・・・・処理基板、
１２・・・・・通電ローラ、１３・・・・・モノマーガ
ス導入ポート。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 斜め蒸着法で得られた強磁性金属薄膜をモノマーガス雰
   囲気にさらした後、通電処理することを特徴とする磁気
   記録媒体の製造方法。