JPH06116729A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH06116729A JPH06116729A JP26333292A JP26333292A JPH06116729A JP H06116729 A JPH06116729 A JP H06116729A JP 26333292 A JP26333292 A JP 26333292A JP 26333292 A JP26333292 A JP 26333292A JP H06116729 A JPH06116729 A JP H06116729A
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- magnetic recording
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録再生機器に使用される磁気テープに
おいて、強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体の
信頼性と電磁変換特性のアンバランスを解決し、高出
力，高耐久の磁気記録媒体の製造方法の提供を目的とす
る。 【構成】 移動する高分子フィルム１の上に強磁性金属
を電子ビーム蒸着する際、導入する酸素ガスのノズル１
０とフィルムの間に遮蔽体１１を置くことにより、部分
酸化の厚み方向の程度を最適化し、高出力と耐久性をバ
ランスさせる。
おいて、強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体の
信頼性と電磁変換特性のアンバランスを解決し、高出
力，高耐久の磁気記録媒体の製造方法の提供を目的とす
る。 【構成】 移動する高分子フィルム１の上に強磁性金属
を電子ビーム蒸着する際、導入する酸素ガスのノズル１
０とフィルムの間に遮蔽体１１を置くことにより、部分
酸化の厚み方向の程度を最適化し、高出力と耐久性をバ
ランスさせる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度磁気記録に適する
強磁性金属薄膜を磁性層とする耐久性と記録特性に優れ
た磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
強磁性金属薄膜を磁性層とする耐久性と記録特性に優れ
た磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報化社会の進展に伴い、記録すべき情
報量の増大は著しく、磁気記録についても可能な限り記
録密度を高める対応が要請され、短波長化，狭トラック
化に耐える高性能磁気記録媒体の開発が盛んになってき
ている。多くの提案がなされているが、現在実用に供さ
れているものは特開昭５３−５８２０６号公報に開示さ
れているような強磁性金属自身の酸化物で柱状微粒子の
表面が被覆された構造をもち記録特性と耐久性をバラン
ス良く改善したもので、構成元素はＣｏ，Ｎｉ，Ｏから
なり（特開昭５６−１５０１４号公報）、これらの磁気
記録層を形成するのは、酸素ガスを介在させながらＣ
ｏ，Ｃｏ−Ｎｉを電子ビーム蒸着する方法が代表的で酸
素の導入については幾つかの提案があるが基材近傍で、
入射角規制を行う部分に近い位置が良く用いられている
（特開昭５４−１９１９９号公報、特開昭５８−３２２
３４号公報）。
報量の増大は著しく、磁気記録についても可能な限り記
録密度を高める対応が要請され、短波長化，狭トラック
化に耐える高性能磁気記録媒体の開発が盛んになってき
ている。多くの提案がなされているが、現在実用に供さ
れているものは特開昭５３−５８２０６号公報に開示さ
れているような強磁性金属自身の酸化物で柱状微粒子の
表面が被覆された構造をもち記録特性と耐久性をバラン
ス良く改善したもので、構成元素はＣｏ，Ｎｉ，Ｏから
なり（特開昭５６−１５０１４号公報）、これらの磁気
