JPH04147434A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04147434A JPH04147434A JP27395790A JP27395790A JPH04147434A JP H04147434 A JPH04147434 A JP H04147434A JP 27395790 A JP27395790 A JP 27395790A JP 27395790 A JP27395790 A JP 27395790A JP H04147434 A JPH04147434 A JP H04147434A
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- Japan
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- magnetic recording
- recording medium
- thin film
- oxygen gas
- oxygen
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- Pending
Links
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術
近年磁気記録の高密度化の進展は目覚しく、高Hcの薄
膜媒体で1ギガビツト/(インチ)2の面記録密度の可
能性も発表される[Digest ofInterma
g Conference、FA−01(1990)
]等、垂直磁気記録を含めて、更に一層の高密度化が期
待されている[日本応用磁気学会、第63回研究会資料
63−7 (1990)]。
膜媒体で1ギガビツト/(インチ)2の面記録密度の可
能性も発表される[Digest ofInterma
g Conference、FA−01(1990)
]等、垂直磁気記録を含めて、更に一層の高密度化が期
待されている[日本応用磁気学会、第63回研究会資料
63−7 (1990)]。
現状で最も高密度記録性能が実用レベルで実現されてい
るのは、粒状性の表面を有したポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に、Co−Ni−0系の斜め蒸着膜を配
し、潤滑剤を配したもので、20μmトラック、0.4
9μmの記録波長で、50 (dB)を上まわるC/N
(I MHz、 30KHzリゾリユ一ジヨンバンド
幅条件で)を得ている。
るのは、粒状性の表面を有したポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に、Co−Ni−0系の斜め蒸着膜を配
し、潤滑剤を配したもので、20μmトラック、0.4
9μmの記録波長で、50 (dB)を上まわるC/N
(I MHz、 30KHzリゾリユ一ジヨンバンド
幅条件で)を得ている。
更にCo−Cr垂直磁化膜に代る垂直磁化膜としてCo
−0膜も提案され、より短波長、狭トラツク化が目指さ
れている。
−0膜も提案され、より短波長、狭トラツク化が目指さ
れている。
これらの磁気記録媒体は、直径50cmから1m程度の
円筒状キャンに沿わせて、高分子フィルムを移動させな
がら、最小入射角を決めるマスクを配し、90度から最
小入射角の範囲で、酸素の存在下でCo、Co−Ni
(Niは10〜25wt%)を電子ビーム蒸着し、磁気
記録層を形成する過程でその特性の大半が決まっている
。
円筒状キャンに沿わせて、高分子フィルムを移動させな
がら、最小入射角を決めるマスクを配し、90度から最
小入射角の範囲で、酸素の存在下でCo、Co−Ni
(Niは10〜25wt%)を電子ビーム蒸着し、磁気
記録層を形成する過程でその特性の大半が決まっている
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、より高密度記録化を図る上で、高保磁力
化、磁化容易軸の垂直化をCo−0゜Co−Ni−0系
で達成すべく酸素導入条件(導入量、導入方向、不活性
気体との混合、イオン化等)を綿密に検討してもエラー
レイトが場所によって不均一であったり、十分な再現性
がみられないといった課題があり、改善が望まれていた
。
化、磁化容易軸の垂直化をCo−0゜Co−Ni−0系
で達成すべく酸素導入条件(導入量、導入方向、不活性
気体との混合、イオン化等)を綿密に検討してもエラー
レイトが場所によって不均一であったり、十分な再現性
がみられないといった課題があり、改善が望まれていた
。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、高密度記
録特性の均一性に優れた磁気記録媒体を製造する方法を
提供するものである。
録特性の均一性に優れた磁気記録媒体を製造する方法を
提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、強磁性金属の電子ビーム蒸着時に、導入す
る酸素ガスを冷却体に露呈した後に吹き付けるようにし
たものである。
製造方法は、強磁性金属の電子ビーム蒸着時に、導入す
る酸素ガスを冷却体に露呈した後に吹き付けるようにし
たものである。
作用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、酸素ガスに含まれる水分が直接薄膜に悪影響を与えな
くなるのと、酸素の運動エネルギーが小さ(なり、強磁
性金属薄膜を構成する柱状結晶微粒子の微細化が進み、
より均一な磁気特性をもった磁気記録媒体が得られるこ
とになる。
、酸素ガスに含まれる水分が直接薄膜に悪影響を与えな
くなるのと、酸素の運動エネルギーが小さ(なり、強磁
性金属薄膜を構成する柱状結晶微粒子の微細化が進み、
より均一な磁気特性をもった磁気記録媒体が得られるこ
とになる。
実施例
以下図面を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。第1図は本発明を実施するのに用いた蒸着装置の要
部構成図である。図で、1はポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン−2,6ナフタレート、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の高分
