JPH0833994B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0833994B2 JPH0833994B2 JP1087615A JP8761589A JPH0833994B2 JP H0833994 B2 JPH0833994 B2 JP H0833994B2 JP 1087615 A JP1087615 A JP 1087615A JP 8761589 A JP8761589 A JP 8761589A JP H0833994 B2 JPH0833994 B2 JP H0833994B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8408—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers protecting the magnetic layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/727—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、強磁性金属薄膜型磁気記録媒体に関し、特
に磁性層形成後に実用性能向上のため設ける保護層およ
びトップコート層の欠陥を大幅に減少せしめる磁気記録
媒体の製造方法に関するものである。
に磁性層形成後に実用性能向上のため設ける保護層およ
びトップコート層の欠陥を大幅に減少せしめる磁気記録
媒体の製造方法に関するものである。
従来の技術 Co,Ni,Feまたはそれらを主成分とする合金を、真空蒸
着法，スパッタリング法，イオンプレーティング等の真
空中での成膜法により、ポリイミドフィルム等の高分子
フィルムや非磁性金属などからなる基板上に形成した強
磁性金属薄膜型磁気記録媒体は、従来の塗布型磁気記録
媒体に比して記録密度を飛躍的に向上せしめることが可
能である。
着法，スパッタリング法，イオンプレーティング等の真
空中での成膜法により、ポリイミドフィルム等の高分子
フィルムや非磁性金属などからなる基板上に形成した強
磁性金属薄膜型磁気記録媒体は、従来の塗布型磁気記録
媒体に比して記録密度を飛躍的に向上せしめることが可
能である。
ところで、この高記録密度化のための条件としては、
記録再生欠陥を極力減少させるとともに、磁気ヘッド磁
気記録媒体間のスペーシングロスを極力減少せしめるこ
とが重要である。また磁気記録としては耐久性をも兼ね
備えていることが必要である。従来これらの条件を満足
するために磁性層形成後に保護層を形成しさらにトップ
コート層として滑剤層を設けることが知られている。
記録再生欠陥を極力減少させるとともに、磁気ヘッド磁
気記録媒体間のスペーシングロスを極力減少せしめるこ
とが重要である。また磁気記録としては耐久性をも兼ね
備えていることが必要である。従来これらの条件を満足
するために磁性層形成後に保護層を形成しさらにトップ
コート層として滑剤層を設けることが知られている。
第６図は従来のプラズマCVD法による保護膜と湿式塗
布法による滑剤層を形成した磁気記録媒体の断面を示し
１は基板、２は真空成膜法により形成された強磁性体金
属薄膜層、３はバックコーティング層、４はプラズマCV
D法により形成された保護層、５は湿式塗布法により形
成された滑剤層である。
布法による滑剤層を形成した磁気記録媒体の断面を示し
１は基板、２は真空成膜法により形成された強磁性体金
属薄膜層、３はバックコーティング層、４はプラズマCV
D法により形成された保護層、５は湿式塗布法により形
成された滑剤層である。
以下第６図および第７図を参照しながら、上述した従
来の磁気記録媒体の製造方法の一例を説明する。
来の磁気記録媒体の製造方法の一例を説明する。
まず第７図に基づいて、従来のプラズマCVD法による
保護層４を付与する装置について説明する。10aは保護
層４形成前の磁気記録媒体で繰り出しローラ11に巻かれ
ている。12,14はパスローラであり磁気記録媒体10の強
磁性薄膜層２と接触し回転している。13は装置本体と絶
縁されたメインローラで、前記強磁性金属薄膜層２との
間に電圧を印加し、密着させながら搬送するものであ
る。15は巻きとりローラで、保護層４を形成済の磁気記
録媒体10bを連続的に巻き取っている。16はプラズマ発
生用ノズル、17は電極、18はガス導入口、19はプラズマ
用電源であり、これら各種構成要素16〜19で保護層形成
のための処理ユニットを形成する。40はバイアス用電源
でありメインローラ13と磁気記録媒体10の強磁性金属薄
膜層２間に電圧を印加しており、プラズマ用電源19とと
もに真空槽外に設けられている。
保護層４を付与する装置について説明する。10aは保護
層４形成前の磁気記録媒体で繰り出しローラ11に巻かれ
ている。12,14はパスローラであり磁気記録媒体10の強
磁性薄膜層２と接触し回転している。13は装置本体と絶
縁されたメインローラで、前記強磁性金属薄膜層２との
間に電圧を印加し、密着させながら搬送するものであ
る。15は巻きとりローラで、保護層４を形成済の磁気記
録媒体10bを連続的に巻き取っている。16はプラズマ発