記録層を形成するのは、酸素ガスを介在させながらＣ
ｏ，Ｃｏ−Ｎｉを電子ビーム蒸着する方法が代表的で酸
素の導入については幾つかの提案があるが基材近傍で、
入射角規制を行う部分に近い位置が良く用いられている
（特開昭５４−１９１９９号公報、特開昭５８−３２２
３４号公報）。
【０００３】以下に従来の磁気記録媒体の製造方法につ
いて説明する。図４は従来の磁気記録媒体の製造に用い
られている蒸着装置の要部構成図である。
いて説明する。図４は従来の磁気記録媒体の製造に用い
られている蒸着装置の要部構成図である。
【０００４】図４で１はポリエステル等の高分子フィル
ムで、２は一定の温度に制御された回転支持体で、３は
フィルム送り出し軸、４はフィルム巻き取り軸、５は蒸
発源容器、６は蒸着材料、７は加速電子ビーム、８は蒸
気流、９はマスク、１０は酸素導入ノズルである。図４
の装置を用いて、磁気記録媒体を製造する方法は以下の
如くである。
ムで、２は一定の温度に制御された回転支持体で、３は
フィルム送り出し軸、４はフィルム巻き取り軸、５は蒸
発源容器、６は蒸着材料、７は加速電子ビーム、８は蒸
気流、９はマスク、１０は酸素導入ノズルである。図４
の装置を用いて、磁気記録媒体を製造する方法は以下の
如くである。
【０００５】例えば粒状性の表面をもったポリエチレン
テレフタレート，ポリエチレンナフタレート等を巻き取
り系にセットし、真空排気し、ＣｏやＣｏ−Ｎｉ等の蒸
着材料を加速電子線により加熱蒸発させて、接線方向か
ら蒸着を進めマスクで遮断する入射角（最小入射角と呼
んでいる）で蒸着を完了し、その際に最小入射角近くで
酸素ガスを導入し、部分酸化膜からなる磁気記録層の形
成を回転支持体に沿った状態で移動するフィルム上に行
うことで製造される。
テレフタレート，ポリエチレンナフタレート等を巻き取
り系にセットし、真空排気し、ＣｏやＣｏ−Ｎｉ等の蒸
着材料を加速電子線により加熱蒸発させて、接線方向か
ら蒸着を進めマスクで遮断する入射角（最小入射角と呼
んでいる）で蒸着を完了し、その際に最小入射角近くで
酸素ガスを導入し、部分酸化膜からなる磁気記録層の形
成を回転支持体に沿った状態で移動するフィルム上に行
うことで製造される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では酸素導入量を増加すると保磁力は増加する
ものの、飽和磁束密度が減少し最適導入量で得られるＳ
／Ｎ比の最大値がより高密度記録で必要な値に対して低
く、耐久性とＳ／Ｎ比のバランス点が不十分である媒体
しか製造出来ないといった問題点を有していた。
来の構成では酸素導入量を増加すると保磁力は増加する
ものの、飽和磁束密度が減少し最適導入量で得られるＳ
／Ｎ比の最大値がより高密度記録で必要な値に対して低
く、耐久性とＳ／Ｎ比のバランス点が不十分である媒体
しか製造出来ないといった問題点を有していた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点解決するもの
で、狭トラック高密度記録を可能にする、耐久性と高出
力特性を兼ね備えた薄型の磁気記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
で、狭トラック高密度記録を可能にする、耐久性と高出
力特性を兼ね備えた薄型の磁気記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の磁気記録媒体の製造方法は、移動するフィル
ムに強磁性金属を電子ビーム蒸着する際導入する酸素ガ
スのノズルとフィルムの間に遮蔽体を置いて酸素ガスを
導入するようにしたものである。
に本発明の磁気記録媒体の製造方法は、移動するフィル
ムに強磁性金属を電子ビーム蒸着する際導入する酸素ガ
スのノズルとフィルムの間に遮蔽体を置いて酸素ガスを
導入するようにしたものである。
【０００９】
【作用】この構成によって磁性層の形成において厚み方
向での酸素と強磁性金属の相互作用比率が従来法と異な