子フィルムで、2は送り出し軸、3は巻取り軸、4は回
転キャン、5は蒸発源容器、6は蒸着材料、7は蒸気流
、8はマスク、9は酸素ノズル、1oは導入酸素、11
は冷却体12に露呈され水分を除去された酸素である。
る。第1図は本発明を実施するのに用いた蒸着装置の要
部構成図である。図で、1はポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン−2,6ナフタレート、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の高分
子フィルムで、2は送り出し軸、3は巻取り軸、4は回
転キャン、5は蒸発源容器、6は蒸着材料、7は蒸気流
、8はマスク、9は酸素ノズル、1oは導入酸素、11
は冷却体12に露呈され水分を除去された酸素である。
12は−100〜−140℃に冷却されたパネルを用い
ればよい。
ればよい。
蒸発は電子ビーム加熱によって行い、斜め蒸着に限らず
、垂直磁化膜の形成にも本発明は適用することができる
ものである。
、垂直磁化膜の形成にも本発明は適用することができる
ものである。
導入ガスについては酸素100%に限らずAr。
Xe、He、H2等の他のガスとの混合ガスでもよい。
以下更に具体的に本発明の実施例について比較例との対
比で説明する。
比で説明する。
厚み10μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径150AのTiO2微粒子を22ケ/μ2配した
フィルムを直径1mの回転キャン(キャン温度25℃)
に沿わせて、90度から蒸着をはじめ最小入射角を30
度と60度の2種類選んで、膜厚が0.2μmとなるよ
うに2回にわけてCoNi (Ni20wt%)を電子
ビーム蒸着した。その際、実施例は、−140℃に冷却
したパネルに導入酸素を反射させるようにして用い、比
較例は、ノズルから直接、蒸着ゾーンを見込むように酸
素を導入する方法を採った。
に直径150AのTiO2微粒子を22ケ/μ2配した
フィルムを直径1mの回転キャン(キャン温度25℃)
に沿わせて、90度から蒸着をはじめ最小入射角を30
度と60度の2種類選んで、膜厚が0.2μmとなるよ
うに2回にわけてCoNi (Ni20wt%)を電子
ビーム蒸着した。その際、実施例は、−140℃に冷却
したパネルに導入酸素を反射させるようにして用い、比
較例は、ノズルから直接、蒸着ゾーンを見込むように酸
素を導入する方法を採った。
夫々パーフルオロポリエーテルラウリルを゛40A塗布
し、0.4μmのバックコート層を配し、8ミリ幅の磁
気テープに加工し、幅40 am 、長さ2000mの
原反から任意の8ケ所をサンプリングして、改造した8
ミリビデオにより、ビット長0.25μm、)ラックピ
ッチ8μmのディジタル記録を行い、ロービットエラー
レイトを比較した。
し、0.4μmのバックコート層を配し、8ミリ幅の磁
気テープに加工し、幅40 am 、長さ2000mの
原反から任意の8ケ所をサンプリングして、改造した8
ミリビデオにより、ビット長0.25μm、)ラックピ
ッチ8μmのディジタル記録を行い、ロービットエラー
レイトを比較した。
磁気特性と得られた特性を表に示した。
ピットエラーレイトは、8ケ所の平均値と最大値で示し
た。
た。
(以 下 余 白)
表より明らかなように本実施例によれば、微視的均一性
が良好であることが、平均値と最大値に殆ど差がなく、
エラーレイトも良好であることより理解される。
が良好であることが、平均値と最大値に殆ど差がなく、
エラーレイトも良好であることより理解される。
この効果は、40度から10度の入射角範囲でCo、C
o−Ni (Ni20wt%)を酸素とArを導入して
Co−0,Co−Ni −0垂直磁化膜を形成したとき
にも同様に確認できた。
o−Ni (Ni20wt%)を酸素とArを導入して
Co−0,Co−Ni −0垂直磁化膜を形成したとき
にも同様に確認できた。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高密度記録に於ける特性
の均一性にすぐれた磁気記録媒体を製造できるといった
すぐれた効果がある。
の均一性にすぐれた磁気記録媒体を製造できるといった
すぐれた効果がある。
第1図は本発明の一実施例における蒸着装置の要部構成
図である。 1・・・・・・高分子フィルム、6・・・・・・蒸着材
料、9・・・・・・酸素導入ノズル、12・・・・・・
冷却体。
図である。 1・・・・・・高分子フィルム、6・・・・・・蒸着材
料、9・・・・・・酸素導入ノズル、12・・・・・・
冷却体。
Claims (1)
- 電子ビーム蒸着時に酸素ガスを導入して強磁性金属溝膜
を形成するのに、酸素ガスを冷却体に露呈した後に吹き
付けることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27395790A JPH04147434A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27395790A JPH04147434A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04147434A true JPH04147434A (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=17534930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27395790A Pending JPH04147434A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04147434A (ja) |
-
1990
- 1990-10-11 JP JP27395790A patent/JPH04147434A/ja active Pending
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