生用ノズル、17は電極、18はガス導入口、19はプラズマ
用電源であり、これら各種構成要素16〜19で保護層形成
のための処理ユニットを形成する。40はバイアス用電源
でありメインローラ13と磁気記録媒体10の強磁性金属薄
膜層２間に電圧を印加しており、プラズマ用電源19とと
もに真空槽外に設けられている。
続いて以上のように構成された装置を用いた従来のプ
ラズマCVD法による磁気記録媒体の製造方法について説
明する。
ラズマCVD法による磁気記録媒体の製造方法について説
明する。
繰り出しローラ11から繰り出された保護層４形成前の
磁気記録媒体10aは、パスローラ12を経たのち、メイン
ローラ13と強磁性金属薄膜層２の間に電圧を印加された
状態で、メインローラ13に密着して連続的に送られる。
一方保護層形成用のプラズマのイオン電流がガス導入口
18からの反応ガスとプラズマ用電源19からの印加電圧に
より発生し、プラズマ用ノズル16より送られ磁気記録媒
体10aの強磁性金属薄膜層２に到達し、保護層４が形成
される。そしてこの保護層４が形成された磁気記録媒体
10bは、パスローラ14を経て、巻き取りローラ15に巻き
とられていく。上記方法により保護層４の形成された磁
気記録媒体は、プラズマCVD装置より一たん、装脱され
滑剤層が形成される。
磁気記録媒体10aは、パスローラ12を経たのち、メイン
ローラ13と強磁性金属薄膜層２の間に電圧を印加された
状態で、メインローラ13に密着して連続的に送られる。
一方保護層形成用のプラズマのイオン電流がガス導入口
18からの反応ガスとプラズマ用電源19からの印加電圧に
より発生し、プラズマ用ノズル16より送られ磁気記録媒
体10aの強磁性金属薄膜層２に到達し、保護層４が形成
される。そしてこの保護層４が形成された磁気記録媒体
10bは、パスローラ14を経て、巻き取りローラ15に巻き
とられていく。上記方法により保護層４の形成された磁
気記録媒体は、プラズマCVD装置より一たん、装脱され
滑剤層が形成される。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の方法では、保護層４と滑剤層
５との結合力が弱く、ビデオテープレコーダでの再生時
に滑剤層５がヘッド等によりかき取られ、滑剤としての
役割がなくなり、出力変動を起こすのみならずヘッドの
目づまりをも発生させ、磁気記録媒体として重大な欠陥
を有することとなる。
５との結合力が弱く、ビデオテープレコーダでの再生時
に滑剤層５がヘッド等によりかき取られ、滑剤としての
役割がなくなり、出力変動を起こすのみならずヘッドの
目づまりをも発生させ、磁気記録媒体として重大な欠陥
を有することとなる。
本発明は上記課題に鑑み、保護層形成後の滑剤層形成
時に保護層と滑剤が強固に結合し、滑剤としての効果を
最大限に生かすため、保護層形成後、滑剤層形成前に滑
剤との結合力を強化させる処理を行うことにより、ビデ
オテープレコーダでの再生時にヘッドによるかき取りを
低減させ、出力変動，ヘッド目づまりの大巾な低減した
磁気記録媒体を提供しようとするものである。
時に保護層と滑剤が強固に結合し、滑剤としての効果を
最大限に生かすため、保護層形成後、滑剤層形成前に滑
剤との結合力を強化させる処理を行うことにより、ビデ
オテープレコーダでの再生時にヘッドによるかき取りを
低減させ、出力変動，ヘッド目づまりの大巾な低減した
磁気記録媒体を提供しようとするものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の磁気記録媒体の製
造方法は非磁性基板上に強磁性金属薄膜層を形成した磁
気記録媒体を一定方向に走行させつつ、プラズマの拡散
を防止するノズルを設けたプラズマCVD法により前記金
属薄膜上に保護層としてダイヤモンド状炭素膜を形成
し、その直後に真空中処理法にて、前記ダイヤモンド状
炭素膜上に酸化層を連続的に形成し、後から滑剤層を設
けることを特徴とする。
造方法は非磁性基板上に強磁性金属薄膜層を形成した磁
気記録媒体を一定方向に走行させつつ、プラズマの拡散
を防止するノズルを設けたプラズマCVD法により前記金
属薄膜上に保護層としてダイヤモンド状炭素膜を形成
し、その直後に真空中処理法にて、前記ダイヤモンド状
炭素膜上に酸化層を連続的に形成し、後から滑剤層を設
けることを特徴とする。
酸化層を形成せる方法が、酸素あるいは酸素を含む材
料を反応ガスとして、前記反応ガスとプラズマの拡散を
防止するノズルを設けたプラズマ放電法を用いること、
あるいは前記反応ガスと熱源からの放射熱の拡散を防止
するノズルを設け、前記ノズル内に設けたハロゲンラン
プあるいは赤外線ヒータを用いることを特徴とする。
料を反応ガスとして、前記反応ガスとプラズマの拡散を
防止するノズルを設けたプラズマ放電法を用いること、
あるいは前記反応ガスと熱源からの放射熱の拡散を防止
するノズルを設け、前記ノズル内に設けたハロゲンラン
プあるいは赤外線ヒータを用いることを特徴とする。
ダイヤモンド状炭素膜および酸化層の形成を磁気記録
媒体を支持する同一のローラ上で行うことを特徴とす
る。
媒体を支持する同一のローラ上で行うことを特徴とす
る。
滑剤層に用いる滑剤が官能基を有することを特徴とす