り、飽和磁束密度と、保磁力や磁化容易軸の方向等のパ
ラメータ間の最適バランス領域を変えることができ、表
面酸化層厚みを増やさずにバランスがとれるので耐久性
と高Ｓ／Ｎ比を兼ね備えた薄型の磁気記録媒体を再現よ
く製造できるようになる。
向での酸素と強磁性金属の相互作用比率が従来法と異な
り、飽和磁束密度と、保磁力や磁化容易軸の方向等のパ
ラメータ間の最適バランス領域を変えることができ、表
面酸化層厚みを増やさずにバランスがとれるので耐久性
と高Ｓ／Ｎ比を兼ね備えた薄型の磁気記録媒体を再現よ
く製造できるようになる。
【００１０】
（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１１】図１において、１１はガス遮蔽体で例えば
水冷銅パイプ，水冷角パイプ等からなるもので酸素ガス
導入ノズル１０のノズル孔の中心線（図で角αで示した
角度）上にほぼ沿った位置（断面での中心線間距離で１
だけ離れた位置）に置かれる。他の構成要素は従来例と
同様でよいものは図４で示したものと同一番号を付与し
た。
水冷銅パイプ，水冷角パイプ等からなるもので酸素ガス
導入ノズル１０のノズル孔の中心線（図で角αで示した
角度）上にほぼ沿った位置（断面での中心線間距離で１
だけ離れた位置）に置かれる。他の構成要素は従来例と
同様でよいものは図４で示したものと同一番号を付与し
た。
【００１２】図に示すようにガスの進路に遮蔽体が置か
れることでフィルム上に到達する酸素ガス分子の分布が
遮蔽体のない従来法と異なって、結果的に蒸着されるＣ
ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ等の強磁性金属を示す原子と異なる組合
せになることから膜を構成する結晶微細構造が変わる事
になる。
れることでフィルム上に到達する酸素ガス分子の分布が
遮蔽体のない従来法と異なって、結果的に蒸着されるＣ
ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ等の強磁性金属を示す原子と異なる組合
せになることから膜を構成する結晶微細構造が変わる事
になる。
【００１３】以下更に本実施例の効果について明確にす
るために具体的に磁気記録媒体を試作し、従来法で得ら
れたものと特性比較を行なった結果について詳しく述べ
る。
るために具体的に磁気記録媒体を試作し、従来法で得ら
れたものと特性比較を行なった結果について詳しく述べ
る。
【００１４】厚み６．１μｍで、長手方向，幅方向それ
ぞれ５４０、５９０［Kg／mm2］のヤング率で、平均粗
さ３０Åのポリエチレンテレフタレートフィルム（直径
１５０ÅのＳｉＯ2の超微粒子を平均密度２０個／μｍ2
を樹脂固定した塗布層をあらかじめ配したものを用い
た）を直径１ｍの２０℃に冷却した回転キャンに沿わせ
て巻き取りながら酸素を導入してＣｏを電子ビーム蒸着
して磁性層を０．１８μ形成した。酸素ガス導入ノズル
は最小入射入射角４０度とし、その入射角を決定するマ
スクの先端部に直径８mmのステンレスパイプに０．２mm
の直径の孔を１５mmピッチで配した酸素ガス導入ノズル
を置き距離１と角αを以下の３条件に設定し成膜を行な
った。テープ１ａは１＝６cm，角α＝２５度，遮蔽体直
径１４ｍ、テープ１ｂは１＝６cm，角α＝４５度，遮蔽
体直径１４mm、テープ１ｃは１＝３cm，角α＝７５度，
遮蔽体直径１４mm、テープ１ｄは１＝６cm，角α＝４５
度，遮蔽体直径２８mm、従来例は１ａ，１ｂ，１ｃの条
件で遮蔽体のない条件で対応するテープはそれぞれ１
ｅ，１ｆ，１ｇとして準備した。１ａ〜１ｇについては
それぞれ磁性層の上に、ダイヤモンド状硬質炭素膜を７
０Å形成した。その形成はメタンガスを高周波放電でイ
オン化して炭素膜を形成するプラズマＣＶＤ法で行なっ
た。炭素膜の上に更に潤滑剤としてパーフルオロポリエ
ーテルを４０Å溶液塗布法で配し、バックコート層を
０．４５μｍ形成し８mm幅の磁気テープを試作して特性
比較した。それぞれの磁気テープの特性比較は、ハイバ
ンド８ミリビデオデッキを改造して記録波長０．４７μ
ｍ、トラックピッチ９μｍでＳ／Ｎ比の相対比較で行な
った。磁気テープの長さは１００ｍとし、ランダムに５
巻選び出して５巻の平均値で表示した。スチル特性はテ
ンションを２５ｇに増加させて４０℃、５％ＲＨで比較
した。本実施例による磁気記録媒体の特性と比較例の磁
気記録媒体の特性を（表１）に比較して示している。
ぞれ５４０、５９０［Kg／mm2］のヤング率で、平均粗
さ３０Åのポリエチレンテレフタレートフィルム（直径
１５０ÅのＳｉＯ2の超微粒子を平均密度２０個／μｍ2
を樹脂固定した塗布層をあらかじめ配したものを用い
た）を直径１ｍの２０℃に冷却した回転キャンに沿わせ
て巻き取りながら酸素を導入してＣｏを電子ビーム蒸着
して磁性層を０．１８μ形成した。酸素ガス導入ノズル
は最小入射入射角４０度とし、その入射角を決定するマ
スクの先端部に直径８mmのステンレスパイプに０．２mm
の直径の孔を１５mmピッチで配した酸素ガス導入ノズル
を置き距離１と角αを以下の３条件に設定し成膜を行な
った。テープ１ａは１＝６cm，角α＝２５度，遮蔽体直
径１４ｍ、テープ１ｂは１＝６cm，角α＝４５度，遮蔽
体直径１４mm、テープ１ｃは１＝３cm，角α＝７５度，
遮蔽体直径１４mm、テープ１ｄは１＝６cm，角α＝４５
度，遮蔽体直径２８mm、従来例は１ａ，１ｂ，１ｃの条
件で遮蔽体のない条件で対応するテープはそれぞれ１
ｅ，１ｆ，１ｇとして準備した。１ａ〜１ｇについては
それぞれ磁性層の上に、ダイヤモンド状硬質炭素膜を７
０Å形成した。その形成はメタンガスを高周波放電でイ
オン化して炭素膜を形成するプラズマＣＶＤ法で行なっ
た。炭素膜の上に更に潤滑剤としてパーフルオロポリエ
ーテルを４０Å溶液塗布法で配し、バックコート層を
０．４５μｍ形成し８mm幅の磁気テープを試作して特性
比較した。それぞれの磁気テープの特性比較は、ハイバ
ンド８ミリビデオデッキを改造して記録波長０．４７μ
ｍ、トラックピッチ９μｍでＳ／Ｎ比の相対比較で行な
った。磁気テープの長さは１００ｍとし、ランダムに５
巻選び出して５巻の平均値で表示した。スチル特性はテ
ンションを２５ｇに増加させて４０℃、５％ＲＨで比較
した。本実施例による磁気記録媒体の特性と比較例の磁
気記録媒体の特性を（表１）に比較して示している。
【００１５】
【表１】
【００１６】この（表１）から明らかなように、本実施
例によって構造された磁気記録媒体は、狭トラック記録
での高密度記録で耐久性と高いＳ／Ｎ比を実現出来ると
いった優れた効果が得られる。
例によって構造された磁気記録媒体は、狭トラック記録
での高密度記録で耐久性と高いＳ／Ｎ比を実現出来ると
いった優れた効果が得られる。
【００１７】以上の様に本実施例の製造方法によれば、
移動するフィルムに強磁性金属を電子ビーム蒸着する際
導入する酸素ガスのノズルとフィルムの間に遮蔽体を置
くことで狭トラック化した高密度記録で優れたＳ／Ｎ比
を繰り返し使用においても安定に保持しうる磁気記録媒
体を再現良く大量に得ることが出来る。
移動するフィルムに強磁性金属を電子ビーム蒸着する際
導入する酸素ガスのノズルとフィルムの間に遮蔽体を置
くことで狭トラック化した高密度記録で優れたＳ／Ｎ比
を繰り返し使用においても安定に保持しうる磁気記録媒
体を再現良く大量に得ることが出来る。
【００１８】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図２は本発明の第
２の実施例の磁気記録媒体の製造方法を実施するための
磁気記録媒体の製造装置の要部構成図である。図２にお
いて図１と同一の構成要素で良い部分は同一の番号を付
与している。１２は１１と同様な空間配置（ノズル１０
との関係において）に置かれた水素ガス導入ノズルで水
素ガス噴出方向は角βで示したように角αとは独立に最
適化出来るものである。