る。
る。
作用 本発明によれば、強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の強
磁性金属薄膜上に、反応ガスおよびプラズマの拡散を防
止するノズルを設けたプラズマCVD法で、保護膜として
ダイヤモンド状炭素膜を設けることにより極めて清浄
で、高い硬度で、かつ化学的に安定した保護膜が得られ
る。
磁性金属薄膜上に、反応ガスおよびプラズマの拡散を防
止するノズルを設けたプラズマCVD法で、保護膜として
ダイヤモンド状炭素膜を設けることにより極めて清浄
で、高い硬度で、かつ化学的に安定した保護膜が得られ
る。
さらに前記ダイヤモンド状炭素膜形成直後に連続し
て、同一ローラ上で、前記ダイヤモンド状炭素膜上に反
応ガスおよびプラズマあるいは熱源からの輻射熱の拡散
を防止するノズルを設けたプラズマ放電法あるいは加熱
法で酸化層を形成することにより、前記ダイヤモンド状
炭素膜形成時にわずかに残留した表面の汚染物が、初期
のスパッタリングによるクリーニング効果で除去活性化
され、続いて反応ガス中の酸素あるいは酸素を含む材料
がプラズマあるいは加熱によりイオン化あるいは分解さ
れ、前記ダイヤモンド状炭素膜の炭素あるいは水素と結
合した酸化層が形成される。前記酸化層は、形成前後に
おいて反応ガスおよびプラズマ等による汚染が最小限に
抑えられるため、前記ダイヤモンド上炭素膜上に、後か
ら設けられる滑剤層と前記酸化層を介して強固に結合し
た滑剤層を得ることができる。
て、同一ローラ上で、前記ダイヤモンド状炭素膜上に反
応ガスおよびプラズマあるいは熱源からの輻射熱の拡散
を防止するノズルを設けたプラズマ放電法あるいは加熱
法で酸化層を形成することにより、前記ダイヤモンド状
炭素膜形成時にわずかに残留した表面の汚染物が、初期
のスパッタリングによるクリーニング効果で除去活性化
され、続いて反応ガス中の酸素あるいは酸素を含む材料
がプラズマあるいは加熱によりイオン化あるいは分解さ
れ、前記ダイヤモンド状炭素膜の炭素あるいは水素と結
合した酸化層が形成される。前記酸化層は、形成前後に
おいて反応ガスおよびプラズマ等による汚染が最小限に
抑えられるため、前記ダイヤモンド上炭素膜上に、後か
ら設けられる滑剤層と前記酸化層を介して強固に結合し
た滑剤層を得ることができる。
従って、ビデオテープレコーダでの実用信頼性とし
て、磁気ヘッドでの滑剤層の掻き取りが大幅に低減し、
ヘッド目づまりおよび出力変動の大幅な低減という大き
な効果が、さらにはスチル耐久性の向上という効果も得
られる。
て、磁気ヘッドでの滑剤層の掻き取りが大幅に低減し、
ヘッド目づまりおよび出力変動の大幅な低減という大き
な効果が、さらにはスチル耐久性の向上という効果も得
られる。
実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１実施例における装置構成の概要
を示す。本実施例で製造する磁気記録媒体20の基本構造
を第３図に示す。３〜20μｍのPETフィルムを基板１と
し表面に0.1〜0.2μｍのCo−Ni合金の斜方蒸着により強
磁性金属薄膜層２を形成し走行性改善のため、裏面に樹
脂とカーボンの混合体からなるバックコーティング層３
を形成した磁気記録媒体20であり前記強磁性金属薄膜層
２上に、ダイヤモンド状炭素膜４酸化層4aおよび滑剤層
５が形成される。
を示す。本実施例で製造する磁気記録媒体20の基本構造
を第３図に示す。３〜20μｍのPETフィルムを基板１と
し表面に0.1〜0.2μｍのCo−Ni合金の斜方蒸着により強
磁性金属薄膜層２を形成し走行性改善のため、裏面に樹
脂とカーボンの混合体からなるバックコーティング層３
を形成した磁気記録媒体20であり前記強磁性金属薄膜層
２上に、ダイヤモンド状炭素膜４酸化層4aおよび滑剤層
５が形成される。
第１図において20aはダイヤモンド状炭素膜４および
酸化層4a形成前の磁気記録媒体であり、繰り出しローラ
21に巻かれるとともにこの繰り出しローラ21からその張
力が500mm幅換算で0.5〜20Kgfに制御され送り出されて
いる。22,24はパスローラであり、磁気記録媒体20と密
着して回転する。23はメインローラであり、表面に誘電
体膜が設けられている。また前記ローラ23はその本体へ
バイアス電源30よりDC−0.05〜3KVの電圧が印加される
一方、磁気記録媒体20を一定速度（0.1〜200m/分）で搬
送するよう回転制御されている。25はダイヤモンド状炭
素膜４および酸化層4a形成後の磁気記録媒体20bを連続
的に巻き取るローラであり、張力は500mm幅換算で0.5〜
20Kgfに制御され、テーパ張力の制御も可能である。26
はダイヤモンド状炭素膜４形成用プラズマ用ノズルで、
27はプラズマ発生用電極でありプラズマ発生用電源29と
接続されている。このプラズマ発生用電源29はDC,AC,RF
あるいはそれらの重畳で実効値0.05〜7KVの電圧を印加
できる。28はガス導入口でH2,Ar,炭化水素系等の反応性
ガスあるいは、ケトン系，アルコール系等の気化したガ
スを0.5〜0.001Torrの分圧で導入している。30はバイア
ス電源でありDC−0.05〜3KVの電圧が印加できる。また3