ついて図面を参照しながら説明する。図２は本発明の第
２の実施例の磁気記録媒体の製造方法を実施するための
磁気記録媒体の製造装置の要部構成図である。図２にお
いて図１と同一の構成要素で良い部分は同一の番号を付
与している。１２は１１と同様な空間配置（ノズル１０
との関係において）に置かれた水素ガス導入ノズルで水
素ガス噴出方向は角βで示したように角αとは独立に最
適化出来るものである。
【００１９】上記した構成の装置により本発明を実施し
た。実際に製造された磁気記録媒体の特性を従来例，比
較例と対比することで本発明について具体的に詳しく説
明する。
た。実際に製造された磁気記録媒体の特性を従来例，比
較例と対比することで本発明について具体的に詳しく説
明する。
【００２０】厚み６μｍのポリイミドフィルム（平均粗
さ２０Å、ヤング率長手６００、幅６５０Kg／mm2）上
に平均粒子径２００ÅのＳｉＯ2を平均密度５０個／μ2
で塗布固定し、以下の条件でＣｏ−Ｏ垂直磁化膜を形成
した。Ｃｏはマグネシア容器内で加速電子ビームによっ
て加熱蒸発させて、入射角が４４度から２０度の範囲の
直径１ｍの回転支持体の面に沿って蒸着した。その際酸
素ガスを導入すると共に、水素ガスも導入した。
さ２０Å、ヤング率長手６００、幅６５０Kg／mm2）上
に平均粒子径２００ÅのＳｉＯ2を平均密度５０個／μ2
で塗布固定し、以下の条件でＣｏ−Ｏ垂直磁化膜を形成
した。Ｃｏはマグネシア容器内で加速電子ビームによっ
て加熱蒸発させて、入射角が４４度から２０度の範囲の
直径１ｍの回転支持体の面に沿って蒸着した。その際酸
素ガスを導入すると共に、水素ガスも導入した。
【００２１】１＝３cm，角α＝２０度，角β＝１０度で
酸素ガスを０．６１／ｎｉｎ，水素ガスを０．１５１／
ｍｉｎの条件（テープ２ａ）、１＝３cm，角α２０度，
角β＝−１０度（垂線にたいし反対側に），酸素ガスを
０．６１／ｍｉｎ，水素ガスを０．１５１／ｍｉｎの条
件（テープ２ｂ）、１＝６cm，角α＝３０度，角β＝２
０度，酸素０．８１／ｍｉｎ，水素ガスを０．２５１／
ｍｉｎの条件（テープ２ｃ）、比較例としてテープ２ｂ
の条件で水素ガスをながさなかった条件（テープ２
ｄ）、従来例として、水素ガス導入ノズルを取り外した
以外はテープ２ｂの条件のもの（テープ２ｅ）を準備し
た。それぞれ磁性膜の上にプラズマＣＶＤ法でダイヤモ
ンド状硬質酸化膜を７０Å形成した後パーフルオロアラ
キン酸を３０Å配し、０．５μｍのバックコート層を配
してそれぞれ８mm幅の磁気テープに加工した。これらの
テープを改造した８ミリビデオによって５μトラック、
ビット長０．２μのデイジタル記録を行いエラーレート
を相対比較した。耐久性についても５℃，８５％ＲＨで
１００パス履歴を加えた後のエラーレートで評価した。
酸素ガスを０．６１／ｎｉｎ，水素ガスを０．１５１／
ｍｉｎの条件（テープ２ａ）、１＝３cm，角α２０度，
角β＝−１０度（垂線にたいし反対側に），酸素ガスを
０．６１／ｍｉｎ，水素ガスを０．１５１／ｍｉｎの条
件（テープ２ｂ）、１＝６cm，角α＝３０度，角β＝２
０度，酸素０．８１／ｍｉｎ，水素ガスを０．２５１／
ｍｉｎの条件（テープ２ｃ）、比較例としてテープ２ｂ
の条件で水素ガスをながさなかった条件（テープ２
ｄ）、従来例として、水素ガス導入ノズルを取り外した
以外はテープ２ｂの条件のもの（テープ２ｅ）を準備し
た。それぞれ磁性膜の上にプラズマＣＶＤ法でダイヤモ
ンド状硬質酸化膜を７０Å形成した後パーフルオロアラ
キン酸を３０Å配し、０．５μｍのバックコート層を配
してそれぞれ８mm幅の磁気テープに加工した。これらの
テープを改造した８ミリビデオによって５μトラック、
ビット長０．２μのデイジタル記録を行いエラーレート
を相対比較した。耐久性についても５℃，８５％ＲＨで
１００パス履歴を加えた後のエラーレートで評価した。
【００２２】本実施例による磁気記録媒体の特性と従来
磁気記録媒体の特性を（表２）に比較して示している。
磁気記録媒体の特性を（表２）に比較して示している。
【００２３】
【表２】
【００２４】この（表２）から明らかなように、本実施
例により製造された磁気記録媒体は、狭トラック条件で
の高密度デイジタル記録を良好なエラー率で行うことが
出来るといった優れた効果がある。
例により製造された磁気記録媒体は、狭トラック条件で
の高密度デイジタル記録を良好なエラー率で行うことが
出来るといった優れた効果がある。
【００２５】以上のように本実施例によれば移動するフ
ィルムに強磁性金属を電子ビーム蒸着する際導入する酸
素ガスのノズルとフィルムの間に遮蔽体を置きその遮蔽
体を水素ガス導入ノズルとすることで、強磁性金属と酸
素の相互作用が単一ノズルでの制御と異なり、飽和磁束
密度の高い領域で適切な表面酸化膜が形成されて、高記
録密度特性と耐久信頼性のバランスを著しく改善できる
ことになる。
ィルムに強磁性金属を電子ビーム蒸着する際導入する酸
素ガスのノズルとフィルムの間に遮蔽体を置きその遮蔽
体を水素ガス導入ノズルとすることで、強磁性金属と酸
素の相互作用が単一ノズルでの制御と異なり、飽和磁束
密度の高い領域で適切な表面酸化膜が形成されて、高記
録密度特性と耐久信頼性のバランスを著しく改善できる
ことになる。
【００２６】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図３は本発明の第
３の実施例の磁気記録媒体の製造方法を実施するための
磁気記録媒体の製造装置の要部構成図である。図３にお
いて１３はガス導入ノズルでノズルは空間Ａ，１４と空
間Ｂ，１５からなり１４，１５を仕切る仕切り板１８か
らみて角γの孔１６と角δの孔１７を持つもので、場合
によっては線分ＰＰ′に関してノズルの外で孔の軸が線
分ＰＰ′と交差する条件であっても良い。（ここではそ
の角度を負で示すものとする）このノズルによって酸素
ガスのみ、水素ガスと水素ガスの組合せが可能で、磁化
容易軸は垂直，斜めのいずれでも良い。
ついて図面を参照しながら説明する。図３は本発明の第
３の実施例の磁気記録媒体の製造方法を実施するための
磁気記録媒体の製造装置の要部構成図である。図３にお
いて１３はガス導入ノズルでノズルは空間Ａ，１４と空
間Ｂ，１５からなり１４，１５を仕切る仕切り板１８か
らみて角γの孔１６と角δの孔１７を持つもので、場合
によっては線分ＰＰ′に関してノズルの外で孔の軸が線
分ＰＰ′と交差する条件であっても良い。（ここではそ
の角度を負で示すものとする）このノズルによって酸素
ガスのみ、水素ガスと水素ガスの組合せが可能で、磁化
容易軸は垂直，斜めのいずれでも良い。
【００２７】上記した構成のノズルを用い本発明を実施
した。実際に製造された磁気記録媒体の特性を従来例，
比較例と対比することで本発明について具体的に詳しく
説明する。
した。実際に製造された磁気記録媒体の特性を従来例，
比較例と対比することで本発明について具体的に詳しく
説明する。
【００２８】厚み６μｍのアラミドフィルム（平均粗さ
２０Å、ヤング率長手９００、幅１０５０Kg／mm2）上
に平均粒子径１７０ÅのＳｉＯ2を平均密度４０個／μ2
で塗布固定し、以下の条件でＣｏ−Ｏ垂直磁化膜を形成
し膜を形成した。Ｃｏはマグネシア容器内で加速電子ビ
ームによって加熱蒸発させて、入射角が４０度から２０
度の範囲の直径１ｍの回転支持体の面に沿って蒸着し
た。その際酸素ガスのみを導入する場合と、酸素ガスと
水素ガスの両方を導入する場合とで実施した。ノズルは
外形８mmで肉厚０．７mmとし、０．１４mmの孔を角γ＝
１０度、角δ＝６度とし、孔１６から酸素０．５１／ｍ
ｉｎ、孔１７から水素０．１１／ｍｉｎ（テープ３
ａ）、角γ＝−１０度、角δ＝−６度とし、孔１６から
酸素０．５１／ｍｉｎ、孔１７から水素０．１１／ｍｉ
ｎ（テープ３ｂ）、角γ＝１０度、角δ＝−６度とし、
孔１６から酸素０．５１／ｍｉｎ、孔１７から水素０．
１１／ｍｉｎ（テープ３ｃ）、角γ＝１０度、角δ＝−