1は酸化層形成用プラズマノズル、32は酸化層形成用電
極であり、酸化層形成用電源34と接続されている。33は
酸化層形成用ガス導入口であり酸化層4a形成用のO2、エ
アーCO2CHとＯを含むガス等か0.3〜0.001Torrの分圧で
導入している。
酸化層4a形成前の磁気記録媒体であり、繰り出しローラ
21に巻かれるとともにこの繰り出しローラ21からその張
力が500mm幅換算で0.5〜20Kgfに制御され送り出されて
いる。22,24はパスローラであり、磁気記録媒体20と密
着して回転する。23はメインローラであり、表面に誘電
体膜が設けられている。また前記ローラ23はその本体へ
バイアス電源30よりDC−0.05〜3KVの電圧が印加される
一方、磁気記録媒体20を一定速度（0.1〜200m/分）で搬
送するよう回転制御されている。25はダイヤモンド状炭
素膜４および酸化層4a形成後の磁気記録媒体20bを連続
的に巻き取るローラであり、張力は500mm幅換算で0.5〜
20Kgfに制御され、テーパ張力の制御も可能である。26
はダイヤモンド状炭素膜４形成用プラズマ用ノズルで、
27はプラズマ発生用電極でありプラズマ発生用電源29と
接続されている。このプラズマ発生用電源29はDC,AC,RF
あるいはそれらの重畳で実効値0.05〜7KVの電圧を印加
できる。28はガス導入口でH2,Ar,炭化水素系等の反応性
ガスあるいは、ケトン系，アルコール系等の気化したガ
スを0.5〜0.001Torrの分圧で導入している。30はバイア
ス電源でありDC−0.05〜3KVの電圧が印加できる。また3
1は酸化層形成用プラズマノズル、32は酸化層形成用電
極であり、酸化層形成用電源34と接続されている。33は
酸化層形成用ガス導入口であり酸化層4a形成用のO2、エ
アーCO2CHとＯを含むガス等か0.3〜0.001Torrの分圧で
導入している。
以上のように構成された本発明の磁気記録媒体の製造
方法について第１図を用いてその動作を説明する。
方法について第１図を用いてその動作を説明する。
ダイヤモンド状炭素膜４および酸化層4a形成前の磁気
記録媒体20aはバイアス電源30より電圧が印加されたメ
インローラ23に強磁性金属薄膜層２の背面において密着
し、繰り出しローラ21から巻き取りローラ25に向けて連
続的に搬送されている。ダイヤモンド状炭素膜４形成用
のプラズマのイオン電流は、ガス導入口28から反応性ガ
スとプラズマ用電源29からの印加された電圧により発生
し、ダイヤモンド状炭素膜形成用プラズマノズル26に対
向位置する磁気記録媒体20aの強磁性金属薄膜層２に到
達して、ダイヤモンド状炭素膜４が成膜される。
記録媒体20aはバイアス電源30より電圧が印加されたメ
インローラ23に強磁性金属薄膜層２の背面において密着
し、繰り出しローラ21から巻き取りローラ25に向けて連
続的に搬送されている。ダイヤモンド状炭素膜４形成用
のプラズマのイオン電流は、ガス導入口28から反応性ガ
スとプラズマ用電源29からの印加された電圧により発生
し、ダイヤモンド状炭素膜形成用プラズマノズル26に対
向位置する磁気記録媒体20aの強磁性金属薄膜層２に到
達して、ダイヤモンド状炭素膜４が成膜される。
ダイヤモンド状炭素膜４形成時に、ダイヤモンド状炭
素膜形成用プラズマノズル26よりもれたイオン、ラジカ
ル、反応ガスが僅かではあるがダイヤモンド状炭素膜４
上汚染物として付着する。このダイヤモンド状炭素膜４
が形成された磁気記録媒体20は次に酸化層4a形成域に搬
送される。一方酸化層4a形成用のプラズマのイオン電流
は、酸化層形成用ガス導入口33からの反応ガスと、酸化
層形成用電源34からの印加電圧により発生し加速され、
ダイヤモンド状炭素膜４状に到達酸化層4aが形成され
る。このとき初期のスパッタリング現象によるクリーニ
ングによりダイヤモンド状炭素膜４に付着した僅かの汚
染物が除去される。続いて、酸素あるいは酸素を含む材
料の反応ガスが、プラズマ放電により分解し、ダイヤモ
ンド状炭素膜４の炭素あるいは水素と結合して気体とな
って気相に放出されずに、ダイヤモンド状炭素膜４上に
固相として残った状態、およびプラズマ放電のエネルギ
ーによりダイヤモンド状炭素膜４の表面近傍に酸素原子
として僅かに進入した状態の層が形成される。これを酸
化層4aとした。
素膜形成用プラズマノズル26よりもれたイオン、ラジカ
ル、反応ガスが僅かではあるがダイヤモンド状炭素膜４
上汚染物として付着する。このダイヤモンド状炭素膜４
が形成された磁気記録媒体20は次に酸化層4a形成域に搬
送される。一方酸化層4a形成用のプラズマのイオン電流
は、酸化層形成用ガス導入口33からの反応ガスと、酸化
層形成用電源34からの印加電圧により発生し加速され、
ダイヤモンド状炭素膜４状に到達酸化層4aが形成され
る。このとき初期のスパッタリング現象によるクリーニ
ングによりダイヤモンド状炭素膜４に付着した僅かの汚
染物が除去される。続いて、酸素あるいは酸素を含む材
料の反応ガスが、プラズマ放電により分解し、ダイヤモ
ンド状炭素膜４の炭素あるいは水素と結合して気体とな
って気相に放出されずに、ダイヤモンド状炭素膜４上に