６度とし、孔１６から酸素０．３１／ｍｉｎ、孔１７か
ら同じく酸素を０．１５１／ｍｉｎ（テープ３ｄ）の条
件とし、従来例は角＝−１０度で酸素０．５１／ｍｉｎ
で製膜した。それぞれ磁性膜の上にプラズマＣＶＤ法で
ダイヤモンド状硬質炭素膜を９０Å形成した後パーフル
オロステアリン酸を３０Å配し、０．５μｍのバックコ
ート層を配してそれぞれ８mm幅の磁気テープに加工し
た。これらのテープを改造した８ミリビデオによって５
μトラック、ビット長０．２μのデイジタル記録を行い
エラーレートを相対比較した。耐久性についても３℃、
８０％ＲＨで１５０パス履歴を加えた後のエラーレート
で評価した。本実施例による磁気記録媒体の特性と従来
磁気記録媒体の特性を（表３）に比較して示している。
２０Å、ヤング率長手９００、幅１０５０Kg／mm2）上
に平均粒子径１７０ÅのＳｉＯ2を平均密度４０個／μ2
で塗布固定し、以下の条件でＣｏ−Ｏ垂直磁化膜を形成
し膜を形成した。Ｃｏはマグネシア容器内で加速電子ビ
ームによって加熱蒸発させて、入射角が４０度から２０
度の範囲の直径１ｍの回転支持体の面に沿って蒸着し
た。その際酸素ガスのみを導入する場合と、酸素ガスと
水素ガスの両方を導入する場合とで実施した。ノズルは
外形８mmで肉厚０．７mmとし、０．１４mmの孔を角γ＝
１０度、角δ＝６度とし、孔１６から酸素０．５１／ｍ
ｉｎ、孔１７から水素０．１１／ｍｉｎ（テープ３
ａ）、角γ＝−１０度、角δ＝−６度とし、孔１６から
酸素０．５１／ｍｉｎ、孔１７から水素０．１１／ｍｉ
ｎ（テープ３ｂ）、角γ＝１０度、角δ＝−６度とし、
孔１６から酸素０．５１／ｍｉｎ、孔１７から水素０．
１１／ｍｉｎ（テープ３ｃ）、角γ＝１０度、角δ＝−
６度とし、孔１６から酸素０．３１／ｍｉｎ、孔１７か
ら同じく酸素を０．１５１／ｍｉｎ（テープ３ｄ）の条
件とし、従来例は角＝−１０度で酸素０．５１／ｍｉｎ
で製膜した。それぞれ磁性膜の上にプラズマＣＶＤ法で
ダイヤモンド状硬質炭素膜を９０Å形成した後パーフル
オロステアリン酸を３０Å配し、０．５μｍのバックコ
ート層を配してそれぞれ８mm幅の磁気テープに加工し
た。これらのテープを改造した８ミリビデオによって５
μトラック、ビット長０．２μのデイジタル記録を行い
エラーレートを相対比較した。耐久性についても３℃、
８０％ＲＨで１５０パス履歴を加えた後のエラーレート
で評価した。本実施例による磁気記録媒体の特性と従来
磁気記録媒体の特性を（表３）に比較して示している。
【００２９】
【表３】
【００３０】この（表３）から明らかなように、本実施
例により製造された磁気記録媒体は、狭トラック条件で
の高密度デイジタル記録を良好なエラー率で行うことが
出来るといった優れた効果がある。
例により製造された磁気記録媒体は、狭トラック条件で
の高密度デイジタル記録を良好なエラー率で行うことが
出来るといった優れた効果がある。
【００３１】以上のように本実施例によれば移動するフ
ィルムに強磁性金属を電子ビーム蒸着する際導入するガ
スを１体のノズルで導入方向を異なる２箇所より行う構
成とすることにより、強磁性金属と酸素の相互作用が単
一ノズルで一方向からのガス導入の制御と異なり、飽和
磁束密度の高い領域で適切な表面酸化膜が形成されて、
高記録密度特性と耐久信頼性のバランスを著しく改善で
きることになる。
ィルムに強磁性金属を電子ビーム蒸着する際導入するガ
スを１体のノズルで導入方向を異なる２箇所より行う構
成とすることにより、強磁性金属と酸素の相互作用が単
一ノズルで一方向からのガス導入の制御と異なり、飽和
磁束密度の高い領域で適切な表面酸化膜が形成されて、
高記録密度特性と耐久信頼性のバランスを著しく改善で
きることになる。
【００３２】
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、移動するフ
ィルムに強磁性金属を電子ビーム蒸着する際導入する酸
素ガスのノズルとフィルムの間に遮蔽体を置くことで狭