固相として残った状態、およびプラズマ放電のエネルギ
ーによりダイヤモンド状炭素膜４の表面近傍に酸素原子
として僅かに進入した状態の層が形成される。これを酸
化層4aとした。
従ってダイヤモンド状炭素膜４上に付着した僅かの汚
染物は酸化層4a形成時にほぼ消失するとともに、酸化層
形成後もほとんど汚染物の付着が発生しないため、滑剤
層５形成時に強固な化学結合を起こすことが可能とな
る。また、磁気記録媒体20としては、記録再生欠陥とし
てのヘッド目づまりの減少が著しい。
染物は酸化層4a形成時にほぼ消失するとともに、酸化層
形成後もほとんど汚染物の付着が発生しないため、滑剤
層５形成時に強固な化学結合を起こすことが可能とな
る。また、磁気記録媒体20としては、記録再生欠陥とし
てのヘッド目づまりの減少が著しい。
続いて酸化層4aを形成する真空中処理法としてハロゲ
ンランプあるいは赤外線ヒータの熱源を用いる第２実施
例について、図面の第２図を参照しながら説明する。
ンランプあるいは赤外線ヒータの熱源を用いる第２実施
例について、図面の第２図を参照しながら説明する。
第２図に示した本実施例の製造装置が第１実施例と異
なるのは、真空中処理法として、熱源により酸化層を形
成するため、上述の酸化層形成用電極32の代わりに、ハ
ロゲンランプあるいは赤外線ヒータの酸化層形成用熱源
40、およびその熱を集束する酸化層形成用熱反射板41を
設けた点である。他の構成は、第１実施例と同一である
から、対応する各構成要素に同一符号を付するに止ど
め、詳細な説明については省略する。
なるのは、真空中処理法として、熱源により酸化層を形
成するため、上述の酸化層形成用電極32の代わりに、ハ
ロゲンランプあるいは赤外線ヒータの酸化層形成用熱源
40、およびその熱を集束する酸化層形成用熱反射板41を
設けた点である。他の構成は、第１実施例と同一である
から、対応する各構成要素に同一符号を付するに止ど
め、詳細な説明については省略する。
以下、本実施例の製造方法につき動作とともに説明す
る。
る。
ダイヤモンド状炭素膜４および酸化層4a形成前の磁気
記録媒体20aは、繰り出しローラ21から繰り出され、メ
インローラ23に密着して搬送される。前記磁気記録媒体
20aがダイヤモンド状炭素膜形成用ノズル26とプラズマ
用電極27と対向する位置に達すると、第１実施例と同様
にプラズマのイオン電流が発生し、これが強磁性金属薄
膜層２に到達してダイヤモンド状炭素膜４が形成され
る。このダイヤモンド状炭素膜４が形成された磁気記録
媒体20は次に酸化層形成域に搬送される。一方酸化層4a
形成するための反応ガスは、ハロゲンランプあるいは赤
外線ヒータの熱は反射集束する酸化層形成用熱反射板41
の側面からダイヤモンド状炭素膜４の表面に向かって導
入され、酸化層形成用熱源40からの熱により安定した酸
化層4aが形成される。この熱による酸化層4aは、プラズ
マ放電による酸化層に比べ滑剤の官能基と結合する点が
少ないと考えられるため、ビデオテープレコーダによる
記録再生中のヘッド目づまりの低減効果はやや少ない
が、ダイヤモンド状炭素膜４のプラズマによる損傷が全
くないため、スチル耐久性において大きな効果を発揮す
る。
記録媒体20aは、繰り出しローラ21から繰り出され、メ
インローラ23に密着して搬送される。前記磁気記録媒体
20aがダイヤモンド状炭素膜形成用ノズル26とプラズマ
用電極27と対向する位置に達すると、第１実施例と同様
にプラズマのイオン電流が発生し、これが強磁性金属薄
膜層２に到達してダイヤモンド状炭素膜４が形成され
る。このダイヤモンド状炭素膜４が形成された磁気記録
媒体20は次に酸化層形成域に搬送される。一方酸化層4a
形成するための反応ガスは、ハロゲンランプあるいは赤
外線ヒータの熱は反射集束する酸化層形成用熱反射板41
の側面からダイヤモンド状炭素膜４の表面に向かって導
入され、酸化層形成用熱源40からの熱により安定した酸
化層4aが形成される。この熱による酸化層4aは、プラズ
マ放電による酸化層に比べ滑剤の官能基と結合する点が
少ないと考えられるため、ビデオテープレコーダによる
記録再生中のヘッド目づまりの低減効果はやや少ない
が、ダイヤモンド状炭素膜４のプラズマによる損傷が全
くないため、スチル耐久性において大きな効果を発揮す
る。
次に前述した実施例の効果について第４図および第５
図と第１表を用いて説明する。
図と第１表を用いて説明する。
第４図，第５図とも本発明の方法により約100Åの厚
さのダイヤモンド状炭素膜と約10Åの酸化層4aを設け滑
剤層５としてステアリン酸を約30Åの厚さに設けた磁気
記録媒体20について、ビデオテープレコーダを用いて記
録再生したときのヘッド目づまりと、ヘッド汚染度合を
示したものである。また従来例のについては、酸化層4a
を設けない点以外は全く同様の方法で作製した磁気記録
媒体10を用いて実施例と同様の試験を実施した。なお具
体的な条件として、90分程度の長さで8mm幅の磁気記録
媒体10,20を約14mm/秒で走行させ相対速度3.8μm/秒ト
ラックピッチ約20μｍで映像信号を回転シリンダ型ビデ
オテープレコーダにて記録し、約200時間再生したとき
のデータを示すものである。第２図はヘッド目づまり時
間の積算値を示し、第３図はヘッドの汚染度合を示す図
である。なおヘッド目づまりとは、ある有限な時間再生
出力が6dB以上低下した積算時間のことであり、ヘッド
汚染度合とはヘッド表面あるいは周辺に磁気記録媒体よ
り欠落した、滑剤層５およびバックコーティング層３等
が付着滞留した量を指数化したものである。
さのダイヤモンド状炭素膜と約10Åの酸化層4aを設け滑
剤層５としてステアリン酸を約30Åの厚さに設けた磁気
記録媒体20について、ビデオテープレコーダを用いて記
録再生したときのヘッド目づまりと、ヘッド汚染度合を
示したものである。また従来例のについては、酸化層4a
を設けない点以外は全く同様の方法で作製した磁気記録
媒体10を用いて実施例と同様の試験を実施した。なお具
体的な条件として、90分程度の長さで8mm幅の磁気記録
媒体10,20を約14mm/秒で走行させ相対速度3.8μm/秒ト
ラックピッチ約20μｍで映像信号を回転シリンダ型ビデ
オテープレコーダにて記録し、約200時間再生したとき
のデータを示すものである。第２図はヘッド目づまり時
間の積算値を示し、第３図はヘッドの汚染度合を示す図
である。なおヘッド目づまりとは、ある有限な時間再生
出力が6dB以上低下した積算時間のことであり、ヘッド
汚染度合とはヘッド表面あるいは周辺に磁気記録媒体よ
り欠落した、滑剤層５およびバックコーティング層３等
が付着滞留した量を指数化したものである。
第４図より100時間以上走行後のヘッド目づまりは大
巾に低減しており（1/10以下）、第１および第２実施例
とも実用限界を余裕をもってクリアできることが確認さ
れた。また従来例の方法により製作された磁気記録媒体
はヘッド目づまりが発生が増加するあたりから出力変動
が現われ、走行回数と増加ともにその振幅も増大する。
巾に低減しており（1/10以下）、第１および第２実施例
とも実用限界を余裕をもってクリアできることが確認さ
れた。また従来例の方法により製作された磁気記録媒体
はヘッド目づまりが発生が増加するあたりから出力変動
が現われ、走行回数と増加ともにその振幅も増大する。
第５図より、ヘッド汚染は第１および第２の実施例と
も10数回の走行程度で飽和し以降極めて安定である。し
かし従来例の方法によるものは100回走行程度まで増加
し以降増減をくり返している。
も10数回の走行程度で飽和し以降極めて安定である。し
かし従来例の方法によるものは100回走行程度まで増加
し以降増減をくり返している。
また第１表は従来例の方法と第１の実施例および第２
の実施例について効果の特徴を示す表であり特に第２の
実施例では特にスチル耐久性が向上していることが明確
である。
の実施例について効果の特徴を示す表であり特に第２の
実施例では特にスチル耐久性が向上していることが明確
である。
以上の結果よりダイヤモンド状炭素膜４上に酸化層4a
を形成することによりその上に塗布される滑剤との結合
が強固になり、ダイヤモンド状炭素膜４と滑剤層５を形
成する滑剤との相乗効果が顕著になり、くり返し走行時
にヘッドにより滑剤がかき落とされるころなく安定した
走行が得られるとともにスチル耐久性も向上すると考え
られる。
を形成することによりその上に塗布される滑剤との結合
が強固になり、ダイヤモンド状炭素膜４と滑剤層５を形
成する滑剤との相乗効果が顕著になり、くり返し走行時
にヘッドにより滑剤がかき落とされるころなく安定した
走行が得られるとともにスチル耐久性も向上すると考え
られる。
なお、第１および第２実施例とも１個のローラに対応
する位置で、ダイヤモンド状炭素膜４および酸化層4aを
形成する場合について説明したが、両者ともローラを使
用しない場合、およびローラを２個使用した場合につい
ても同様の結果が得られた。
する位置で、ダイヤモンド状炭素膜４および酸化層4aを
形成する場合について説明したが、両者ともローラを使
用しない場合、およびローラを２個使用した場合につい
ても同様の結果が得られた。
またローラを使用した方が、ローラへの密着により熱
負けによる欠陥、特に金属薄膜媒体においては、薄膜自
体にクラックが発生するのを防止することができる。
負けによる欠陥、特に金属薄膜媒体においては、薄膜自
体にクラックが発生するのを防止することができる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、磁気記録媒体の金属薄
膜形成後、強磁性金属薄膜上に反応ガスおよびプラズマ
の拡散を防止するノズルを設けたプラズマCVD法により
ダイヤモンド状炭素膜を形成した直後に、連続して同一
ローラ上で反応ガスおよびプラズマあるいは熱の拡散を
防止するノズルを設けたプラズマ放電法あるいは、加熱
法により酸化層を形成することにより、滑剤層形成時に
滑剤自体の結合を強固になり、ビデオテープレコーダで
の記録再生においては、ヘッド目づまりの大幅な低減
と、スチル耐久性が向上するという効果により余裕をも
って実用に耐え得る磁気記録媒体となる。
膜形成後、強磁性金属薄膜上に反応ガスおよびプラズマ
の拡散を防止するノズルを設けたプラズマCVD法により
ダイヤモンド状炭素膜を形成した直後に、連続して同一
ローラ上で反応ガスおよびプラズマあるいは熱の拡散を