トラック化した高密度記録で優れたＳ／Ｎ比を繰り返し
使用においても安定に保持しうる磁気記録媒体を再現良
く大量に得ることが出来る。
ィルムに強磁性金属を電子ビーム蒸着する際導入する酸
素ガスのノズルとフィルムの間に遮蔽体を置くことで狭
トラック化した高密度記録で優れたＳ／Ｎ比を繰り返し
使用においても安定に保持しうる磁気記録媒体を再現良
く大量に得ることが出来る。
【図１】本発明の第１の実施例における磁気記録媒体の
製造に用いた蒸着装置の要部拡大断面図
製造に用いた蒸着装置の要部拡大断面図
【図２】本発明の第２の実施例における磁気記録媒体の
製造に用いた蒸着装置の要部拡大断面図
製造に用いた蒸着装置の要部拡大断面図
【図３】本発明の第３の実施例における磁気記録媒体の
製造に用いたガス導入ノズルの要部拡大断面図
製造に用いたガス導入ノズルの要部拡大断面図
【図４】従来の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置の
要部拡大断面図
要部拡大断面図
１０ 酸素ガス導入ノズル １１ 遮蔽体 １２ 水素ガス導入ノズル １３ ガス導入ノズル １６，１７ 孔 １８ 仕切り板
Claims (3)
- 【請求項１】 移動するフィルムに強磁性金属を電子ビ
ーム蒸着する際導入する酸素ガスのノズルとフィルムの
間に遮蔽体を置くことを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項２】 移動するフィルムに強磁性金属を電子ビ
ーム蒸着する際導入する酸素ガスのノズルとフィルムの
間に遮蔽体を置きその遮蔽体が水素ガス導入ノズルであ
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 移動するフィルムに強磁性金属を電子ビ
ーム蒸着する際導入ガスを１体のノズルで導入方向を異
なる構成とした導入することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26333292A JPH06116729A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26333292A JPH06116729A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116729A true JPH06116729A (ja) | 1994-04-26 |
Family
ID=17388007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26333292A Pending JPH06116729A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06116729A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4825873A (en) * | 1986-07-26 | 1989-05-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Non-contact eye pressure meter |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP26333292A patent/JPH06116729A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4825873A (en) * | 1986-07-26 | 1989-05-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Non-contact eye pressure meter |
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