防止するノズルを設けたプラズマ放電法あるいは、加熱
法により酸化層を形成することにより、滑剤層形成時に
滑剤自体の結合を強固になり、ビデオテープレコーダで
の記録再生においては、ヘッド目づまりの大幅な低減
と、スチル耐久性が向上するという効果により余裕をも
って実用に耐え得る磁気記録媒体となる。
第１図は本発明の第１実施例の保護層上にプラズマ放電
法により酸化層を形成する場合の製造方法の一例を示す
概略図、第２図は第２実施例のハロゲンランプあるいは
赤外線ヒータの熱源を用いる場合の製造装置を示す概略
図、第３図は本発明の方法により作成した磁気記録媒体
の構成を示す構成図、第４図は第１および第２実施例の
方法で作成した磁気記録媒体と従来の例の方法で作成し
た磁気記録媒体とのヘッド目づまりの比較値を示す特性
図、第５図は第４図と同様に作成した各磁気記録媒体に
ついてヘッド汚染度合の比較値を示す特性図、第６図は
従来例の方法で作成した磁気記録媒体の構造を示す断面
図、第７図は従来の方法による磁気記録媒体の製造装置
を示す図である。 20……磁気記録媒体、21……繰り出しローラ、22……パ
スローラ、23……メインローラ、24……パスローラ、25
……巻取りローラ、26……保護層形成用プラズマノズ
ル、27……プラズマ用電極、28……ガス導入口、29……
プラズマ用電源、31……酸化層形成用プラズマノズル、
32……酸化層形成用電極、33……酸化層形成用ガス導入
口、34……酸化層形成用電源、40……酸化層形成用熱
源、41……酸化層形成用熱反射板。
法により酸化層を形成する場合の製造方法の一例を示す
概略図、第２図は第２実施例のハロゲンランプあるいは
赤外線ヒータの熱源を用いる場合の製造装置を示す概略
図、第３図は本発明の方法により作成した磁気記録媒体
の構成を示す構成図、第４図は第１および第２実施例の
方法で作成した磁気記録媒体と従来の例の方法で作成し
た磁気記録媒体とのヘッド目づまりの比較値を示す特性
図、第５図は第４図と同様に作成した各磁気記録媒体に
ついてヘッド汚染度合の比較値を示す特性図、第６図は
従来例の方法で作成した磁気記録媒体の構造を示す断面
図、第７図は従来の方法による磁気記録媒体の製造装置
を示す図である。 20……磁気記録媒体、21……繰り出しローラ、22……パ
スローラ、23……メインローラ、24……パスローラ、25
……巻取りローラ、26……保護層形成用プラズマノズ
ル、27……プラズマ用電極、28……ガス導入口、29……
プラズマ用電源、31……酸化層形成用プラズマノズル、
32……酸化層形成用電極、33……酸化層形成用ガス導入
口、34……酸化層形成用電源、40……酸化層形成用熱
源、41……酸化層形成用熱反射板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−234229（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−25319（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−298922（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】非磁性基板上に強磁性金属薄膜層を形成し
た磁気記録媒体を一定方向に走行させつつ、プラズマの
拡散を防止するノズルを設けたプラズマCVD法により前
記金属薄膜上に保護層としてダイヤモンド状炭素膜を形
成し、その直後に真空中処理法にて、前記ダイヤモンド
状炭素膜上に酸化層を連続的に形成し、後から滑剤層を
設けることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】酸化層を形成する方法が、酸素あるいは酸
素を含む材料を反応ガスとして、前記反応ガスとプラズ
マの拡散を防止するノズルを設けたプラズマ放電法を用
いることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項３】酸化層を形成する方法が、酸素あるいは酸
素を含む材料を反応ガスとし、前記反応ガスと熱源から
の放射熱の拡散を防止するノズルを設け、前記ノズル内
に設けたハロゲンランプあるいは赤外線ヒータを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項４】ダイヤモンド状炭素膜および酸化層の形成
を磁気記録媒体を支持する同一のローラ上で行うことを
特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】滑剤層に用いる滑剤が官能基を有すること
を特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087615A JPH0833994B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US07/762,080 US5104685A (en) | 1989-04-06 | 1991-09-19 | Method of producing magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087615A JPH0833994B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265018A JPH02265018A (ja) | 1990-10-29 |
| JPH0833994B2 true JPH0833994B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=13919884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087615A Expired - Fee Related JPH0833994B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5104685A (ja) |
| JP (1) | JPH0833994B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0871159A3 (en) * | 1997-04-11 | 1999-12-01 | TDK Corporation | Magnetic recording medium |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001431A (en) * | 1992-12-28 | 1999-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating a magnetic recording medium |
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
| US6804672B1 (en) * | 2001-01-31 | 2004-10-12 | Oracle International Corporation | Method and mechanism for dependency tracking |
| US6808741B1 (en) * | 2001-10-26 | 2004-10-26 | Seagate Technology Llc | In-line, pass-by method for vapor lubrication |
| US7081268B2 (en) * | 2003-06-03 | 2006-07-25 | Seagate Technology Llc | In-situ post-deposition oxidation treatment for improved magnetic recording media |
| US20130143415A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Applied Materials, Inc. | Multi-Component Film Deposition |
| JP2023030363A (ja) * | 2021-08-23 | 2023-03-08 | 株式会社東芝 | 磁気ヘッド、及びその製造方法、磁気記録再生装置、及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2532209B2 (ja) * | 1986-04-04 | 1996-09-11 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS62298922A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US4900622A (en) * | 1986-09-18 | 1990-02-13 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
| JPS6425319A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-27 | Fujitsu Ltd | Production of magnetic recording medium |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1087615A patent/JPH0833994B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-19 US US07/762,080 patent/US5104685A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0871159A3 (en) * | 1997-04-11 | 1999-12-01 | TDK Corporation | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5104685A (en) | 1992-04-14 |
| JPH02265018A (ja) | 1990-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |